Транзистор КТ837Д - параметры, цоколевка, аналоги, обозначение

Уход и хранение транзисторов КТ837Д

1. Хранение:

Транзисторы КТ837Д должны храниться в специальных антистатических упаковках. Это поможет избежать повреждения компонентов электростатическим разрядом. Упаковки должны быть хорошо закрытыми и защищены от воздействия влаги и пыли.

Рекомендуется хранить транзисторы в помещении с контролируемой влажностью и температурой. Идеальные условия хранения — температура около 25°C и влажность около 60%. Это помогает избежать изменения характеристик транзисторов.

2. Защита от статического электричества:

Перед работой с транзисторами КТ837Д рекомендуется использовать антистатические браслеты и коврики. Это поможет предотвратить разряд статического электричества во время монтажа или обслуживания компонента. Также стоит избегать прикосновения к металлическим контактам транзистора руками.

3. Правила монтажа:

При монтаже транзистора КТ837Д на печатную плату необходимо следовать инструкциям производителя и устанавливать его в соответствии с указанным положением, обозначенном схемой. Необходимо избегать механических повреждений корпуса транзистора и перегрева при пайке.

4. Проверка перед использованием:

Перед использованием транзистора КТ837Д рекомендуется провести проверку его параметров при помощи тестера или осциллографа. Это поможет убедиться в работоспособности и соответствии характеристик транзистора требуемым значениям.

Следуя этим рекомендациям по уходу и хранению, вы сможете поддерживать транзисторы КТ837Д в отличном состоянии и обеспечить надежную работу ваших электронных устройств.

Цоколевка транзистора КТ837Д

Цоколевка транзистора КТ837Д представляет собой металлическую ножку согнутой формы, имеющую отверстия для пайки. Всего в корпусе транзистора существует три вывода, каждый из которых обладает своей специальной функцией.

С помощью диаграммы подключения и описания выводов можно разобраться, как проводить пайку транзистора КТ837Д:

1. Выход (E) – этот вывод служит для подключения катода или эмиттера транзистора. Здесь выходит сигнал, и он соответствует выходу для тока эмиттера.

2. Вход (B) – этот вывод служит для подключения базы транзистора. Здесь входит управляющий сигнал, обычно сигнал управления током для базы транзистора.

3. Вывод нижней липы корпуса (C) – это коллектор транзистора, где собирается и выходит силовой сигнал, в нашем случае для тока коллектора.

При пайке транзистора КТ837Д обязательно нужно учитывать соответствия маркировки выводов и характеристик.

Это позволит правильно подключить выводы транзистора и обеспечит нормальное функционирование.

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ361 и КТ361-1.
Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая находится по центру корпуса транзистора. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения, станков с числовым программным управлением и бытовой электроники высшего класса, соответственно такие транзисторы были повышенной надежности и проходили дополнительные испытания при изготовлении. Пример маркировки транзистора КТ361-1 показан на рисунке 1 (в случае КТ361 цифра в маркировке отсутствует).

Следует также отметить, что транзисторы КТ315 и КТ361 были первыми массовыми транзисторами с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Транзистор КТ361 тоже маркировался одной буквой, как и КТ315, но буква располагалась по центру, а также иногда слева и справа от неё были тире. Однако транзисторы, поставляемые с отклонениями по внешнему виду и габаритным размерам, дополнительно маркировались диагональной чертой. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ361-2 и КТ361-3.
Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора. Пример маркировки транзистора КТ361-2 приведен на рисунке 2(в случае КТ361-3 на корпусе указывается цифра 3).

Технические характеристики транзистора КТ837Д

Основные технические характеристики транзистора КТ837Д представлены в таблице:

Наименование	Значение
Тип	КТ837Д
Максимальное рабочее напряжение коллектор-эмиттер (Vceо)	40 В
Максимальный коллекторный ток (Ic)	1 А
Мощность потерь на выходной ступени (Pот)	10 Вт
Коэффициент усиления по току (hfe)	не менее 50
Максимальная рабочая частота (fгр)	100 МГц
Тип корпуса	ТО-5

Транзистор КТ837Д используется в различных электронных устройствах, включая радиопередатчики, радиоприемники, усилители, осциллографы и другие приборы. Благодаря своим характеристикам, он обеспечивает высокую производительность и надежность работы.

Для подключения транзистора КТ837Д требуется обратить внимание на его выводы, которые обозначены в даташите. Необходимо правильно провести провода к коллектору (C), эмиттеру (E) и базе (B) транзистора, следуя указаниям схемы подключения

Соблюдение правильной полярности и правил подключения позволит достичь надлежащей работы устройства.

Биполярный транзистор 2N1711 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N1711

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

2N1711
Datasheet (PDF)

..1. Size:623K rca 2n1711.pdf

..2. Size:51K philips 2n1711 cnv 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1112N1711NPN medium power transistor1997 May 28Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor 2N1711FEATURES PINNING High current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1 emit

..3. Size:46K st 2n1711.pdf

2N1711EPITAXIAL PLANAR NPNDESCRIPTION The 2N1711 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintented for use in high performance amplifier,oscillator and switching circuits.The 2N1711 is also used to advantage inamplifiers where low noise is an important factor.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Va

..4. Size:47K st 2n1711 .pdf

..5. Size:64K central 2n1613 2n1711 2n1893.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

..6. Size:127K bocasemi 2n956 2n718a 2n1711.pdf

http://www.bocasemi.comBoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.com

..7. Size:74K cdil 2n1711.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N1711TO-39Metal Can PackageGeneral Purpose TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Emitter Voltage, RBE

..8. Size:92K microelectronics 2n1613 2n1711.pdf

9.1. Size:318K no 2n1716s.pdf

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive

9.2. Size:318K no 2n1715s.pdf

9.3. Size:318K no 2n1717s.pdf

9.4. Size:317K no 2n1714s.pdf

Другие транзисторы… 2N1704
, 2N1705
, 2N1706
, 2N1707
, 2N1708
, 2N1708A
, 2N1709
, 2N1710
, , 2N1711-46
, 2N1711A
, 2N1711B
, 2N1711L
, 2N1711S
, 2N1713
, 2N1714
, 2N1715
.

Особенности применения транзистора КТ837Д

1. Превосходная устойчивость к перегрузкам: транзистор КТ837Д способен выдерживать высокие токи и напряжения без проблем, что позволяет его использовать в различных схемах и устройствах.

2. Высокая надежность и долговечность: благодаря высокому качеству материалов и прочной конструкции, транзистор КТ837Д обладает долгим сроком службы и редко выходит из строя.

3. Низкий уровень шума и искажений: транзистор КТ837Д обеспечивает высокую чистоту сигнала и минимальную искаженность звука, что является особенно важным при использовании в аудиоустройствах.

4. Широкий диапазон рабочих частот: КТ837Д может работать в диапазоне от низких до высоких частот, что делает его универсальным компонентом для различных электронных устройств.

5. Простая цоколевка и удобство монтажа: транзистор КТ837Д имеет стандартную цоколевку, что облегчает его установку и замену в различных устройствах.

6. Хорошие теплоотводные свойства: благодаря особому строению и использованию материалов с высокой теплопроводностью, транзистор КТ837Д эффективно отводит тепло, что обеспечивает его стабильную работу даже при высоких нагрузках.

7. Возможность параллельного включения: транзисторы КТ837Д могут использоваться в параллельных схемах для увеличения мощности, что позволяет достичь большей производительности без необходимости использования более крупных и дорогих компонентов.

Выводя все перечисленные особенности во внимание, можно сделать вывод, что транзистор КТ837Д является надежным, универсальным и эффективным компонентом, подходящим для использования в различных электронных устройствах и схемах

Предельно допустимые значения

Не допускается работа транзистора с превышением одного или нескольких значений, указанных в таблице. Нарушение требования может повредить или нарушить функционирование активного радиоэлемента: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора.

Длительная работа транзистора в области предельно допустимых значений может привести к уменьшению срока эксплуатации элемента и скорейшему выходу его из строя.

Параметры таблицы действительны для температуры окружающей среды +25°C.

Обозн.	Параметр	Знач.	Ед. изм
U_{кб max}	Постоянное напряжение коллектор-база		В
КТ837А, Б, В, Л, М, Н	80
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С	60
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф	45
U_{кэ max}	Постоянное напряжение коллектор-эмиттер R_эб=∞ Ом
КТ837А, Б, В, Л, М, Н	60	В
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С	45
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф	30
U_{кэ max}	Постоянное напряжение коллектор-эмиттер R_эб=100 Ом
КТ837А, Б, В, Л, М, Н	70	В
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С	55
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф	40
U_{эб max}	Постоянное напряжение эмиттер-база
КТ837А — К	15	В
КТ837Л — Ф	5
I_{к max}	Постоянный ток коллектора	7.5	А
I_{б max}	Максимально допустимый постоянный ток базы	1	А
P_{к max}	Пост. рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода	1	Вт
P_{к max}	Пост. рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом	30	Вт

Электрические характеристики, при Та=25°C

Обозн.	Параметр	Режим изм.	Макс.	Ед. изм
I_кэr	Обратный ток коллектор-эмиттер	U_кэ = U_{кэ max} при Rэб =∞	10	мA
I_кэr	Обратный ток коллектор-эмиттер	U_кэ = U_{кэ max} при R_эб= 100 Ом	10	мА
I_кбо	Обратный ток коллектор-база	U_кб = U_{кб max}	0,15	мA
I_эбо	Обратный ток эмиттера	U_эб =15 В U_эб =5 В		мА
КТ837А — К		0,3
КТ837 Л — Ф		0,3
h_21э	Стат. коэффициент передачи тока	Uкэ =5 B, Iк =2A
КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т	10	40
КТ837Б, М, Д, Р, И, У	20	80
КТ837В, Н, Е, С, К, Ф	40	150
U_{кэ нас}	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер			В
КТ837А — В, Л — Н	I_к= 3 A, I_б= 0,37 A	2,5
КТ837Г — Е, П — С	I_к= 3 A, I_б= 0,37 A	0,9
КТ837Ж — К, Т — Ф	I_к= 2 А, Iб= 0,3 A	0,5
U_{бэ нас}	Напряжение насыщения база-эмиттер	I_к= 2 A, I_б=0,5 A	1,5	В

Основные графические зависимости

Зависимость тока базы (I_Б) от напряжения база-эмиттер (U_БЭ).

Зависимость статического коэффициента передачи тока (h_21э) от напряжения коллектор-эмиттер (U_КЭ).

Зависимость статического коэффициента передачи тока (h_21э) от напряжения коллектор-эмиттер (I_К).

Области максимально допустимых режимов работы: ток коллектора (I_К) от напряжения коллектор-эмиттер (U_КЭ).

Зависимость тока коллектора (I_К) модификаций транзистора КТ837 от напряжения коллектор-эмиттер (U_КЭ).

Зона возможных значений напряжения насыщения коллектор-эмиттер (U_{кэ нас}) от тока коллектора (I_К).

Требования к монтажу

Однократно допускается изгибать вывода транзистора. При этом: угол изгиба не должен превышать 90 градусов, расстояние до корпуса более 5 мм, радиус изгиба более 1,5 мм.