Цоколевка транзистора КТ840
Транзистор КТ840 имеет типовую цоколевку, которая удобна для установки в электронные схемы и паяльных работ. Цоколевка транзистора КТ840 включает в себя три вывода, обозначаемых символами B, C и E:
— Вывод B (Base) является базой транзистора КТ840, на которую подаётся управляющий сигнал;
— Вывод C (Collector) является коллектором транзистора КТ840, на который подаётся выходной сигнал;
— Вывод E (Emitter) является эмиттером транзистора КТ840, с которого выходит управляющий сигнал.
Такая цоколевка позволяет легко подключать транзистор КТ840 в схемы, используя принципы управления током через базу, коэмиттерный выходной режим и другие особенности работы транзистора.
RARE Studio Nova KT382 Summertime Cereal Bowl
Etsy больше не поддерживает старые версии вашего веб-браузера, чтобы обеспечить безопасность пользовательских данных. Пожалуйста, обновите до последней версии.
-
Нажмите, чтобы увеличить
Редкая находка
€21,99
Загрузка
Доступен только 1
Включая НДС (где применимо), плюс стоимость доставки
150 продаж
|
Внесен в список 22 января 2023 г.
Сообщить об этом элементе в Etsy
Выберите причину… С моим заказом возникла проблемаОн использует мою интеллектуальную собственность без разрешенияЯ не думаю, что это соответствует политике EtsyВыберите причину…
Первое, что вы должны сделать, это связаться с продавцом напрямую.
Если вы уже это сделали, ваш товар не прибыл или не соответствует описанию, вы можете сообщить об этом Etsy, открыв кейс.
Сообщить о проблеме с заказом
Мы очень серьезно относимся к вопросам интеллектуальной собственности, но многие из этих проблем могут быть решены непосредственно заинтересованными сторонами. Мы рекомендуем связаться с продавцом напрямую, чтобы уважительно поделиться своими проблемами.
Если вы хотите подать заявление о нарушении прав, вам необходимо выполнить процедуру, описанную в нашей Политике в отношении авторских прав и интеллектуальной собственности.
Посмотрите, как мы определяем ручную работу, винтаж и расходные материалы
Посмотреть список запрещенных предметов и материалов
Ознакомьтесь с нашей политикой в отношении контента для взрослых
не ручной работы
не винтаж (20+ лет)
не ремесленные принадлежности
запрещены или используют запрещенные материалы
неправильно помечен как содержимое для взрослых
Пожалуйста, выберите причину
Расскажите нам больше о том, как этот элемент нарушает наши правила. Расскажите нам больше о том, как этот элемент нарушает наши правила.
Характеристики биполярного транзистора.
Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач.
И первая на очереди – входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:
I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const
В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):
Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.
Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора – выходной! Выходная характеристика – это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const
I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const
Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:
Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения – изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .
Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:
Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.
Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано
Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно – при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta, несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:
I_к = \beta I_б
Двигаемся дальше!
На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина – эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.
В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу – навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.
Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора!
И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.
Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:
Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды! Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.
Характеристики
В любом техническом описании на транзистор производитель указывает максимально допустимые и электрические параметры эксплуатации, при температуре окружающей среды до 25 °C. Как правило, значения параметров указываются для идеальных условий эксплуатации, которых в реальной жизни добиться практически невозможно. Но именно на эти параметры ориентируется разработчик в своих проектах.
Максимальные
Главные максимально допустимые значения при эксплуатации указаны в самом начале технического описания. Это своеобразная реклама на устройство – чем выше значения параметров, тем лучше. Напомним, что значения этих параметров не должны превышаться ни при каких условиях. Для мощного mosfet irf840 такими параметрами являются: максимальное напряжение сток-исток VDS до 500 В, сопротивление в открытом состоянии RDS(ON) 0,85 Ом, суммарный заряд затвора QGMAX 63 Нк и максимальный ток ID 8.0 A. В отдельную таблицу сведены другие предельно допустимые характеристики, указанные для температуры окружающей среды 25 °C.
Электрические
Максимальные значения дают лишь общее понятия о параметрах устройства и возможность сравнить его с другими транзисторами. Кроме максимальных значений в datasheet на irf840 приводится таблица других не менее важных параметров с названием — электрические характеристики. Эти значения также приводятся с учетом температуры окружающей среды в 25 °C. Рассмотрим их поподробнее.
У таблицы электрических параметров имеется дополнительный столбец с условиями, при которых производитель проводил тестирование устройства
Все значения приведенные в таблице в той или иной мере важны для применения в проектах, однако в первую очередь из этого списка обращают внимание на следующие характеристики irf840: напряжение пробоя V(BR)DSS до 500 В, напряжение отсечки VGS(th) от 2 до 4 В, токи утечки затвора IDSS до 100 нА и канала IDSS до 250 мкА. Их производитель указывает в первую очередь
Время переключения
Для применения в ключевых схемах стоит обратить внимание на ёмкостные значения (СRSS, СISS, СOSS), которые определяют время открытия TD (ON) и закрытия TD(OFF) канала проводимости. Чем оно ниже, тем лучше работа устройства в ключевом режиме и меньше его нагрев
У irf840 эти значения составляют 14 и 49 наносекунд соответственно. Обратите внимание, что в даташит эти значения приводятся производителем для определенных условий тестирования, соответственно на практике они могут отличатся от указанных.
Ёмкостные характеристики
Так же, для ключевых схем могут понадобиться так называемые паразитные емкости между выводами транзистора (СGD, СGS, CDC). Некоторые производители не указывают их значения, но при необходимости их можно вычислить по формулам:
Зная величину обратной переходной ёмкости у irf840 (CRSS = 120 пФ), вычисляем ёмкостные величины у паразитных конденсаторов: CGD 120 пФ; CGS 1180 пФ; CDS 180 пФ. Следует знать, что при включении (открытии канала) емкость CGD образует отрицательную обратную связь между входом и выходом прибора, называемую эффектом Миллера. Значения величин CGD и CDS сильно зависят от напряжения в нагрузке и лишь иногда указываются в документации для тестирования.
Тепловые параметры
Все вышеперечисленные параметры сильно зависят от нагрева самого irf840 и окружающих его элементов, во время работы. Так, при нагреве корпуса до 100 С максимальный постоянный ток стока, который может перегнать через себя этот транзистор, резко уменьшается до 5.1 A, при этом IGSS будет расти. Максимальные значения отдельных характеристик при переменном токе, таких как IDM, IEA, EAR так же ограничивает температура перехода TJ и об этом производитель указывает дополнительно в пояснениях.
Для расчетов TJ при импульсном токе в даташит приводится график зависимости теплового импеданса между подложкой-корпусом ZthJC (С/Вт) от коэффициента заполнения D (Duty Factor). Чем больше Duty Factor, тем выше ZthJC и тем сильнее нагревается кристалл, температура которого у irf840 ограничена 150 °C.
Снизить нагрев прибора возможно при установке дополнительных пассивных или активных схем охлаждения с помощью внешних устройств. Пассивная схема предполагает использование радиатора. Для расчета его площади и других свойств, позволяющих уменьшить нагрев irf840, в его спецификации приводят значения тепловых сопротивлений тепловых: кристалл-корпус (Junction-to-Case ), корпус-среду (Junction-to-Ambient).
Аналог
Ближайшие зарубежные аналоги у irf840: это 2SK554 (Toshiba) и STP5NK50Z (STM). Отечественной заменой могут быть КП777А, КП840. К сожалению их очень трудно найти в продаже, особенно российского производства.
Теория работы составного транзистора (СТ)
Для получения основных параметров СТ следует задаться моделью самого биполярного транзистора (БТ) для низких частот на рис. 1а.
Рис. 1. Варианты схемы замещения БТ n-p-n
Первичных расчётных параметра всего два: коэффициент усиления по току и входное сопротивление транзистора. Получив их, для конкретной схемы по известным формулам можно рассчитать коэффициент усиления по напряжению, входное и выходное сопротивления каскада.
Схемы замещения составных транзисторов Дарлингтона (СТД) и Шиклаи (СТШ) приведены на рис. 2, готовые формулы для расчёта параметров – в табл. 1.
Таблица 1 – Формулы для расчёта параметров СТ
Здесь rэ – сопротивление эмиттера, вычисляемое по формуле:
Рис. 2 Варианты составных транзисторов
Известно, что b зависит от тока коллектора (график зависимости указывается в даташите). Если ток базы VT2 (он же – эмиттерный или коллекторный ток VT1) окажется слишком мал, реальные параметры СТ окажутся намного ниже расчётных. Поэтому для поддержания начального коллекторного тока VT1 достаточно воткнуть в схему дополнительный резистор Rдоп (рис. 2в). Например, если в СТД в качестве VT1 использован КТ315 с минимальным необходимым током Ik.min , то дополнительное сопротивление будет равно
можно поставить резистор номиналом 680 Ом.
Шунтирующее действие Rдоп снижает параметры СТ, поэтому в микросхемах и иных навороченных схемах его заменяют источником тока.
Как видно из формул в табл. 1, усиление и входное сопротивление СТД больше, чем у СТШ. Однако последний имеет свои преимущества:
- на входе СТШ падает меньшее напряжение, чем у СТД (Uбэ против 2Uбэ);
- коллектор VT2 соединён с общим проводом, т.е. в схеме с ОЭ для охлаждения VT2 можно посадить прямо на металлический корпус устройства.
Область применения транзистора КТ840А
Транзистор КТ840А широко используется в различных электронных устройствах, особенно в индустриальной автоматике и управлении. Благодаря своим высоким техническим характеристикам, он позволяет эффективно управлять электрическими сигналами и силовыми нагрузками.
Основная область применения транзистора КТ840А — это усиление и коммутация мощных электрических сигналов. Он эффективно справляется с усилением сигналов различной частоты и мощности, что позволяет использовать его в различных устройствах, включая радиоприемники, радиопередатчики, телевизоры и даже аудиоусилители.
Транзистор КТ840А также широко применяется в силовых электронных схемах, где требуется коммутация больших токов и напряжений. Такие схемы включают в себя преобразователи электроэнергии, импульсные блоки питания, стабилизаторы напряжения и другие устройства, которые требуют надежного и эффективного управления электрическими сигналами.
Кроме того, транзистор КТ840А находит применение в системах автоматического управления и регулирования. Он может быть использован для управления различными актуаторами, такими как моторы, клапаны и др. Это позволяет создать системы автоматического управления, которые способны эффективно регулировать процессы в промышленности, энергетике и других областях.
В целом, транзистор КТ840А является незаменимым элементом в современной электронике. Благодаря своим техническим характеристикам и надежности, он широко используется в различных устройствах и системах, обеспечивая эффективное управление и коммутацию электрических сигналов.
Транзистор КТ382 — DataSheet
Перейти к содержимому
Описание
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты и СВЧ. Выпускаются в металокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. Обозначение типа приводится на этикетке. На крышке корпуса наносится условная маркировка цветными точками 2Т382А — одна черная, КТ382А — две черные 2Т382Б — одна красная, КТ382Б — две красные. Масса транзистора не более 0,3 г.
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ382А(М) | 2N5032 *3, MRF5031HX *1 | |||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ382А(М) | 65 °C (85 °C) | 100 | мВт |
| КТ382Б(М) | 65 °C (85 °C) | 100 | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером |
fгр, f*h31б, f**h31э, f***max
КТ382А(М)
—
≥1800
МГц
КТ382Б(М)
—
≥1800
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UКБО проб. , U*КЭR проб., U**
КЭО проб.
КТ382А(М)
—
15
В
КТ382Б(М)
—
15
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
UЭБО проб.,
КТ382А(М)
—
3
В
КТ382Б(М)
—
3
Максимально допустимый постоянный ток коллектора
IK max, I*К , и max
КТ382А(М)
—
20(40*)
мА
КТ382Б(М)
—
20(40*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
IКБО, I*КЭR, I**КЭO
КТ382А(М)
15 В
≤0. 5
мкА
КТ382Б(М)
15 В
≤0.5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h21э, h*21Э
КТ382А(М)
1 В; 5 мА
40…330*
КТ382Б
1 В; 5 мА
40…330*
Емкость коллекторного перехода
cк, с*12э
КТ382А(М)
5 В
≤2
пФ
КТ382Б(М)
5 В
≤2
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у. р.
КТ382А(М)
400 МГц
≥9**
Ом, дБ
КТ382Б(М)
400 МГц
≥5**
Коэффициент шума транзистора
Кш, r*b, P**вых
КТ382А(М)
400 МГц
≤3
Дб, Ом, Вт
КТ382Б(М)
400 МГц
≤4.5
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс)
КТ382А(М)
—
≤15
пс
КТ382Б(М)
—
≤10
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Схемы включения
Как элемент схемы, он является активным несимметричным четырёхполюсником, одни из выводов у которого общий для цепей входа и выхода. Схемы включения irf840 соответствуют типовому включению в цепях: с общим; с общим стоком; c общим затвором. Типовые способы подключения для полевых транзисторов смотрите на рисунке.
Стабилизатор анодного напряжения
В последнее время у многих радиолюбителей появляется интерес к разработке и сборке анодных стабилизаторов напряжения на мощных mosfet. Идеи для сборки подобных схем подсмотрены в технической документации от компании National Semiconductor и доработаны радиолюбителями на различных форумах. Приведем пример одной из таких схем (c общим затвором) стабилизатора на 250 вольт, с использованием irf840 и микросхемы lm317.
Схема представляет из себя два каскада. В первом каскаде установлен irf840, он выполняет роль истокового повторителя. Во вором каскаде уставлена нагрузка — микросхема lm317. Максимальная величина напряжения между входом и выходом не должна превышать 37 В. Поэтому стабилитроны Z2 и Z3 защищают эту микросхему от напряжения превышающего 30 В.
Резисторы D1, D2, D3, Z3 защищают полупроводниковые устройства от различных нагрузок. R6 нужно поставить для обеспечения ток холостого хода у lm, он должен быть примерно 6.4 мА. Мощность резистора R4 должна быть не менее 30 Вт. Нагрузку обычно подсоединяют с помощью плавкого предохранителя. Микросхему и транзистор необходимо прикрепить на отдельные радиаторы, которые при работе стабилизатора будут достаточно хорошо греться. Указанный стабилизатор выдерживает предельны ток в нагрузке до 110 мА, ограниченный резистором R2.
Технические характеристики
Все значения измеряются при стандартной температуре +25°С. Ниже приведены предельные характеристики IRF840:
- напряжение между стоком и истоком VDS = 500 В;
- напряжение между затвором и истоком VGS = ±20 В;
- постоянный ток текущий через сток:
- при температуре +25ОС ID = 8 А;
- при температуре +100ОС ID = 5,1 А;
- пиковый ток стока IDМ = 32 А;
- коэффициент линейного снижения мощности 1 Вт/ ОС;
- энергия лавинного импульса EAS = 510 мДж;
- повторяющийся лавинный ток IAR = 8 А;
- повторяющаяся лавинная энергия EAR = 13 мДж;
- мощность PD = 125 Вт;
- диапазон температур TJ = -55 ОC … +150ОC.
От электрических параметров также зависят возможности транзистора и сфера применения. Производители полевых транзисторов часто разбивают их на такие категории: статические, динамические и канальные. Условия тестирования приведены в колонке «Параметры тестирования».
| Электрические характеристики IRF840 (при Т = +25ОC) | ||||||
| Параметры | Параметры тестирования | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
| Статические | ||||||
| Напряжение пробоя между стоком и истоком | VGS =0В ID=250мкА | VDS | 500 | В | ||
| Коэффициент, показывающий зависимость напряжения пробоя от температуры | ID=1,0 мА | ΔVDS/TJ | 0,78 | В/ОС | ||
| Пороговое напряжение между затвором и истоком | VDS = VGS , ID = 250 мкА | VGS(th) | 2 | 4 | В | |
| Утечка затвор-исток | VGS = ± 20 В | IGSS | ±100 | нА | ||
| Ток утечки при нулевом напряжении на затворе | VDS = 500 В, VGS = 0 В | IDSS | 25 | мкА | ||
| VDS = 400 В, VGS = 0 В,
TJ = 125 ОC |
250 | |||||
| Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии | VGS = 10 В, ID = 12 A | RDS(on) | 0,85 | Ом | ||
| Динамические | ||||||
| Входная ёмкость транзистора | VGS = 0 В, VDS = 25 В,
f = 1,0 МГц |
Ciss | 1300 | пФ | ||
| Выходная ёмкость транзистора | Coss | 310 | ||||
| Обратная передаточная ёмкость | Crss | 120 | ||||
| Общий заряд затвора | VGS = 10 В, ID = 8 А,
VDS = 400 В |
Qg | 63 | нКл | ||
| Заряд между затвором и источником | Qgs | 9,3 | ||||
| Заряд между затвором и стоком | Qgd | 32 | ||||
| Время открытия устройства | VDD = 250 В, ID = 20 А,
RG = 9,1 Ом, RD = 31 Ом |
td(on) | 14 | нс | ||
| Время нарастания импульса открытия | tr | 23 | ||||
| Время закрытия устройства | td(off) | 49 | ||||
| Время спада импульса | tf | 20 | ||||
| Индуктивность стока | LD | 4,5 | нГн | |||
| Индуктивность истока | LS | 7,5 | ||||
| Канала | ||||||
| Длительный ток исток-сток | IS | 8,0 | А | |||
| Импульсный ток через канал | ISM | 32 | А | |||
| Падение напряжения на диоде | TJ = 25ОC, IS = 20 A,
VGS = 0 В |
VSD | 2,0 | В | ||
| Время обратного восстановления | TJ = 25ОC, IF = 8 A,
dI/dt = 100 A/мкс |
trr | 460 | 970 | нс | |
| Заряд обратного восстановления | Qrr | 4,2 | 8,9 |
Так как мощные транзисторы греются, то для них важно также рассмотреть тепловые величины. Они показывают, как быстро энергия отводится от устройства
Для IRF840 они равны:
| Параметр | Обозн. | Макс. | Ед. изм. |
| Тепловое сопротивление кристалл-воздух | RthJA | 62 | °С/Вт |
| Тепловое сопротивление кристалл-корпус | RthJC | 1 | °С/Вт |
Усилитель на транзисторах 13002
Хотя компактные люминесцентные лампы уже непопулярны, у многих самодельщиков накопились платы от них. Среди прочих компонентов, там присутствуют транзисторы типов 13001, 13002, 13003. Хотя они считаются ключевыми, перевести их в линейный режим общепринятым способом не составляет труда, выходная мощность при этом, конечно, невелика. Так, например, автор Instructables под ником Utsource123 собрал из двух таких транзисторов составной (его также называют транзистором Дарлингтона, который сделал соответствующее изобретение в 1953 году) и построил на нём простой однотактный усилитель мощности звуковой частоты (УМЗЧ). Поскольку мастер решил не составлять схему усилителя, переводчику пришлось восстановить её по описанию и фотографиям. Получилась самая обыкновенная схема УМЗЧ на составном транзисторе без каких-либо особенностей. На старых транзисторах МП она выглядела бы точно так же. С учётом противоположной структуры, конечно.
Смещение на базу резистором, конденсатор, чтобы это смещение не попало в источник сигнала — всё как обычно. Конденсатор на 100 мкФ, 25 В, резистор на 1 кОм.
Первым делом мастер знакомит читателей с цоколёвкой транзистора 13002:
Затем он, как и положено при сборке из двух транзисторов одного составного, соединяет эмиттер первого транзистора с базой второго. Хорошо, они как раз расположены рядом.
Впаивает резистор смещения между коллектором и базой первого транзистора. Благодаря ему оба транзистора будут работать в линейном режиме.
Подключает к базе первого транзистора плюсовой вывод конденсатора:
Соединяет коллекторы обоих транзисторов перемычкой:
Подключает сигнальный кабель: общий провод припаивает к эмиттеру второго транзистора, а выход любого из стереоканалов — к минусовому выводу конденсатора:
Один вывод динамической головки соединяет с плюсом питания, второй — с соединёнными вместе коллекторами обоих транзистора. Минус питания подаёт на эмиттер второго транзистора.
Усилитель готов к работе. Если не добавлять к нему регулятор громкости, источник сигнала придётся взять такой, в котором соответствующий регулятор имеется. И можно слушать.
Собрав второй такой же усилитель и подав на него сигнал с другого стереоканала, вы получите стереофонический эффект.
Источник (Source)
Становитесь автором сайта, публикуйте собственные статьи, описания самоделок с оплатой за текст. Подробнее здесь.
Транзистор КТ840: технические характеристики
Основные технические характеристики транзистора КТ840:
- Максимальное коллекторное напряжение: 40 В
- Максимальный коллекторный ток: 0.3 А
- Максимальная мощность потерь: 0.25 Вт
- Коэффициент усиления тока (hfe): от 40 до 200
- Максимальная рабочая частота: 300 МГц
- Тип корпуса: TO-92 (пластмассовый корпус)
Транзистор КТ840 имеет три электроды: коллектор (C), базу (B) и эмиттер (E). Он работает в пассивном режиме и используется для усиления и коммутации электрических сигналов.
Транзистор КТ840 обладает высокой надежностью, стабильностью и долговечностью. Он может использоваться в широком диапазоне рабочих температур и имеет хорошую шумовую характеристику.
Обратите внимание, что во время монтажа и эксплуатации транзистора КТ840 необходимо соблюдать рекомендации производителя и следить за температурными режимами, чтобы избежать его повреждения
Надежность транзистора КТ840А
Одной из ключевых характеристик надежности транзистора КТ840А является его долговечность. Благодаря использованию качественных материалов и современных технологий производства, этот транзистор обладает высокой степенью стабильности своих параметров в течение всего срока его службы.
Транзистор КТ840А имеет надежную конструкцию, которая обеспечивает его защиту от различных внешних воздействий и повреждений. Высокое качество исходных материалов и проработка каждого этапа изготовления гарантируют надежность работы транзистора даже в экстремальных условиях эксплуатации.
КТ840А имеет широкий диапазон рабочих температур и высокую теплостойкость, что позволяет использовать его в самых разнообразных условиях. Он прекрасно справляется с высокими температурными нагрузками и не теряет своих характеристик в процессе работы.
Кроме того, транзистор КТ840А обладает высокой устойчивостью к вибрации и ударным нагрузкам. Это делает его незаменимым компонентом в электронных устройствах, которые подвержены воздействию внешних сил.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Максимальное рабочее напряжение (Uбэ) | 100 В |
| Максимальный ток коллектора (Iк) | 10 А |
| Максимальная мощность (Pк) | 120 Вт |
| КТУ | не менее 35 |
| Максимальная рабочая частота (fг) | 3 МГц |
Таким образом, транзистор КТ840А является надежным и долговечным устройством, обладающим высокими характеристиками надежности и долговечности. Благодаря его стабильной работе в различных условиях, он широко применяется в различных электронных схемах и обеспечивает стабильность работы всей системы.
Транзистор КТ840: применение и области применения
Одной из основных областей применения транзистора КТ840 является схемотехника усилителей и генераторов. Благодаря своим характеристикам, данный транзистор является незаменимым элементом в схемах усиления низкочастотных сигналов.
Транзистор КТ840 также широко применяется в радиотехнике для создания колебательных и генераторных схем. Благодаря своей стабильной работе при низких частотах, он может быть использован для создания точных и стабильных сигналов.
За счет своих высоких технических характеристик и универсальности, транзистор КТ840 может быть использован в различных системах управления и коммутации. Он может использоваться для управления нагрузками, переключения сигналов и других задач, связанных с управлением электронными устройствами.
Также транзистор КТ840 может использоваться в различных аналоговых электронных схемах, включая различные типы фильтров, модуляторы и детекторы сигналов.
Транзистор КТ840 можно использовать во множестве областей промышленности, включая автоматизацию производственных процессов, электроэнергетику, медицинскую технику и другие.
Таким образом, транзистор КТ840 является универсальным прибором и широко используется в различных областях электроники и техники благодаря своим хорошим характеристикам и универсальности.
Цоколевка широко распространенных транзисторов
Цоколевка широко распространенных транзисторов и цветовая и кодовая маркировка транзисторов.
Цветовая и кодовая маркировка транзисторов
В цветовой и кодовой маркировке транзисторов нет единых стандартов. Каждый завод, который производит транзисторы, принимает свои цветовые и кодовые обозначения. Вы можете встретить транзисторы одного типа и группы, которые изготовлены разными заводами и маркируются по-разному, или разные транзисторы, которые маркируются одинаково. В этом случае их можно отличить только по некоторым дополнительным признакам, таким как длина выводов коллектора и эмиттера или окраска торцевой (противоположной выводам) поверхности транзистора.
Табл. 8.13. Цветовая и кодовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26.
Цветовая маркировка транзисторов осуществляется двумя точками. Тип транзистора обозначается на боковой поверхности, а маркировка группы на торцевой (рис. 8.2).
Кодовая маркировка наносится на боковую поверхность транзистора (рис. 8.2). Тип транзистора обозначается кодовым знаком (табл. 8.13), а группа — соответствующей буквой. Дата изготовления в соответствии с ГОСТ 26486-82 кодируется двумя буквами или буквой и цифрой (табл. 8.14). Первая буква обозначает год выпуска, а следующая за ней цифра или буква — месяц. Кодированное обозначение даты изготовления применяется не только для транзисторов, но и для других радиоэлементов. На рис. 8.3 приведены примеры кодовой и цветовой маркировки транзисторов в корпусе КТ-26.
Транзисторы в корпусе КТ-27 могут маркироваться или буквенно — цифровым кодом (табл. 8.16 и рнс. 8.4) или кодом, состоящим из геометрических фигур (рис. 8.4).
Транзисторы в корпусе КТ-27 дополнительно маркируются окрашиванием торца корпуса, противоположного выводам: КТ814 — серо — бежевый;
КТ815 — серый нлн снренево — фиолетовый;
КТ816 — розово — красный;
КТ817 — серо — зелёный;
Транзисторы КТ814Б, КТ815Б, КТ816Б и КТ817Б иногда маркируются только окрашиванием торцевой поверхности без нанесения буквенно — цифрового кода.
Примеры маркировки транзисторов в корпусе КТ-13 приведены на рис. 8.6. Буква группы у транзисторов КТ315 наносится сбоку поверхности, а КТ361 — посередине.
Тип транзисторов КПЗОЗ и КП307 в корпусе КТ-1-12 маркируются соответственно цифрами 3 и 7, группа — соответствующей буквой. Транзисторы КП327А маркируются одной белой точкой, а КП327Б — двумя (рис. 8.3).
Заключение
Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.
В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:
www.mp16.ru
www.rudatasheet.ru
www.texnic.ru
www.solo-project.com
www.ra4a.narod.ru
Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы