Irfz44n: все, что вам нужно знать об этом mosfet-транзисторе

IRFZ44EPBF Datasheet (PDF)

0.1. irfz44epbf.pdf Size:150K _international_rectifier

PD — 94822IRFZ44EPbFHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating DVDSS = 60V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.023 Fully Avalanche RatedG Lead-FreeID = 48ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

7.1. irfz44e.pdf Size:96K _international_rectifier

PD — 91671BIRFZ44EHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.023G Fully Avalanche RatedID = 48ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Thisbenefi

7.2. irfz44espbf.pdf Size:234K _international_rectifier

PD — 95572IRFZ44ESPbFIRFZ44ELPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRFZ44ES)DVDSS = 60Vl Low-profile through-hole (IRFZ44EL)l 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.023l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 48Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing tec

 7.3. irfz44es.pdf Size:163K _international_rectifier

PD — 9.1714IRFZ44ES/LPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Surface Mount (IRFZ44ES) Low-profile through-hole (IRFZ44EL) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.023G Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 48ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve

7.4. irfz44espbf irfz44elpbf.pdf Size:234K _infineon

PD — 95572IRFZ44ESPbFIRFZ44ELPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRFZ44ES)DVDSS = 60Vl Low-profile through-hole (IRFZ44EL)l 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.023l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 48Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing tec

 7.5. irfz44e.pdf Size:246K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44E IIRFZ44EFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 23mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM R

7.6. irfz44es.pdf Size:205K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44ESFEATURESWith TO-263(D2PAK) packagingUninterruptible power supplyHigh speed switchingHard switched and high frequency circuits100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

Схема включения

Теперь поговорим о схеме включения Irfz44N, как писалось выше он является полевым транзистором-МОП с затвором отделенным от полупроводника тончайшим слоем SiO₂. Внутри кремниевой структуры присутствуют два перехода p–n. При отсутствии отпирающего напряжения проводящий ток отсутствует и транзистор находится в закрытом состоянии. Если подать на устройство положительное отпирающее V_GS, т.е. на затвор плюс, а на исток минус, то под влиянием электрического поля появится индуцированный канал n-проводимости. При подаче питания на нагрузку, по индуцированному каналу потечёт стоковый ток I_D.

Чем выше напряжение подается на затвор, тем больше электронов притягивается в область сток-исток и тем шире она становится для протекания тока. Однако, этот процесс может длится до переключения между областями графика линейной и отсечки. Затем, в области насыщения стоковый ток перестает расти. Область насыщения (рабочий режим) применяется в схемах усиления, а отсечки в ключевых. В даташит процесс перехода а рабочий режим, для разных значений V_GS, отображают на графиках типовых выходных характеристик (Typical оutput сharacteristics). Для mosfet области насыщения можно определить по линии проходящих почти горизонтально относительно оси напряжения стока-истока.

Как правильно выбрать замену для транзистора IRFZ44N: рекомендации экспертов

Выбор замены для транзистора IRFZ44N может быть сложной задачей, особенно для непрофессиональных пользователей. Однако, с соблюдением нескольких рекомендаций от экспертов, можно правильно подобрать аналог, который будет отлично работать в предложенной схеме.

1. Сверьте параметры транзистора: перед выбором аналога, убедитесь, что его параметры соответствуют параметрам IRFZ44N

Основные характеристики, на которые необходимо обратить внимание, включают номинальное напряжение, максимальный ток и сопротивление включения/выключения

2. Проконсультируйтесь с производителем: если у вас есть возможность, обратитесь к производителю и уточните, какой аналог транзистора они рекомендуют для замены IRFZ44N. Производитель может дать наиболее точные рекомендации, учитывая применение и требования вашей схемы.

3. Исследуйте базу данных аналогов: множество онлайн баз данных предлагают широкий выбор аналогов для различных электронных компонентов, включая транзисторы. Вы можете воспользоваться этими базами данных, чтобы найти альтернативные варианты для IRFZ44N. Однако, убедитесь, что выбранный вариант имеет подходящие параметры и рейтинговые отзывы.

4

Обратите внимание на совместимость с окружающими элементами: при выборе аналога, обратите внимание на его совместимость с другими элементами в схеме. Убедитесь, что замена не приведет к неправильной работе или поломке других компонентов

5. Проведите дополнительные тесты и эксперименты: когда вы выбрали аналог, проведите тесты, чтобы убедиться, что он работает стабильно и безотказно в вашей схеме. Измерьте основные параметры, такие как входное и выходное напряжение, максимальный ток и температурный режим работы.

В конечном итоге, правильный выбор замены для транзистора IRFZ44N включает не только сравнение параметров, но и учет контекста применения и совместимости с окружающими элементами. Если вы не уверены в своих навыках, лучше проконсультироваться с опытными специалистами или обратиться к производителю для получения наиболее точной рекомендации.

Аналоги транзистора IRFZ44N: сравнение характеристик и ценовой диапазон

В таблице ниже приведены основные характеристики и цены на некоторые аналоги транзистора IRFZ44N:

• Транзистор 1:
  • Максимальное напряжение стока-истока: 55 В
  • Максимальный ток стока-истока: 49 А
  • Сопротивление открытого состояния: 17 мОм
  • Цена: 10 рублей
• Транзистор 2:
  • Максимальное напряжение стока-истока: 60 В
  • Максимальный ток стока-истока: 40 А
  • Сопротивление открытого состояния: 20 мОм
  • Цена: 12 рублей
• Транзистор 3:
  • Максимальное напряжение стока-истока: 50 В
  • Максимальный ток стока-истока: 45 А
  • Сопротивление открытого состояния: 15 мОм
  • Цена: 8 рублей

Из представленных характеристик видно, что все аналоги транзистора IRFZ44N имеют схожие параметры, но могут отличаться по напряжению, току и цене. При выборе аналога необходимо учитывать требования конкретной схемы, например, необходимость работы при высоких напряжениях или больших токах

Также стоит обратить внимание на цену, так как различные аналоги могут иметь разные стоимости

Итак, при замене транзистора IRFZ44N необходимо выбирать аналог с аналогичными характеристиками, учитывая требования конкретной схемы и стоимость компонента.

Модификации транзистора

Тип	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Tj	Cd	Id	Qg	Rds	Корпус
IRFZ44N	83 W	55 V	10 V	4 V	175 °C		41 A	62 nC	0.024 Ohm	TO-220AB
AUIRFZ44N	94 W	55 V	20 V	4 V	175 °C		49 A	63 nC	0.0175 Ohm	TO-220AB
AUIRFZ44NL	94 W	55 V	20 V				49 A	63 nC	0.0175 Ohm	TO-262
AUIRFZ44NS	94 W	55 V	20 V	4 V	175 °C		49 A	63 nC	0.0175 Ohm	D2PAK
IRFZ44NL	110 W	55 V	10 V	4 V	150 °C		49 A	42 nC	0.022 Ohm	TO-262
IRFZ44NLPBF	94 W	55 V	20 V	4 V	175 °C	360 pf	49 A	63 nC	0.0175 Ohm	TO-262
IRFZ44NPBF	94 W	55 V	20 V	4 V	175 °C	360 pf	49 A	63 nC	0.0175 Ohm	TO-220AB
IRFZ44NS	110 W	55 V	10 V	4 V	150 °C		49 A	42 nC	0.022 Ohm	D2PAK
IRFZ44NSPBF	94 W	55 V	20 V	4 V	175 °C	360 pf	49 A	63 nC	0.0175 Ohm	TO-263
LIRFZ44N	94 W	55 V	20 V		175 °C	360 pf	49 A		0.0175 Ohm	TO-220

Примечания:

• Pd  — Максимальная рассеиваемая мощность.
• Uds  — Предельно допустимое напряжение сток-исток.
• Ugs — Предельно допустимое напряжение затвор-исток.
• Ugs(th) — Пороговое напряжение включения.
• Tj  — Максимальная температура канала.
• Cd — Выходная емкость.
• Id — Максимально допустимый постоянный ток стока.
• Qg — Общий заряд затвора.
• Rds — Сопротивление сток-исток открытого транзистора.

Applications of IRFZ44N

The MOSFET transistor known as IRFZ44N is widely used in electronic circuits because it has the capability to switch high currents and voltages. It is commonly utilized for various applications.

• Power Supplies: The IRFZ44N is a component commonly used in power supply circuits to efficiently switch high levels of voltage and current. It can handle up to 49 amps of current and 55 volts.
• Motor Control: The IRFZ44N is a popular choice for circuits that control motors because it can switch high currents required for controlling the speed and direction of the motor. This makes it a suitable option for such applications.
• Audio Amplifiers: The IRFZ44N is used in audio amplifier circuits to efficiently switch high currents. This component is critical to driving the output stage of the amplifier and is particularly well-suited for high-powered audio systems.
• Lighting Control: The IRFZ44N is a component utilized in lighting control circuits. In order to regulate the brightness and color of lighting systems by switching high currents. It is ideal for LED lighting systems and high-power lighting applications, owing to its capability of handling high currents.
• Switching Power Supplies: The IRFZ44N is a component utilized to switch high currents at high frequencies in switching power supply circuits, which are common in electronic devices like computers, televisions, and mobile phones. Therefore, its low on-state resistance and fast switching speed make it a suitable choice for such circuit applications.

The IRFZ44N is a frequently used part in electronics where there’s a need for high current and voltage switching. Such as motor control circuits, power supplies, and lighting control.  Therefore, its high current and voltage ratings, low on-state resistance, and fast switching speed make it a preferred choice.

Пример применения с Arduino

Положим пример применения для IRFZ44N с Arduino и его выводами ШИМ. И дело в том, что когда вам нужно управлять нагрузками по-разному, чтобы регулировать скорость двигателей, интенсивность освещения и т. Д., Вы можете использовать эти выводы ШИМ и транзисторы, подобные тому, который мы должны проанализировать сегодня.

Прежде всего, когда вы хотите подключить или отключить корпус от источника питания, это обычно использовать классический переключатель или реле. Но это позволяет только включаться и выключаться, как в одном случае, так и в другом.

С помощью транзистора им можно управлять с помощью электрического сигнала, как с реле, для автоматизации управления, и у вас также будет ряд такие преимущества, как переменное управление нагрузки, чтобы можно было делать это с помощью ШИМ. Вместо этого это также связано с некоторыми сложностями, такими как расчет коммутируемых токов, рабочих напряжений и т. Д.

По примерПредставьте, что вам нужно запустить электродвигатель 12 В на половину его номинальной скорости. Вы уже знаете, что на практике было бы нецелесообразно снижать мощность до 6 В без дополнительных усилий … наиболее вероятно, что они останутся неподвижными, увеличивая свою температуру и с риском повреждения элемента.

Вместо этого, что делается с ШИМ заключается в применении нескольких импульсов к номинальному напряжению за период времени, включающего и отключающего (импульсы), чтобы двигатель работал так, как вы хотите, как мы видели в статье о ШИМ, и моделировали рабочую скорость двигателя, не влияя на крутящий момент или крутящий момент двигателя.

Пока все правильно, но … что будет в приложение для освещения? Что ж, в отличие от двигателя, у которого есть инерция, в освещении, если оно включается, как с ШИМ на низкой частоте, возникают раздражающие мерцания, которые мы вряд ли оценили бы в двигателе. Однако даже в случае с двигателем из-за рывка могут возникнуть некоторые долгосрочные механические проблемы.

И какое отношение все это имеет к IRFZ55N? Что ж, если вам нужна бесперебойная работа с ШИМ, это устройство может решить все эти проблемы. Кроме того, он может управлять токами до 50 А, что обеспечивает исключительную мощность для некоторых более мощных двигателей. Помните, что, как я сказал ранее, проблема с выводами ШИМ Arduino заключается в том, что их напряжения недостаточно для управления определенными элементами, такими как двигатель 12 В, 24 В и т. Д., Поэтому транзистор и внешний источник могут вам помочь.

С помощью Arduino и двигателя, с помощью этой простой схемы подключения, которую вы видите, вы можете получить практический пример того, что я прокомментировал. Так что вы можете управление двигателем 12v с МОП-транзистором IRFZ44N простым способом.

Чтобы вы могли лучше понять работу транзистора IRFZ44N для этого типа приложений, будет использоваться последовательный монитор, откуда вы сможете ввести понятные значения. Между 0 и 255 чтобы иметь возможность управлять двигателем и наблюдать за результатами.

Относительно код эскиза для Arduino IDE, это также было бы просто

int PWM_PIN = 6;
int pwmval = 0;

void setup() {
  Serial.begin(9600);
  pinMode(PWM_PIN,OUTPUT);
  Serial.println("Introduce un valor entre 0 y 255:");
}

void loop() {
  if (Serial.available() > 1) {
      pwmval =  Serial.parseInt();
      Serial.print("Envío de velocidad a: ");
      Serial.println(pwmval);
      analogWrite(PWM_PIN, pwmval);
      Serial.println("¡Hecho!");
  }

Помните, что для Дополнительную информацию о программировании Arduino, вы можете скачать наш бесплатный курс в формате PDF.

Варианты применения

Полевой транзистор irfz44n очень популярен у радиолюбителей в различенных электронных схемах усиления на одном транзисторе, сенсорных переключателях, контроллеров скорости вращения двигателей, проектах с ардуино и др. Его часто можно увидеть в высокочастотных импульсных блоках питания, генераторах, стабилизаторах, инверторах и схемах подключения мощной нагрузки. Предлагаем Вам посмотреть видео на тему создания интересных идей на основе этого замечательного полупроводникового прибора.

Производители

В интернете встречается полный перевод DataSheet irfz44n на русском языке, но лучше использовать описание на английском от производителя.  Ниже представлено тех описание следующих производителей радиоэлектронных компонентов:

• Infineon Technologies (брэнд International Rectifier);
• Philips Semiconductors;
• INCHANGE Semiconductor;
• Leshan Radio Company.

Характеристики Irfz44v

Вот некоторые из основных характеристик Irfz44v:

— Тип корпуса: TO-220AB

— Напряжение сток-исток (Vds): 55 В

— Ток стока (Id): 49 А

— Сопротивление открытого стока-истока (Rds(on)): 17 мОм

— Максимальная мощность (Pd): 140 Вт

— Напряжение затвор-исток (Vgs): ±20 В

— Температурный диапазон (Tj): от -55°C до +175°C

Эти характеристики делают Irfz44v идеальным выбором для устройств, требующих больших токов и высокого напряжения. Благодаря низкому сопротивлению и эффективной работе, он способен справиться с большой нагрузкой и выдержать высокие температуры.

Важно отметить, что использование Irfz44v требует соответствующих предосторожностей и правильного подключения, чтобы избежать повреждений транзистора и других компонентов. Рекомендуется обращаться к даташиту и схемам подключения для получения более подробных инструкций

В целом, Irfz44v — это надежный и высококачественный MOSFET-транзистор, который отлично подходит для широкого спектра электронных устройств, требующих высокой мощности и эффективности.

Безопасность при эксплуатации полевых транзисторов

Все варианты полевиков, не важно, имеют они p-n переходы, или это МОП-варианты, сильно подвержены влиянию перегрузок электричеством на затворах. Прежде всего, это относится к электростатике, которая накапливается в организме людей и устройствах для измерения разных величин

В ряде экземпляров полевиков есть встроенные для защиты частицы. Они называются стабилитронами. Их встраивают между затвором и истоком. Они должны защищать от электростатического заряда, но она не дает гарантии на 100%, и перестраховка необходима.

Желательно провести заземление измерительной и паяльной аппаратуры. Сегодня это происходит в автоматическом режиме с помощью розеток европейского типа, так как они оснащены заземляющими проводниками.

Выбор аналога транзистора IRFZ44N: критерии и рекомендации

Выбор аналога для замены транзистора IRFZ44N может быть важным шагом при проектировании электронной схемы или ремонте устройства. Правильный выбор аналога позволит обеспечить надежную работу схемы и предотвратить повреждение других компонентов.

Основные критерии для выбора аналога транзистора IRFZ44N включают:

1. Тип корпуса: Заменяемый транзистор должен иметь аналогичный тип корпуса, чтобы его можно было установить на ту же плату или в тот же радиатор.

2

Напряжение сток-исток (Vds): Важно выбрать аналог, который может выдерживать или превышать напряжение сток-исток, необходимое для вашей схемы

3. Ток стока (Id): Убедитесь, что выбранный аналог может передавать достаточный ток стока, чтобы обеспечить нормальную работу схемы.

4. Сопротивление открытого канала (Rds(on)): Меньшее сопротивление открытого канала позволяет транзистору работать эффективнее, поэтому рекомендуется выбирать аналоги с более низким значением Rds(on).

При выборе аналога транзистора IRFZ44N также стоит обратить внимание на производителя и легендарость. Популярные и надежные производители транзисторов включают Infineon, STMicroelectronics, On Semiconductor и другие

Помимо этих критериев, также важно обратить внимание на электрические параметры, поддерживаемые функции и температурные характеристики при выборе аналога транзистора IRFZ44N. Тщательное изучение даташита аналога поможет сделать правильный выбор

Оригинальный транзистор IRFZ44N обладает высоким качеством и хорошей производительностью, однако на практике могут возникнуть ситуации, когда он недоступен или его цена слишком высока. В таких случаях выбор аналога упрощает процесс поиска замены без ущерба для функционирования схемы или устройства.

Несмотря на то, что есть много аналогов для транзистора IRFZ44N на рынке, необходимо тщательно проверять и сравнивать их характеристики, чтобы выбрать наиболее подходящий аналог. Это поможет обеспечить надежную работу схемы и долговечность устройства.

Проверка транзистора мультиметром

Для того чтобы проверить полевой транзистор мультиметром не выпаивая, необходимо помнить, что в современных транзисторах типа мосфет имеется диод между стоком и истоком. Обычно данный элемент расположен на приборе, и его полярность зависит от вида транзистора.

Порядок действий при проверке транзисторного элемента:

• Проверить работоспособность самого прибора. Необходимо удостовериться в безошибочности работы;
• Снять статическое электричество с транзисторного элемента;
• Перевести мультиметр в режим проверки диодов;
• Черный провод подключить к минусу, а красный к плюсу;
• Красный подвести к истоку, черный к стоку устройства. При исправном элементе напряжение на переходе составит 0,5−0,7 вольт;
• При подключении красного провод к стоку, а черного к истоку мультиметр покажет единицу (если компонент исправен);
• Открытие транзисторного элемента осуществляется при подключении черного провода к истоку, а красного к затвору;
• Напряжение на исправном приборе составит от 0 до 800 милливольт;
• Смена полярности щупов не должна вести к изменениям показаний, иначе полевой элемент окажется неисправным;
• В конце подключить красный провод к истоку, черный к затвору. Произойдет закрытие транзисторного компонента;
• Транзисторный элемент указанного вида придет в исходное состояние, имея аналогичные показания как в предыдущих пунктах.

https://youtube.com/watch?v=CTrMveIYnvY

Исходя из проведенных измерений можно сделать вывод: если данное устройство открывается и закрывается с помощью постоянного напряжения, исходящего от мультиметра, то он полностью исправен и его возможная замена не потребуется.

IRFZ44N Аналоги

образ

модель

Производители

Название продукта

Тип

описание

PDF

сравнить

IRFZ46N

TO-220AB N-Channel 55V 53A 16.5mΩ

Infineon

Труба MOS

Похоже вместо

Функциональные характеристики согласованы, и некоторые из основных параметров согласованы, но электрические характеристики компонентов несколько отличаются

TO-220AB N-CH 55V 53A

IRFZ44N и IRFZ46N аналог

IRFZ44NPBF

REEL N-CH 55V 49A

Infineon

Труба MOS

Аналогичная функция

Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными

TO-220AB N-CH 55V 49A

IRFZ44N и IRFZ44NPBF аналог

IRFZ46NPBF

REEL N-CH 55V 53A

Infineon

Труба MOS

Аналогичная функция

Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными

TO-220AB N-CH 55V 53A

IRFZ44N и IRFZ46NPBF аналог

AUIRFZ44N

TO-220AB N-CH 55V 31A

Infineon

Труба MOS

Аналогичная функция

Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными

TO-220AB N-CH 55V 31A

IRFZ44N и AUIRFZ44N аналог

STP55NE06

TO-220 N-Channel 55A 19mΩ

ST Microelectronics

Труба MOS

Аналогичная функция

Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными

N-CHANNEL 60V — 0.019Ω — 55A POWER MOSFET

IRFZ44N и STP55NE06 аналог

SMP60N06-18

Vishay Siliconix

Аналогичная функция

Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

IRFZ44N и SMP60N06-18 аналог

SMP60N06-18

Temic

Аналогичная функция

Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными

N-Channel Enhancement Mode Transistor

IRFZ44N и SMP60N06-18 аналог

Напряжение полного открытия

Напряжение полного открытия (VGS(th)) является важной характеристикой транзистора IRFZ44N. Эта характеристика указывает на минимальное напряжение, необходимое для полного открытия транзистора

Для IRFZ44N напряжение полного открытия составляет примерно 2-4 вольта. Это означает, что для того чтобы транзистор начал проводить ток от истока к стоку, напряжение на его затворе должно быть не менее указанного значения.

Важно помнить, что напряжение полного открытия может немного меняться в зависимости от конкретной партии или производителя транзисторов

Поэтому важно обратить внимание на указания в документации или на корпусе самого транзистора

Рекомендуется использовать напряжение полного открытия, которое больше указанного значения, чтобы гарантировать надежное открытие транзистора и минимизировать потери мощности.

Также стоит отметить, что напряжение полного открытия не является единственной характеристикой, о которой нужно заботиться при выборе транзистора

Другие характеристики, такие как максимальный ток стока и сопротивление канала, также имеют важное значение при конструировании электрической схемы

What is IRFZ44N?

The IRFZ44N is a MOSFET power transistor made by Infineon Technologies. It’s known for its capacity to switch high voltage and current levels. MOSFET means Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, a transistor type that has low resistance to output and high resistance to input. The IRFZ44N can handle a maximum voltage of 55 volts and a maximum current of 49 amperes.

The IRFZ44N transistor is suitable for situations that demand high voltage and current switchings like power supply and motor control circuits. Due to its low on-state resistance, it can manage high currents effectively with minimal energy usage. It is widely recognized for its reliability and robustness, which makes it a popular choice in the electronics industry.

The IRFZ44N transistor is a great choice for low-power circuits that require control over large loads using a weak signal. Furthermore, it has a low gate charge, which makes it easy to manage with a weak external signal. In addition, it works well for high-frequency applications up to 1MHz and can withstand a wide temperature range (-55°C to +175°C).

The IRFZ44N is a reliable electronic component that is capable of handling high currents and voltages in circuits. It has a low output impedance, high input impedance, and low on-state resistance which makes it versatile and suitable for a variety of applications. It is commonly used in power supplies and audio amplifiers, making it an ideal choice for both professional engineers and amateurs.

Инструкция по подключению

Для правильного подключения транзистора Irfz44v следуйте инструкциям ниже:

1. Прежде всего, убедитесь, что питание выключено, чтобы избежать повреждения компонентов.
2. Соедините коллектор (C) транзистора с положительным полюсом источника питания.
3. Подсоедините эмиттер (E) транзистора к нагрузке. Не забудьте включить защитный резистор для предотвращения повреждения транзистора при больших токах.
4. Соедините базу (B) транзистора с управляющим сигналом. Поставьте предварительный резистор для защиты транзистора от повреждения.
5. Проверьте соединения на наличие обрывов или неправильных подключений.
6. После того, как все соединения выполнены правильно, вы можете включить питание и протестировать работу транзистора.

Важно помнить, что при подключении транзистора нужно следовать техническим характеристикам и рекомендациям производителя, чтобы избежать повреждения компонентов и получить максимальную производительность

Полевой транзистор с р-n-переходом

Прибор, в котором есть управляющий р-n-переход — это полевой транзистор, где пластина сделана из полупроводника одного типа и на противоположных концах имеет электроды (исток и сток). Благодаря им она включается в управляемую цепь. Та, в свою очередь, подключена к третьему электроду (который называется затвор) и образует область, в которой другой тип проводимости. Вот такие существуют схемы включения транзистора. Если пластина имеет показатель n, то будет р. Источник питания, который включен во входную цепь, реализовывает на единственном переходе обратное напряжение. Также сюда подключается и усилитель колебаний. Во время изменения входного напряжения меняется и обратное. Проводимость канала бывает n- и р-типа. В зависимости от неё может меняться полярность напряжений смещения на противоположное значение. Схемы включения транзистора очень сильно зависят от поставленной цели и его характеристик. Данный тип полевого транзистора по своему принципу функционирования аналогичен вакуумному триоду, хотя и существуют некоторые отличия. Также их важным преимуществом является то, что они обладают низким уровнем шума. Это возможно благодаря тому, что не используется инжекция неосновных носителей заряда. Также от поверхности полупроводникового кристалла отделяется канал полевого транзистора. Схемы включения транзистора на этот процесс не оказывают влияния.

Маркировка

Префикс IRF напоминает о происхождение рассматриваемого экземляра на заводах известной американского компании International Rectifier (IR). В 2007 году IR продала технологию производства МОП-транзисторов компании Vishay Intertechnology, а уже в 2015 году другая компания (Infineon Technologies) поглотила IR. В настоящее время многие независимые производители продолжают выпускать свою продукцию с префиксом IRF, поэтому на рынке современных радиокомпонентов можно встретить и других производителей, выпускающих продукцию с такими же символами в обозначении. Например Vishay, которая больше не выпускает транзисторы irfz44n, однако у нее есть другие похожие устройства, например: IRFZ44, IRFZ44R, IRFZ44S, IRFZ44SL.

В даташит оригинального устройства указывается наличие фирменной HEXFET-технологии изготовления от International Rectifier Corporation, которая позволяет значительно снизить сопротивление электронных компонентов и соответственно уменьшить нагрев во время их работы. Так же отпадает необходимость применения охлаждающего радиатора. Технология стала популярной в 1978 году, но её до сих пор применяют при изгодовлении силовых MOSFET-транзисторов. Упрощенно HEXFET-структура International Rectifier, представлена на рисунке.

IRFZ44N фирмы IR изготовленный с HEXFET-структурой, имеет самое низкое сопротивление между стоком и истоком 17.5 миллиом. Обозначение “Power MOSFET” в техописании указывает на принадлежность устройства к мощным полупроводниковым приборам.