Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со струкрурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для применения в схемах усилителей низкой частоты, дифференциальных и операционных усилителей.
Отечественное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | fT | Cob | NF | UCE(sat) | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 130 | 80 | 3,5 | — | ≤ 0,25 | SOT-23 |
| КТ3102А | 0,25 | 50 | 50 | 5 | 0,1 | — | 100…200 | 150 | ≤ 6 | 10 | — | ТО-92, ТО-18 |
| КТ3102Б | 0,25 | 50 | 50 | 5 | 0,1 | — | 200…500 | 150 | ≤ 6 | 10 | — | ТО-92, ТО-18 |
| КТ602А/Б | 0,85 | 120 | 100 | 5 | 0,075 | 150 | 20…80 | 150 | ≤ 4 | — | ≤ 3,0 | ТО-126 |
| КТ602В/Г | 0,85 | 80 | 70 | 5 | 0,075 | 150 | 15…80 | 150 | ≤ 4 | — | ≤ 3,0 | ТО-126 |
| КТ611А/Б | 0,8 | 200 | 180 | 4 | 0,1 | 150 | 10…120 | ≥ 60 | ≤ 5 | — | ≤ 0,8 | ТО-126 |
| КТ611В/Г | 0,8 | 180 | 180 | 4 | 0,1 | 150 | 10…120 | ≥ 60 | ≤ 5 | — | ≤ 0,8 | ТО-126 |
| КТ660А | 0,5 | 50 | 45 | 5 | 0,8 | 150 | 110…220 | ≥ 200 | ≤ 10 | — | ≤ 0,5 | ТО-92 |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | fT | Cob | NF | UCE(sat) | Корпус | Маркировка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 70…700 | 80 | ≤ 3,5 | 1…10 | 0,25 | TO-92 | — |
| CSC3114/R | 0,4 | — | 50 | — | 0,15 | — | 100 | 100 | ≤ 3,5 | ≤ 100 | ≤ 0,25 | TO-92 | — |
| CSC3114S | 0,4 | — | 50 | — | 0,15 | — | 140 | 100 | — | — | — | TO-92 | — |
| CSC3114V | 0,4 | — | 50 | — | 0,15 | — | 280 | 100 | — | — | — | TO-92 | — |
| CSC3199 | 0,4 | — | 50 | — | 0,15 | — | 70…700 | 80 | — | — | — | TO-92 | — |
| CSC3331/R/S/T | 0,5 | — | 50 | — | 0,2 | — | 70 | 200 | — | — | — | TO-92 | — |
| CSC3331TU/U/V | 0,5 | — | 50 | — | 0,2 | — | 70 | 200 | — | — | — | TO-92 | — |
| C1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 130 | 80 | — | — | 0,25 | SOT-23 | HF |
| 2N5551SC | 0,35 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 150 | 100 | ≤ 6 | ≤ 8 | ≤ 0,5 | SOT-23 | ZFC |
| 2PD601BRL | 0,25 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 210 | 100 | ≤ 3 | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | ML٭ |
| 2PD601BSL | 0,25 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 290 | 100 | ≤ 3 | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | MM٭ |
| 2PD602ASL | 0,25 | 60 | 50 | 5 | 0,5 | 150 | 170 | 180 | ≤ 15 | — | ≤ 0,6 | SOT-23 | SF |
| 2SC2412-R | 0,2 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 180 | 180 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,4 | SOT-23 | BR |
| 2SC2412-S | 0,2 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 270 | 180 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,4 | SOT-23 | BS |
| 2SC945LT1 | 0,23 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 200 | 150 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,3 | SOT-23 | L6 |
| 2STR1160 | 0,5 | 60 | 50 | 5 | 1 | 150 | 250 | 150 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,43 | SOT-23 | 160 |
| BCV47 | 0,36 | 80 | 60 | 10 | 0,5 | 150 | 10000 | 170 | ≤ 3,5 | — | ≤ 1,0 | SOT-23 | DK, FG, FGp, FGs, FGt, W |
| BTC2412N3 | 0,225 | 60 | 50 | 7 | 0,2 | 150 | 180 | 80 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,4 | SOT-23 | C4 |
| BTD2150N3 | 0,225 | 80 | 50 | 6 | 4 | 150 | 270 | 175 | 14 | — | ≤ 0,32 | SOT-23 | CF |
| BTN6427N3 | 0,225 | 100 | 60 | 12 | 0,5 | 150 | 10000 | ≤ 7 | — | ≤ 1,5 | SOT-23 | 1N | |
| CMPT3820 | 0,35 | 80 | 60 | 5 | 1 | 150 | 200 | 150 | ≤ 10 | — | ≤ 0,28 | SOT-23 | 38C |
| CMPT491E | 0,35 | 80 | 60 | 5 | 1 | 150 | 200 | 150 | ≤ 10 | — | ≤ 0,4 | SOT-23 | C49 |
| INC5001AC1 | 0,2 | 80 | 60 | 5 | 1 | 150 | 130 | 240 | ≤ 10 | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | XY |
| INC5006AC1 | 0,2 | 100 | 50 | 7 | 3 | 150 | 400 | 250 | 13 | — | ≤ 0,2 | SOT-23 | CER |
| KMMT619 | 0,35 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 20 | — | ≤ 0,5 | SOT-23 | 619, 619H |
| KST6428 | 0,35 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 3 | — | — | SOT-23 | 1K |
| L2SC1623RLT1G | 0,225 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 180 | 250 | ≤ 3 | — | ≤ 0,3 | SOT-23 | L6 |
| L2SC1623SLT1G | 0,225 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 270 | 250 | ≤ 3 | — | ≤ 0,3 | SOT-23 | L7 |
| L2SC2412KRLT1G | 0,2 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 180 | 180 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,4 | SOT-23 | BR |
| L2SC2412KSLT1G | 0,2 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 270 | 180 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,4 | SOT-23 | G1F |
| L2SC5343RLT1G | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 180 | 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | SOT-23 | 7R |
| L2SC5343SLT1G | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 270 | 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | SOT-23 | 7S |
| LMBT6428LT1G | 0,225 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 3 | ≤ 0,5 | SOT-23 | 1KM | |
| MMBT5343-G/L | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 200 | 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | SOT-23 | 5343 |
| MMBT6428 | 0,3 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 3 | — | ≤ 0,6 | SOT-23 | 1K, 1KM |
| MMBT6428L/LT1/LT1G | 0,225 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 3 | — | ≤ 0,6 | SOT-23 | 1KM |
| MMBT945-H/L | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 200/130 | 150 | ≤ 3 | — | ≤ 0,3 | SOT-23 | CR |
| MMBTA28 | 0,35 | 80 | 80 | 12 | 0,8 | 150 | 10000 | 125 | ≤ 8 | — | ≤ 1,5 | SOT-23 | 3SS K6R |
| NXP3875G | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 200 | 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | SOT-23 | ٭JF |
| PBSS4041NT | 0,3 | 60 | 60 | 5 | 3,8 | 150 | 300 | 175 | 17 | — | ≤ 0,3 | SOT-23 | ٭BK |
| PBSS4160T | 0,3 | 80 | 60 | 5 | 1 | 150 | 250 | 150 | ≤ 10 | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | ٭U5 |
| PBSS8110T | 0,3 | 120 | 100 | 5 | 1 | 150 | 150 | 100 | ≤ 7,5 | — | ≤ 0,2 | SOT-23 | ٭U8 |
| SSTA28 | 0,2 | 80 | 80 | 12 | 0,3 | 150 | 10000 | 200 | ≤ 8 | — | ≤ 1,5 | SOT-23 SST3 | RAT |
| TMPS1654N7 | 0,225 | 80 | 160 | 5 | 0,15 | 150 | 150 | 100 | ≤ 8 | — | ≤ 1,5 | SOT-23 | N7 |
| TMPT6428 | 0,225 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 3 | — | ≤ 0,2 | SOT-23 | 1K |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.
Биполярный транзистор 2SC1162 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC1162
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора:
2SC1162
Datasheet (PDF)
..1. Size:29K hitachi 2sc1162.pdf
2SC1162Silicon NPN EpitaxialApplicationLow frequency power amplifier complementary pair with 2SA715OutlineTO-126 MOD1. Emitter2. Collector3. Base123Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 35 VCollector to emitter voltage VCEO 35 VEmitter to base voltage VEBO 5VCollector current IC 2.5 ACollector peak current
..2. Size:392K secos 2sc1162.pdf
2SC1162 2.5A , 35V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-126 Low frequency power amplifier EmitterCollectorBase CLASSIFICATION OF hFE (1) Product-Rank 2SC1162-B 2SC1162-C 2SC1162-DABERange 60~120 100~200 160~320FCNHLMK DJG
..3. Size:267K jiangsu 2sc1162.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors2SC1162 TRANSISTOR (NPN)TO-126 FEATURES 1. EMITTERLow Frequency Power Amplifier 2. COLLECOTR3. BASE Equivalent Circuit C1162=Device code Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device C1162 XXXX=Code ORDERING INFORMATION Part Number Package
..4. Size:172K jmnic 2sc1162.pdf
JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1162 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SA715 APPLICATIONS For low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute Maximun Ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collector-base
..5. Size:180K lge 2sc1162.pdf
2SC1162(NPN) TO-126 Transistor TO-1261. EMITTER 2. COLLECOTR 3. BASE 3 21 Features2.5007.400 Low frequency power amplifier 2.9001.1007.8001.5003.9003.0004.100MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.20010.600Symbol Parameter Value Units0.00011.0000.300VCBO Collector-Emitter Voltage 35 VVCEO Collector-Emitter Voltage 35 V2.100
..6. Size:214K inchange semiconductor 2sc1162.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1162DESCRIPTIONHigh Collector Current I = 2.5ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 35V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Collector Saturation VoltageComplement to Type 2SA715Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier a
8.1. Size:63K toshiba 2sc1169.pdf
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
8.2. Size:49K no 2sc1166.pdf
8.3. Size:181K inchange semiconductor 2sc1161.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1161DESCRIPTIONWith TO-66 PackageLow collector saturation voltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for low frequency high voltage power amplifierTV vertical deflection output applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER
8.4. Size:182K inchange semiconductor 2sc1163.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1163DESCRIPTIONHigh Collector Current I = 0.1ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 300V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Collector Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier appl
Другие транзисторы… 2SC1156
, 2SC1157
, 2SC1158
, 2SC1159
, 2SC116
, 2SC1160
, 2SC1161
, 2SC1161A
, 2N3904
, 2SC1162B
, 2SC1162C
, 2SC1162D
, 2SC1162WT
, 2SC1163
, 2SC1164
, 2SC1165
, 2SC1166
.
Характеристики УМЗЧ
| Основные технические характеристики | Значения |
|---|---|
| Номинальная выходная мощность, Вт, при R = 8 Ом при R = 4 Ом |
50 100 |
| Нелинейные искажения, %, при номинальной выход-ной мощности в полосе частот 20 Гц…20кГц, не более | 0,5 |
| Коэффициент передачи по напряжению при R = 8 Ом при Rн = 4 Ом |
0,87 0,78 |
| Выходное сопротивление (частотно-независимое), Ом, не более | 1,2 |
| Входное сопротивление, МОм | 1 |
| Входная емкость, пФ, не более | 30 |
| Полоса воспроизводимых частот, Гц, по уровню -3 дБ | 0,15…6–¹º |
Назначение отдельных элементов схемы (см. рис. 1) следующее. Резисторы R3, R4, R9, R10, R14, R15, R20, R21 и конденсаторы С8, С9, С11, С12, С17, С18 обеспечивают устойчивость ВК; резисторы R5, R8, R29 обеспечивают устойчивость САР; элементы R24, С21 — цепь Цобеля. Резисторы R18, R19, R22, R23 задают ток покоя; элементы R16, VD2, VD3 защищают вход ОУ DA1 от проникания большого постоянного напряжения с выхода УМЗЧ при аварийном режиме. Резисторы R6, R7, R9, R10, R12 обеспечивают ток покоя 10±2 мА через транзисторы VT1 – VT4 (с учётом разброса характеристик для VT5—VT8).
Резистор R31 ограничивает интервал регулирования тока 10; элементы R28, VD5 обеспечивают режим работы компаратора на микросхеме DA2. Элементы R17, С10, R1, DA1 стабилизируют нулевое напряжение на выходе. Краткие рекомендации по применяемым элементам, их заменам, монтажу и конструкции изложены ниже. Резисторы R18, R19, R22, R23 должны иметь малую индуктивность, например, MF-200 номиналом 0,62 Ом ±5 % или любые металлоплёночные мощностью не менее 2 Вт. Остальные резисторы — С2-23 или аналогичные с разбросом ±5 %. Оксидные конденсаторы — К50-35 или аналогичные по характеристикам. Конденсаторы СЗ, С10, С21, С22 — плёночные К73-17 или аналогичные по параметрам. Остальные конденсаторы — К10-176 или аналогичные.
Возможна замена активных элементов. Так, микросхема DA1 — любой ОУ с входным сопротивлением Rвx> 1 ГОм; микросхема DA2 – КР198НТ6 – КР198НТ8 (с проверкой цоколёвки). Транзистор VT9 — любой малой мощности структуры p-n-p (Uкэmax> 80 В, lк max> 50 мА, Fт> 5МГц), транзистор VT10 — любой маломощный полевой с изолированным затвором и n-каналом с Uси max> 80 В и током lс max> 10 мА. Транзисторы VT1, VT2 — любые из 2SJ77—2SJ79; VT3, VT4 – любые из 2SK214—2SK216; VT5, VT7 — любые из 2SK1056, 2SK1057; VT6, VT8 – любые из 2SJ160, 2SJ161.
Резисторы R14, R15, R20, R21 надо монтировать как можно ближе к транзисторам VT5—VT8, а конденсаторы С8, С9, С17, С18 монтируют непосредственно на выводах этих транзисторов.
Для повышения надёжности работы в условиях повышенной температуры окружающей среды (выше +30 °С) транзисторы VT1—VT4 следует установить на небольшие теплоотводы, обеспечивающие температуру корпусов транзисторов не выше +70 °С. Выходные транзисторы VT5—VT8 также требуют установки на теплоотводы соответствующих размеров, зависимых от заданной выходной мощности и температуры корпусов транзисторов, не превышающей +70 °С.
Маркировка и цоколёвка
Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.
Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:
- Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
- Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :
А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.
На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.
Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.
«Альтернативные» конструкции
- Очень низкое значение уровня нелинейных искажений в выходном сигнале.
- Высших гармоник меньше, чем в транзисторных конструкциях.
Но есть один огромный минус, который перевешивает все достоинства, – обязательно нужно ставить устройство для согласования. Дело в том, что у лампового каскада очень большое сопротивление – несколько тысяч Ом. Но сопротивление обмотки динамиков – 8 или 4 Ома. Чтобы их согласовать, нужно устанавливать трансформатор.
Конечно, это не очень большой недостаток – существуют и транзисторные устройства, в которых используются трансформаторы для согласования выходного каскада и акустической системы. Некоторые специалисты утверждают, что наиболее эффективной схемой оказывается гибридная – в которой применяются однотактные усилители, не охваченные отрицательной обратной связью. Причем все эти каскады функционируют в режиме УНЧ класса «А». Другими словами, применяется в качестве повторителя усилитель мощности на транзисторе.
Причем КПД у таких устройств достаточно высокий – порядка 50 %. Но не стоит ориентироваться только на показатели КПД и мощности – они не говорят о высоком качестве воспроизведения звука усилителем. Намного большее значение имеют линейность характеристик и их качество
Поэтому нужно обращать внимание в первую очередь на них, а не на мощность
Модификации (версии) транзистора
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | fT | Cob | NF | UCE(sat) | Корпус | Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C1815 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3 | — | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| 2SC1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 130…400 | ≥ 80 | — | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группы по hFE: L/HМаркировка: HF |
| 2SC1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 130…400 | ≥ 80 | — | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группа L по hFE: маркировка: HFL.Группа H маркировка: HF |
| 2SC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | 1…10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| 2SC1815(L) | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 6 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| 2SC1815LT1 | 0,225 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 70…700 | — | — | — | ≤ 0,3 | SOT-23 | Маркировка: L6 |
| 2SC1815M (BR3DG1815M) | 0,3 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | 1…10 | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL Маркировка: HHFO, HHFY, HHFG, HHFB |
| 2SC1815 M | 0,3 | 45 | 40 | 5 | 0,1 | 125 | 70…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,4 | TO-92B | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| C1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 130…400 | ≥ 80 | — | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группы по hFE: L/HМаркировка: HF |
| C1815T | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 70…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR |
| CSC1815 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| FTC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 70…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| KSC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3 | 1 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/L |
| KTC1815 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: Y/GR |
Таблица 2 – Зарубежные аналоги транзисторов КТ361, КТ361-1, КТ361-2 и КТ361-3
| Отечественный транзистор |
Зарубежный аналог |
Возможность купить |
Предприятие производитель |
Страна производитель |
|---|---|---|---|---|
Особенности BC547:
Узнав о некоторых общих чертах с членами семьи, давайте сосредоточимся на некоторых величинах и особенности BC547.
Прирост:
La текущий прирост, когда мы говорим об общей базе, это примерно коэффициент усиления по току от эмиттера до коллектора в прямой активной области, всегда меньше 1. В случае BC548, как и его братьев по семейству, они имеют очень хороший коэффициент усиления. между 110 и 800 hFE для постоянного тока. Обычно это указывается с дополнительной буквой в конце номенклатуры, которая указывает диапазон усиления с учетом допуска устройства. Если такой буквы нет, то это может быть любая буква в указанном мною диапазоне. Например:
- BC547: между 110-800hFE.
- БК547А: между 110-220hFE.
- BC547B: между 200-450hFE.
- BC547C: между 450-800hFE.
То есть производитель рассчитывает, что она будет между этими диапазонами, но неизвестно, какова именно реальная прибыль, поэтому мы должны поставить себя в худший случай когда мы проектируем схему. Таким образом, гарантируется, что схема работает, даже если коэффициент усиления является минимумом диапазона, а также гарантируется, что схема будет продолжать работать, если мы заменим упомянутый транзистор. Представьте, что вы разработали схему так, чтобы она работала с минимум 200hFE, и у вас есть BC547B, но вы решили заменить его на BC547A или BC547, он может не достичь этой скорости и не будет работать … С другой стороны стороны, если вы сделаете так, чтобы он работал со 110, то либо у вас сработает.
Частотный отклик:
La частотный отклик это очень важно для усилителей. Амплитудно-частотная характеристика транзистора будет зависеть от того, сможет ли он работать с той или иной частотой. Это что-то напомнит вам, если вы изучали такие темы, как частотные фильтры высоких и низких частот, верно? В случае с семейством, представленным здесь, и, следовательно, с BC547, они имеют хорошую частотную характеристику и могут работать на частотах между 150 и 300 МГц
Это что-то напомнит вам, если вы изучали такие темы, как частотные фильтры высоких и низких частот, верно? В случае с семейством, представленным здесь, и, следовательно, с BC547, они имеют хорошую частотную характеристику и могут работать на частотах между 150 и 300 МГц.
Обычно в радиокомпоненты Полная информация о транзисторе предоставлена производителями, включая график частотной характеристики. Эти документы можно загрузить в формате PDF с официальных сайтов производителей устройств, и там вы найдете значения. Вы увидите частотную характеристику с инициалами fT.
Эти максимальные частоты гарантируют, что транзистор усилить хотя бы 1, поскольку чем выше частота, тем меньше усиление транзистора за счет емкостной его части. Выше этих приемлемых частот транзистор может иметь очень небольшое усиление или не иметь его вообще, поэтому он не выполняет компенсацию.
Эквивалентности и дополнения:
Вы можете оказаться перед дилеммой: используйте другой тип транзистора или дополняет BC547 в цепи. Вот почему мы собираемся показать некоторые эквиваленты или антагонисты.
-
Эквиваленты:
- Аналогичный: эквивалентный транзистор для монтажа на монтажной плате будет 2N2222 или PN2222, которому мы посвятим отдельную статью. Но будьте осторожны! В случае мифического 2N2222 контакты эмиттера и коллектора поменяны местами. То есть это будет эмиттер-база-коллектор, а не коллектор-база-эмиттер. Следовательно, вы должны сварить его или повернуть на 180 ° относительно того, как у вас был BC547.
- SMDЕсли вам нужен аналог BC547 для поверхностного монтажа для печатных схем или печатных плат меньшего размера, то вам нужен BC487, инкапсулированный под SOT23. Это позволило бы избежать пластины с отверстиями для монтажа и пайки. Кстати, если вы ищете эквивалентные биполярные транзисторы для других членов семейства, вы можете проверить BC846, BC848, BC849 и BC850. То есть замените BC4xx на эквивалентный BC8xx.
- Дополнительный: Другая ситуация, которая может возникнуть, заключается в том, что вам нужно обратное, то есть PNP вместо NPN. В этом случае правильным будет BC557. Чтобы найти дополнительные предметы для остальных членов семьи, вы можете использовать BC5xx, например: BC556, BC558, BC559 и BC560.
Надеюсь, этот пост помог вам и следующий будет PN2222.
Принцип работы
Когда на клеммы подается входное напряжение, некоторое количество тока (IB) начинает течь от базы к эмиттеру и управляет током на коллекторе (IC). Напряжение между базой и эмиттером (VBE) для NPN-структуры должно быть прямым. Т.е. на базу прикладывается положительный потенциал, а на эмиттер отрицательный. Полярность напряжения, приложенного к каждому выводу, показана на рисунке ниже.
Входной сигнал усиливается на базе, а затем передается на эмиттер. Меньшее количество тока в базе используется для управления большим, между коллектором и эмиттером (IC).
Когда транзистор открыт, он способен пропускать IC до 100 мА. Этот этап называется областью насыщения. При этом допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (VBE) может составлять около 200 мВ,а VBE достигать 900 мВ. Когда ток базы перестает течь, транзистор полностью отключается, эта ступень называется областью отсечки, а VBE будет составлять около 650 мВ.