Технические параметры КТ 325
- Максимальное значение коллекторного тока (Icmax): 200 мА;
- Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер (Uce): 40 В;
- Максимальное значение напряжения эмиттер-база (Ueb): 5 В;
- Максимальное значение тока базы (Ibmax): 50 мА;
- Мощность потери в переходе (Pt): 250 мВт;
- Температурный диапазон работы (Tj): от -55 до +150 °C;
- Коэффициент усиления по току (hfe): от 60 до 300, в зависимости от условий работы.
КТ 325 часто используется в различных схемах усиления звука, таких как усилители мощности и предварительные усилители. Он также может применяться в схемах коммутации низкочастотных сигналов.
Основные технические характеристики
13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.
Предельные режимы эксплуатации
13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.
Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%
Электрические характеристики
Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.
Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.
Советская «силиконовая долина»
В советское время, в начале 60-х годов, город Зеленоград стал плацдармом для организации в нем Центра микроэлектроники. Советский инженер Щиголь Ф. А. разрабатывает транзистор 2Т312 и его аналог 2Т319, который в последующем стал главным компонентом гибридных цепей. Именно этот человек заложил основу для выпуска в СССР германиевых транзисторов.
В 1964 году на базе Научно-исследовательского института точных технологий создал первую интегральную микросхему IC-Path с 20 элементами на кристалле, выполняющую задачу совокупности транзисторов с резистивными соединениями. В это же время появилась другая технология: были запущены первые плоские транзисторы «Плоскость».
В 1966 году в Пульсарском научно-исследовательском институте начала действовать первая экспериментальная станция по производству плоских интегральных микросхем. В NIIME группа доктора Валиева начала производство линейных резисторов с логическими интегральными схемами.
В 1968 году Исследовательский институт Пульсар произвел первую часть тонкопленочных гибридных ИС с плоскими транзисторами с открытой рамой типов KD910, KD911, KT318, которые предназначены для связи, телевидения, радиовещания.
Линейные транзисторы с цифровыми ИС массового использования (типа 155) были разработаны в Научно-исследовательском институте МЭ. В 1969 году советский физик Алферов Ж. И. открыл миру теорию по управлению электронными и световыми потоками в гетероструктурах на базе арсенид-галлиевой системы.
Схема «зарядки» для телефона.
R1 — 1 Ом, 1Ватт. R2 — 20 кОм. R3 — 680 кОм. R4 — 100 кОм. R5 — 43 Ом. R6 — 5,1 Ом. R7 — 33 Ом. R8 — 1 кОм. R9 — 1,5 кОм. C1 — 22 мФ,25в(оксидный). C2 — 1 нФ, 400в. C3 — 3,3 нФ, 1000в. C4 — 2,2 мФ,400в(оксидный). C5 — 100 мФ,25в(оксидный). VD1 — стабилитрон 5,6в. VD2,VD3 — диод 1N407. VD4 — диод 1N4937. VD5 — индикаторный светодиод. Транзистор — MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант — MJE13005(13005).
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
13001 – кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Так же его можно встретить в схемах низкочастотных усилителей в качестве усилителя звукового сигнала.
Описание и основные характеристики
Транзистор КТ 325 представляет собой германиевый полевой транзистор, который обладает высокими электрическими характеристиками и обеспечивает работу в широком диапазоне рабочих токов.
Одной из главных особенностей КТ 325 является его высокая чувствительность, благодаря которой он может быть эффективно использован в усилительных цепях. Транзистор способен обеспечивать мощность до нескольких ватт, что позволяет использовать его в радиосистемах, аудиоусилителях и других аналоговых устройствах.
КТ 325 имеет трехэлектродную конструкцию, состоящую из базы, эмиттера и коллектора. Благодаря этой конструкции, транзистор может быть использован в различных схемах – как усилитель, ключ или стабилизатор напряжения.
Основные характеристики КТ 325:
- Максимальное рабочее напряжение: 18 В;
- Максимальный ток коллектора: 1.5 А;
- Кратковременный ток коллектора: 4 А;
- Температурный диапазон: от -55°C до +75°C;
- Типоразмер: ТО3;
- Номинальное усиление тока: от 100 до 400 (в зависимости от рабочего тока).
Особенностью транзистора КТ 325 является его устойчивая работа при высоких частотах – до нескольких мегагерц. Это делает его применение целесообразным в высокочастотной электронике, радиолюбительских устройствах и других аналоговых системах.
Важно отметить, что правильная работа КТ 325 зависит от правильного подключения и установки охлаждающей системы для транзистора, так как его температурный режим является критическим для длительного срока его службы
↑ Принципиальная схема
Исключён фрагмент. Полный вариант статьи доступен меценатам и полноправным членам сообщества. Читай условия доступа.
Схема предельно проста, но имеет несколько изюминок.Первая — измерение при фиксированном токе эмиттера (фактически и коллектора), а не базы (идея из журнала «Радио», взята с датагорского форума). Это позволило поставить транзисторы в одинаковые условия и выбрать режим по току, в котором будут работать эти транзисторы.
Вторая
— регулируемый стабилитрон на TL431 позволяет плавно установить ток, с обычными стабилитронами это невозможно, да и подбор пар «стабилитрон+резистор в цепи эмиттера» вызвал бы проблемы. Третья — двухканальная схема и отдельные панельки для P-N-P и N-P-N транзисторов, что упрощает коммутацию, позволяет моментально сравнивать опытную пару и проверять идентичность, изменяя напряжение питания.
Электрические параметры и предельные значения допустимых режимов работы транзистора ГТ308А.
|
Обозначение |
||
|
H21э |
Uкб=-1 В; Iэ=10 qокр=25 °С qокр=70 °С qокр= -60 °С |
20…75 20…200 ³ 15 |
|
H21э |
Uкб=-5 В; Iэ=5 f=20 МГц |
³ 4.5 |
|
Ikб0, МкА |
-60 °С £qокр £ 25 °С Uкб= -5 В; Uкб= -15 В; qокр=70 °С; Uкб= — 10 В; |
£ 2 £ 5 £ 90 |
|
Iэб0, МкА |
Uбэ= -2 В Uбэ= -3 В Uкб= -5 В; Iэ=5 f=20 МГц; |
£ 50 £1000 ³4.5 |
|
Кш,дБ |
Uкб= -5 В; Iэ=5 f=1.6 МГц; |
— |
|
Uкэ0.н, В |
Iк=50 мА; Iб= 3 мА |
— 1.5 |
|
Uбэ.н,В |
Iк=10 мА; Iб=1 |
— 0.5 |
|
Uкб0. Max,В |
qокр £ 45 °С |
-20 |
|
Ск,пФ |
Uкб= -5 В; f=5 МГц; |
£ 8 |
|
Сэ,пФ |
Uэб= -1 В; f=5 МГц; |
£ 25 |
|
tрас.мкc |
Iк=50 мА; Iб=4 tи= 5 мкс; f=1..10 МГц; |
£ 1 |
|
tк, пс |
Uкб= -5 В; Iэ=5 мА; f=5 |
400 |
*KURSOVOY PROEKT PO OKPRTU*
* SHPAK gr.940103*
R1 2 3 22K
R2 2 0 22K
R3 3 4 3K
R4 5 0 2K
R5 5 7 2K
R6 3 6 510
R7 8 10 1K
R8 9 0 270
R9 3 10 62K
R10 10 0 20K
R11 3 11 310
R12 12 0 170
R13 13 0 22K
.param k=1
.step param k list
0.8 2 5
C1 1 2 5.0UF
C2 6 0 10UF
C3 7 8 5.0UF
C4 8 9 {K*160PF}
C5 9 10 {K*160PF}
*C6 3 O 10UF
C7 11 13 10UF
Q1 4 2 5 KT315a
Q2 7 4 6 KT361a
Q3 11 10 12 KT315a
.model KT315a NPN
.model KT361a PNP
VS 3 0 DC 12V
VIN 1 0 AC 0.01
.AC DEC 50 1khz
500MEGHZ
.DC VS 0.5 20.5 5
.Tran 0.5us 4us
.Four 84KHZ v(13)
.PROBE
.PRINT AC V(13)
.END
BJT MODEL
PARAMETERS
KT315a KT361a
NPN PNP
IS
100.000000E-18 100.000000E-18
BF
100 100
NF 1
1
BR
1 1
NR
1 1
SMALL SIGNAL
BIAS SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG C
NODE
VOLTAGE NODE
VOLTAGE
(1)
0.0000
(2)
5.9318
(3) 12.0000
(4)
10.1990
(5)
5.1700
(6)
10.9910
(7)
9.0879
(8)
1.9415
(9)
0.0000
(10)
1.9415
(11) 9.9800
(12)
1.1188
(13 )
0.0000
HARMONIC
FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED
NO
(HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)
1
8.400E+04 9.788E-10 1.000E+00 -1.522E+02 0.000E+00
2
1.680E+05 5.114E-10 5.225E-01 1.452E+02 2.974E+02
3
2.520E+05 3.349E-11 3.422E-02 7.207E+01 2.243E+02
4
3.360E+05 2.251E-10 2.300E-01 -1.576E+02 -5.391E+00
5 4.200E+05
2.044E-10 2.088E-01 1.381E+02 2.903E+02
6
5.040E+05 3.083E-11 3.150E-02 5.564E+01 2.079E+02
7
5.880E+05 1.164E-10 1.190E-01 -1.604E+02 -8.126E+00
8
6.720E+05 1.236E-10 1.263E-01 1.320E+02 2.842E+02
9
7.560E+05 2.746E-11 2.805E-02 4.143E+01 1.937E+02
HARMONIC
FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED
NO
(HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)
1
8.400E+04 9.539E-10 1.000E+00 -1.545E+02 0.000E+00
2
1.680E+05 5.184E-10 5.435E-01 1.395E+02 2.939E+02
3
2.520E+05 7.710E-11 8.082E-02 4.980E+01 2.043E+02
4
3.360E+05 1.862E-10 1.952E-01 -1.568E+02 -2.275E+00
5
4.200E+05 1.839E-10 1.928E-01 1.294E+02 2.839E+02
6
5.040E+05 5.561E-11 5.830E-02 2.306E+01 1.775E+02
7
5.880E+05 9.593E-11 1.006E-01 -1.493E+02 5.203E+00
8 6.720E+05
1.003E-10 1.052E-01 1.266E+02 2.811E+02
9
7.560E+05 4.096E-11 4.295E-02 5.142E+00 1.596E+02
HARMONIC
FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED
NO
(HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)
1
8.400E+04 8.378E-10 1.000E+00 -1.573E+02 0.000E+00
2
1.680E+05 4.557E-10 5.439E-01 1.307E+02 2.880E+02
3
2.520E+05 1.170E-10 1.396E-01 1.536E+01 1.727E+02
4
3.360E+05 1.705E-10 2.035E-01 -1.402E+02 1.710E+01
5
4.200E+05 1.384E-10 1.652E-01 1.326E+02 2.899E+02
6
5.040E+05 6.087E-11 7.265E-02 -1.418E+01 1.431E+02
7
5.880E+05 1.138E-10 1.359E-01 -1.355E+02 2.186E+01
8
6.720E+05 8.210E-11 9.799E-02 1.407E+02 2.981E+02
9 7.560E+05 3.747E-11
4.472E-02 -3.237E+01 1.249E+02
1. ОПИСАНИЕ СХЕМЫ:
Принципиальная схема проектируемого устройства
предстваляет собой трехкаскадный усилитель выполненный на кремниевых
высокочастотных транзисторах малой мощности. 2 каскада на транзисторах типа
КТ315А, а один на транзисторе типа КТ361А, которые включены по каскадной схеме.
Подбор транзисторов в усилитель JLH
Выходные транзисторы
- Старые экземпляры, которые делались по меза-планарной технологии (2N3055), которую вытеснила эпитаксильно-паланарная современная (MJE3055) — очень музыкальные транзисторы.
- Несмотря на АЧХ, звук 2n3055 звонче и прозрачнее, но у 2sc3281 звук более приглушённый и ламповый, что ли. Видимо, сказывается распределение гармоник
- Самыми лучшими и стабильными в этом агрегате все-таки оказались MJ15024, MJ15003, 2N2773. Бэтта транзисторов выходного каскада при 4 Ом нагрузке должна быть не менее 120.
- Супер транзисторы — MJ15026, 15027 за 27 $ один, в Штатах 7 $.
Ну и моторолловский клон 2SC3281 — это MJL3281A, он по линейности Кус вообще рекордсмен. Практически прямая «полка», а спад беты начинается с 5-6 Ампер. По звуку лидируют MJL3281A (NPN) MJL1302A (PNP) как самые интегрально-линейные мощные биполярные транзисторы для ЗЧ.
Очень хороший результат дает параллельное включение на выходе 2-х 3-х транзисторов средней мощности 2sc5707, предварительно отобранных по бэтте (она у них очень высокая – до 560). Паяем по 2-3 транзистора на общую медную пластину, а потом ее крепим к радиатору через прокладку, паять лучше легкоплавким припоем пос-61.
В пластике (ТО-247) можно ставить MJE21193, 2CS5200, КТ8101 (в порядке ухудшения качества); В металле (ТО-3) можно MJ15003, MJ15024, 2N3055, КТ819ВМ, ГМ (в таком же порядке); Из наших — КТ908, КТ903, КТ808, КТ805, КТ803 (КТ908 на голову выше всех, из отечественных они самые лучшие).
Не применяйте MJL21294, эти транзисторы не для этого усилителя. Тем более при 4 Ом нагрузке. Вот в однотактном повторителе Игоря Семынина или усилителях с составными транзисторами на выходе им самое место. В усилителе по схеме JLH чем выше Кус выходных транзисторов и предвыходного — тем лучше. MJL-21194 сейчас лучшие для звука но не для Худа, в JLH можно применить MJ15003, но у них корпус неудобный, как и у 2N3055
Смотрел характеристики аппарата на таком комплекте транзисторов: Выходные высокочастотные 2sc5200 + драйверный каскад на вс550bp, входной транзистор bc109b. Искажения получились 0,02. 0,03 % при прекрасном меандре. При тех же условиях низкочастотные моторолы с невысокой бэтой дают искажения 0,08-0,1 % при сильно заваленном фронте меандра.
Схема с ВЧ транзисторами на выходе должна обязательно корректироваться от возбуждения установкой конденсаторов между базой и коллектором драйверного транзистора порядка 10-15 пФ и конденсатором емкостью 22-60 пФ параллельно резистору ООС R5 2,7 кОм. Если конденсатор ООС имеет номинал 470-680 мкФ, то делитель ООС 2,7 кОм/240 Ом лучше уменьшить до 1,2 кОм/120 Ом, что даст меньшие искажения и большую устойчивость.
Современные транзисторы проигрывают винтажным по качеству воспроизведения НЧ. Я считаю, что 2SA1943, 2SC5200 обеспечивают лучшее звучание, чем MJ15003, 15004 или MJ15024, 25.
MJL21194 сочетают в себе плюсы: плоский удобный для монтажа корпус и узкую полосу в 4-6,5 МГц. Правда они имеют два «минуса» — высокую стоимость и маленький коэффициент усиления. Мощные современные транзисторы с ft>30MHz ставить не рекомендуются — будет возбуд. Старые НЧ транзисторы лучше себя ведут, чем новодельные ВЧ. В этом смысле стоит попробовать наши Кт805-Кт819
У транзисторов серий: MJ, MJL, MJW – 21193, 21194, 21195, 21196… применена медная металлизация на поверхности кристалла для формирования вывода базы, что выравнивает температуру поверхности кристалла, улучшает распределение тока по площади кристалла и расширяет ОБР, особенно в области высоких напряжений.
Драйверный транзистор
Перепробовал множество транзисторов в драйвере, лучшие результаты показал 2sc2240, что закономерно т.к. у него 300-700 бэтта, при прекрасной линейности тока коллектора в диапазоне 1,0-50 мА и малая емкость 3 пФ, приклеиваем к нему медную пластинку получаем превосходный драйвер средней мощности = Ибуки
Если у вас выходные транзисторы с большой бэттой, то ток от драйверного транзистора нужен не очень большой 15-25 мА, так что не нужно туда ставить тупой конский транзистор. Из советских неплох кт602Б, но его нужно отбирать с бетой при токе 20-30 мА не менее 200.
Маломощный предвыходной транзистор показывает намного лучшие результаты по качеству меандра и искажениям чем BD139 и такие же «среднемощные» из-за более линейных характеристик при токах 10-30 мА, высокого h21э и малых межэлектродных емкостей. Особенно хорош прирост качества в классической схеме 1969 года.
Сравнение КТ 325 с другими типами транзисторов
Сравнивая КТ 325 с другими типами транзисторов, можно отметить следующие особенности:
- Типичная конфигурация транзистора КТ 325 – NPN, тогда как многие другие транзисторы могут быть типа PNP.
- Максимально допустимый коллекторный ток КТ 325 составляет определенное значение, в то время как другие транзисторы могут иметь разные значения максимального допустимого тока.
- КТ 325 имеет свои уникальные электрические параметры, такие как коэффициент передачи тока и падение напряжения на коллектор-эмиттерном переходе, которые могут отличаться от параметров других типов транзисторов.
- Применение КТ 325 и других типов транзисторов может также различаться в зависимости от конкретных требований их электрических характеристик.
Таким образом, хотя КТ 325 и является только одним из множества типов транзисторов, его основные характеристики и применение могут быть уникальными, что делает его предпочтительным выбором для определенных электронных схем и устройств.
