Параметры полевого транзистора irfz44n. интернет-справочник паратран

IRFZ44N MOSFET electrical specification description

In this section, we try to explain the electrical specifications and applications of the IRFZ44N MOSFET device.

Voltage specs

The terminal voltage specifications of IRFZ44N MOSFET are a drain to source breakdown voltage is 55V, the gate to source voltage is 20V, and gate to source threshold voltage is 2 to 4V, the terminal voltage specifications show that it is a medium power device with applications at power supply devices.

Current specs

The current specs of IRFZ44N MOSFET will drain current value is 49A and pulsed drain current is 160A and gate to body leakage current is 100uA, the drain current value shows the maximum load capability of the device.

Drain to source on-state resistance

The drain to source on-state resistance value is 0.032ohm, the on-state resistance of the MOSFET means the device’s overall resistance.

Reverse recovery time (trr)

The reverse recovery time of the IRFZ44N MOSFET is 63 to 95ns, it is the amount of time needed to discharge before start conducting.

MOSFET Transistors

The MOSFET is a type of transistor that works as either an amplifier or switch in electronic circuits. It has three terminals and works by adjusting the width of the semiconductor material channel between two doped areas. The voltage applied to the third terminal, known as the gate, is what regulates the channel’s width.

MOSFET transistors are divided into two types based on their channel composition: n-channel MOSFET (NMOS) and p-channel MOSFET (PMOS). The channel of an NMOS transistor is made up of mainly electrons, while that of a PMOS transistor is made up of mainly holes. These transistors function based on the electric field produced by the gate voltage and charge carriers in the channel.

MOSFET transistors are great for high-frequency applications due to their high input impedance. This means they don’t drain much current from the input signal, which reduces the impact on the signal source. Additionally, they have a low output impedance, which lowers power dissipation and enables them to efficiently drive high loads.

MOSFET transistors are great for quick switching between on and off states, making them a top choice for applications that require rapid switchings like motor control circuits, power supplies, and audio amplifiers. They’re also perfect for integrated circuits due to their small size and compatibility with CMOS technology, hence they’re widely used.

To summarize, MOSFET transistors are commonly used components in electronic circuits due to their versatility. Their properties include high input impedance, fast switching speeds, and low output impedance. Moreover, MOSFET transistors work by utilizing the electric field generated by the gate voltage and charge carriers in the channel. They are used in motor control circuits, power supplies, audio amplifiers, and integrated circuits.

Маркировка

Префикс IRF напоминает о происхождение рассматриваемого экземляра на заводах известной американского компании International Rectifier (IR). В 2007 году IR продала технологию производства МОП-транзисторов компании Vishay Intertechnology, а уже в 2015 году другая компания (Infineon Technologies) поглотила IR. В настоящее время многие независимые производители продолжают выпускать свою продукцию с префиксом IRF, поэтому на рынке современных радиокомпонентов можно встретить и других производителей, выпускающих продукцию с такими же символами в обозначении. Например Vishay, которая больше не выпускает транзисторы irfz44n, однако у нее есть другие похожие устройства, например: IRFZ44, IRFZ44R, IRFZ44S, IRFZ44SL.

В даташит оригинального устройства указывается наличие фирменной HEXFET-технологии изготовления от International Rectifier Corporation, которая позволяет значительно снизить сопротивление электронных компонентов и соответственно уменьшить нагрев во время их работы. Так же отпадает необходимость применения охлаждающего радиатора. Технология стала популярной в 1978 году, но её до сих пор применяют при изгодовлении силовых MOSFET-транзисторов. Упрощенно HEXFET-структура International Rectifier, представлена на рисунке.

IRFZ44N фирмы IR изготовленный с  HEXFET-структурой, имеет самое низкое сопротивление между стоком и истоком 17.5 миллиом. Обозначение “Power MOSFET” в техописании указывает на принадлежность устройства к мощным полупроводниковым приборам.

Основные характеристики

Весь перечень параметров MOSFET-транзисторов не указывается даже в даташит, так как он может понадобится только профессиональным разработчикам. Но даже опытным разработчикам обычно достаточно знать некоторые основные величины, чтобы начать использовать устройство в своих электронных схемах. IRFZ44N характеризуется следующими основными параметрами (при темперном режиме до +25 градусов):

• Максимальное напряжение стока-истока (V _DSS) — 55 В;
• Максимальный ток стока (I _D) — 49 A;
• Сопротивление проводящего канала сток-исток (R _DSon) — 5 мОм;
• Рассеиваемая мощность (P _D) — 94 Вт

Максимальные значения

Обычно, предельные допустимые значения, указываются в самом начале даташит. В них производитель пишет информацию о предельных значениях эксплуатации радиокомпонентов, при которых возможна их работа. Испытания прибора проводятся при окружающей температуре до 25 градусов, если изготовитель не указал иного. Изучив только эти параметры, уже можно принимать решение об использовании в своих схемах. Например, о возможности применении в различных температурных режимах. Так, у рассматриваемого MOSFET при увеличении температуры окружающей среды ток до 100 °C может падать с 49 А до 35 А.

Тепловые параметры

Не является тайной то, что параметры работа силового МОП-транзистора сильно зависят от того, насколько качественно отводится от него тепло. Чтобы упростить расчеты связанные с отводом тепла, вводятся параметры теплового сопротивления. Их значения показывают возможности радиокомпонентов ограничивать распространения тепла. Чем больше тепловое сопротивление, тем быстрее увеличится температура полупроводникового прибора. Таким образом, чем больше разность между предельно допустимой температурой кристалла и внешней средой, тем дольше время его нагрева, при этом пропускаемый ток выше. У рассматриваемого экземпляра следующие тепловые сопротивления.

Электрические параметры

Понятно что, питание и пропускаемые токи между контактами не должны превышать максимальных значений, заявленных изготовителем. Вместе с этим существуют и другие факторы, которые могут вызвать резкое повышение температуры, способствующие разрушению полупроводника. Поэтому, производители советуют выбирать устройства с запасом 20-30% по возможным уровням подаваемого напряжения, а в даташит приводят  номинальные электрические характеристики. У  IRFZ44N электрические характеристики, при T_j= 25°C (если не указано иное) представлены ниже.

ИРФЗ44Н

Ну, IRFZ44N — это полевой МОП-транзистор. как я уже прокомментировал. Он имеет упаковку типа ТО-220-3, хотя может быть представлен и в других форматах, и с довольно простой распиновкой с тремя типичными контактами для двери, слива, истока (в таком порядке слева направо, если посмотреть на это с обратной стороны), то есть там, где есть надписи). Его могут производить самые разные производители, поэтому вы можете проконсультироваться с конкретный лист данных.

Этот MOSFET имеет Канал типа N, Как видно из названия. В дополнение к этому, у него есть другие технические детали, такие как:

• Напряжение разделения сток-исток: 60v
• Интенсивность непрерывного слива: 50A
• выстр: 22 МОм
• Напряжение затвор-исток: 20v
• Диапазон рабочих температур: От -55 до 175 ° C
• Рассеяние мощности: 131w
• Время падения: 13 нс
• Время основания: 55 нс
• Задержка выключения: 37 нс
• Типичная задержка подключения: 12ns
• Стоимость: несколько центов. Вы можете купить Пакет из 10 IRFZ44N на Amazon менее чем за 3 евро.

Варианты применения

Полевой транзистор irfz44n очень популярен у радиолюбителей в различенных электронных схемах усиления на одном транзисторе, сенсорных переключателях, контроллеров скорости вращения двигателей, проектах с ардуино и др. Его часто можно увидеть в высокочастотных импульсных блоках питания, генераторах, стабилизаторах, инверторах и схемах подключения мощной нагрузки. Предлагаем Вам посмотреть видео на тему создания интересных идей на основе этого замечательного полупроводникового прибора.

Производители

В интернете встречается полный перевод DataSheet irfz44n на русском языке, но лучше использовать описание на английском от производителя.  Ниже представлено тех описание следующих производителей радиоэлектронных компонентов:

Схема подключения

В кремниевой структуре транзистора есть 2 p-n перехода. Если отпирающее напряжение не подается, нет проходящего тока, транзистор закрыт. При подаче положительного отпирающего напряжения: на затвор «+»и исток «—», электрическое поле приводит к возникновению n-проводимого канала.

Если подать питание на нагрузку, в индуцированном канале начнется движение стокового тока ID.

От уровня напряжения, подаваемого на затвор, зависит число электронов, притягивающихся в область стока-истока, которая расширяется для движения тока. Это может происходить до того, как график линейной и отсечки переключатся между областями. Далее, в области насыщения увеличение показателя тока прекращается.

Рабочий режим (область насыщения) используется для схем усиления. В irfz44n datasheet процедура перехода в данный режим для различных значений V GS может быть показана с помощью графиков стандартных выходных параметров. Увидеть границы области насыщения для mosfet можно на почти горизонтально расположенной к оси напряжения стока-истока линии.

Топ-3 лучших аналогов транзистора IRFZ44N: обзор, преимущества и недостатки

1. Транзистор IRF3205

   IRF3205 представляет собой мощный n-канальный MOSFET с хорошими токовыми характеристиками. Он имеет низкое сопротивление открытого состояния (RDS(on)), что позволяет использовать его в высокотоковых схемах. Преимущества этого транзистора включают высокие токовые параметры, надежность и доступность на рынке.

   Однако, у IRF3205 есть несколько недостатков. Во-первых, он имеет более высокую ёмкость входной обратной связи (Ciss) по сравнению с IRFZ44N, что может повлиять на работу схемы. Кроме того, он также имеет более высокую емкость выходной обратной связи (Crss).

2. Транзистор IRLB8743

   IRLB8743 — это еще один хороший аналог IRFZ44N. Он также является n-канальным MOSFET-транзистором с низким сопротивлением открытого состояния и высокими токовыми характеристиками. IRLB8743 отличается очень низким RDS(on) и способен работать на высоких частотах с широким диапазоном напряжений.

   Основным преимуществом IRLB8743 является его низкое сопротивление и надежность, а также хорошая работа на высоких частотах. К недостаткам можно отнести более высокую емкость входной и выходной обратной связи по сравнению с IRFZ44N.

3. Транзистор IRLZ44N

   IRLZ44N — это прямой аналог IRFZ44N от того же производителя (Infineon Technologies). Они имеют сходные токовые и напряженные характеристики, а также низкое сопротивление открытого состояния. IRLZ44N также отличается более низкой емкостью входной и выходной обратной связи по сравнению с IRFZ44N.

   Основное преимущество IRLZ44N заключается в его совместимости и сходстве с IRFZ44N. Он может быть заменен без особых изменений в схеме. Однако, следует учитывать, что он может иметь несколько высокое сопротивление при высоких токах.

Выбор аналога транзистора IRFZ44N зависит от требуемых характеристик и условий применения. Приведенные топ-3 аналога являются самыми популярными и широко используемыми заменами и получили хорошие отзывы от разработчиков и электронщиков.

Как проверить полевой транзистор мультиметром ?

Для простой проверки полевого транзистора необходимо производить действия согласно схеме .

Проверяемый полевик — IRFZ44N .

1. Черный щуп (-) подключаем на сток ( D ), а красный подключаем на исток ( S ) – на экране будет значение перехода встроенного встречного диода . Это значение необходимо запомнить .
2. Убираем красный щуп от истока и касаемся им затвора ( G ) – так мы частично открываем полевик .
3. Возвращаем красный щуп обратно на исток ( S ). Видим , что значение перехода поменялось , стало немного меньше — это полевой транзистор частично открылся
4. Переносим черный щуп со стока ( D ) на затвор ( G ) — закрываем полевой транзистор .
5. Возвращаем черный щуп обратно и наблюдаем , что показания перехода возвратилось к исходному — полевик полностью закрылся .

Затвор рабочего полевика должен иметь сопротивление равное бесконечности .

Готово , полевик исправен .

Описанная схема предназначена для n — канального полевика , p — канальный проверяется аналогично , только необходимо изменить полярность щупов .

Для проверки полевого транзистора , также можно использовать небольшие схемы , к которым подключается полевик . Такой метод даст быструю и точную диагностику . Но если нет необходимости в частых проверках полевика или лень возиться со схемой , то описанная методика проверки полевого транзистора мультиметром будет отличным решением поставленной задачи .

Транзистор IRFZ44N: мощность и напряжение

IRFZ44N обладает номинальным напряжением питания до 55 Вольт, что позволяет ему управлять высокими электрическими нагрузками. Этот транзистор также имеет максимальный силовой ток в 50 Ампер, что позволяет использовать его в схемах, где требуется высокая мощность.

Благодаря своим характеристикам, транзистор IRFZ44N широко используется в схемах управления нагрузками, такими как моторы постоянного тока, светодиодные ленты, электронные реле и высокоточные источники питания. Его высокая мощность и номинальное напряжение делают его незаменимым компонентом для электронных систем, требующих управления сильными нагрузками.

How to use an IRFZ44N MOSFET?

Although these devices act like conventional transistors, they are specific to voltage control. To begin, you only need to apply the correct gate threshold voltage, VGth, to turn the MOSFET off or on.

The source and drain terminals are open without gate threshold voltage by default. However, applying a voltage to the gate closes the source and drain. 

In most cases, you need an Arduino to trigger the MOSFET N-channel gate. Other times, you may need a MOSFET  N-channel driver circuit in conjunction if you are working on circuits that require high power switching and amplification.

Other IRF-Z44N real-life applications include connecting/disconnecting a power source to a building. Usually, the go-to solution is to use a relay or classic switch. 

However, a significant advantage of this IRFZ44N N-channel power MOSFET is the switching process’s automation. Using electrical signals, you possess variable control of the load.

(The IRFZ44N Mosfet is integral in voltage control)

Транзисторы с аналогичными характеристиками

Если вам нужно заменить транзистор IRFZ44N на другую модель, с аналогичными характеристиками, можете обратить внимание на следующие варианты:

1. IRFB4110

Этот транзистор имеет высокое напряжение затвор-исток (Vgs) до 100В, большой ток стока (Id) до 180A и малое сопротивление затвор-исток (Rds(on)) до 33мОм. Он также обладает защитой от электростатического разряда (ESD).

2. IRFB4115

Данный транзистор имеет аналогичные характеристики, как и IRFB4110, но его максимальное значение тока стока (Id) составляет до 150A.

3. IRFB4227

Этот транзистор также обладает высоким напряжением затвор-исток (Vgs) до 100В, большим током стока (Id) до 190A и малым сопротивлением затвор-исток (Rds(on)) до 30мОм.

4. IRFB4229

IRFB4229 имеет схожие характеристики с IRFB4227, но его максимальное значение тока стока (Id) составляет до 230A.

5. IRFB4610

Этот транзистор также обладает высоким напряжением затвор-исток (Vgs) до 100В, большим током стока (Id) до 200A и малым сопротивлением затвор-исток (Rds(on)) до 18мОм.

Обратите внимание, что эти транзисторы имеют схожие характеристики с IRFZ44N и могут быть подходящей заменой в вашем проекте. Однако перед заменой рекомендуется убедиться в их полной совместимости с вашей схемой и требованиями проекта

IRFZ44S Datasheet (PDF)

0.1. irfz44s.pdf Size:325K _international_rectifier

PD — 9.893AIRFZ44S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Surface Mount (IRFZ44S) Low-profile through-hole (IRFZ44L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.028 Fast SwitchingGID = 50A SDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon

0.2. irfz44s irfz44l sihfz44s sihfz44l.pdf Size:790K _vishay

IRFZ44S, IRFZ44L, SiHFZ44S, SiHFZ44LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 60 Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = 10 V 0.028 Surface Mount (IRFZ44S, SiHFZ44S)Qg (Max.) (nC) 67 Low-Profile Through-Hole (IRFZ44L, SiHFZ44L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 18 Fast S

 0.3. irfz44l irfz44s irfz44spbf sihfz44l sihfz44s.pdf Size:815K _vishay

IRFZ44S, IRFZ44L, SiHFZ44S, SiHFZ44LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 60 Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = 10 V 0.028 Surface Mount (IRFZ44S, SiHFZ44S)Qg (Max.) (nC) 67 Low-Profile Through-Hole (IRFZ44L, SiHFZ44L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 18 Fast S

Пайка транзистора на печатную плату: шаги и рекомендации

1. Подготовьте рабочее место:

— Убедитесь, что рабочий стол или плата, на которую будет выполняться пайка, чисты и свободны от пыли и посторонних предметов.

— Убедитесь, что паяльная станция или паяльник нагреты до необходимой температуры (обычно порядка 350 градусов Цельсия).

2. Подготовьте транзистор и печатную плату:

— Отсоедините транзистор от разъемов или проводов, если они были подключены.

— Проверьте контакты транзистора на наличие посторонних материалов или окислов, и при необходимости, очистите их при помощи спирта или специальных средств для очистки контактов.

— Установите транзистор на печатную плату, выравнивая его контакты с соответствующими отверстиями на плате.

3. Проведите пайку:

— Приложите паяльник к контакту транзистора и месту на печатной плате, где будет выполняться пайка, чтобы прогреть их.

— Нанесите на контакты транзистора и печатной платы небольшое количество припоя.

— Плавящимся припоем паяльником сделайте быстрое движение по контактам, чтобы припой хорошо пропитал контакты и создал надежное соединение.

— Повторите эту процедуру для всех контактов транзистора.

4. Проверьте и исправьте:

— Внимательно осмотри пайку на наличие недопайки, пайки на смежные контакты или остатки припоя.

— В случае обнаружения недостатков, осуществите дополнительные пайки или очистку мест, где припой прилип к лишним контактам.

5. Дайте пайке остыть:

— Дайте припою и пайке остыть перед продолжением работы с устройством или его тестированием.

После завершения этих шагов, пайка транзистора IRFZ44N на печатную плату должна быть завершена. Убедитесь, что пайка выполнена качественно и соответствует требованиям схемы, чтобы обеспечить надежность и стабильность работы устройства.

Как подключить?

Для подключения транзистора IRFZ44N необходимо правильно расположить и подключить его выводы.

IRFZ44N имеет три основных вывода:

1. Вывод «Source» (S) — соединяется с отрицательной стороной источника питания (например, землей).

2. Вывод «Gate» (G) — соединяется с управляющим сигналом (например, микроконтроллером или другим источником сигнала).

3. Вывод «Drain» (D) — соединяется с нагрузкой (например, LED, мотором или другим устройством, которое нужно управлять).

При подключении транзистора, необходимо обратить внимание на полярность каждого вывода, чтобы избежать ошибок

Важно помнить о необходимости подключить резистор между выводом Gate (G) и источником сигнала. Это сделает подключение более стабильным и предотвратит повреждение транзистора

Это сделает подключение более стабильным и предотвратит повреждение транзистора

Важно помнить о необходимости подключить резистор между выводом Gate (G) и источником сигнала. Это сделает подключение более стабильным и предотвратит повреждение транзистора

Схема включения

Теперь поговорим о схеме включения Irfz44N, как писалось выше он является полевым транзистором-МОП с затвором отделенным от полупроводника тончайшим слоем SiO₂. Внутри кремниевой структуры присутствуют два перехода p–n. При отсутствии отпирающего напряжения проводящий ток отсутствует и транзистор находится в закрытом состоянии. Если подать на устройство положительное отпирающее V_GS, т.е. на затвор плюс, а на исток минус, то под влиянием электрического поля появится индуцированный канал n-проводимости. При подаче питания на нагрузку, по индуцированному каналу потечёт стоковый ток I_D.

Чем выше напряжение подается на затвор, тем больше электронов притягивается в область сток-исток и тем шире она становится для протекания тока. Однако, этот процесс может длится до переключения между областями графика линейной и отсечки. Затем, в области насыщения стоковый ток перестает расти. Область насыщения (рабочий режим) применяется в схемах усиления, а отсечки в ключевых. В даташит процесс перехода а рабочий режим, для разных значений V_GS, отображают на графиках типовых выходных характеристик (Typical оutput сharacteristics). Для mosfet области насыщения можно определить по линии проходящих почти горизонтально относительно оси напряжения стока-истока.

Немного о конструкции

Полевой транзистор состоит из следующих элементов:

1. n-канала, который имеет кремниевую подложку с p-проводимостью;
2. n-области, которые получают путем добавления в подложку примесей;
3. изолирующего затвор от канала диэлектрика.

К n-областям подсоединяются выводы. Ток протекает из истока в сток по транзистору благодаря источнику питания. Величина тока контролируется изолированным затвором транзистора.

При работе с транзисторным компонентом необходимо учитывать его чувствительность к воздействию электрического поля. Хранить такие элементы следует с выводами, закороченными фольгой, а перед пайкой понадобится закорочение проволокой. Пайка транзисторных элементов осуществляется при помощи паяльной станции, обеспечивающей защиту от статического электричества.

Схема включения

Теперь поговорим о схеме включения Irfz44N, как писалось выше он является полевым транзистором-МОП с затвором отделенным от полупроводника тончайшим слоем SiO₂. Внутри кремниевой структуры присутствуют два перехода p–n. При отсутствии отпирающего напряжения проводящий ток отсутствует и транзистор находится в закрытом состоянии. Если подать на устройство положительное отпирающее V_GS, т.е. на затвор плюс, а на исток минус, то под влиянием электрического поля появится индуцированный канал n-проводимости. При подаче питания на нагрузку, по индуцированному каналу потечёт стоковый ток I_D.

Чем выше напряжение подается на затвор, тем больше электронов притягивается в область сток-исток и тем шире она становится для протекания тока. Однако, этот процесс может длится до переключения между областями графика линейной и отсечки. Затем, в области насыщения стоковый ток перестает расти. Область насыщения (рабочий режим) применяется в схемах усиления, а отсечки в ключевых. В даташит процесс перехода а рабочий режим, для разных значений V_GS, отображают на графиках типовых выходных характеристик (Typical оutput сharacteristics). Для mosfet области насыщения можно определить по линии проходящих почти горизонтально относительно оси напряжения стока-истока.

Сферы применения

Транзистор IRFZ44N находит широкое применение в различных электронных устройствах и схемах благодаря своим характеристикам и возможностям. Он используется в следующих сферах:

— Силовая электроника: транзистор IRFZ44N способен выдерживать большие токи и напряжение, что делает его незаменимым компонентом в схемах силовых блоков, источников питания, преобразователей постоянного тока. Он может использоваться для управления мощными нагрузками, например, электродвигателями.

— Источники света: транзистор IRFZ44N может быть использован в схемах управления светодиодами, галогеновыми и газоразрядными лампами. Он позволяет эффективно контролировать яркость и частоту светового излучения.

— Аудиоусилители: благодаря высокой мощности насыщения тока и низкой сопротивлению включения, транзистор IRFZ44N может использоваться в схемах усилителей звука.

— Регулировка скорости двигателей: транзистор IRFZ44N может быть применен в схемах электронного регулятора скорости двигателей, таких как электроприводы и робототехника.

— Солнечные батареи и зарядные устройства: благодаря высокой эффективности и устойчивости к высоким токам и напряжению, транзистор IRFZ44N может использоваться в схемах солнечных батарей и зарядных устройств для эффективной генерации и накопления энергии.

— Индустриальная автоматизация: транзистор IRFZ44N широко применяется в схемах автоматизации и управления в промышленности, таких как пневматические и гидравлические системы, робототехника и умные домашние устройства.

Таким образом, транзистор IRFZ44N является универсальным компонентом, который нашел свое применение во многих областях электроники и электротехники.

IRFZ44N Datasheet (PDF)

1.1. irfz44n.pdf Size:100K _update

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44N FEATURES ·Drain Current – >1.2. irfz44npbf.pdf Size:226K _update

PD — 94787B IRFZ44NPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D l Dynamic dv/dt Rating VDSS = 55V l 175°C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 17.5mΩ l Fully Avalanche Rated G l Lead-Free >

 IRFZ44NSPbF l IRFZ44NLPbF l l l D DSS l l l DS(on) Ω Description G D

1.4. irfz44n 1.pdf Size:52K _philips

Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode IRFZ44N TrenchMOSTM transistor GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 V �trench� technology. The device ID Drain current (DC) 49 A features very low on-state re

1.5. irfz44ns 1.pdf Size:57K _philips

Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode IRFZ44NS TrenchMOSTM transistor GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a surface mounting VDS Drain-source voltage 55 V plastic envelope using �trench� ID Drain current (DC) 49 A technology. The device features ve

1.6. irfz44n.pdf Size:100K _international_rectifier

PD — 94053 IRFZ44N HEXFET� Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175�C Operating Temperature RDS(on) = 17.5m? G Fast Switching Fully Avalanche Rated >1.7. irfz44ns.pdf Size:151K _international_rectifier

PD — 94153 IRFZ44NS IRFZ44NL Advanced Process Technology Surface Mount (IRFZ44NS) HEXFET� Power MOSFET Low-profile through-hole (IRFZ44NL) D 175�C Operating Temperature VDSS = 55V Fast Switching Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.0175? Description G Advanced HEXFET� Power MOSFETs from International >1.8. irfz44n 1.pdf Size:52K _international_rectifier

Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode IRFZ44N TrenchMOSTM transistor GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 V �trench� technology. The device ID Drain current (DC) 49 A features very low on-state re

1.9. irfz44ns 1.pdf Size:57K _international_rectifier

Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode IRFZ44NS TrenchMOSTM transistor GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a surface mounting VDS Drain-source voltage 55 V plastic envelope using �trench� ID Drain current (DC) 49 A technology. The device features ve

1.10. irfz44n.pdf Size:145K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44N FEATURES ·Drain Current – >1.11. lirfz44n.pdf Size:252K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 55V N-Channel Mode MOSFET VDS=55V LIRFZ44N RDS(ON), Vgs@10V, >

Характеристики полевого МОП-транзистора irfz44n указанные производителем в datasheet, говорят что он является мощным устройством на кремниевой основе с индуцированным n-каналом (нормально закрытым) изолированным затвором. Характеризуется такими предельными значениями: напряжение между контактами сток-исток до 55 В, током стока до 49 А, очень маленьким проходным сопротивлением 17.5 мОм и мощностью рассеивания до 94 Вт. Рабочая температура может достигать 175 °C. Разработан специально для низковольтных, высокоскоростных коммутационных систем источников питания, преобразователей и органы управления двигателями.

Схема включения

Теперь поговорим о схеме включения Irfz44N, как писалось выше он является полевым транзистором-МОП с затвором отделенным от полупроводника тончайшим слоем SiO₂. Внутри кремниевой структуры присутствуют два перехода p–n. При отсутствии отпирающего напряжения проводящий ток отсутствует и транзистор находится в закрытом состоянии. Если подать на устройство положительное отпирающее V_GS, т.е. на затвор плюс, а на исток минус, то под влиянием электрического поля появится индуцированный канал n-проводимости. При подаче питания на нагрузку, по индуцированному каналу потечёт стоковый ток I_D.

Чем выше напряжение подается на затвор, тем больше электронов притягивается в область сток-исток и тем шире она становится для протекания тока. Однако, этот процесс может длится до переключения между областями графика линейной и отсечки. Затем, в области насыщения стоковый ток перестает расти. Область насыщения (рабочий режим) применяется в схемах усиления, а отсечки в ключевых. В даташит процесс перехода а рабочий режим, для разных значений V_GS, отображают на графиках типовых выходных характеристик (Typical оutput сharacteristics). Для mosfet области насыщения можно определить по линии проходящих почти горизонтально относительно оси напряжения стока-истока.

Pin Configuration

The IRFZ44N MOSFET is designed with three pins. They can be used to connect it to other components in an electronic circuit. These three pins are known as the output pins.

• Gate: The gate pin controls the amount of current that flows between the source and drain pins. By applying a voltage to the gate pin, the width of the channel that the current flows through can be adjusted.
• Drain: This pin is responsible for conducting current from the source pin to the load in the circuit.

This pin is connected to the ground in a circuit and it enables the current to pass through the load. 

The diagram shows the three pins of the IRFZ44N: drain, gate, and source. The voltage applied to the gate pin determines the flow between the drain and source pins. Usually, the gate pin is connected to a control signal from a device such as a microcontroller or an oscillator. In order to avoid damaging the component or circuit, it’s crucial to connect the IRFZ44N pins properly. The datasheet for the IRFZ44N provides specific details on pin layout and recommended connection procedures.