bcp53 datasheet (130)
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Type | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| BCP53 |
Diodes Incorporated |
PNP MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 | Original |
|
||
| BCP53 |
Diotec |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors | Original |
|
||
| BCP53 |
Fairchild Semiconductor |
PNP General Purpose Amplifier | Original |
|
||
| BCP53 |
Fairchild Semiconductor |
PNP General Purpose Amplifier | Original |
|
||
| BCP53 |
Fairchild Semiconductor |
Transistors (BJT) — Single, Discrete Semiconductor Products, TRANSISTOR PNP 80V 1.2A SOT-223 | Original |
|
||
| BCP53 |
Infineon Technologies |
SOT223 VCEO=80V hFE=40..250 | Original |
|
||
| BCP53 |
Kexin |
PNP Medium Power Transistors | Original |
|
||
| BCP53 |
NXP Semiconductors |
80 V, 1 A PNP medium power transistors | Original |
|
||
| BCP53 |
Philips Semiconductors |
PNP medium power transistors | Original |
|
||
| BCP53 |
Philips Semiconductors |
Silicon Planar Epitaxial Transistor | Original |
|
||
| BCP53 |
Siemens |
PNP Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current) | Original |
|
||
| BCP53 |
Siemens |
RF-Transistors, MMICs, RF-Diodes, AF-Diodes, AF-Schottky Diodes and RF-Schottky Diodes Guide | Original |
|
||
| BCP53 |
Siemens |
Cross Reference Guide 1998 | Original |
|
||
| BCP53 |
Siemens |
PNP Silicon AF Transistor | Original |
|
||
| BCP53 |
STMicroelectronics |
MEDIUM POWERR AMPLIFIERS | Original |
|
||
| BCP53 |
TY Semiconductor |
PNP Medium Power Transistors — SOT-223 | Original |
|
||
| BCP53 |
Various Russian Datasheets |
Transistor | Original |
|
||
| BCP53 |
Weitron |
PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor | Original |
|
||
| BCP53 |
Zetex Semiconductors |
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR | Original |
|
||
| BCP53 |
Unknown |
Shortform IC and Component Datasheets (Plus Cross Reference Data) | Scan |
|
Previous
1
2
3
…
5
6
7
Next
Характеристики
Все характеристики на BC337 приведены в техническом описании (datasheet) на устройство. Наиболее важные значения, находятся в таблицах “максимальные рейтинги” и “электрические параметры”. Они проверяются производителем при тестировании и выпуске продукции.
Максимальные рейтинги
В максимальных рейтингах отражены предельные эксплуатационные свойства bc337. Превышение этих значений, может привести к выводу устройства из строя. Вот их полный перечень:
- Напряжение между коллектором и эмиттером (при разомкнутой цепи базы) VCEO не более 45 В;
- Напряжение между коллектором и эмиттером (база соединена с эмиттером) VCES не более 50 В;
- Напряжение между эмиттером и базой VEBO не должно превышать 5 В;
- Ток коллектора IC не должен быть больше 800 мА;
- Максимальная мощность PC, которую транзистор может рассеять 625 мВт;
- Предельно допустимая температура 150 О С;
- Диапазон рабочих температур TSTG от -55 О С до 150 О С.
Обычно, эти данные приводятся вместе с параметрами на транзистор bc338. У 338 они немного хуже по допустимому напряжению, между выводами коллектор-эммитер (до 30 В). В остальном же, это полная копия рассматриваемого экземпляра, ставшая результатом отбраковки по итогам тестирования на завершающем этапе производства.
Электрические параметры
Ниже приведены электрические характеристики транзистора ВС337. Они выведены в отдельную таблицу и приводятся совместно с условиями проверки, указанными в отдельном столбце. Все значения проверяются производителем при температуре окружающей среды +25 О С:
Коэффициент усиления
Рассматриваемые изделия делятся на три группы по HFE: “-16”, “-25” и “-40”. Эти данные, наносятся на корпус транзистора при маркировке. Обозначение при этом выглядит так: BC337-16, BC337-25, BC337-40. Максимальным коэффициентом усиления по току обладает BC33740 (до 630 HFE).
Search Stock
Nexperia
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Arrow Electronics (5) |
BCP53-16TX |
569,000 | 8 Weeks | 1,000 |
|
Buy Now |
|||||
|
BCP53-16TX |
191,000 | 1 |
|
Buy Now |
|||||||
|
BCP53-16TX |
15,000 | 8 Weeks | 1,000 |
|
Buy Now |
||||||
|
BCP53-16TX |
12,000 | 8 Weeks | 1,000 |
|
Buy Now |
||||||
|
BCP53-16TX |
Cut Strips | 528 | 8 Weeks | 1 |
|
Buy Now |
|||||
|
Avnet EBV |
BCP53-16TX |
86,000 | 1 Weeks, 3 Days | 1,000 |
|
Buy Now |
|||||
|
Avnet Silica |
BCP53-16TX |
75,000 | 1 Weeks, 3 Days | 1,000 |
|
Buy Now |
|||||
|
Avnet Asia |
BCP53-16TX |
8 Weeks | 16,000 |
|
Buy Now |
||||||
|
New Advantage Corporation |
BCP53-16TX |
391,000 | 1 |
|
Buy Now |
||||||
Nexperia
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Arrow Electronics (3) |
BCP53-16TF |
84,000 | 8 Weeks | 4,000 |
|
Buy Now |
|||||
|
BCP53-16TF |
4,000 | 8 Weeks | 4,000 |
|
Buy Now |
||||||
|
BCP53-16TF |
8 Weeks | 4,000 |
|
Get Quote |
|||||||
|
Avnet EBV |
BCP53-16TF |
116,000 | 1 Weeks, 3 Days | 4,000 |
|
Buy Now |
|||||
|
Avnet Silica |
BCP53-16TF |
8,000 | 1 Weeks, 3 Days | 4,000 |
|
Buy Now |
|||||
|
Avnet Americas |
BCP53-16TF |
Reel | 312,000 | 8 Weeks | 4,000 |
|
Buy Now |
||||
|
Avnet Asia |
BCP53-16TF |
80,000 | 8 Weeks | 16,000 |
|
Buy Now |
|||||
onsemi
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Arrow Electronics (5) |
BCP53-16T1G |
60,000 | 8 Weeks | 1,000 |
|
Buy Now |
|||||
|
BCP53-16T1G |
49,000 | 8 Weeks | 14,000 |
|
Buy Now |
||||||
|
BCP53-16T1G |
20,000 | 8 Weeks | 1,000 |
|
Buy Now |
||||||
|
BCP53-16T1G |
Cut Strips | 7,837 | 8 Weeks | 1 |
|
Buy Now |
|||||
|
BCP53-16T1G |
890 | 8 Weeks | 1 |
|
Buy Now |
||||||
|
Avnet EBV |
BCP53-16T1G |
56,000 | 1 Weeks, 3 Days | 1,000 |
|
Buy Now |
|||||
|
Avnet Silica |
BCP53-16T1G |
112,000 | 1 Weeks, 2 Days | 1,000 |
|
Buy Now |
|||||
|
Avnet Americas |
BCP53-16T1G |
Reel | 8,000 | 8 Weeks | 1,000 |
|
Buy Now |
||||
|
Wuhan P&S |
BCP53-16T1G |
6,870 | 1 |
|
Buy Now |
||||||
Diodes Incorporated
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Arrow Electronics |
BCP5316TA |
6,000 | 12 Weeks | 3,000 |
|
Buy Now |
|||||
|
Avnet Silica |
BCP5316TA |
52,000 | 2 Weeks | 1,000 |
|
Buy Now |
|||||
|
Avnet Americas |
BCP5316TA |
Reel | 38,000 | 8 Weeks | 1,000 |
|
Buy Now |
||||
|
Bristol Electronics |
BCP5316TA |
22,230 | 17 |
|
Buy Now |
||||||
|
ComSIT Europe |
BCP5316TA |
1,000 |
|
Get Quote |
|||||||
| More Distributors | |||||||||||
|
Avnet Asia |
BCP5316TA |
12 Weeks | 1,000 |
|
Buy Now |
||||||
|
New Advantage Corporation (3) |
BCP5316TA |
16 | 1 |
|
Buy Now |
||||||
|
BCP5316TA |
4,000 | 1 |
|
Buy Now |
|||||||
|
BCP5316TA |
42,000 | 1 |
|
Buy Now |
|||||||
onsemi
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Arrow Electronics |
BCP53 |
Cut Strips | 1 | 99 Weeks | 1 |
|
Buy Now |
Производители
Все DataSheet от указных производителей ВС557 можно скачать здесь. Производители: Diotec Semiconductor, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Rectron Semiconductor, Unisonic Technologies, Fairchild Semiconductor, Continental Device India Limited, Olitech Electronics, Foshan Blue Rocket Electronics, First Silicon, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, KEC(Korea Electronics), Micro Electronics, ON Semiconductor, NXP Semiconductors, Dc Components, SEMTECH ELECTRONICS, Tiger Electronic, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Micro Commercial Components, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Siemens Semiconductor Group, General Semiconductor.
Модификации (версии) транзистора
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | fT | Cob | NF | hfe | Корпус | Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5551 | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 20-250 | 100-300 | 6 | 8 | 50-200 | TO-92 | |
| 2N5551C | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 100-300 | 6 | 8 | 50-200 | TO-92 | |
| 2N5551CN | 0,4 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 150 | 3 | — | — | TO-92N | |
| 2N5551CSM | 0,35 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 100-300 | 6 | 8 | 50-200 | LCC1 ٭ | |
| 2N5551DCSM | 0,35 | — | 160 | — | 0,6 | — | 80 | 100 | — | — | — | LCC2 ٭ | Тот же MO-041BB |
| 2N5551G | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 80-400 | 100-300 | 6 | 8 | — | TO-92 | Группы по hFE: A/B/C |
| 2N5551G | 0,5 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 80-400 | 100-300 | 6 | 8 | — | SOT-89 | Группы по hFE: A/B/C |
| 2N5551HR | 0,36 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 200 | 20-250 | — | 6 | — | 1-50 | TO-18 | |
| 2N5551HR | 0,58 | 180 | 160 | 6 | 0,5 | 200 | 20-250 | — | 6 | — | 1-50 | LCC3, UB ٭ | |
| 2N5551K | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 50-300 | 100-300 | 6 | — | — | TO-92 | Группы по hFE: A/B/C |
| 2N5551N | 0,4 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 150 | 3 | — | — | TO-92N | |
| 2N5551S | 0,35 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 100-300 | 6 | 8 | 50-200 | SOT-23 | Маркировка: ZF |
| 2N5551SC | 0,35 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 150-250 | 100-300 | — | — | — | SOT-23(1) | Маркировка: ZFC |
| BTN5551K3 | 0,9 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | ≥ 50 | ≥ 100 | 6 | — | — | TO-92L | |
| H2N5551 | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 50-400 | 100-300 | 6 | — | — | TO-92 | Группы по hFE: A/N/C |
| H5551 | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-280 | 100-300 | — | — | — | TO-92 | |
| 2N5551SQ | 0,5 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 100-300 | 6 | — | — | SOT-89 | Маркировка: BG1 |
| MMBT5551 | 0,35 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 100-300 | 6 | 8 | 50-200 | SOT-23 | Маркировка: 3S |
٭ — корпуса SMD типа LCC 1/2/3 и UB – для тяжелых условий эксплуатации, требующих высокой степени надежности.
Примечание: параметр hFE – статический (по постоянному току) коэффициент усиления. hfe – коэффициент усиления по переменному току в режиме усиления малого сигнала (на определенной частоте).
