Биполярный транзистор bc547: аналоги, характеристики

Характеристики

Приведем основные предельно допустимые характеристики транзистора ВС557 при температуре окружающей среды 25оС:

• Максимальное напряжение коллектор-база U_{кб max} = — 50 В;
• Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер U_{кэ max} = -45 В;
• Наибольшее возможное напряжение эмиттер-база U_{эб max} = -5 В;
• Максимальный постоянный ток коллектора I_{к max} = -100 А;
• Наибольший допустимый ток коллектора I_{к пик} = -200 А;
• Рассеиваемая мощность коллектора (максимальная) Р_{к max} = 0,5 Вт;
• Температура хранения (рабочая) T_stg = -65 … 150 оС;
• Максимальная температура перехода T_j = 150 оС.

В следующей таблице написаны основные электрические значения устройства.

В документации производителя присутствует такой параметр как «тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда»

Данное число показывает, насколько градусов увеличится температура кристалла, при увеличении рассеиваемой мощности.

Все транзисторы ВС557 по статическому коэффициенту передачи тока (h_fe) делятся на три группы А, В и С.

1. Для ВС557А – h_fe = от 110 до 200;
2. Для ВС557В – h_fe = от 200 до 450;
3. Для ВС557С – h_fe = от 420 до 800;

На следующем рисунке приведен график зависимости коэффициента усиления транзистора при включении его по схеме с общим эмиттером h_fe от тока коллектора.

На графике по оси абсцисс отложены значения тока коллектора в логарифмическом масштабе. По оси ординат отложены значения h_fe.

2SB755 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:516K  no 2sb755.pdf

4.3 MAXI : 300 I I-10I I loo-810-45I-3 I-201 I I -0.03 -0.1 -0.3 -1 -3 -10 -30-2I -8-625 75 100 125 175 200

 ..2. Size:170K  jmnic 2sb755.pdf

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB755 DESCRIPTION With MT-200 package Complement to type 2SD845 High transition frequency High breakdown voltage :VCEO=-150V(min) APPLICATIONS For power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (MT-200) and sy

 ..3. Size:220K  inchange semiconductor 2sb755.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB755DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = -150V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SD845Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Colle

 9.1. Size:98K  toshiba 2sb754.pdf

 9.2. Size:117K  panasonic 2sb759.pdf

 9.3. Size:104K  panasonic 2sb751.pdf

 9.4. Size:58K  no 2sb750.pdf

 9.5. Size:41K  no 2sb753.pdf

 9.6. Size:155K  jmnic 2sb757.pdf

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB757 DESCRIPTION With TO-3PN package High collector current Wide area of safe operation Complement to type 2SD847 APPLICATIONS Audio amplifications Serie regulators General purpose power amplifiers PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outli

 9.7. Size:209K  jmnic 2sb753.pdf

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB753 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD843 Low collector saturation voltage High power dissipation APPLICATIONS High current switching applications Power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outl

 9.8. Size:326K  jmnic 2sb754.pdf

Product Specification www.jmnic.comSilicon PNP Power Transistors 2SB754 DESCRIPTION With TO-3P(I) package Complement to type 2SD844 High collector current :I =-7A CLow collector saturation voltage High power dissipation APPLICATIONS High current switching applications Power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected

 9.9. Size:216K  inchange semiconductor 2sb757.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB757DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -40V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEHigh Current CapabilityWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SD847Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio amplifier applicationsSeries regulatorsGeneral

 9.10. Size:216K  inchange semiconductor 2sb753.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB753DESCRIPTIONHigh Collector Current:I = -7ACLow Collector Saturation Voltage: V = -0.5V(Max)@I = -4ACE(sat) CHigh Collector Power DissipationComplement to Type 2SD843Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current switching applicationsPower amplifier applicatio

 9.11. Size:199K  inchange semiconductor 2sb754.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB754DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -50V(Min)(BR)CEOHigh Collector Current: I = -7ACLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.4V(Max) @I = -4ACE(sat) CComplement to Type 2SD844Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh cur

Биполярный транзистор 2SB755 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SB755

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 450
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55

Корпус транзистора:

2SB755
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:516K  no 2sb755.pdf

4.3 MAXI : 300 I I-10I I loo-810-45I-3 I-201 I I -0.03 -0.1 -0.3 -1 -3 -10 -30-2I -8-625 75 100 125 175 200

 ..2. Size:170K  jmnic 2sb755.pdf

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB755 DESCRIPTION With MT-200 package Complement to type 2SD845 High transition frequency High breakdown voltage :VCEO=-150V(min) APPLICATIONS For power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (MT-200) and sy

 ..3. Size:220K  inchange semiconductor 2sb755.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB755DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = -150V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SD845Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Colle

 9.1. Size:98K  toshiba 2sb754.pdf

 9.2. Size:117K  panasonic 2sb759.pdf

 9.3. Size:104K  panasonic 2sb751.pdf

 9.4. Size:58K  no 2sb750.pdf

 9.5. Size:41K  no 2sb753.pdf

 9.6. Size:155K  jmnic 2sb757.pdf

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB757 DESCRIPTION With TO-3PN package High collector current Wide area of safe operation Complement to type 2SD847 APPLICATIONS Audio amplifications Serie regulators General purpose power amplifiers PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outli

 9.7. Size:209K  jmnic 2sb753.pdf

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB753 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD843 Low collector saturation voltage High power dissipation APPLICATIONS High current switching applications Power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outl

 9.8. Size:326K  jmnic 2sb754.pdf

Product Specification www.jmnic.comSilicon PNP Power Transistors 2SB754 DESCRIPTION With TO-3P(I) package Complement to type 2SD844 High collector current :I =-7A CLow collector saturation voltage High power dissipation APPLICATIONS High current switching applications Power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected

 9.9. Size:216K  inchange semiconductor 2sb757.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB757DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -40V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEHigh Current CapabilityWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SD847Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio amplifier applicationsSeries regulatorsGeneral

 9.10. Size:216K  inchange semiconductor 2sb753.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB753DESCRIPTIONHigh Collector Current:I = -7ACLow Collector Saturation Voltage: V = -0.5V(Max)@I = -4ACE(sat) CHigh Collector Power DissipationComplement to Type 2SD843Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current switching applicationsPower amplifier applicatio

 9.11. Size:199K  inchange semiconductor 2sb754.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB754DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -50V(Min)(BR)CEOHigh Collector Current: I = -7ACLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.4V(Max) @I = -4ACE(sat) CComplement to Type 2SD844Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh cur

Другие транзисторы… 2SB751A
, 2SB751B
, 2SB753
, 2SB753O
, 2SB753Y
, 2SB754
, 2SB754O
, 2SB754Y
, TIP42
, 2SB756
, 2SB757
, 2SB758
, 2SB758A
, 2SB759
, 2SB759A
, 2SB75A
, 2SB75AH
.