Режимы работы и схемы включения биполярных транзисторов
Анализируя возможность использования биполярных транзисторов для усиления электрических сигналов, мы ограничивались только одним частным случаем подачи на электроды транзистора определенных напряжений и не рассматривали некоторые достаточно важные физические процессы в полупроводнике.
Но помимо уже описанной ситуации возможны и другие, приводящие, например, к протеканию в (n)-(p)-(n)-структуре тока не от коллектора к эмиттеру, а, наоборот, от эмиттера к коллектору и т.п. В общем случае для биполярного транзистора возможны четыре устойчивых состояния (режима).
Они отличаются друг от друга тем, в каком состоянии (прямое или обратное смещение) находятся эмиттерный и коллекторный переходы транзистора. Приведем их полное описание.
Активный режим — соответствует случаю, рассмотренному при анализе усилительных свойств транзистора. В этом режиме прямосмещенным оказывается эмиттерный переход, а на коллекторном присутствует обратное напряжение. Именно в активном режиме транзистор наилучшим образом проявляет свои усилительные свойства. Поэтому часто такой режим называют основным или нормальным.
Инверсный режим — полностью противоположен активному режиму, т.е. обратносмещенным является эмиттерный переход, а прямосмещенным — коллекторный. В таком режиме транзистор также может использоваться для усиления.
Поэтому на практике инверсный режим практически не используется.
Режим насыщения (режим двойной инжекции) — оба перехода транзистора находятся под прямым смещением. В этом случае выходной ток транзистора не может управляться его входным током, т.е. усиление сигналов невозможно. Режим насыщения используется в ключевых схемах, где в задачу транзисторов входит не усиление сигналов, а замыкание/размыкание разнообразных электрических цепей.
Режим отсечки — к обоим переходам подведены обратные напряжения. Такой режим также используется в ключевых схемах. Поскольку в нем выходной ток транзистора практически равен нулю, то он соответвует размыканию транзисторного ключа.
Заметим, что кроме названных основных рабочих режимов в транзисторе возможен режим пробоя на различных переходах. Обычно он возникает только в случае аварии и не используется в работе, однако существуют специальные лавинные биполярные транзисторы, в которых режим пробоя является как раз основным рабочим режимом.
Помимо режима работы для эксплуатации биполярных транзисторов имеет значение то, каким образом транзистор включен в каскад усиления (как поданы питающие напряжения на его электроды, в какие цепи включены нагрузка и источник сигнала). Различают три основных способа (рис. 1.3): схема с общим эмиттером (ОЭ), схема с общим коллектором (ОК) и схема с общей базой (ОБ).
Рис. 1.3. Схемы включения биполярных транзисторов (направления токов соответствуют активному режиму работы)
Цоколевка транзистора П216
Транзистор П216 имеет типовую цоколевку TO-39. Это трехэлектродный металлогерметичный транзистор, который содержит следующие выводы:
- Вывод 1 (база) – основной вывод, через который осуществляется управление транзистором.
- Вывод 2 (эмиттер) – вывод, который является эмиттером транзистора и служит для вывода эмиссионных электронов.
- Вывод 3 (коллектор) – вывод, который является коллектором транзистора и предназначен для сбора эмиссионных электронов.
Цоколевка транзистора П216 обычно обозначается в схемах и маркировках следующим образом:
TO-39 (1, 2, 3), где числа 1, 2 и 3 соответствуют описанным выше выводам.
Такая цоколевка позволяет удобно монтировать и подключать транзистор П216 в различные электронные схемы.
Транзистор П210Б. Низкие цены. На складе в наличии.
Краткое техническое описание на
транзистор П210Б
П210Б Транзисторы П210Б германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-18. Масса транзистора не более 37,0 г с наконечниками выводов и не более 48,5 г с крепежным фланцем. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Технические условия: — — аА0.336.483ТУ. Импортный аналог: 2N457, 2N458, AD142, AD545, AUY21A, AUY22A, 6NU74, 714U74, AD325. Основные технические характеристики транзистора П210Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 45 Вт; • fh31э — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкэо проб — Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 65 В; • Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 25 В; • Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12 А; • Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 15 мА; • h31Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10
Если вас интересует более подробная техническая информация о транзисторе П210Б обращайтесь в отдел продаж.
Гарантия
На всю продукцию распостраняется гарантия от 1 до 8 лет, в зависимости от типа устройства.
После подтверждения заказа товар достается со склада, перепроверяется и, при необходимости, калибруется в лаборатории, комплектуется ЗИПом и технической документацией, надежно упаковывается.
Упаковка транзистора П210Б может состоять из заводской или транспортной коробки. По запросу поставляем в деревянных ящиках.
Для большей надежности также используем пенопласт, пупырчатый полиэтилен, гофрокартон, гидроизоляционную пленку. Для габаритных поставкок возможна транспортировка на паллетах.
Доставка транзистора П210Б
По умолчанию доставка осуществляется транспортой компанией «Новая Почта».
Также для вашего удобства мы предоставляем на выбор другие варианты доставки: SAT, Gunsel, Автолюкс, Укрпошта. Возможна курерская доставка по указанному вами адресу транспортной компанией.
Укажите желаемый способ при общении с менеджером. Если по каким-либо причинам Вы не можете воспользоваться ни одним из предложенных способов, то мы попытаемся найти подходящий вариант.
Дополнительная информация
Категории товара : транзисторы, количество просмотров товара: 175. Рейтинг товара Транзистор П210Б: 4. Приведенные данные актуальны на: 16-02-2023. Подробную информацию о наличии и характеристиках товара уточняйте в отделе продаж.
P216 Datasheet (PDF)
0.1. atp216.pdf Size:394K _sanyo
ATP216Ordering number : EN8985SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP216ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=17m (typ.) Slim package 1.8V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 5
0.2. fp216.pdf Size:102K _sanyo
Ordering number:EN4919FP216NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorLCD Backlight Drive ApplicationsFeatures Package Dimensions Composite type with 2 transistors contained in theunit:mmPCP5 package currently in use, improving the2097Bmounting efficiency greatly. The FP216 is composed of two chips, each beingequivalent to the 2SC3646, placed in one package.El
0.3. fjp2160d.pdf Size:703K _fairchild_semi
May 2012FJP2160DESBCTM Rated NPN Silicon TransistorApplicationsDescription High Voltage and High Speed Power Switch The FJP2160D is a low-cost, high performance powerswitch designed to provide the best performance when Applicationused in an ESBCTM configuration in applications such as: Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode power supplies, motor drivers, Smart Grid, o
0.4. dmp2160ufdb.pdf Size:143K _diodes
DMP2160UFDBDUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: DFN2020B-6 70m @VGS = -4.5V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 85m @VGS = -2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020
0.5. dmp2165uw.pdf Size:419K _diodes
DMP2165UW P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max BVDSS RDS(ON) max TA = +25 Low Input Capacitance C Fast Switching Speed 90m @VGS = -4.5V -2.5A -20V Low Input/Output Leakage 120m @VGS = -2.5V -2.0A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free.
0.6. dmp2160u.pdf Size:128K _diodes
DMP2160UP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max 80 m @ VGS = -4.5V TA = 25C 100 m @ VGS = -2.5V 80m @ VGS = -4.5V -3.2A 140 m @ VGS = -1.8V -20V Very Low Gate Threshold Voltage VGS(th) 1V 140m @ VGS = -1.8V -2.4A Low Input Capacitance Fast Swit
0.7. dmp2160uw.pdf Size:126K _diodes
DMP2160UWP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-323 100 m @ VGS = -4.5V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 120 m @ VGS = -2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D
0.8. dmp2160ufdbq.pdf Size:332K _diodes
DMP2160UFDBQ DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Gate Threshold Voltage, -0.9V Max -3.8A 70m @ VGS = -4.5V Fast Switching Speed -20V 85m @ VGS = -2.5V -3.3A Low Input/Output Leakage Low Profile, 0.5mm Max Height Totally Lead-Free & Fully RoHS Compli
0.9. p216a-b-v-g-d p217a-b-v-g.pdf Size:1104K _russia
0.10. dmp2160uw.pdf Size:185K _tysemi
Product specification DMP2160UWP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT323 100m @ VGS = -4.5V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. 120m @ VGS = -2.5V UL Flammability Classification Rating 94V-0 160m @ VGS = -1.8V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D Very Low Gate
0.11. tpdmp2160uw.pdf Size:2500K _cn_tech_public
TPDMP21 6 0UWP-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications (typ) @VGS =4.5V. -20V, -2.3A, RDS(ON) =100m Battery protection RDS(ON) = 125m (typ) @VGS = 2.5V. Load switch Power management SOT-323 package. Ordering InformationPart Number Qty per Reel Reel SizeTPDMP2160UW 3000 7DSGSOT-323Absolute Maximum Ratings (TA=25C
Другие транзисторы… P213
, P213A
, P213B
, P214A
, P214B
, P214G
, P214V
, P215
, 2SC2625
, P216A
, P216B
, P216D
, P216G
, P216V
, P217
, P217A
, P217B
.
Структура транзистора П216 и его принцип работы
Структура транзистора П216 представляет собой металл-полупроводниковый переход, образующийся между базой и эмиттером, а также между базой и коллектором. База транзистора П216 представляет собой тонкий слой непримесного полупроводника, расположенный между эмиттером и коллектором.
Принцип работы транзистора П216 основан на управлении током, протекающим через базу, с помощью тока, протекающего через эмиттер. При подаче управляющего сигнала на базу, ток между коллектором и эмиттером усиливается и контролируется. То есть, транзистор П216 может работать в режиме усиления и коммутации сигналов.
Важно отметить, что транзистор П216 является полевым транзистором с p-n-p искусственно эмитированным переходом. Это означает, что в нем применяется эмиттерного практически одного типа проводимости, но база и коллектор могут иметь проводимость разных типов
Полевые SMD транзисторы
| Маркировка | Тип прибора | Маркировка | Тип прибора |
| 6A | MMBF4416 | C92 | SST4392 |
| 6B | MMBF5484 | C93 | SST4393 |
| 6C | MMBFU310 | H16 | SST4416 |
| 6D | MMBF5457 | I08 | SST108 |
| 6E | MMBF5460 | I09 | SST109 |
| 6F | MMBF4860 | I10 | SST110 |
| 6G | MMBF4393 | M4 | BSR56 |
| 6H | MMBF5486 | M5 | BSR57 |
| 6J | MMBF4391 | M6 | BSR58 |
| 6K | MMBF4932 | P01 | SST201 |
| 6L | MMBF5459 | P02 | SST202 |
| 6T | MMBFJ310 | P03 | SST203 |
| 6W | MMBFJ175 | P04 | SST204 |
| 6Y | MMBFJ177 | S14 | SST5114 |
| B08 | SST6908 | S15 | SST5115 |
| B09 | SST6909 | S16 | SST5116 |
| B10 | SST6910 | S70 | SST270 |
| C11 | SST111 | S71 | SST271 |
| C12 | SST112 | S74 | SST174 |
| C13 | SST113 | S75 | SST175 |
| C41 | SST4091 | S76 | SST176 |
| C42 | SST4092 | S77 | SST177 |
| C43 | SST4093 | TV | MMBF112 |
| C59 | SST4859 | Z08 | SST308 |
| C60 | SST4860 | Z09 | SST309 |
| C61 | SST4861 | Z10 | SST310 |
| C91 | SST4391 |
А это пример n-p-n и p-n-n биполярных транзисторов (sot-23, sot-323) с типовым расположением выводов:
Принцип работы стабилитрона
Рассмотрим принцип работы стабилитрона на примере схемы его включения и вольт-амперной характеристике. Для выполнения своей основной функции стабилитрон VD соединяется последовательно с резистором Rб и вместе они подключаются к источнику входного нестабилизированного напряжения Uвх. Уже стабилизированное выходное напряжение Uвых снимается только с выводов 2, 3 VD. Поэтому нагрузка Rн подключается к соответствующим точкам 2 и 3. Как видно из схемы, VD и Rб образуют делитель напряжения. Только сопротивление стабилитрон имеет не постоянно значение и называется динамическим, поскольку зависит от величины электрического тока, протекающего через полупроводниковый прибор.
Величина напряжения Uвх, подаваемого на стабилитрон с резисторов должна быть выше на минимум на пару вольт выходного напряжения Uвых, в противном случае полупроводниковый прибор VD не откроется и не сможет выполнять свою основную функцию.
Допустим, в какой-то произвольный момент времени на выходах 1 и 3 значение Uвх начало возрастать. В схеме начнут протекать следующие процессы. С ростом напряжения согласно закону Ома начнет возрастать ток, назовем его входным током Iвх. С увеличением ток возрастет падение напряжения на резисторе Rб, а на VD она останется неизменным (это будет пояснено далее на характеристике), поэтому и Uвых останется на прежнем уровне. Следовательно, прирост входного напряжения упадет или погасится на резисторе Rб. Поэтому Rб называют гасящим или балластным.
Теперь, допустим, изменилась нагрузка, например, снизилось сопротивление Rн, соответственно возрастет и ток Iн. В этом случае снизится ток, протекающий стабилитрон Iст, а Iвх останется практически без изменений.
Справочники
|
|
|||||
|
Цоколевка широко распространенных транзисторов и цветовая и кодовая маркировка транзисторов. Цветовая и кодовая маркировка транзисторов В цветовой и кодовой маркировке транзисторов нет единых стандартов. Каждый завод, который производит транзисторы, принимает свои цветовые и кодовые обозначения. Вы можете встретить транзисторы одного типа и группы, которые изготовлены разными заводами и маркируются по-разному, или разные транзисторы, которые маркируются одинаково. В этом случае их можно отличить только по некоторым дополнительным признакам, таким как длина выводов коллектора и эмиттера или окраска торцевой (противоположной выводам) поверхности транзистора. Табл. 8.13. Цветовая и кодовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26. Цветовая маркировка транзисторов осуществляется двумя точками. Тип транзистора обозначается на боковой поверхности, а маркировка группы на торцевой (рис. 8.2). Кодовая маркировка наносится на боковую поверхность транзистора (рис. 8.2). Тип транзистора обозначается кодовым знаком (табл. 8.13), а группа — соответствующей буквой. Дата изготовления в соответствии с ГОСТ 26486-82 кодируется двумя буквами или буквой и цифрой (табл. 8.14). Первая буква обозначает год выпуска, а следующая за ней цифра или буква — месяц. Кодированное обозначение даты изготовления применяется не только для транзисторов, но и для других радиоэлементов. На рис. 8.3 приведены примеры кодовой и цветовой маркировки транзисторов в корпусе КТ-26. Транзисторы в корпусе КТ-27 могут маркироваться или буквенно — цифровым кодом (табл. 8.16 и рнс. 8.4) или кодом, состоящим из геометрических фигур (рис. 8.4). Транзисторы в корпусе КТ-27 дополнительно маркируются окрашиванием торца корпуса, противоположного выводам: КТ814 — серо — бежевый; КТ815 — серый нлн снренево — фиолетовый; КТ816 — розово — красный; КТ817 — серо — зелёный; КТ683 — фиолетовый; КТ9115 — голубой. Транзисторы КТ814Б, КТ815Б, КТ816Б и КТ817Б иногда маркируются только окрашиванием торцевой поверхности без нанесения буквенно — цифрового кода. Примеры маркировки транзисторов в корпусе КТ-13 приведены на рис. 8.6. Буква группы у транзисторов КТ315 наносится сбоку поверхности, а КТ361 — посередине. Тип транзисторов КПЗОЗ и КП307 в корпусе КТ-1-12 маркируются соответственно цифрами 3 и 7, группа — соответствующей буквой. Транзисторы КП327А маркируются одной белой точкой, а КП327Б — двумя (рис. 8.3).
Кизлюк А.И. Ключевые теги: Кизлюк |
|||||
|
|||||
|
|||||
Виды и модификации транзистора П216
Транзистор П216 представлен в различных вариантах и модификациях, которые подразумевают различные параметры и характеристики.
Одним из наиболее распространенных видов транзистора П216 является P216B, который представляет собой кремниевый p-n-p эпитаксиальный биполярный транзистор с плоским с германием субстратом. Транзистор П216B имеет следующие основные характеристики:
- Конструкция: кремний эпитаксиальный;
- Тип: p-n-p;
- Максимальное постоянное напряжение коллектора: 40 В;
- Максимальный постоянный ток коллектора: 1 А;
- Максимальная мощность коллектора: 0,4 Вт;
- Максимальное значение температуры перехода: 120 °C;
- Выходной ток передачи тока: 0,5 А;
- Сопротивление коллектор-эмиттер: 0,2 Ом.
Также существуют другие модификации транзистора П216, такие как P216D, P216G, P216H и другие. Они имеют отличающиеся характеристики и спецификации, которые могут быть подобраны в зависимости от конкретных требований и потребностей в рамках электронных схем и устройств.
Литература по электронике
Наука, которая изучает транзисторы и другие приборы, называется электроника. Целый ее раздел посвящён полупроводниковым приборам. Если вам интересно получить больше информации о работе транзисторов, можно почитать следующие книги по этой тематике:
- Цифровая схемотехника и архитектура компьютера — Дэвид М.
- Операционные системы. Разработка и реализация — Эндрю Т.
- Силовая электроника для любителей и профессионалов — Б. Ю. Семенов .
В этих книгах описываются различные средства программируемой электроники. Конечно же, в основе всех программируемых схем, лежат транзисторы. Благодаря этим книгам вы не только получите новые знания о транзисторах, но и навыки, которые, возможно, принесут вам доход.
Теперь вы знаете, как работают транзисторы, и где они применяются в жизни. Если вам интересна эта тема, продолжайте её изучать, ведь прогресс не стоит на месте, и все технические устройства постоянно совершенствуются
В этом деле очень важно идти в ногу со временем. Успехов вам!. Источники
Источники
- https://habr.com/ru/post/133136/
- https://principraboty.ru/princip-raboty-tranzistora/
- https://odinelectric.ru/knowledgebase/kak-rabotaet-tranzistor-i-gde-ispolzuetsya
- https://rusenergetics.ru/oborudovanie/skhema-tranzistora
- https://RadioStorage.net/1670-tranzistory-osnovnye-parametry-i-harakteristiki-markirovka-tranzistorov.html
- https://tokar.guru/hochu-vse-znat/tranzistor-vidy-primenenie-i-principy-raboty.html
- https://www.RusElectronic.com/chitaem-elektricheskie-skhemy-s-tranzistorami/