Irfp260n datasheet pdf ( pinout ) - power mosfet ( transistor )

In Stock: 351351

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Применение полевого транзистора IRFP260N

Полевой транзистор IRFP260N широко используется в различных схемах электроники и электроэнергетики благодаря своим уникальным характеристикам и высокой надежности. Он обладает высокой мощностью и способен работать на высоких частотах, что делает его идеальным для применения в силовых усилителях, источниках питания и других устройствах с высокой нагрузкой.

Основные области применения полевого транзистора IRFP260N:

Область применения
Описание
Силовые усилители
IRFP260N обеспечивает высокий уровень мощности и эффективности в силовых усилителях аудио- и видеоаппаратуры

Он позволяет достичь высокого качества звука и изображения при умеренных рабочих температурах.
Источники питания
Благодаря своей высокой эффективности и устойчивости к перегрузкам, IRFP260N широко используется в источниках питания различных устройств, включая телефоны, компьютеры, электронные приборы и другие электронные устройства.
Преобразователи постоянного тока
IRFP260N позволяет эффективно преобразовывать постоянный ток различных напряжений и силы, что особенно важно для солнечных панелей, сетей электромобилей и других устройств, использующих альтернативные источники энергии.
Передатчики сигналов
Использование IRFP260N позволяет обеспечить высокую эффективность и качество передачи сигналов на высоких частотах, что актуально для радиостанций, телевизионных передатчиков и других устройств связи.
Высокочастотные устройства
IRFP260N проявляет себя отлично при работе на высоких частотах и может использоваться в радарах, радиолокационных системах, радиоуправляемых моделях и других устройствах, требующих высокой мощности и стабильности работы.. Полевой транзистор IRFP260N является незаменимым компонентом в современной электронике и находит применение во многих сферах, где требуется высокая мощность, надежность и эффективность работы

Его уникальные технические параметры и особенности делают его одним из лучших выборов для различных приложений

Полевой транзистор IRFP260N является незаменимым компонентом в современной электронике и находит применение во многих сферах, где требуется высокая мощность, надежность и эффективность работы. Его уникальные технические параметры и особенности делают его одним из лучших выборов для различных приложений.

Особенности полевого транзистора IRFP260N

Одной из особенностей транзистора IRFP260N является его низкое внутреннее сопротивление, что позволяет обеспечить малые потери мощности и высокую эффективность работы

Это особенно важно при использовании в силовых устройствах, где требуется минимизировать нагрев и потери энергии

Другой важной особенностью IRFP260N является его способность работать при высоких температурах и иметь высокую надежность. Это позволяет использовать его в условиях повышенной нагрузки и экстремальных температурных условиях

Транзистор IRFP260N имеет широкий диапазон рабочих токов и напряжений, что делает его универсальным и подходящим для различных приложений. Он также обладает низкими наводками и шумами, что способствует более чистому сигналу и лучшей качеству звука.

IRFP260N также обладает защитой от короткого замыкания и перегрузки, что позволяет избежать повреждений и обеспечивает долговечность и надежность работы устройства.

Данный полевой транзистор отличается простотой монтажа и доступной ценой, что делает его привлекательным для использования как в профессиональных, так и в домашних проектах.

IRFP260M Datasheet (PDF)

0.1. irfp260mpbf.pdf Size:634K _international_rectifier

PD — 96293IRFP260MPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = 200Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 0.04l Fully Avalanche RatedGl Ease of ParallelingID = 50Al Simple Drive RequirementsSl Lead-FreeDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniq

0.2. irfp260mpbf.pdf Size:634K _infineon

0.3. irfp260m.pdf Size:247K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFP260MIIRFP260MFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)40mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Speed Power SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Dr

IRFP260N Datasheet (PDF)

0.1. irfp260n.pdf Size:122K _international_rectifier

PD — 94004AIRFP260NHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 200V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.04G Fully Avalanche Rated Ease of ParallelingID = 50AS Simple Drive RequirementsDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extreme

0.2. irfp260npbf.pdf Size:180K _international_rectifier

PD — 95010AIRFP260NPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = 200Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 0.04l Fully Avalanche RatedGl Ease of ParallelingID = 50Al Simple Drive RequirementsSl Lead-FreeDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing techni

0.3. irfp260npbf.pdf Size:180K _infineon

0.4. irfp260n.pdf Size:242K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFP260NIIRFP260NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)40mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingFully Avalanche RatedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VAL

0.5. irfp260npbf.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IRFP260NPBFFEATURESWith TO-247 packagingEase of parallelingHigh speed switchingHard switched and high frequency circuits100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB

IRFP260NPBF Datasheet (PDF)

0.1. irfp260npbf.pdf Size:180K _international_rectifier

0.2. irfp260npbf.pdf Size:180K _infineon

0.3. irfp260npbf.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

IRFP260N: основные характеристики и параметры полевого транзистора

Вот основные характеристики и параметры полевого транзистора IRFP260N:

Тип: N-канальный полевой эффектный транзистор (FET)
Напряжение стока-истока (Vds): 200 вольт
Максимальный ток стока (Id): 50 ампер
Максимальная мощность (Pd): 300 ватт
Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 0.04 ома
Напряжение порога открытия (Vgs(th)): от 2 до 4 вольт
Температурный диапазон: -55°C до +175°C
Применение: силовая электроника, переключающие источники питания, инверторы напряжения и другие устройства

IRFP260N может быть использован в различных устройствах, где требуется надежное и эффективное управление мощностью. Благодаря его высоким электрическим характеристикам и устойчивости к высоким температурам, IRFP260N зарекомендовал себя как надежный компонент для различных приложений в области силовой электроники.

IRFP260N Datasheet PDF — International Rectifier

Part Number	IRFP260N
Description	Power MOSFET
Manufacturers	International Rectifier
Logo
There is a preview and IRFP260N download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total ( 8 pages )

Preview 1 page

No Preview Available !

PD — 94004B
IRFP260N

l Advanced Process Technology

l Dynamic dv/dt Rating

l 175°C Operating Temperature

l Fast Switching

l Fully Avalanche Rated

l Ease of Paralleling

l Simple Drive Requirements

HEXFETPower MOSFET

VDSS = 200V

RDS(on) = 0.04Ω

ID = 50A

S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized device design that
HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an
extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications where
higher power levels preclude the use of TO-220 devices. The TO-247 is similar
but superior to the earlier TO-218 package because of its isolated mounting hole.
TO-247AC
Absolute Maximum Ratings

ID @ TC = 25°C

ID @ TC = 100°C

IDM

PD @TC = 25°C

VGS

EAS

IAR

EAR

dv/dt

TSTG

Parameter

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

Pulsed Drain Current

Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 srew
Thermal Resistance

RθJC

RθCS

RθJA

www.irf.com
Parameter
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Max.
50
35
200
300
2.0
±20
560
50
30
10
-55 to +175
300 (1.6mm from case )
10 lbf•in (1.1N•m)
Typ.
–––
0.24
–––
Max.
0.50
–––
40
Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
°C
Units
°C/W
1
10/08/04

IRFP260N
50
50
40
40
30
30
20
20
10
10

0 25
25
50 75 100 125 150 175

50TCTC, C7, 5aCsaesTe1eTmepmeprae1rt2ua5rtuer(e°(C1°5)C) 175

Fig 9. Maximum Drain Current Vs.

Case Temperature
1

VDS

VGS

D.U.T.
10V

Pulse Width ≤ 1 µs

Duty Factor ≤ 0.1 %

V+- DD

Fig 10a. Switching Time Test Circuit

VDS

90%
10%

VGS

td(on) tr

td(off) tf

Fig 10b. Switching Time Waveforms

D = 0.50

0.1 0.20

0.10
0.05
0.02
0.01
0.01
0.001
0.00001
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)

PDM

0.0001
Notes:

1. Duty factor D = t1 / t 2

2. Peak TJ= P DM x ZthJC + TC

0.001
0.01

t1, Rectangular Pulse Duration (sec)

0.1
1

Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

www.irf.com
5

Preview 5 Page

Information	Total 8 Pages
Link URL
Product Image and Detail view	1. — 200V, 50A, HEXFET MOSFET
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Element14	Chip One Stop

Featured Datasheets

Part Number	Description	Manufacturers
IRFP260	The function is Standard Power MOSFET — N-Channel Enhancement Mode.	IXYS Corporation
IRFP260	The function is Power MOSFET.	Vishay Siliconix
IRFP260MPBF	The function is Power MOSFET.	International Rectifier
Quick jump to: IRFP 1N4 2N2 2SA 2SC 74H ADC BC BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA