Характеристики
В DataSheet к устройству приведены максимально разрешенные для эксплуатации параметры. Рабочие схемы для изделия должны им соответствовать. При этом использование при значениях, близких к предельным, вредны для транзистора.
Учитывая размеры КТ814, у изделия внушительные характеристики, позволяющие ему справляться с высокими нагрузками:
- Допустимое напряжение – в диапазоне от 25 до 80 В;
- Коллекторный ток: постоянный – до 1,5 А, импульсный – до 3 А.
Чтобы отметить предельные значения характеристик, производители перед началом продаж проводят тестирование каждого транзистора. В процессе отработки изделиям присваивается буквенная маркировка – от А до Г (на белорусском заводе «Интеграл» используют формат А9-Г9), благодаря которой покупатель впоследствии сможет сориентироваться в точных параметрах устройства.
При этом нужно учитывать и электрические характеристики. Их проверяют при температуре окружающей среды в +25°C.
Предельные характеристики транзистора КТ814 по группам:
- Напряжение по выводам на участке К-Э при RЭБ до 100 Ом. Маркировка: А – до 25 В, Б – 40 В, В – до 60 В, Г – до 80 В;
- Напряжение по выводам на участке Б-Э – до 5 В;
- Максимальное рассеивание – до 1 Вт (если имеется отвод тепла – до 10 Вт);
- Допускаемый нагрев кристалла – до 150°C;
- Разрешенные для эксплуатации температуры – от -60 до +125°C.
При превышении указанных значений использование не разрешено, так как транзистор может повредиться и перестать работать.
Основные параметры полевого n-канального транзистора 2SK4108
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора 2SK4108 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: n-каналСтруктура (технология):
| Pd max, мВт | Uds max, В | Udg max, В | Ugs max, В | Id max, мА | Tj max, °C | Fr (T on/of) | Ciss tip, пФ | Rds, Ом |
| 150000 | 500 | — | 30 | 80000 | -55+150 | (Ton:130/Tof:280nS) | 3400 | 0,21 |
Производитель: Semiconductor Technology, Inc.Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора 2SK4108:
Корпус: TO-3P; Rth: 0,833°C; Coss: 320пФ; Crss: 25пФ; Qg: 70нКл; Qgs: 45нКл; Qgd: 25нКл; Trise: 70нc; Tfall: 70нc; Trr: 1300нc;Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Характеристики популярных аналогов
Наименование производителя: 2N5153
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO39
Наименование производителя: 2N5153-220M
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO252
Наименование производителя: 2N5153S
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO39
Наименование производителя: 2N5153SM
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO252
Наименование производителя: 2N5153SMD
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO-276AB
Зарубежные прототипы
- КТ815Б — BD135
- КТ815В — BD137
- КТ815Г — BD139
14 thoughts on “ КТ815 параметры ”
Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше
Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая. Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования
Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши
Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.
Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц. p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.
Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик. Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».
На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56. И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм
Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.
Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…
Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.
Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).
По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.
Конструкция
Вариант конструкции усилителя показан на фотографии:
Чертежи печатных плат в формате pdf здесь.
Статья подготовлена по материалам журнала «Электор Электроникс» Автор Юрген Майклс (Бельгия) Вольный перевод: Главный редактор «РадиоГазеты» Удачного творчества!
Комментарий от редакции «РадиоГазеты»:
Это усилитель класса «А» со всеми вытекающими последствиями как то:
- сильный нагрев практически всех элементов конструкции. Поэтому требуется применение радиаторов соответствующих размеров и организация эффективной вентиляции корпуса усилителя.
- настоятельно рекомендуется использование защиты акустических систем от постоянного напряжения на выходе.
- это не только усилитель класса «А»! У автора в тексте это почему-то не отмечено, но это однотактный усилитель, что накладывает особые требования на источник питания. Для снижения фона блок питания должен быть либо стабилизированный (ещё один радиатор), либо нужны фильтрующие конденсаторы большой ёмкости — не менее 10 000 мкФ на канал. Для уменьшения нагрева диодов выпрямительного моста здесь настоятельно рекомендуется использовать диоды Шоттки. Снабдить их небольшими радиаторами тоже не помешает.
Улучшить параметры усилителя можно довольно просто — применением более современного и качественного операционного усилителя.
Усилитель на КТ315
Для создания усилителя, представленного на схеме, нужен один КТ315, один конденсатор (1 мкФ), один резистор и mini Jack.
На схеме видно, что отрицательное питание и один из двух ходов mini Jack надо припаять к эмиттеру (левая ножка).
Ко второму ходу mini Jack присоединяем “плюсом” конденсатор, а его “минус” припаиваем к базе. Дальше мы переходим к резистору. Одна его сторона должна быть прикреплена к первому колоночному проводу (другой ход колоночного провода — к коллектору), а второй — к отрицательному ходу конденсатора. К соединению провода от колонки и резистора добавляется плюсовой провод.
Теперь можно вставлять разъем в колонку и наслаждаться улучшенным и громким звуком.
Транзистор КТ361А
Основные параметры транзистора КТ361А:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Максимальное значение коллекторного тока | 50 мА |
| Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер | 45 В |
| Максимальная мощность потерь на коллекторе | 150 мВт |
| Коэффициент усиления по току | не менее 40 |
Транзистор КТ361А обладает рядом отличий по сравнению с транзистором КП501А. Одним из основных отличий является более низкое максимальное значение коллекторного тока — 50 мА против 100 мА у КП501А. Также, максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер у транзистора КТ361А составляет 45 В, в то время как у КП501А оно равно 60 В.
Коэффициент усиления по току у транзистора КТ361А составляет не менее 40, что говорит о его способности усиливать входной ток в данном диапазоне. Этот показатель также различается у транзистора КП501А и составляет не менее 50.
Таким образом, при выборе между транзистором КТ361А и КП501А необходимо учитывать требования по максимальному значению коллекторного тока и напряжению коллектор-эмиттер, а также коэффициенту усиления по току.
Разделы справочника:
Добавить описание биполярного транзистора.Добавить описание полевого транзистора.Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.Поиск транзистора по маркировке.Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.Добавить чертёж транзистора.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.Параметры полевых транзисторов n-канальных.Параметры полевых транзисторов p-канальных.Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Характеристики популярных аналогов
Наименование производителя: KT972A
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
Наименование производителя: WW263
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
- Корпус транзистора: TO220
Наименование производителя: U2T833
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
- Аналоги (замена) для U2T833
Наименование производителя: U2T832
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Наименование производителя: U2T823
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Наименование производителя: U2T6O1
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
- Корпус транзистора: TO66
Наименование производителя: U2T605
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
- Корпус транзистора: TO66
Наименование производителя: TTD1415B
- Маркировка: D1415B
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
- Корпус транзистора: TO220SIS
