Старение и неисправность
Как и любая электронная компонента, транзисторы подвержены старению и неисправности в течение своего срока службы. Старение может привести к изменению характеристик транзистора, таких как ток утечки, коэффициент усиления и граничные параметры. Это может привести к изменению работы устройства, в котором используется транзистор.
Неисправность транзистора может быть вызвана различными факторами, такими как неправильная эксплуатация, повреждение при монтаже или использовании, а также внутренние дефекты. В результате неисправности транзистор может перестать выполнять свои функции или работать с ошибками.
При замене КТ209 транзистора на аналог необходимо учитывать возможность старения и неисправности кандидатов на замену. Рекомендуется выбирать транзисторы от проверенных производителей с надежными характеристиками и соблюдать рекомендации по эксплуатации и монтажу, чтобы увеличить срок службы заменяемого транзистора.
Важные особенности использования
При использовании транзистора КТ209 важно учитывать следующие особенности:
- Необходимо соблюдать правильную полярность подключения, чтобы избежать повреждения транзистора.
- Рекомендуется использовать радиатор для отвода выделяющегося тепла транзистора.
- Необходимо обеспечить надежное крепление транзистора в схеме, чтобы избежать его перемещения и потенциального повреждения.
- Рекомендуется использовать транзистор с соответствующими характеристиками и параметрами для конкретной задачи.
- Необходимо правильно расчитать и настроить режим работы транзистора в схеме для достижения требуемых характеристик.
Учитывая эти важные особенности использования, транзистор КТ209 может успешно применяться в различных схемах и устройствах.
Ток и напряжение базы транзистора КТ209
Базовый ток (IБ) — это ток, протекающий между эмиттером и базой транзистора. Он определяет уровень управления и контроля тока, проходящего через коллектор.
Напряжение базы (UБЭ) — это напряжение, которое подается на базу транзистора. Управление этим напряжением позволяет контролировать уровень коллекторного тока (IК) и, соответственно, управлять работой транзистора.
Для транзистора КТ209 указанные значения тока и напряжения обычно указываются в технических спецификациях. Они влияют на работу транзистора и должны быть учтены при его применении в электронных схемах и устройствах.
Транзистор КТ209 имеет следующую цоколевку:
| Номер вывода | Обозначение | Назначение |
|---|---|---|
| 1 | Э | Эмиттер |
| 2 | Б | База |
| 3 | К | Коллектор |
Измерение и контроль тока и напряжения базы транзистора КТ209 необходимы для обеспечения его надлежащей работы в различных электронных устройствах.
Технические характеристики транзистора КТ 209
Технические характеристики транзистора КТ 209 включают в себя следующие параметры:
- Максимальное значение тока коллектора (Ic) – 10 А;
- Максимальное значение тока эмиттера (Ie) – 5 А;
- Максимальное значение тока базы (Ib) – 0,2 А;
- Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер (Uce) – 100 В;
- Максимальное значение напряжения коллектор-база (Ucb) – 120 В;
- Коэффициент усиления по току коллектора (hfe) – от 30 до 300;
- Тепловое сопротивление перехода от j до c (Rthjc) – 2,8 °С/Вт;
- Максимальная рабочая частота – 150 МГц.
Транзистор КТ 209 может работать в широком диапазоне температур и обеспечивает надежность и стабильное функционирование в различных электронных устройствах. Он широко применяется в усилительных схемах, коммутационных схемах, модуляторах и драйверах, благодаря своим высоким электрическим характеристикам и надежности.
КТ209 транзистор: какой заменить?
При выборе аналога для КТ209 необходимо учитывать несколько факторов
В первую очередь, важно определиться с типом транзистора. КТ209 относится к типу NPN
Поэтому для замены его следует выбирать транзисторы того же типа. Вторым важным параметром является максимальное значение напряжения, которое может выдерживать транзистор. КТ209 имеет 140 В, поэтому заменитель должен иметь аналогичные или более высокие показатели.
Популярным аналогом КТ209 является транзистор КТ315, который также относится к типу NPN и выдерживает напряжение до 140 В. Он обладает схожими электрическими параметрами и может использоваться вместо КТ209 без особых ограничений.
Стоит отметить, что при замене транзистора на аналог необходимо учитывать его тепловые характеристики. КТ209 имеет тепловое сопротивление 125°C/Вт, поэтому заменитель должен иметь аналогичные параметры или лучше.
В любом случае, перед выбором аналога для КТ209 рекомендуется обратиться к техническим характеристикам заменителя и сравнить их с характеристиками и требованиями конкретного устройства.
Принцип работы транзистора КТ209
Принцип работы КТ209 основан на двух типах проводимости в полупроводниках: электронной проводимости и дырочной проводимости. Эмиттер и коллектор выполнены из материалов с электронной проводимостью, а база — из материала с дырочной проводимостью.
В состоянии покоя транзистор находится в открытом состоянии, когда между эмиттером и базой протекает небольшой ток, а между коллектором и базой — нет. Это происходит из-за разности размеров и типов проводимости слоев. Ток, протекающий через эмиттер, вызван электронами, переходящими из эмиттера в базу.
Для работы транзистора КТ209 в качестве усилителя или ключа, нужно изменить ток, протекающий через базу. Это делается путем подачи управляющего сигнала на базу. Принцип работы транзистора состоит в изменении проводимости слоя базы под воздействием управляющего сигнала.
Когда на базу подается положительное напряжение, проводимость базы увеличивается и больше электронов из эмиттера переходит в базу, что приводит к увеличению тока через коллектор. Таким образом, транзистор КТ209 работает как усилитель сигнала.
Если на базу подается отрицательное напряжение, проводимость базы уменьшается и меньше электронов переходит из эмиттера в базу. В результате тока через коллектор становится меньше. Таким образом, транзистор КТ209 может использоваться в качестве ключа для переключения электрических схем.
Принцип работы транзистора КТ209 позволяет использовать его в широком спектре электронных устройств, включая радио и телевизионные аппараты, компьютеры и многие другие. Благодаря своей надежности и высокой эффективности, транзистор КТ209 остается востребованным компонентом в современной электронике.
Применение транзистора КТ209
Одним из основных применений транзистора КТ209 является его использование в усилительных схемах. Благодаря высокой усиливающей способности и низкому уровню шумов, этот транзистор является отличным выбором для создания усилительных устройств различной мощности.
Транзистор КТ209 также может использоваться в различных переключающих и импульсных схемах. Благодаря его высокой скорости переключения, низкому уровню потерь и низкому сопротивлению включения/выключения, он может быть использован в цепях управления высокой частотой.
Другим важным применением транзистора КТ209 является его использование в источниках питания. Благодаря высокой надежности, превосходной стабильности и способности выдерживать высокие токи, он может быть использован в различных схемах источников постоянного тока.
Транзистор КТ209 также может применяться в радиосхемах, электронных блоках питания, устройствах управления двигателями и других устройствах, где требуется высокая надежность, низкий уровень шумов и хорошая стабильность работы.
Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ209
| • Напряжение К-Б (постоянное): | |
| при Т = +25…+100°C: | |
| КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1 | 15 В |
| КТ209К, КТ209Д, КТ209Е | 30 В |
| КТ209Ж, КТ209И, КТ209К | 45 В |
| КТ209Л, КТ209М | 60 В |
| при Т = −45°C: | |
| КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1 | 10 В |
| КТ209К, КТ209Д, КТ209Е | 25 В |
| КТ209Ж, КТ209И, КТ209К | 40 В |
| КТ209Л, КТ209М | 55 В |
| • Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ ≤ 10 КОм: | |
| при Т = +25…+100°C: | |
| КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1 | 15 В |
| КТ209К, КТ209Д, КТ209Е | 30 В |
| КТ209Ж, КТ209И, КТ209К | 45 В |
| КТ209Л, КТ209М | 60 В |
| при Т = −45°C: | |
| КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1 | 10 В |
| КТ209К, КТ209Д, КТ209Е | 25 В |
| КТ209Ж, КТ209И, КТ209К | 40 В |
| КТ209Л, КТ209М | 55 В |
| • Напряжение Э-Б (постоянное): | |
| при Т = +25…+100°C: | |
| КТ209Б1 | 5 В |
| КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209В1 | 10 В |
| КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М | 15 В |
| • Ток коллектора (постоянный): | 300 мА |
| • Ток коллектора (импульсный): | 500 мА |
| • Ток базы (постоянный): | 100 мА |
| • Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная): | |
| T = −45…+45°C | 200 мВт |
| T = +100°C | 62.5 мВт |
| • Тепловое сопротивление переход − среда | 0.45°C/мВт |
| • Температура p-n перехода | +125°C |
| • Рабочая температура (окружающей среды) | −45 … +100°C |
При Т > +45°C Pкмакс уменьшается линейно.
Транзистор КТ209 — DataSheet
Параметр
Обозначение
Маркировка
Условия
Значение
Ед. изм.
Аналог
КТ209А
MPS404, CS9020 *2, 2S3221 *3, 2N862 *3, 2N2278 *3, 2N2184 *3, 2N2276 *3, 2N2277 *3, 2N864A *3
КТ209Б
MPS404, 2S3040 *3, 2N1239 *3, 2S3240 *3, 2N2894 *3, KSY81 *3, 2N3977 *3, TR15 *2, KSY82 *3
КТ209В
MPS404, 2SA1883 *1, 2SB1279 *1, 2SB1199 *1, 2S307A *3, СР4 *2, 2N2944 *3, ТР2944 *2
КТ209В2
MPS404, 2S304A *3, 2N2944A *3, 2N3059 *3
КТ209Г
MPS404, 2N1254 *1, 2N6567 *1, 2N3344 *3, HA9048 *3, 2N1643 *3, 2N861 *3, 2N860 *3
КТ209Д
MPS404, PET4059 *3, РЕТ4060 *3, 2N1255 *3, MPS404 *2, ТНС2945 *3, 2N3978 *3, 2N2945 *3, 2N3209 *3, ВС250 *2, 2N869A *3
КТ209Е
MPS404, 2N4125 *2, 2SA1211 *3, 2N1258 *3, ВС381 *2, ВС181 *2, KSA1378, НА9049 *3, 2N2945A *3
КТ209Ж
MPS404, 2N327B *3, 2S3220 *3, 2S3210 *3, 2N3979 *3, OC204 *3, ОС206 *2
КТ209И
MPS404, 2N1257 *3, 2N1256 *3, MPS404A *2
КТ209К
MPS404A, 2SA539, KSA539, IT 139 *1, IT139/71 *1, XIT139 *1, BSR18 *1, 2SA1835SP *1, 2SA1835SN *1, 2SA1835S, 2SA558 *3, 2SA559A *3, 2N2946 *3
КТ209Л
MPS404A, ОС205 *1, 2N1259 *3
КТ209М
MPS404A, 2N343 *3, GES2906A, 2N3913 *1, 2N3910 *1, JE9215, JE9215A, 2N1259 *3, KSA539 *2
КТ209К9
ММВТ404А
Структура
—
p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
PK max,P*K, τ max,P**K, и max
—
35 °С
200
мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
fгр, f*h31б, f**h31э, f***max
КТ209А
—
≥5
МГц
КТ209Б
—
≥5
КТ209В
—
≥5
КТ209В2
—
≥5
КТ209Г
—
≥5
КТ209Д
—
≥5
КТ209Е
—
≥5
КТ209Ж
—
≥5
КТ209И
—
≥5
КТ209К
—
≥5
КТ209Л
—
≥5
КТ209М
—
≥5
КТ209К9
≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.
КТ209А
—
15
В
КТ209Б
—
15
КТ209В
—
15
КТ209В2
—
15
КТ209Г
—
30
КТ209Д
—
30
КТ209Е
—
30
КТ209Ж
—
45
КТ209И
—
45
КТ209К
—
45
КТ209Л
—
60
КТ209М
—
60
КТ209К9
—
40
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
UЭБО проб.,
КТ209А
—
10
В
КТ209Б
—
10
КТ209В
—
10
КТ209В2
—
10
КТ209Г
—
10
КТ209Д
—
10
КТ209Е
—
10
КТ209Ж
—
20
КТ209И
—
20
КТ209К
—
20
КТ209Л
—
20
КТ209М
—
20
КТ209К9
25
Максимально допустимый постоянный ток коллектора
IK max, I*К , и max
КТ209А
—
300(500*)
мА
КТ209Б
—
300(500*)
КТ209В
—
300(500*)
КТ209В2
—
300(500*)
КТ209Г
—
300(500*)
КТ209Д
—
300(500*)
КТ209Е
—
300(500*)
КТ209Ж
—
300(500*)
КТ209И
—
300(500*)
КТ209К
—
300(500*)
КТ209Л
—
300(500*)
КТ209М
—
300(500*)
КТ209К9
—
150
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
IКБО, I*КЭR, I**КЭO
КТ209А
15 В
≤1*
мкА
КТ209Б
15 В
≤1*
КТ209В
15 В
≤1*
КТ209В2
15 В
≤1*
КТ209Г
30 В
≤1*
КТ209Д
30 В
≤1*
КТ209Е
30 В
≤1*
КТ209Ж
45 В
≤1*
КТ209И
45 В
≤1*
КТ209К
45 В
≤1*
КТ209Л
60 В
≤1*
КТ209М
60 В
≤1*
КТ209К9
—
≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h21э, h*21Э
КТ209А
1 В; 30 мА
20…60*
КТ209Б
1 В; 30 мА
40…120*
КТ209В
1 В; 30 мА
80…240*
КТ209В2
≥200*
КТ209Г
1 В; 30 мА
20…60*
КТ209Д
1 В; 30 мА
40…120*
КТ209Е
1 В; 30 мА
80…240*
КТ209Ж
1 В; 30 мА
20…60*
КТ209И
1 В; 30 мА
40…120*
КТ209К
1 В; 30 мА
80…160*
КТ209Л
1 В; 30 мА
20…60*
КТ209М
1 В; 30 мА
40…120*
КТ209К9
0.2 В; 12 мА
≥30
Емкость коллекторного перехода
cк, с*12э
КТ209А
10 В
≤50
пФ
КТ209Б
10 В
≤50
КТ209В
10 В
≤50
КТ209В2
10 В
≤50
КТ209Г
10 В
≤50
КТ209Д
10 В
≤50
КТ209Е
10 В
≤50
КТ209Ж
10 В
≤50
КТ209И
10 В
≤50
КТ209К
10 В
≤50
КТ209Л
10 В
≤50
КТ209М
10 В
≤50
КТ209К9
—
≤15
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
rКЭ нас, r*БЭ нас
КТ209А
—
≤1.3
Ом
КТ209Б
—
≤1.3
КТ209В
—
≤1.3
КТ209В2
—
≤1.3
КТ209Г
—
≤1.3
КТ209Д
—
≤1.3
КТ209Е
—
≤1.3
КТ209Ж
—
≤1.3
КТ209И
—
≤1.3
КТ209К
—
≤1.3
КТ209Л
—
≤1.3
КТ209М
—
≤1.3
КТ209К9
—
≤1.1
Коэффициент шума транзистора
Кш, r*b, Pвых
КТ209А
—
—
Дб, Ом, Вт
КТ209Б
—
—
КТ209В
1 кГц
≤5
КТ209В2
1 кГц
≤5
КТ209Г
—
—
КТ209Д
—
—
КТ209Е
1 кГц
≤5
КТ209Ж
—
—
КТ209И
—
—
КТ209К
1 кГц
≤5
КТ209Л
—
—
КТ209М
—
—
КТ209К9
—
—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс)
КТ209А
—
—
пс
КТ209Б
—
—
КТ209В
—
—
КТ209В2
—
—
КТ209Г
—
—
КТ209Д
—
—
КТ209Е
—
—
КТ209Ж
—
—
КТ209И
—
—
КТ209К
—
—
КТ209Л
—
—
КТ209М
—
—
Области применения КТ209
Транзистор КТ209 обладает широким спектром применения в различных областях электронных устройств. Его основные области применения включают:
| Область применения | Примеры устройств |
|---|---|
| Аудиоусилители | Радиоприемники, музыкальные усилители |
| Теле- и радиоаппаратура | Телевизоры, радиопередатчики |
| Блоки питания | Источники постоянного и переменного тока |
| Системы автоматического управления | Регуляторы напряжения, терморегуляторы |
| Импульсные преобразователи | Импульсные блоки питания, стабилизаторы напряжения |
КТ209 предоставляет высокую надежность и устойчивость в работе, что делает его подходящим для использования в различных приборах и схемах.
Основные технические характеристики 2n5551
При температуре окружающей среды +25 градусов (°C), транзистор 2n5551 имеет следующие технические значения:
физические:
- принцип действия – биполярный;
- корпус ТО-92, для транзистора MMBT5551 корпус SOT-23;
- материал корпуса – пластиковый корпус;
- материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) (Si);
электрические:
- проводимость — обратной проводимости n-p-n;
- максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс. (Ic max) 600 мА (mA);
- максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U КЭ макс (VCEmax) не более 160 В (V);
- максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) U КБ макс. (VCBmax) не более 180 В (V);
- максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) UЭБ макс. (VЕВ max) не более 6 В (V);
- граничная частота передачи тока (Current Gain Bandwidth Product) fгр (ft) от 100 до 300 МГц (MHz);
- максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО (ICBO) не более 0.05 мкА (µA), при U КБ макс. (VCBО ) = 120 В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0);
- максимальный обратный ток эммитера (Emmiter Cutoff Current) IЭБО (IEBO) не более 0.05 мкА (µA), при U EБ макс. (VEBО ) = 4 В (V) и отключенном коллекторе (ток коллектора IК (IС)=0);
- для ТО-92 максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе (Maximum Collector Dissipation) PKмакс. (PC) 0,625 Вт (Watt) или 625 мВт (mW);
- для SOT-23 максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе (Maximum Collector Dissipation) PKмакс. (PC) 0,350 Вт (Watt) или 350 мВт (mW);
- максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) от — 55 до +150 °С;
Классификация по hFE
коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) находится в пределах от 80 до 250 hFE, при UКЭ макс. = 5 В (V) и IK макс. = 10 мА (mA).
Возможны небольшие отличия в характеристиках у разных производителей.
Описание и назначение
Главная функция транзистора КТ 209 — усиление электрического сигнала. Он может работать как в режиме усиления, так и в режиме коммутации сигнала. Транзистор КТ 209 используется во многих устройствах, таких как радиоприемники, телевизоры, аппаратура связи, источники питания и другие электронные устройства.
Транзистор КТ 209 обладает следующими характеристиками:
- Мощность коллектора: от 1 до 10 Ватт;
- Максимальный ток коллектора: от 100 до 500 мА;
- Напряжение коллектор-эмиттер: от 20 до 80 Вольт;
- Максимальная рабочая частота: от 5 до 500 МГц;
- Тип корпуса: TO-39, SOT-89.
Также стоит отметить, что транзистор КТ 209 является пассивным элементом и требует подключения дополнительных компонентов, таких как резисторы и конденсаторы, для обеспечения правильной работы в схеме.
При выборе транзистора КТ 209 для конкретной схемы необходимо учитывать его параметры и характеристики, а также требования к электрическим сигналам.
Транзистор КТ 209 обладает высокой надежностью и долговечностью, что позволяет использовать его в различных условиях эксплуатации. Он также доступен по доступной цене и широко распространен на рынке электронных компонентов.
Ток и напряжение коллектора транзистора КТ209
Максимальное значение тока коллектора транзистора КТ209 составляет 1 А, а максимальное значение напряжения коллектора равно 60 В. Ток базы и эмиттера транзистора определяют его коэффициент усиления постоянного тока (β) и коэффициент передачи переменного тока (h21).
Ток коллектора транзистора зависит от тока базы и эмиттера, а также от значения сопротивления нагрузки в схеме усиления. Он может быть рассчитан по формуле:
IC = β * IB
Где IC — ток коллектора, IB — ток базы, β — коэффициент усиления постоянного тока.
Напряжение коллектора транзистора зависит от входного напряжения и значения сопротивления нагрузки. Напряжение коллектора может быть рассчитано по формуле:
Где UC — напряжение коллектора, E — входное напряжение, IC — ток коллектора, RC — сопротивление нагрузки.
Зная значения тока коллектора и напряжения коллектора, можно рассчитать мощность, потребляемую транзистором:
P = UC * IC
Где P — мощность, потребляемая транзистором.
При использовании транзистора КТ209 необходимо учесть его максимальные значения тока и напряжения коллектора, чтобы избежать его перегрева и выхода из строя.
КТ209 (кремниевый транзистор, p-n-p)
КТ209А, КТ209Б, КТ209Б1, КТ209В,
КТ209В1, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж,
КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М
Кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный p-n-p
транзистор.
Предназначен для использования в
низкочастотных устройствах
аппаратуры широкого применения.
Зарубежный аналог(прототип) MPS404
Диапазон рабочих температур от — 45
до + 100°C
Пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
Краткая
справочная таблица:
| Прибор | Предельные параметры |
Параметры при T = 25°C |
RТ п-с, °C/Вт | ||||||||||||||||
| при T = 25°C | |||||||||||||||||||
| IК, max мА | IК и. max мА | UКЭR max, В | UКБ0 max, В | UЭБ0 max, В | PК max, мВт | T, °C | Tп max, °C | Tmax, °C | h21Э | UКБ, В | IЭ, мА | UКЭ нас, В | IКБ0, мкА | fгр, МГц | CК, пФ | CЭ, пФ | tрас, мкс | ||
| КТ209 А | 300 | 500 | 15 | 15 | 10 | 200 | 25 | 125 | 100 | 20…60 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 Б | 300 | 500 | 15 | 15 | 10 | 200 | 25 | 125 | 100 | 40..120 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 Б1 | 300 | 500 | 15 | 15 | 10 | 200 | 25 | 125 | 100 | >12 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 В | 300 | 500 | 15 | 15 | 10 | 200 | 25 | 125 | 100 | 80…240 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 В1 | 300 | 500 | 15 | 15 | 10 | 200 | 25 | 125 | 100 | >30 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 Г | 300 | 500 | 30 | 30 | 10 | 200 | 25 | 125 | 100 | 20…60 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 Д | 300 | 500 | 30 | 30 | 10 | 200 | 25 | 125 | 100 | 40..120 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 Е | 300 | 500 | 30 | 30 | 10 | 200 | 25 | 125 | 100 | 80…240 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 Ж | 300 | 500 | 45 | 45 | 20 | 200 | 25 | 125 | 100 | 20…60 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 И | 300 | 500 | 45 | 45 | 20 | 200 | 25 | 125 | 100 | 40…120 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 К | 300 | 500 | 45 | 45 | 20 | 200 | 25 | 125 | 100 | 80…160 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 Л | 300 | 500 | 60 | 60 | 20 | 200 | 25 | 125 | 100 | 20…60 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 М | 300 | 500 | 60 | 60 | 20 | 200 | 25 | 125 | 100 | 40…120 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 |