Fmmt2222r - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

2SD667 Datasheet (PDF)

..1. 2sd667.pdf Size:160K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD667 NPN SILICON TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL DESCRIPTION The UTC 2SD667 is a NPN epitaxial silicon transistor, which can be used as a low frequency power amplifier. FEATURES * Low frequency power amplifier ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 2SD667L-x-T9N-B 2SD6

..2. 2sd667.pdf Size:32K _hitachi

2SD667, 2SD667ASilicon NPN EpitaxialApplication Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SB647/AOutlineTO-92MOD1. Emitter2. Collector3. Base3212SD667, 2SD667AAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SD667 2SD667A UnitCollector to base voltage VCBO 120 120 VCollector to emitter voltage VCEO 80 100 VEmitter to base voltage VEBO 55V

0.1. 2sd667l.pdf Size:284K _mcc

MCCTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street Chatsworth2SD667LMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Low Frequency Power Amplifier NPN Complementary Pair with 2SB647/A Plastic-Encapsulate Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating Moisture Sensitivity Level 1Transistor Lead Free Finish/Rohs Compl

0.2. 2sd667a-b-c-d 2sd667-b-c-d.pdf Size:557K _mcc

2SD667(A)-BMCCMicro Commercial ComponentsTM2SD667(A)-C20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SD667(A)-DPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingNPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 Capable of 0.9Watts of Power Dissipation. Capable of 0.9Watts of Power Dissipation.Pla

0.3. 2sd667a.pdf Size:64K _secos

2SD667A 1A , 120V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92MOD FEATURES AD Low Frequency Power Amplifier Complementary Pair with 2SB647A BKEFCLASSIFICATION OF hFE (1) CProduct-Rank 2SD667A-B 2SD667A-C 2SD667A-D Range 60~120 100~200 160~320 NG H1 Emitte

0.4. 2sd667-2sd667a to-92mod.pdf Size:257K _lge

2SD667/2SD667A TO-92MOD Transistor (NPN)TO-92MOD1. EMITTER 1 22. COLLECTOR 3 3. BASE Features Low frequency power amplifier 5.8006.200 Complementary pair with 2SB647/A 8.400MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 8.8000.9001.100Symbol Parameter Value Units 0.400VCBO Collector- Base Voltage 120 V 0.600VCEO Collector-Emitter Voltage 2SD667 8

0.5. 2sd667-2sd667a to-92l.pdf Size:215K _lge

2SD667/2SD667A TO-92L Transistor (NPN)TO-92L1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 4.7005.100 2 3 1Features7.800 Low frequency power amplifier 8.200 Complementary pair with 2SB647/A 0.6000.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.350Symbol Parameter Value Units0.55013.80014.200VCBO Collector- Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Vol

0.6. 2sd667a.pdf Size:557K _blue-rocket-elect

2SD667(A)(BR3DG667(A)L) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92LM NPN Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package. / Features 2SB647(BR3CG647L)/2SB647A(BR3CG647AL) Complementary pair with 2SB647(BR3CG647L)/2SB647A(BR3CG647AL). / Applications Low frequency power ampli

Другие транзисторы… 2SD660
, 2SD661
, 2SD662
, 2SD663
, 2SD664
, 2SD665
, 2SD666
, 2SD666A
, 2SC6090LS
, 2SD667A
, 2SD668
, 2SD668A
, 2SD668AB
, 2SD668AC
, 2SD668B
, 2SD668C
, 2SD668D
.

Маркировка SOT-23

Взгляните на таблицы, приведенные ниже. Там присутствует расшифровка кодов для нескольких корпусов.

Корпуса бывают:

sot23-3.
sot23-5.
sot23-6.

Во время ремонта электронных устройств инженерам часто бывает трудно определить вид микросхемы в каждом из корпусов. Дело в том, что на заводах из-за маленьких размеров корпусов их специально кодируют. В таблицах есть разные виды микросхем, в частности:

DC/DC.
AC/DC.
ШИМ(pwm).

Сборка транзисторов тоже отличается, а вот корпуса — похожи. Взгляните на рисунок — здесь видно, как располагаются выводы 3 видов корпусов.

Маркировочные коды ставят на корпусах. Один из элементов кода может быть отмечен знаком “.” Таким символом может быть заменено любое цифровое или буквенное обозначение. Оно может иметь отношение к номеру производственной серии, дате выпуска, так что периодически меняется.

Есть несколько аналогов, идентичных по распиновке. Они могут заменить оригинал, при этом дорабатывать схему или не нужно, или нужно по-минимуму. Однако ее сравнение с datasheet будет не лишним. Замену может осуществлять только инженер.

Историческая справка

История этого популярного полупроводникового прибора хорошо известна. Первоначально он был разработан в 60-хх компанией RCA (инженерами из группы Херба Мейзеля) и производился по меза-планарному техпроцессу. Предназначался для работы в усилителях мощности. В последующем стал применяться в стабилизаторах и регуляторах напряжения в блоках питания. С середины 70-xx, вместе с поиском более экономичного способа производства, его начали изготавливать по эпитаксиальной технологии. Неплохие усиливающие свойства, их линейность при этом, cделали устройство незаменимым спутником многих УНЧ того времени.

К сожалению RCA в 1988 г. прекратило существование. Её полупроводниковый бизнес приобрела американская Harris Corporation. Сейчас транзисторы с маркировкой 2N 3055 выпускают многие зарубежные компании, в том числе с применением экологичных без свинцовых (Pb-Free) стандартов. Считается, что более новые экземпляры (выпущенные по эпитаксиальной технологии) лучше работают в схемах усиления, но хуже защищены от высоких напряжений.

Вместе тем, в последнее время качество изготовления таких транзисторов сильно упало, особенно с появлением китайских конкурентов. Кроме того, появились случаи их подделки. Маловероятно купить оригинальный экземпляр на интернет-площадках вроде Aliexpress, Amazon, eBay, и др. Поэтому многие радиолюбители предпочитают его старые версии, выпущенные преимущественно до 2000 г.

История создания

Разработчиком 2N2222 в корпусе ТО-18 считается американская компания Motorola. Её сотрудник (Джек Хайничен) изобрёл кольцевую структуру (annular) при производстве полупроводниковых триодов, позволившую увеличить напряжение p-n-перехода до 100 В. Ряд изделий, изготовленных по новой технологии, в том числе и рассматриваемый транзистор, впервые были продемонстрированы конференции «Института инженеров радиотехники» (IRE) в марте 1962 г. в г.Нью-Йорк.

С 1965 г. его стали производить в пластиковом корпусе ТО-92. У компании Motorola он имел маркировку PN2222, а затем PN2222A. Последний завоевал большую популярность, как среди любителей электроники, так и её производителей. В те времена для зарубежной промышленности он был таким же известным, как например, в Советском союзе КТ315.

В последующем, вместе с внедрением технологий поверхностного монтажа (SMD), появились 2N2222 в корпусах SOT-23, SOT-223. К таким транзисторам можно отнести: MMBT2222(Motorola), PMBT2222(Philips), FMMT2222(Zetex) и др. Их производством в настоящее время занимаются и другие компании.

Более поздние модификации рассматриваемого транзистора имеют маркировку 2N2222ADCSM. Они производятся в герметичном керамическом корпусе LCC (для поверхностного монтажа на плату) английской компанией Semelab.

FMMT2222R Datasheet (PDF)

9.1. Size:27K diodes fmmt2484.pdf

SOT23 NPN SILICON PLANAR FMMT2484SMALL SIGNAL TRANSISTORISSUE 2 MARCH 94 T V I V EC T I D T I BSOT23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I

9.2. Size:34K diodes fmmt2369.pdf

SOT23 NPN SILICON PLANAR FMMT2369HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORSFMMT2369AISSUE 3 AUGUST 1995 I TI T i i I i i I i i Ii i EC T I D T I T B T T T SOT23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T T T

9.3. Size:40K diodes fmmt2907.pdf

SOT23 PNP SILICON PLANARFMMT2907SWITCHING TRANSISTORFMMT2907AISSUE 3 FEBRUARY 1996 . T i i I T T T T EC T T V T I D T I T B T T SOT23 T i i ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T T T IT i i II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T T T IT DITI I

Производители и DataSheet

Выпуском рассматриваемого устройства занимаются много фирм. Перечислим наиболее крупные:

Fairchild Semiconductor;
KEC(Korea Electronics);
Guangdong Kexin Industrial;
Weitron Technology;
Foshan Blue Rocket Electronics.

В отечественных магазинах можно встретить транзистор 2N7002 выпущенный многими зарубежными компаниями:

ON Semiconductor;
Diodes Incorporated;
Micro Commercial Components;
Vishay Siliconix;
NXP Semiconductors;
Yangzhou yangjie electronic;
Pan Jit International;
Comchip Technology;
Infineon Technologies;
Central Semiconductor;
GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL;
Diotech Company;
Shenzhen Luguang Electronic Technology;
Microchip Technology.

Скачать datasheet на 2N7002 от каждого производителя можно по ссылка выше.

Транзисторы Дарлингтона медленные!

Для схемы Дарлингтона характерно определенное явление, которое очень затрудняет работу на высоких частотах. Его переключение, а особенно выключение, занимает много времени (для электроники).

Давайте еще раз посмотрим на принципиальную схему. При включении питания потенциал базы T1 повышается (например, микроконтроллером), тем самым вводя в нее ток. Этот транзистор очень быстро переходит из состояния засорения в активный, в котором он усиливает этот ток и подает его на базу T2, которая также очень эффективно включается. Все происходит довольно быстро.

Предположим, что этот транзистор используется для включения мощного приемника, например двигателя, который требует его сильного насыщения.

Примерная схема подключения двух биполярных транзисторов в схему Дарлингтона

Теперь выключаем транзистор Дарлингтона. Потенциал базы T1 подтягивается резистором к земле. Носители заряда, накопившиеся в этой базе, должны оттекать от нее через этот резистор. Поскольку T1 был «по-настоящему» насыщен, таких носителей там было довольно много.

В течение этого времени, T2 все еще был проводящим, хотя он больше не должен таковым быть. Предположим, что носители вышли из базы T1, вопрос: куда должны уйти носители с базы T2? Единственный выход — это база, но к ней подключен только забитый транзистор… Нам остается только ждать, пока эти носители самопроизвольно «рассеются» и транзистор окончательно перестанет проводить.

Это явление демонстрируют следующие иллюстрации (текущие значения, конечно, не отражают реальные — они служат только для иллюстрации шкалы и самого факта прохождения тока; RL и значок двигателя символизируют какой-то элемент, который питается от транзистора, например двигатель).


Оба транзистора непроводящие	Течение тока через базу, активирует оба транзистора

В выключенном состоянии ситуация следующая:


Заряд, накопленный после отключения тока	Захваченный заряд медленно рассеивается

Таким образом, на отключение транзистора Дарлингтона влияют два события:

снятие с насыщения и засорения Т1,
ожидание, пока транзистор Т2 перестанет проводить.

Первую проблему можно как-то решить, используя, например, соответствующие схемы для ускорения переключения транзисторов. Однако с последним есть проблема, потому что по носителям должен быть обеспечен поток от базы к эмиттеру.

Электроника придумала способ частично решить эту проблему. Этот метод предполагает добавление резистора между базой и эмиттером Т2. Благодаря этому, носители заряда находят выход из базы. Одним из недостатков является снижение коэффициента усиления по току, поскольку этот резистор «крадет» ток у эмиттера T1.

Такие модифицированные транзисторы Дарлингтона коммерчески доступны как одиночные, так и в виде интегральных схем с большим количеством компонентов внутри. Хорошим примером является популярная микросхема ULN2003, в состав которой входит аж 7 таких систем.

Популярная микросхема ULN2003

В состав этой микросхемы также входят резисторы, ограничивающие базовый ток T1 (2,7 кОм) и ускоряющие выключение T1. Использование таких интегральных блоков удобно тем, что экономит место на плате, вход этой схемы подключается напрямую к выходу микроконтроллера.

Внутренняя схема ULN2003

Зарубежные и отечественные аналоги транзистора КТ3102

Наиболее часто для замены КТ3102 используют элементы, приведенные в таблице 1.

Аналог	V_CEO	I_C	P_C	h_FE	f_T
КТ3102	50	0,2	0,25	100	100
Отечественный
КТ611Б	180	0,1	3	30	60
КТ315Б	20	0,1	0,15	50	250
КТ315Г	35	0,1	0,15	50	250
КТ315Е	35	0,1	0,15	50	250
Импорт
BC174	64	0,1	0,3	125	100
2SA2785
BC546	80	0,1	0,5	110	300
BC547	50	0,1	0,5	110	300
BC548	30	0,1	0,5	110	300
BC549	30	0,1	0,5	110	200
BC182	50	0,2	0,3	120	150

Таблица 1

Таблица 2 включает перечень элементов, схожих по электрическим параметрам, транзистору КТ3102 конкретной категории.

Группа	Аналоги
	Импорт	Отечественные
КТ3102АМ	2N4123, 2SC1815O, 2SC945O, 2SC945R, BC107AP, BC107АP, BC182A, BC183A, BC237A, BC238A, BC317, BC547A, BC548A, BC550A, BCY59-VII, BCY65-VII, MPS3709, SS9014A	КТ6111А
КТ3102БМ	2N2483 , 2N5210, 2SC1000GTM, 2SC1815, 2SC1815BL, 2SC1815GR, 2SC1815L, 2SC1815Y, 2SC828A, 2SC945G, 2SC945L, 2SC945Y, BC107BP, BC182B, BC182C, BC183B, BC183C, BC184A, BC237B, BC237C, BC318, BC337, BC382B, BC452, BC546B, BC547B, BC547C, BC550B, BC550C, BCY56, BCY59-IX, BCY59-VIII, BCY65-IX, BCY65-VII, BCY79, MPSA09, PN1484, SF132E, SS9014B, SS9014C, SS9014D	КТ3102БМ, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3117Б, КТ6111Б, КТ6111В, КТ6111Г, КТ660А
КТ3102ВМ	2N3711, 2SC454B, 2SC454C, 2SC454D, 2SC458, 2SC458KB, 2SC458KC, 2SC458KD, 2SC828, BC108AP, BC108BP, BC238, BC238A, BC238B, BC238C, BC451, BC548A, BC548B, BC548C, BC549A, BC549B, BC549C, MPS3708, MPS3710, SF131E
КТ3102ГМ	2SC538, 2SC900, 2SC923, BC108CP, BC183C, BC238C, BC382C, BC547C, BC548C, MPS3711, MPS6571, SF131F, SF132F
КТ3102ДМ	2N2484, 2N4124, 2N5209, 2SC458LGB, 2SC458LGC, 2SC458LGD, 2SC945, BC109BP, BC184A, BC239B, BC239C, BC383B, BC384B, BC453, BC521, BC521C, BC549A, BC549B, BCY59-X, MPS3707, MPS6512, MPS6513, MPS6514, MPS6515, PN1484
КТ3102ЕМ	2N5088, 2N5089, 2N5210, BC109CP, BC184B, BC239C, BC319, BC383C, BC384C, BC549C, BCY57, BFX65, MPS6516, MPS6517
КТ3102ЖМ	BC239B, MPS6518
КТ3102ИМ	BC109BP
КТ3102КМ	BC109CP

Таблица 2

Как собрать корпус SOT23 собственноручно

Приготовьте 3 куска монтажного провода подходящей длины, желательно, МГТФ. Из них получатся выводы корпуса.

Для защиты сделайте небольшую зачистку на пару миллиметров со стороны, которая припаивается к корпусу.

Замкните концы кусочков провода на участке, который впаивают в плату и зафиксируйте, чтобы уравнять потенциалы.

С помощью тонкого пинцета сделайте из пластика корпус, и зажмите его так:

Наденьте на паяльник так называемое игольчатое жало, оно, как правило, есть в паяльных станциях.

Установите на станции минимальную температуру, чтобы паять только припой. Ее можно определить только экспериментально.

Возьмите кусок провода в одну руку, паяльник — в другую. Можно паять стандартным припоем из свинца. Ни в коем случае нельзя перегревать контакты корпуса, а контакты паяльника — распаяйте и подпаяйте провода для выводов. Они должны быть уложены в виду пучка.

Припаивайте провода в определенном порядке, начиная с истока, и заканчивая затвором.

Не прикасайтесь к корпусу руками, трогать можно только паяльник и провода. При необходимости поправьте с помощью пинцета положение корпуса.

Готово! Вы не просто собрали корпус, а теперь он выводной. Его можно использовать, как все остальные транзисторы МОП.

Характеристики и распиновка 2n3055

Как и другие транзисторы, El 2N3055 имеет 3 подключения для эмиттера, базы и коллектора. Мы уже обсуждали это в других статьях о транзисторах. Поэтому ноль сомнений в распиновке этого NPN транзистора. Конфигурация аналогична контакту 1 для базы, который будет использоваться в качестве переключателя для тока, проходящего через полупроводник или нет, контакт 2 является эмиттером (обычно соединенным с GND или землей), а коллектор, который на самом деле является TAB так как третьего пина нет (нормально подключен к питанию).

Можно использовать транзистор 2n3055 для цепей средней мощности, он безопасен, он имеет низкое насыщение между напряжением коллектор-эмиттер, доступна упаковка без свинца, он имеет коэффициент усиления более 70 hFE для постоянного тока (линейный), максимальное напряжение, которое может выдерживать или пропускать коллектор и эмиттер — 60 В для постоянного тока, такой же максимальный ток, который может проходить через коллектор, составляет 15 А.

Теме статьи:
Транзистор BC547: все, что вам нужно знать

Для базы ограничения в обоих случаях составляют 7 В (база-эмиттер) и 7 А постоянного тока. В случае наличия напряжения между коллектором и базой оно может достигать 100 В. Если мы посмотрим на температуру, при которой он может работать, диапазон будет между От -65 до + 200ºC. Таким образом, он без проблем работает при экстремальных температурах, что терпят не все электронные устройства, особенно если вы посмотрите на максимальную поддерживаемую температуру

Кстати, по рассеиваемой мощности она достигает 115Вт, что немаловажно ..

Обзор функций:

Тип: NPN
Для цепей средней мощности
Увеличение 70 hFE
Коллектор-эмиттер 60в DC
Ток коллектора 15 А постоянного тока
База-эмиттер 7в
База 7А
Коллектор-база 100в
Рабочая температура от -65 до + 200ºC
Рассеиваемая мощность 115 Вт
Металлическая оболочка

Эквивалентные и дополнительные

Для 2n3055 есть эквивалентные транзисторы. Вы можете использовать их как заменители типа 2n6673 и 2n6675. Другие подобные транзисторы, хотя и не такие, — это MJ10023, BUX98 и BDW51. Вы можете без проблем использовать их в своих схемах в качестве альтернативы, теперь вы должны хорошо прочитать таблицы данных всех из них, чтобы увидеть возможные различия, поскольку они могут быть разными в некоторых случаях и могут создавать проблемы в крайних случаях.

Если вам интересно о дополнительный, то есть наоборот, вы можете увидеть MJ2955. В данном случае это почти сестринский транзистор, идентичный по многим характеристикам, описанным в предыдущем разделе, но это биполярный PNP вместо NPN. Знание дополнений иногда может очень помочь нам в составлении схем, поэтому мы всегда включаем их в наши сообщения.

Даташит

к безопасно составлять схемы и поддерживать поддерживаемые диапазоны Для этого устройства вы должны увидеть спецификации этих устройств. Они могут быть изготовлены самыми разными производителями, и у всех из них есть свои спецификации, в которых могут быть некоторые различия. Freescale, STMicroelectronics и Siemens — одни из самых известных производителей, хотя их больше.

Теме статьи:
Транзистор 2Н2222: все, что нужно знать

Так что ваши будущие схемы переключения мощности, усилители, ШИМ, регуляторы, усилители сигналов и т. Д. схем, которые могут быть составлены с помощью 2n3055, вы можете получить спецификации здесь:

Различные таблицы данных от различных производителей.
Компания ON Semiconductor 2n3055: поскольку в других случаях мы использовали техническое описание ON Semiconductor для других электронных устройств, вот техническое описание этой компании для рассматриваемого транзистора …

Габариты транзистора КТ361 и КТ361-1

Тип корпуса транзистора КТ-13. Масса одного транзистора не более 0,2 г. Величина растягивающей силы 5 Н (0,5 кгс). Минимальное расстояние места изгиба вывода от корпуса – 1 мм (на рисунке обозначено как L1). Температура пайки (235 ± 5) °С, расстояние от корпуса до места пайки 1 мм, продолжительность пайки (2 ± 0,5) с. Транзисторы должны выдерживать воздействие тепла, возникающего при температуре пайки (260 ± 5) °С в течение 4 секунд. Выводы должны сохранять паяемость в течение 12 месяцев с даты изготовления при соблюдении режимов и правил выполнения пайки, указанных в разделе «Указания по эксплуатации». Транзисторы устойчивы к воздействию спирто-бензиновой смеси (1:1), а также пожаробезопасны. Габаритные размеры транзистора КТ361 и КТ361-1 приведены на рисунке 1.

Рисунок 1 – Маркировка, цоколёвка и габаритные размеры транзистора КТ361 и КТ361-1

Аналоги и комплементарная пара

Существуют зарубежные устройства, которые полностью идентичны ВС337 по своим характеристикам и распиновке: BC184, 2N4401, MPSA06. Российская промышленность также выпускает изделия, которыми его можно заменить: КТ660А, КТ3102Б, КТ928.

Перед заменой транзистора нужно разобраться, в какой схеме и для чего он используется, а также знать режимы его работы и сравнить технические характеристики оригинального и предполагаемого на замену прибора. И только после этого можно решать, подходит он или нет.

В качестве комлементарой пары производители рекомендуют использовать BC327.

Виды транзисторов

По принципу действия и строению различают полупроводниковые триоды:

полевые;
биполярные;
комбинированные.

Эти транзисторы выполняют одинаковые функции, однако существуют различия в принципе их работы.

Полевые

Данный вид триодов ещё называют униполярным, из-за электрических свойств – у них протекает ток только одной полярности. По строению и типу управления эти устройства подразделяются на 3 вида:

Транзисторы с управляющим p-n переходом (рис. 6).
С изолированным затвором (бывают со встроенным либо с индуцированным каналом).
МДП, со структурой: металл-диэлектрик-проводник.

Отличительная черта изолированного затвора – наличие диэлектрика между ним и каналом.

Детали очень чувствительны к статическому электричеству.

Схемы полевых триодов показано на рисунке 5.

Рис. 5. Полевые транзисторыРис. 6. Фото реального полевого триода

Обратите внимание на название электродов: сток, исток и затвор. Полевые транзисторы потребляют очень мало энергии. Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора

Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п

Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора. Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п

Полевые транзисторы потребляют очень мало энергии. Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора. Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п.

Биполярные

Об этом виде транзисторов много сказано в подразделе «Базовый принцип работы». Отметим лишь, что название «Биполярный» устройство получило из-за способности пропускать заряды противоположных знаков через один канал. Их особенностью является низкое выходное сопротивление.

Транзисторы усиливают сигналы, работают как коммутационные устройства. В цепь коллектора можно включать достаточно мощную нагрузку. Благодаря большому току коллектора можно понизить сопротивление нагрузки.

Более детально о строении и принципе работы рассмотрим ниже.

Комбинированные

С целью достижения определённых электрических параметров от применения одного дискретного элемента разработчики транзисторов изобретают комбинированные конструкции. Среди них можно выделить:

биполярные транзисторы с внедрёнными и их схему резисторами;
комбинации из двух триодов (одинаковых или разных структур) в одном корпусе;
лямбда-диоды – сочетание двух полевых триодов, образующих участок с отрицательным сопротивлением;
конструкции, в которых полевой триод с изолированным затвором управляет биполярным триодом (применяются для управления электромоторами).

Комбинированные транзисторы – это, по сути, элементарная микросхема в одном корпусе.

Это интересно: Как подключить электроплиту к 220 Вольт — кратко и понятно

SOT-23: аналоги

Согласно функционалу, принцип работы рассматриваемых регуляторов аналогичен микросхемам ШИМ xx384x, устойчивым и надежным.

С заменой или выбором аналогов таких регуляторов часто возникают трудности из-за кодировки при обозначении видов микросхем. К тому же, существует много фирм-производителей элементов, которые не выкладывают документацию в открытый доступ. Дело в том, что не каждый изготовитель приборов предоставляет схемы в сервису по ремонту. Так что ремонтники вынуждены осваивать возможные варианты схем по имеющимся компонентам и монтажу именно на плате.

В практическом применении обычно используются ШИМ-микросхемы с кодировкой EAxxx. Вы не найдете официальных документов к ним, но есть картинки из PDF от System General.

Взгляните на таблицу, по которым можно подобрать аналоги с соответствующей выводной цоколевкой. Они отличаются применением 3-го вывода.

ШИМ-регуляторы (PWM), где по-другому используется вывод 3, таблица:

При применении всех указанных ШИМ, присмотритесь к выводу 3. С его помощью можно обеспечить тепловую защиту и избежать увеличения напряжения на входе. Допускается фиксированная или регулируемая конденсатором частота.

Для чего предназначены выводы

Обозначение производится следующим образом:

Ground (GND) — аббревиатура основного провода.
Input Voltage (VCC) — питание.
Feedback (FB) — обратная связь для контроля напряжения.
Output (JUT) — соединение с затвором главного транзистора.
Current sense input pin (SEN) — токовый датчик, подключаемый к стоку главного транзисторного прибора.
Internal Oscillator frequency setting pin (RI) — подключение резистора извне, задающего частоту. В ряде микросхем он заменяется на CT.
Brownout Protection Pin (BNO) — регулятор наименьшего напряжения питания. Когда оно на этом входе меньше порогового, осуществляется отключение подачи импульсов от микросхемы.

Когда питание подается ко входу контроллера VCC, за ним следует напряжение с помощью резистора указанного моста. С помощью микросхемы запускается выдача импульсов. В дальнейшем питание подается с помощью выпрямления напряжения на нижней левой обмотке трансформатора импульсного типа.

Генерация на микросхеме происходит с фиксированной частотой. Ее задают значением резистора на RI, либо емкости на СТ.

Напряжение стабилизируется с помощью сопоставления силы тока, который протекает через главный транзистор MOSFET и обратного напряжения. Оценка тока осуществляется с учетом величины снижения напряжения резистора в цепи транзисторного стока, при подключении к выходу SEN.

Обратное напряжение снимают с регулирующегося стабилитрона. Минуя оптопару, он попадает на FB

От величины напряжения на заданных выходах зависит импульсная скважность на OUT. В большей части микросхем есть разные защитные системы, которые предотвращают поломку в нестандартных случаях