Транзистор d2058

Преимущества схемы Дарлингтона

Транзисторы Дарлингтона используются так же, как одинарные биполярные. Их можно рассматривать как один транзистор с измененными параметрами

Наиболее важной особенностью такого изменения является умножение текущих коэффициентов усиления

Вернемся к примеру, приведенному в начале: объединив мощный транзистор с β = 40 с меньшим значением β, мы получим коэффициент усиления 1600. Для включения нагрузки, потребляющей 5 А, потребуется всего 3 мА — это ток, который успешно обеспечивает большинство микроконтроллеров.

Однако необходимо помнить, что транзисторы в этом соединении загружены неравномерно: большая часть тока проходит через T2. Это означает, что они не обязательно должны быть одного типа. Например, T1 может быть транзистором малой мощности с большим β, что делает результирующее усиление еще выше!

Технические характеристики

2N3055 являются низкочастотным транзистором. Вместе с тем считается, что типовая граничная частота его перехода находится в диапазоне 3-6 МГц. Но так было не всегда. Впервые данный параметр на устройства появился в техописаниях компании RCA в 1971 г. и составлял всего 0,8 МГц. Постепенно он рос, вместе с совершенствованием технического процесса изготовления. В 1977 г принял современное значение в 2,5 МГц.

Основные параметры рассматриваемого транзистора, с момента начала его производства (с 1967 г.) практически не изменялись. У разных производителей могут быть они могут незначительно отличатся. Вот типовые значения максимально допустимых эксплуатационных характеристик 2N3055:

• предельное напряжение К-Б (V_{КБО макс}) до 100 В, при разомкнутой цепи Э;
• предельное напряжение К-Э (V_{КЭО макс}) до 70 В, при обрыве на Б;
• максимальный коллекторный ток (I_Кмакс) до 15 А;
• рассеиваемая мощность (P_Кмакс) до 115 Вт;
• статический коэффициент передачи тока (H_FE) 20 … 70;
• температура перехода (T_К) до 200 oC, хранения (Т_Хран) -65…+200 oC.

Превышение любого из этих значений может привести к выходу устройства из строя. С повышением температуры окружающей среды рассеиваемая мощность падает линейно.

Аналоги

Самым популярным российским аналогом 2N3055 считается мощный биполярный транзистор KT819ГM от АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ». От зарубежных производителей, в качестве замены можно использовать современный варианты с большим номинальным напряжением 2N3055HV (VКЭО = 100 В), MJ15015G (VКЭО = 120 В). Хорошей альтернативой является: T2N6371HV

Стоит обратить внимание на появившиеся в настоящее время версии в пластиковом корпусе ТО-3PN типа TIP3055 с мощностью до 90 Вт

В 70-хх компания Philips выпускала очень похожие устройства с маркировкой BDY20 (V_КЭО до 60 В) и позиционировала их для применения в аппаратуре Hi-Fi. Очень надежными и качественными эквивалентами у радиолюбителей до сих пор считаются KD502, KD503 бывшего Чехословацского производителя Teslа. К сожалению найти их сейчас очень сложно, так как они больше не выпускаются, а предприятие после распада СССР пришло в упадок.

Комплементарная пара

У устройства есть комплементарная пара MJ2955 с переходом типа PNP. По своим параметрам, кроме кремниевой структуры, он является почти полной копией транзистора 2N3055. Применяется вместе с ним в выходных каскадах мощных усилителей до 40 Вт с нагрузкой до 8 Ом, и 60 Вт на 4 Ом.

Виды транзисторов

По принципу действия и строению различают полупроводниковые триоды:

• полевые;
• биполярные;
• комбинированные.

Эти транзисторы выполняют одинаковые функции, однако существуют различия в принципе их работы.

Полевые

Данный вид триодов ещё называют униполярным, из-за электрических свойств – у них протекает ток только одной полярности. По строению и типу управления эти устройства подразделяются на 3 вида:

1. Транзисторы с управляющим p-n переходом (рис. 6).
2. С изолированным затвором (бывают со встроенным либо с индуцированным каналом).
3. МДП, со структурой: металл-диэлектрик-проводник.

Отличительная черта изолированного затвора – наличие диэлектрика между ним и каналом.

Детали очень чувствительны к статическому электричеству.

Схемы полевых триодов показано на рисунке 5.

Рис. 5. Полевые транзисторыРис. 6. Фото реального полевого триода

Обратите внимание на название электродов: сток, исток и затвор. Полевые транзисторы потребляют очень мало энергии. Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора

Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п

Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора. Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п

Полевые транзисторы потребляют очень мало энергии. Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора. Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п.

Биполярные

Об этом виде транзисторов много сказано в подразделе «Базовый принцип работы». Отметим лишь, что название «Биполярный» устройство получило из-за способности пропускать заряды противоположных знаков через один канал. Их особенностью является низкое выходное сопротивление.

Транзисторы усиливают сигналы, работают как коммутационные устройства. В цепь коллектора можно включать достаточно мощную нагрузку. Благодаря большому току коллектора можно понизить сопротивление нагрузки.

Более детально о строении и принципе работы рассмотрим ниже.

Комбинированные

С целью достижения определённых электрических параметров от применения одного дискретного элемента разработчики транзисторов изобретают комбинированные конструкции. Среди них можно выделить:

• биполярные транзисторы с внедрёнными и их схему резисторами;
• комбинации из двух триодов (одинаковых или разных структур) в одном корпусе;
• лямбда-диоды – сочетание двух полевых триодов, образующих участок с отрицательным сопротивлением;
• конструкции, в которых полевой триод с изолированным затвором управляет биполярным триодом (применяются для управления электромоторами).

Комбинированные транзисторы – это, по сути, элементарная микросхема в одном корпусе.

Это интересно: Как подключить электроплиту к 220 Вольт — кратко и понятно

Аналоги и комплементарная пара

Существуют зарубежные устройства, которые полностью идентичны ВС337 по своим характеристикам и распиновке: BC184, 2N4401, MPSA06. Российская промышленность также выпускает изделия, которыми его можно заменить: КТ660А, КТ3102Б, КТ928.

Перед заменой транзистора нужно разобраться, в какой схеме и для чего он используется, а также знать режимы его работы и сравнить технические характеристики оригинального и предполагаемого на замену прибора. И только после этого можно решать, подходит он или нет.

В качестве комлементарой пары производители рекомендуют использовать BC327.

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы
Описание
Фабрикантес
ПДФ

2SD750
Кремниевый силовой транзистор NPN
ДЮЙМ
ПДФ

2SD750
Si NPN-транзистор
Панасоник
ПДФ

60CPH03
Эпитаксиальный диод с общим катодом и быстрым восстановлением
Thinki Полупроводник
ПДФ

7MBP75TEA120
БТИЗ (биполярный транзистор с изолированным затвором)
Фудзи
ПДФ

Ач21
Двойной усилитель с расширенным динамическим диапазоном
TriQuint Semiconductor
ПДФ

АВХ-175ДВД
DVD RDS AV-РЕСИВЕР Руководство пользователя
Пионер
ПДФ

АВХ-275БТ
DVD RDS AV-РЕСИВЕР Руководство пользователя
Пионер
ПДФ

АВх375БТ
DVD RDS AV-РЕСИВЕР Руководство пользователя
Пионер
ПДФ

В1240
ПНП транзистор – 2SB1240
РОМ Полупроводник
ПДФ

В1277
ПНП-транзистор – 2SB1277
РОМ Полупроводник
ПДФ

В1277
Кремниевый транзистор PNP
ФГС
ПДФ

BC847QAS
Транзистор общего назначения NPN/NPN
NXP Полупроводники
ПДФ

КС20Н50АНХ
Кремниевый силовой N-канальный МОП-транзистор
Дискретные устройства Huajing
ПДФ

Д750
Кремниевый силовой транзистор NPN
ДЮЙМ
ПДФ

Характеристики и распиновка 2n3055

Как и другие транзисторы, El 2N3055 имеет 3 подключения для эмиттера, базы и коллектора. Мы уже обсуждали это в других статьях о транзисторах. Поэтому ноль сомнений в распиновке этого NPN транзистора. Конфигурация аналогична контакту 1 для базы, который будет использоваться в качестве переключателя для тока, проходящего через полупроводник или нет, контакт 2 является эмиттером (обычно соединенным с GND или землей), а коллектор, который на самом деле является TAB так как третьего пина нет (нормально подключен к питанию).

Можно использовать транзистор 2n3055 для цепей средней мощности, он безопасен, он имеет низкое насыщение между напряжением коллектор-эмиттер, доступна упаковка без свинца, он имеет коэффициент усиления более 70 hFE для постоянного тока (линейный), максимальное напряжение, которое может выдерживать или пропускать коллектор и эмиттер — 60 В для постоянного тока, такой же максимальный ток, который может проходить через коллектор, составляет 15 А.

Теме статьи:
Транзистор BC547: все, что вам нужно знать

Для базы ограничения в обоих случаях составляют 7 В (база-эмиттер) и 7 А постоянного тока. В случае наличия напряжения между коллектором и базой оно может достигать 100 В. Если мы посмотрим на температуру, при которой он может работать, диапазон будет между От -65 до + 200ºC. Таким образом, он без проблем работает при экстремальных температурах, что терпят не все электронные устройства, особенно если вы посмотрите на максимальную поддерживаемую температуру

Кстати, по рассеиваемой мощности она достигает 115Вт, что немаловажно ..

Обзор функций:

• Тип: NPN
• Для цепей средней мощности
• Увеличение 70 hFE
• Коллектор-эмиттер 60в DC
• Ток коллектора 15 А постоянного тока
• База-эмиттер 7в
• База 7А
• Коллектор-база 100в
• Рабочая температура от -65 до + 200ºC
• Рассеиваемая мощность 115 Вт
• Металлическая оболочка

Эквивалентные и дополнительные

Для 2n3055 есть эквивалентные транзисторы. Вы можете использовать их как заменители типа 2n6673 и 2n6675. Другие подобные транзисторы, хотя и не такие, — это MJ10023, BUX98 и BDW51. Вы можете без проблем использовать их в своих схемах в качестве альтернативы, теперь вы должны хорошо прочитать таблицы данных всех из них, чтобы увидеть возможные различия, поскольку они могут быть разными в некоторых случаях и могут создавать проблемы в крайних случаях.

Если вам интересно о дополнительный, то есть наоборот, вы можете увидеть MJ2955. В данном случае это почти сестринский транзистор, идентичный по многим характеристикам, описанным в предыдущем разделе, но это биполярный PNP вместо NPN. Знание дополнений иногда может очень помочь нам в составлении схем, поэтому мы всегда включаем их в наши сообщения.

Даташит

к безопасно составлять схемы и поддерживать поддерживаемые диапазоны Для этого устройства вы должны увидеть спецификации этих устройств. Они могут быть изготовлены самыми разными производителями, и у всех из них есть свои спецификации, в которых могут быть некоторые различия. Freescale, STMicroelectronics и Siemens — одни из самых известных производителей, хотя их больше.

Теме статьи:
Транзистор 2Н2222: все, что нужно знать

Так что ваши будущие схемы переключения мощности, усилители, ШИМ, регуляторы, усилители сигналов и т. Д. схем, которые могут быть составлены с помощью 2n3055, вы можете получить спецификации здесь:

• Различные таблицы данных от различных производителей.
• Компания ON Semiconductor 2n3055: поскольку в других случаях мы использовали техническое описание ON Semiconductor для других электронных устройств, вот техническое описание этой компании для рассматриваемого транзистора …

Историческая справка

История этого популярного полупроводникового прибора хорошо известна. Первоначально он был разработан в 60-хх компанией RCA (инженерами из группы Херба Мейзеля) и производился по меза-планарному техпроцессу. Предназначался для работы в усилителях мощности. В последующем стал применяться в стабилизаторах и регуляторах напряжения в блоках питания. С середины 70-xx, вместе с поиском более экономичного способа производства, его начали изготавливать по эпитаксиальной технологии. Неплохие усиливающие свойства, их линейность при этом, cделали устройство незаменимым спутником многих УНЧ того времени.

К сожалению RCA в 1988 г. прекратило существование. Её полупроводниковый бизнес приобрела американская Harris Corporation. Сейчас транзисторы с маркировкой 2N 3055 выпускают многие зарубежные компании, в том числе с применением экологичных без свинцовых (Pb-Free) стандартов. Считается, что более новые экземпляры (выпущенные по эпитаксиальной технологии) лучше работают в схемах усиления, но хуже защищены от высоких напряжений.

Вместе тем, в последнее время качество изготовления таких транзисторов сильно упало, особенно с появлением китайских конкурентов. Кроме того, появились случаи их подделки. Маловероятно купить оригинальный экземпляр на интернет-площадках вроде Aliexpress, Amazon, eBay, и др. Поэтому многие радиолюбители предпочитают его старые версии, выпущенные преимущественно до 2000 г.

Отстъпка 15a 400 W Mosfet триггерный превключвател модул с Pwm регулатор на контролния панел

• Начало
• Активни съставки

15A 400 W MOSFET Триггерный Превключвател Модул С PWM Регулатор на контролния Панел

Оценка: 5

Цвят :

Количества:

Добави в количката

Описание
Коментари
Технически характеристики

Преглед

Основни моменти модул:

1. Използването на вносни паралелно активно излизане dual-MOS, по-ниско съпротивление, по-голям ток, силна мощност.При стайна температура, за да осигури ток 15А, мощност 400 W;

2. Широк входен сигнал напрежение, поддръжка на PWM;

3. Лесна за управление на устройства с висока мощност.

Технически характеристики на продукта и областта му на приложение:

1. Работно напрежение: DC 5 v – 36 В;

2. Източник на спусъка: цифров висок-нисък (DC3.3V – 20V), може да бъде свързан порт вход-изхода на микроконтролера, интерфейси АД, храна dc, можете да получите достъп до PWM-сигнал, сигнал може да се поддържа в честотния диапазон 0-20 khz.

3. Изходна мощност: DC DC 5 В-36 В, при стайна температура, постоянен ток 15 А, мощност 400 W!

4. Приложение: Техника с висока мощност, двигатели, електрически крушки, led светлини, двигатели за постоянен ток, микронасосы, електромагнитен клапан; регулиране на скоростта на двигателя, яркостта на лампата.

5. срок на услугата: неограничен-изкл.;

6. Работна температура: -40-85 ℃ ;

7. Размер: 3.4 * 1.7 * 1.2 виж

Тагове: модул камера 1747, комплект комплект 172, корпус zvs, регулатор на напрежение, транзистор jfey, жена pwm, pwm-4-жичен контролер, модул електронен f, контролер 12v pwm 5a, филмът МОП-транзистори.

Напишете отзиви

Най-добрите свързани продукти

Copyright 2023 www.lookingshop.co . Всички права запазени

• Условия за ползване
• Декларация за поверителност

История создания

Разработчиком 2N2222 в корпусе ТО-18 считается американская компания Motorola. Её сотрудник (Джек Хайничен) изобрёл кольцевую структуру (annular) при производстве полупроводниковых триодов, позволившую увеличить напряжение p-n-перехода до 100 В. Ряд изделий, изготовленных по новой технологии, в том числе и рассматриваемый транзистор, впервые были продемонстрированы конференции «Института инженеров радиотехники» (IRE) в марте 1962 г. в г.Нью-Йорк.

С 1965 г. его стали производить в пластиковом корпусе ТО-92. У компании Motorola он имел маркировку PN2222, а затем PN2222A. Последний завоевал большую популярность, как среди любителей электроники, так и её производителей. В те времена для зарубежной промышленности он был таким же известным, как например, в Советском союзе КТ315.

В последующем, вместе с внедрением технологий поверхностного монтажа (SMD), появились 2N2222 в корпусах SOT-23, SOT-223. К таким транзисторам можно отнести: MMBT2222(Motorola), PMBT2222(Philips), FMMT2222(Zetex) и др. Их производством в настоящее время занимаются и другие компании.

Более поздние модификации рассматриваемого транзистора имеют маркировку 2N2222ADCSM. Они производятся в герметичном керамическом корпусе LCC (для поверхностного монтажа на плату) английской компанией Semelab.

Зарубежные и отечественные аналоги транзистора КТ3102

Наиболее часто для замены КТ3102 используют элементы, приведенные в таблице 1.

Аналог	VCEO	IC	PC	hFE	fT
КТ3102	50	0,2	0,25	100	100
Отечественный
КТ611Б	180	0,1	3	30	60
КТ315Б	20	0,1	0,15	50	250
КТ315Г	35	0,1	0,15	50	250
КТ315Е	35	0,1	0,15	50	250
Импорт
BC174	64	0,1	0,3	125	100
2SA2785
BC546	80	0,1	0,5	110	300
BC547	50	0,1	0,5	110	300
BC548	30	0,1	0,5	110	300
BC549	30	0,1	0,5	110	200
BC182	50	0,2	0,3	120	150

Таблица 1

Таблица 2 включает перечень элементов, схожих по электрическим параметрам, транзистору КТ3102 конкретной категории.

Группа	Аналоги
	Импорт	Отечественные
КТ3102АМ	2N4123, 2SC1815O, 2SC945O, 2SC945R, BC107AP, BC107АP, BC182A, BC183A, BC237A, BC238A, BC317, BC547A, BC548A, BC550A, BCY59-VII, BCY65-VII, MPS3709, SS9014A	КТ6111А
КТ3102БМ	2N2483 , 2N5210, 2SC1000GTM, 2SC1815, 2SC1815BL, 2SC1815GR, 2SC1815L, 2SC1815Y, 2SC828A, 2SC945G, 2SC945L, 2SC945Y, BC107BP, BC182B, BC182C, BC183B, BC183C, BC184A, BC237B, BC237C, BC318, BC337, BC382B, BC452, BC546B, BC547B, BC547C, BC550B, BC550C, BCY56, BCY59-IX, BCY59-VIII, BCY65-IX, BCY65-VII, BCY79, MPSA09, PN1484, SF132E, SS9014B, SS9014C, SS9014D	КТ3102БМ, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3117Б, КТ6111Б, КТ6111В, КТ6111Г, КТ660А
КТ3102ВМ	2N3711, 2SC454B, 2SC454C, 2SC454D, 2SC458, 2SC458KB, 2SC458KC, 2SC458KD, 2SC828, BC108AP, BC108BP, BC238, BC238A, BC238B, BC238C, BC451, BC548A, BC548B, BC548C, BC549A, BC549B, BC549C, MPS3708, MPS3710, SF131E
КТ3102ГМ	2SC538, 2SC900, 2SC923, BC108CP, BC183C, BC238C, BC382C, BC547C, BC548C, MPS3711, MPS6571, SF131F, SF132F
КТ3102ДМ	2N2484, 2N4124, 2N5209, 2SC458LGB, 2SC458LGC, 2SC458LGD, 2SC945, BC109BP, BC184A, BC239B, BC239C, BC383B, BC384B, BC453, BC521, BC521C, BC549A, BC549B, BCY59-X, MPS3707, MPS6512, MPS6513, MPS6514, MPS6515, PN1484
КТ3102ЕМ	2N5088, 2N5089, 2N5210, BC109CP, BC184B, BC239C, BC319, BC383C, BC384C, BC549C, BCY57, BFX65, MPS6516, MPS6517
КТ3102ЖМ	BC239B, MPS6518
КТ3102ИМ	BC109BP
КТ3102КМ	BC109CP

Таблица 2

Способы проверки irfz44n

Простая проверка полевого транзистора заключается в действиях по схеме.

Полевые транзисторы широко используются в современной технике, например, блоках питания, контроллерах напряжения компьютеров и других электронных девайсов, а также бытовой техники. Это и стиральные машины, и кофемолки, и осветители. Приборы часто выходят из строя, и в этих случаях нужно выявить, а затем устранить конкретную неполадку. Поэтому знать способы проверки транзисторов — обязательно.

Подключите черный щуп к стоку, а красный — к истоку. На дисплее высветится показатель перехода вмонтированного встречно расположенного диода. Запишите его. Отстраните красный щуп от истока и дотроньтесь им до затвора. Это способ частичного открытия полевика.

Верните красный щуп в прежнюю позицию (к истоку). Посмотрите на уровень перехода, он чуть снизился при открытии транзистора. Перенесите черный щуп со стока к затвору, и тем самым закройте транзистор. Верните его обратно и понаблюдайте за изменениями показателя перехода при полном закрытии irfz44n.

У затвора рабочего полевого транзистора должно быть сопротивление, приближенное к бесконечности.

По такой схеме проверяются n-канальные устройства, p-канальные тоже, но с щупами другой полярности.

Проверять мосфет-транзисторы можно и по небольшим схемам, к которым их подключают. Это быстрый и точный метод. Но если проверки устройства требуются нечасто, или у вас нет возможности собирать схемы, то способ с мультиметром — идеальное решение.

irfz44n — это относительно современная группа транзисторов, которые управляются не с помощью электричества, как в случае с биполярными устройствами, а посредством напряжения — то есть поля. Этим и объясняется аббревиатура MOSFET. Проверка транзистора указанным способом помогает понять, какая именно деталь вышла из строя.

Производители и DataSheet

Выпуском рассматриваемого устройства занимаются много фирм. Перечислим наиболее крупные:

• Fairchild Semiconductor;
• KEC(Korea Electronics);
• Guangdong Kexin Industrial;
• Weitron Technology;
• Foshan Blue Rocket Electronics.

В отечественных магазинах можно встретить транзистор 2N7002 выпущенный многими зарубежными компаниями:

• ON Semiconductor;
• Diodes Incorporated;
• Micro Commercial Components;
• Vishay Siliconix;
• NXP Semiconductors;
• Yangzhou yangjie electronic;
• Pan Jit International;
• Comchip Technology;
• Infineon Technologies;
• Central Semiconductor;
• GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL;
• Diotech Company;
• Shenzhen Luguang Electronic Technology;
• Microchip Technology.

Скачать datasheet на 2N7002 от каждого производителя можно по ссылка выше.

Историческая справка

История этого популярного полупроводникового прибора хорошо известна. Первоначально он был разработан в 60-хх компанией RCA (инженерами из группы Херба Мейзеля) и производился по меза-планарному техпроцессу. Предназначался для работы в усилителях мощности. В последующем стал применяться в стабилизаторах и регуляторах напряжения в блоках питания. С середины 70-xx, вместе с поиском более экономичного способа производства, его начали изготавливать по эпитаксиальной технологии. Неплохие усиливающие свойства, их линейность при этом, cделали устройство незаменимым спутником многих УНЧ того времени.

К сожалению RCA в 1988 г. прекратило существование. Её полупроводниковый бизнес приобрела американская Harris Corporation. Сейчас транзисторы с маркировкой 2N 3055 выпускают многие зарубежные компании, в том числе с применением экологичных без свинцовых (Pb-Free) стандартов. Считается, что более новые экземпляры (выпущенные по эпитаксиальной технологии) лучше работают в схемах усиления, но хуже защищены от высоких напряжений.

Вместе тем, в последнее время качество изготовления таких транзисторов сильно упало, особенно с появлением китайских конкурентов. Кроме того, появились случаи их подделки. Маловероятно купить оригинальный экземпляр на интернет-площадках вроде Aliexpress, Amazon, eBay, и др. Поэтому многие радиолюбители предпочитают его старые версии, выпущенные преимущественно до 2000 г.

Транзисторы Дарлингтона медленные!

Для схемы Дарлингтона характерно определенное явление, которое очень затрудняет работу на высоких частотах. Его переключение, а особенно выключение, занимает много времени (для электроники).

Давайте еще раз посмотрим на принципиальную схему. При включении питания потенциал базы T1 повышается (например, микроконтроллером), тем самым вводя в нее ток. Этот транзистор очень быстро переходит из состояния засорения в активный, в котором он усиливает этот ток и подает его на базу T2, которая также очень эффективно включается. Все происходит довольно быстро.

Предположим, что этот транзистор используется для включения мощного приемника, например двигателя, который требует его сильного насыщения.

Примерная схема подключения двух биполярных транзисторов в схему Дарлингтона

Теперь выключаем транзистор Дарлингтона. Потенциал базы T1 подтягивается резистором к земле. Носители заряда, накопившиеся в этой базе, должны оттекать от нее через этот резистор. Поскольку T1 был «по-настоящему» насыщен, таких носителей там было довольно много.

В течение этого времени, T2 все еще был проводящим, хотя он больше не должен таковым быть. Предположим, что носители вышли из базы T1, вопрос: куда должны уйти носители с базы T2? Единственный выход — это база, но к ней подключен только забитый транзистор… Нам остается только ждать, пока эти носители самопроизвольно «рассеются» и транзистор окончательно перестанет проводить.

Это явление демонстрируют следующие иллюстрации (текущие значения, конечно, не отражают реальные — они служат только для иллюстрации шкалы и самого факта прохождения тока; RL и значок двигателя символизируют какой-то элемент, который питается от транзистора, например двигатель).

Оба транзистора непроводящие	Течение тока через базу, активирует оба транзистора

В выключенном состоянии ситуация следующая:

Заряд, накопленный после отключения тока	Захваченный заряд медленно рассеивается

Таким образом, на отключение транзистора Дарлингтона влияют два события:

• снятие с насыщения и засорения Т1,
• ожидание, пока транзистор Т2 перестанет проводить.

Первую проблему можно как-то решить, используя, например, соответствующие схемы для ускорения переключения транзисторов. Однако с последним есть проблема, потому что по носителям должен быть обеспечен поток от базы к эмиттеру.

Электроника придумала способ частично решить эту проблему. Этот метод предполагает добавление резистора между базой и эмиттером Т2. Благодаря этому, носители заряда находят выход из базы. Одним из недостатков является снижение коэффициента усиления по току, поскольку этот резистор «крадет» ток у эмиттера T1.

Такие модифицированные транзисторы Дарлингтона коммерчески доступны как одиночные, так и в виде интегральных схем с большим количеством компонентов внутри. Хорошим примером является популярная микросхема ULN2003, в состав которой входит аж 7 таких систем.

Популярная микросхема ULN2003

В состав этой микросхемы также входят резисторы, ограничивающие базовый ток T1 (2,7 кОм) и ускоряющие выключение T1. Использование таких интегральных блоков удобно тем, что экономит место на плате, вход этой схемы подключается напрямую к выходу микроконтроллера.

Внутренняя схема ULN2003

Габариты транзистора КТ361 и КТ361-1

Тип корпуса транзистора КТ-13. Масса одного транзистора не более 0,2 г. Величина растягивающей силы 5 Н (0,5 кгс). Минимальное расстояние места изгиба вывода от корпуса – 1 мм (на рисунке обозначено как L1). Температура пайки (235 ± 5) °С, расстояние от корпуса до места пайки 1 мм, продолжительность пайки (2 ± 0,5) с. Транзисторы должны выдерживать воздействие тепла, возникающего при температуре пайки (260 ± 5) °С в течение 4 секунд. Выводы должны сохранять паяемость в течение 12 месяцев с даты изготовления при соблюдении режимов и правил выполнения пайки, указанных в разделе «Указания по эксплуатации». Транзисторы устойчивы к воздействию спирто-бензиновой смеси (1:1), а также пожаробезопасны. Габаритные размеры транзистора КТ361 и КТ361-1 приведены на рисунке 1.

Рисунок 1 – Маркировка, цоколёвка и габаритные размеры транзистора КТ361 и КТ361-1