What is irl2505?

Симисторный ключ

Для гальванической развязки цепей управления и питания лучше
использовать оптопару или специальный симисторный драйвер. Например,
MOC3023M или MOC3052.

Эти оптопары состоят из инфракрасного светодиода и фотосимистора. Этот
фотосимистор можно использовать для управления мощным симисторным
ключом.

В MOC3052 падение напряжения на светодиоде равно 3 В, а ток — 60 мА,
поэтому при подключении к микроконтроллеру, возможно, придётся
использовать дополнительный транзисторный ключ.

Встроенный симистор же рассчитан на напряжение до 600 В и ток до
1 А. Этого достаточно для управления мощными бытовыми приборами через
второй силовой симистор.

Рассмотрим схему управления резистивной нагрузкой (например, лампой
накаливания).

Таким образом, эта оптопара выступает в роли драйвера
симистора.

Существуют и драйверы с детектором нуля — например, MOC3061. Они
переключаются только в начале периода, что снижает помехи в
электросети.

Резисторы R1 и R2 рассчитываются как обычно. Сопротивление же
резистора R3 определяется исходя из пикового напряжения в сети питания
и отпирающего тока силового симистора. Если взять слишком большое —
симистор не откроется, слишком маленькое — ток будет течь
напрасно. Резистор может потребоваться мощный.

Нелишним будет напомнить, что 230 В в электросети (текущий стандарт для
России, Украины и многих других стран) — это значение
действующего напряжения. Пиковое напряжение равно \(\sqrt2 \cdot 230 \approx
325\,\textrm{В}\).

Примеры симисторов

Примеры симисторов приведены в таблице ниже. Здесь \(I_H\) — ток удержания,
\(\max\ I_{T(RMS)}\) — максимальный ток, \(\max\ V_{DRM}\) — максимальное напряжение,
\(I_{GT}\) — отпирающий ток.

Модель	\(I_H\)	\(\max\ I_{T(RMS)}\)	\(\max\ V_{DRM}\)	\(I_{GT}\)
BT134-600D	10 мА	4 А	600 В	5 мА
MAC97A8	10 мА	0,6 А	600 В	5 мА
Z0607	5 мА	0,8 А	600 В	5 мА
BTA06-600C	25 мА	6 А	600 В	50 мА

Реле

С точки зрения микроконтроллера, реле само является мощной нагрузкой,
причём индуктивной. Поэтому для включения или выключения реле нужно
использовать, например, транзисторный ключ. Схема подключения и также
улучшение этой схемы было рассмотрено ранее.

Реле подкупают своей простотой и эффективностью. Например, реле
HLS8-22F-5VDC — управляется напряжением 5 В и способно коммутировать
нагрузку, потребляющую ток до 15 А.

Главное преимущество реле — простота использования — омрачается
несколькими недостатками:

• это механический прибор и контакты могу загрязниться или даже привариться друг к другу,
• меньшая скорость переключения,
• сравнительно большие токи для переключения,
• контакты щёлкают.

Часть этих недостатков устранена в так называемых твердотельных
реле. Это,
фактически, полупроводниковые приборы с гальванической развязкой,
содержащие внутри полноценную схему мощного ключа.

Заключение

Таким образом, в арсенале у нас достаточно способов управления
нагрузкой, чтобы решить практически любую задачу, которая может
возникнуть перед радиолюбителем.

Полезные источники

1. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники. Том 1. — М.: Мир, 1993.
2. Управление мощной нагрузкой переменного тока
3. Управление мощной нагрузкой постоянного тока. Часть 1
4. Управление мощной нагрузкой постоянного тока. Часть 2
5. Управление мощной нагрузкой постоянного тока. Часть 3
6. Щелкаем реле правильно: коммутация мощных нагрузок
7. Управление мощной нагрузкой переменного тока
8. Управление MOSFET-ами #1
9. Современные высоковольтные драйверы MOSFET- и IGBT-транзисторов
10. Ключ на плечо! – особенности применения высоковольтных драйверов производства IR

IRL2505 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  international rectifier irl2505pbf.pdf

PD -95622IRL2505PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Advanced Process TechnologyDVDSS = 55Vl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.008l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 104Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing tech

 ..2. Size:108K  international rectifier irl2505.pdf

PD — 91325CIRL2505HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.008 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 104A SDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing techniques to achieve extre

 ..3. Size:223K  infineon irl2505pbf.pdf

PD -95622IRL2505PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Advanced Process TechnologyDVDSS = 55Vl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.008l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 104Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing tech

 ..4. Size:245K  inchange semiconductor irl2505.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRL2505IIRL2505FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 8.0mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM R

 0.1. Size:178K  international rectifier irl2505s irl2505l.pdf

PD — 91326DIRL2505S/LHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Surface Mount (IRL2505S) Low-profile through-hole (IRL2505L) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.008 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 104A DescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniqu

 0.2. Size:292K  international rectifier irl2505spbf irl2505lpbf.pdf

PD — 95577IRL2505LPbFIRL2505SPbFl Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRL2505S) DVDSS = 55Vl Low-profile through-hole (IRL2505L)l 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.008l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 104Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierut

 0.3. Size:292K  infineon irl2505lpbf irl2505spbf.pdf

PD — 95577IRL2505LPbFIRL2505SPbFl Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRL2505S) DVDSS = 55Vl Low-profile through-hole (IRL2505L)l 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.008l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 104Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierut

 0.4. Size:251K  inchange semiconductor irl2505s.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRL2505SFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS

Пример расчёта простой схемы

Пусть, например, требуется включать и выключать светодиод с помощью
микроконтроллера. Тогда схема управления будет выглядеть следующим
образом.

Пусть напряжение питания равно 5 В.

Характеристики (рабочий ток и падение напряжения) типичных светодиодов
диаметром 5 мм можно приблизительно оценить по таблице.

Цвет	\(I_{LED}\)	\(V_{LED}\)
Красный	20 мА	1,9 В
Зеленый	20 мА	2,3 В
Желтый	20 мА	2,1 В
Синий (яркий)	75 мА	3,6 В
Белый (яркий)	75 мА	3,6 В

Пусть используется белый светодиод. В качестве транзисторного ключа
используем КТ315Г — он подходит по максимальному току (100 мА) и
напряжению (35 В). Будем считать, что его коэффициент передачи тока
равен \(\beta = 50\) (наименьшее значение).

Итак, если падение напряжения на диоде равно \(V_{LED} = 3{,}6\,\textrm{В}\), а
напряжение насыщения транзистора \(V_{CE} = 0{,}4\,\textrm{В}\) то напряжение на
резисторе R2 будет равно \(V_{R2} = 5{,}0 — 3{,}6 — 0{,}4 = 1\,\textrm{В}\). Для
рабочего тока светодиода \(I_{LED} = 0{,}075\,\textrm{А}\) получаем

Значение сопротивление было округлено, чтобы попасть в ряд
E12.

Для тока \(I_{LED} = 0{,}075\,\textrm{А}\) управляющий ток должен быть в \(\beta =
50\) раз меньше:

Падение напряжения на переходе эмиттер — база примем равным \(V_{EB} =
0{,}7\,\textrm{В}\).

Отсюда

Сопротивление округлялось в меньшую сторону, чтобы обеспечить запас по
току.

Таким образом, мы нашли значения сопротивлений R1 и R2.

IRL2505 Datasheet PDF — International Rectifier

Part Number	IRL2505
Description	Power MOSFET ( Transistor )
Manufacturers	International Rectifier
Logo
There is a preview and IRL2505 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 8 Pages

Preview 1 page No Preview Available ! l Logic-Level Gate Drive l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated G Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 is universally preferred for all commercial- Industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry. Absolute Maximum Ratings ID @ TC = 25°C ID @ TC = 100°C IDM PD @TC = 25°C VGS EAS IAR EAR dv/dt TJ TSTG Parameter Continuous Drain Current, VGS @ 10V Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current Power Dissipation Linear Derating Factor Gate-to-Source Voltage Single Pulse Avalanche Energy Avalanche Current Repetitive Avalanche Energy Peak Diode Recovery dv/dt Operating Junction and Storage Temperature Range Soldering Temperature, for 10 seconds Mounting torque, 6-32 or M3 srew Thermal Resistance RθJC RθCS RθJA Parameter Junction-to-Case Case-to-Sink, Flat, Greased Surface Juction-to-Ambient www.irf.com PD — 91325C IRL2505 HEXFETPower MOSFET D VDSS = 55V RDS(on) = 0.008Ω ID = 104A S TO-220AB Max. 104 74 360 200 1.3 ± 16 500 54 20 5.0 55 to + 175 300 (1.6mm from case ) 10 lbf•in (1.1N•m) Typ. ––– 0.50 ––– Max. 0.75 ––– 62 Units A W W/°C V mJ A mJ V/ns °C Units °C/W 1 11/19/01

IRL2505 120 LIMITED BY PACKAGE 100 80 60 40 20 25 50 75 100 125 150 175 TC , Case Temperature ( °C) Fig 9. Maximum Drain Current Vs. Case Temperature 1 VGS RG D.U.T. 5.0V Pulse Width ≤ 1 µs Duty Factor ≤ 0.1 % +-V D D Fig 10a. Switching Time Test Circuit VDS 90% 10% VGS td(on) tr td(off) tf Fig 10b. Switching Time Waveforms D = 0.50 0.20 0.1 0.10 0.05 0.02 0.01 0.01 0.00001 SINGLE PULSE (THERMAL RESPONSE) PDM t1 t2 Notes: 1. Duty factor D = t1 / t 2 2. Peak T J = P DM x Z thJC + TC 0.0001 0.001 0.01 t1, Rectangular Pulse Duration (sec) 0.1 1 Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com 5 Preview 5 Page

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for IRL2505 electronic component.

Information	Total 8 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

Archives

• ► 

  (124)

  ► 

  Oktober
  (25)

  ► 

  September
  (25)

  ► 

  Agustus
  (8)

  ► 

  Juli
  (2)

  ► 

  Juni
  (12)

  ► 

  Mei
  (8)

  ► 

  April
  (6)

  ► 

  Maret
  (21)

  ► 

  Februari
  (2)

  ► 

  Januari
  (15)

• ► 

  (110)

  ► 

  Desember
  (8)

  ► 

  November
  (2)

  ► 

  Oktober
  (5)

  ► 

  September
  (48)

  ► 

  Agustus
  (8)

  ► 

  Juli
  (4)

  ► 

  Juni
  (9)

  ► 

  Mei
  (7)

  ► 

  Maret
  (9)

  ► 

  Februari
  (2)

  ► 

  Januari
  (8)

• ► 

  (225)

  ► 

  Desember
  (23)

  ► 

  November
  (34)

  ► 

  Oktober
  (6)

  ► 

  September
  (6)

  ► 

  Agustus
  (10)

  ► 

  Juli
  (20)

  ► 

  Juni
  (12)

  ► 

  Mei
  (9)

  ► 

  April
  (15)

  ► 

  Maret
  (2)

  ► 

  Februari
  (27)

  ► 

  Januari
  (61)

• ► 

  (37)

  ► 

  Desember
  (10)

  ► 

  November
  (2)

  ► 

  September
  (12)

  ► 

  Agustus
  (3)

  ► 

  Juli
  (9)

  ► 

  Januari
  (1)

• ▼ 

  (153)

  ► 

  Desember
  (15)

  ► 

  November
  (7)

  ► 

  Oktober
  (2)

  ► 

  September
  (5)

  ► 

  Agustus
  (5)

  ► 

  Juli
  (11)

  ► 

  Juni
  (21)

  ► 

  Mei
  (8)

  • ▼ 

    April
    (33)

  ► 

  Maret
  (6)

  ► 

  Februari
  (25)

  ► 

  Januari
  (15)

• ► 

  (223)

  ► 

  Desember
  (2)

  ► 

  November
  (11)

  ► 

  Oktober
  (32)

  ► 

  September
  (11)

  ► 

  Agustus
  (12)

  ► 

  Juli
  (6)

  ► 

  Juni
  (10)

  ► 

  Mei
  (26)

  ► 

  April
  (46)

  ► 

  Maret
  (59)

  ► 

  Februari
  (3)

  ► 

  Januari
  (5)

• ► 

  (87)

  ► 

  Desember
  (5)

  ► 

  November
  (7)

  ► 

  Oktober
  (10)

  ► 

  September
  (25)

  ► 

  Agustus
  (10)

  ► 

  Juli
  (3)

  ► 

  Juni
  (3)

  ► 

  Mei
  (2)

  ► 

  April
  (8)

  ► 

  Maret
  (6)

  ► 

  Februari
  (3)

  ► 

  Januari
  (5)

• ► 

  (91)

  ► 

  Desember
  (2)

  ► 

  November
  (2)

  ► 

  Oktober
  (8)

  ► 

  September
  (10)

  ► 

  Agustus
  (10)

  ► 

  Juli
  (6)

  ► 

  Juni
  (9)

  ► 

  Mei
  (7)

  ► 

  April
  (18)

  ► 

  Maret
  (10)

  ► 

  Februari
  (8)

  ► 

  Januari
  (1)

• ► 

  (121)

  ► 

  Desember
  (3)

  ► 

  November
  (7)

  ► 

  Oktober
  (2)

  ► 

  September
  (30)

  ► 

  Agustus
  (10)

  ► 

  Juli
  (1)

  ► 

  Juni
  (13)

  ► 

  Mei
  (24)

  ► 

  April
  (4)

  ► 

  Maret
  (12)

  ► 

  Februari
  (4)

  ► 

  Januari
  (11)

• ► 

  (114)

  ► 

  Desember
  (15)

  ► 

  November
  (73)

  ► 

  Oktober
  (24)

  ► 

  September
  (2)

Управление индуктивной нагрузкой

При управлении индуктивной нагрузкой, такой как электродвигатель, или
при наличии помех в сети напряжение может стать достаточно большим,
чтобы симистор самопроизвольно открылся. Для борьбы с этим явлением в
схему необходимо добавить снаббер — это сглаживающий конденсатор и
резистор параллельно симистору.

Снаббер не сильно улучшает ситуацию с выбросами, но с ним лучше, чем
без него.

Керамический конденсатор должен быть рассчитан на напряжение,
большее пикового в сети питания. Ещё раз вспомним, что для 230 В — это
325 В. Лучше брать с запасом.

Типичные значения: \(C_1 = 0{,}01\,\textrm{мкФ}\), \(R_4 = 33\,\textrm{Ом}\).

Есть также модели симисторов, которым не требуется снаббер. Например,
BTA06-600C.

IGBT

Ещё один интересный класс полупроводниковых приборов, которые можно
использовать в качестве ключа — это биполярные транзисторы с
изолированным затвором (IGBT).

Они сочетают в себе преимущества как МОП-, так и биполярных
транзисторов: управляются напряжением, имеют большие значения
предельно допустимых напряжений и токов.

Управлять ключом на IGBT можно так же, как и ключом на MOSFET. Из-за
того, что IGBT применяются больше в силовой электронике, они обычно
используются вместе с драйверами.

Например, согласно даташиту, IR2117 можно использовать для управления
IGBT.

Пример IGBT — IRG4BC30F.

Управление нагрузкой переменного тока

Все предыдущие схемы отличало то, что нагрузка хоть и была мощной, но
работала от постоянного тока. В схемах была чётко выраженные земля и
линия питания (или две линии — для контроллера и нагрузки).

Для цепей переменного тока нужно использовать другие подходы. Самые
распространённые — это использование тиристоров, симисторов и реле.
Реле рассмотрим чуть позже, а пока поговорим о первых двух.

Доработка схемы

Если вход схемы подключен к push-pull выходу, то особой доработки не
требуется. Рассмотрим случай, когда вход — это просто выключатель,
который либо подтягивает базу к питанию, либо оставляет её «висеть в
воздухе». Тогда для надёжного закрытия транзистора нужно добавить ещё
один резистор, выравнивающий напряжение между базой и эмиттером.

Кроме того, нужно помнить, что если нагрузка индуктивная, то
обязательно нужен защитный диод. Дело в том, что энергия, запасённая
магнитным полем, не даёт мгновенно уменьшить ток до нуля при
отключении ключа. А значит, на контактах нагрузки возникнет напряжение
обратной полярности, которое легко может нарушить работу схемы или
даже повредить её.

Совет касательно защитного диода универсальный и в равной степени
относится и к другим видам ключей.

Если нагрузка резистивная, то диод не нужен.

В итоге усовершенствованная схема принимает следующий вид.

Резистор R2 обычно берут с сопротивлением, в 10 раз большим, чем
сопротивление R1, чтобы образованный этими резисторами делитель не
понижал слишком сильно напряжение между базой и эмиттером.

Для нагрузки в виде реле можно добавить ещё несколько
усовершенствований. Оно обычно кратковременно потребляет большой ток
только в момент переключения, когда тратится энергия на замыкание
контакта. В остальное время ток через него можно (и нужно) ограничить
резистором, так как удержание контакта требует меньше энергии.

Для этого можно применить схему, приведённую ниже.

В момент включения реле, пока конденсатор C1 не заряжен, через него
идёт основной ток. Когда конденсатор зарядится (а к этому моменту реле
перейдёт в режим удержания контакта), ток будет идти через резистор
R2. Через него же будет разряжаться конденсатор после отключения реле.

Ёмкость C1 зависит от времени переключения реле. Можно взять,
например, 10 мкФ.

С другой стороны, ёмкость будет ограничивать частоту переключения
реле, хоть и на незначительную для практических целей величину.

Minggu, 21 April 2019

Original IRL2505 IRL2505PBF INFINEON MOSFET Transistor N Channel

04.15

obd2jombang

Original IRL2505 IRL2505PBF INFINEON MOSFET Transistor N Channel

INFINEON   MOSFET Transistor N Channel, 104 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 V
Transistor Polarity N Channel
Continuous Drain Current Id 104A
Drain Source Voltage Vds 55V
Model: IRL2505 IRL2505PBF
Manufacturer: IR/INFINEON
Package/Case: TO 220
Package Include :
1 X IRL2505 IRL2505PBFUntuk Info barang
Whatsapp : 081332787811
Agus Yulianto
Perum Puri Astapada Indah 2 Blok K No:6 Plosogeneng
Kec .Jombang, Kab.Jombang, Jawa Timur 61416
Hp.  0813-3278-7811  Kantor  0321-852845
Alamat Lokasi toko/rumah Google map
https://goo.gl/maps/7NZ4HMSYvvJ2
Web  :
www.obd2jatim.com
Blog
http://ToolsTeknik.blogspot.co.id
http://Obd2Jombang.blogspot.co.id
Tokopedia
https://www.tokopedia.com/obd2
Bukalapak
https://www.bukalapak.com/agusyulianto
Facebook Agus Yuli Obd Jatim
https://www.facebook.com/obd99
Rp. 55.000

Posted in: Artikel Otomotif,Artikel Umum,Chip Ic

Posting Lebih Baru

Posting Lama

Beranda

Транзистор Дарлингтона

Если нагрузка очень мощная, то ток через неё может достигать
нескольких ампер. Для мощных транзисторов коэффициент \(\beta\) может
быть недостаточным. (Тем более, как видно из таблицы, для мощных
транзисторов он и так невелик.)

В этом случае можно применять каскад из двух транзисторов. Первый
транзистор управляет током, который открывает второй транзистор. Такая
схема включения называется схемой Дарлингтона.

В этой схеме коэффициенты \(\beta\) двух транзисторов умножаются, что
позволяет получить очень большой коэффициент передачи тока.

Для повышения скорости выключения транзисторов можно у каждого соединить
эмиттер и базу резистором.

Сопротивления должны быть достаточно большими, чтобы не влиять на ток
база — эмиттер. Типичные значения — 5…10 кОм для напряжений 5…12 В.

Выпускаются транзисторы Дарлингтона в виде отдельного прибора. Примеры
таких транзисторов приведены в таблице.

Модель	\(\beta\)	\(\max\ I_{к}\)	\(\max\ V_{кэ}\)
КТ829В	750	8 А	60 В
BDX54C	750	8 А	100 В

В остальном работа ключа остаётся такой же.

Драйвер полевого транзистора

Если всё же требуется подключать нагрузку к n-канальному транзистору
между стоком и землёй, то решение есть. Можно использовать готовую
микросхему — драйвер верхнего плеча. Верхнего — потому что транзистор
сверху.

Выпускаются и драйверы сразу верхнего и нижнего плеч (например,
IR2151) для построения двухтактной схемы, но для простого включения
нагрузки это не требуется. Это нужно, если нагрузку нельзя оставлять
«висеть в воздухе», а требуется обязательно подтягивать к земле.

Рассмотрим схему драйвера верхнего плеча на примере IR2117.

Схема не сильно сложная, а использование драйвера позволяет наиболее
эффективно использовать транзистор.

Тиристоры и симисторы

Тиристор
— это полупроводниковый прибор, который может находится в двух
состояниях:

• открытом — пропускает ток, но только в одном направлении,
• закрытом — не пропускает ток.

Так как тиристор пропускает ток только в одном направлении, для
включения и выключения нагрузки он подходит не очень хорошо. Половину
времени на каждый период переменного тока прибор простаивает. Тем не
менее, тиристор можно использовать в диммере. Там он может применяться
для управления мощностью, отсекая от волны питания кусочек требуемой
мощности.

Симистор — это, фактически двунаправленный тиристор. А значит он
позволяет пропускать не полуволны, а полную волну напряжения питания
нагрузки.

Открыть симистор (или тиристор) можно двумя способами:

• подать (хотя бы кратковременно) отпирающий ток на управляющий электрод;
• подать достаточно высокое напряжение на его «рабочие» электроды.

Второй способ нам не подходит, так как напряжение питания у нас будет
постоянной амплитуды.

После того, как симистор открылся, его можно закрыть поменяв
полярность или снизив ток через него то величины, меньшей чем так
называемый ток удержания. Но так как питание организовано переменным
током, это автоматически произойдёт по окончании полупериода.

При выборе симистора важно учесть величину тока удержания
(\(I_H\)). Если взять мощный симистор с большим током удержания, ток
через нагрузку может оказаться слишком маленьким, и симистор просто не
откроется