Irf740 mosfet datasheet, pinout, features & applications

Как выбрать аналог для замены транзистора IRF 740

При замене транзистора IRF 740 на аналог необходимо учитывать некоторые важные параметры, такие как мощность, напряжение и сопротивление. В таблице ниже приведены некоторые аналоги транзистора IRF 740:

Модель	Мощность (Вт)	Напряжение (В)	Сопротивление (Ом)
IRF540	150	100	0.077
IRF630	200	200	0.355
IRF740N	400	400	0.55

При выборе аналога необходимо учитывать соответствие параметров заменяемому транзистору, чтобы избежать возможных проблем с работой цепи

Кроме того, стоит обратить внимание на доступность аналога на рынке и его цену

Прежде чем производить замену транзистора, рекомендуется обратиться к документации и схеме устройства, чтобы точно определить необходимые параметры аналога. При сомнениях или отсутствии аналогов можно проконсультироваться со специалистом в данной области.

MOSFET-транзистор — влияние резистора затвора

Большинство полевых МОП-транзисторов используются как переключатели, управляемые напряжением. Эти элементы очень популярны по двум причинам. Во-первых, их ворота не потребляют электричество. Во-вторых, из-за низкого сопротивления открытого канала происходят очень маленькие потери (что всегда является большим преимуществом).

Лучше всего проверить это на практике. На этот раз для выполнения упражнения вам понадобятся:

1 × зуммер с генератором,
1 × транзистор BS170,
Резистор 1 × 100 R,
Резистор 1 × 1 кОм,
Резистор 1 × 1М,
Батарея 4 × AA,
1 × корзина для 4 батареек АА,
1 × макетная плата,
Комплект соединительных проводов.

Описание выводов транзистора BS170 (слева вид снизу, т.е. со стороны выводов)

Теперь нам необходимо собрать простую схему, в которой мы заменим резистор, подключенный к затвору — пусть в начале он будет 10 кОм. Если хотите, для безопасности, при сборке схемы, можно закоротить ножки транзистора фольгой — не забудьте снять ее непосредственно перед подключением батареи.

Пример использования полевого МОП-транзистора

На практике схема может выглядеть так:


Схема на макетной плате	MOSFET на практике

Если схема собрана правильно, зуммер должен пищать. В такой ситуации стоит измерить ток, протекающий через зуммер, и напряжение между стоком и истоком транзистора. Также стоит измерить напряжение между выводами резистора.


Измерение напряжения сток-исток	Измерение тока стока

Измерение напряжения затвор-исток	Измерение тока затвора

Когда измерения готовы, замените наш резистор на резистор большего размера, то есть на 1 МОм, и повторите измерения, затем то же самое для резистора 100 Ом. Наконец, также стоит проверить, что произойдет, если мы подключим затвор через резистор к земле.

Схема с заземлением

В этом эксперименте, каждый раз, напряжение транзистора UGS превышало пороговое значение напряжения. Это произошло из-за того, что исток был подключен к земле, а затвор — к напряжению, близкому к +6 В, а пороговое напряжение этого транзистора было от 2 до 3 В. В свою очередь, подключение затвора к земле вызвал исчезновение канала и отсутствие тока, потому что UGS = 0.

Идеально работающий мультиметр имел бы бесконечно большое сопротивление. Однако наш мультиметр имеет сопротивление 1 МОм, что приводит к большим искажениям при последовательном измерении с R = 1 МОм.

Результаты, полученные нами в этом упражнении, могут отличаться от ваших

Собранные в таблице данные, наглядно показывают состояние засорения и насыщения транзистора. В насыщенном состоянии (когда UGS намного больше, чем UGSth), сопротивление между стоком и истоком незначительно, следовательно, падение напряжения составляет порядка нескольких мВ, а сток ограничен током, ограниченным только зуммером. В засоренном состоянии сопротивление настолько велико, что ток стока практически не течет, и почти все напряжение протекает между стоком и истоком. Все эти наблюдения не зависят от используемого резистора затвора (ситуация была бы иной в случае с биполярными транзисторами).

Если резистор удален из работающей схемы (что мы не рекомендуем делать из-за возможности повреждения транзистора), зуммер все еще мог бы издавать звуковой сигнал. Почему? Затвор отделен от канала изолятором, поэтому там создается емкость, то есть там есть небольшой внутренний конденсатор. Только через некоторое время из-за несовершенства изолятора он разрядится.

Рабочие режимы IRF740

Uзи (напряжение) бывает или нулевым, или обратным. Второе помогает прикрыть транзистор, поэтому и применяется внутри усилителей группы А и иных схемах с плавным регулированием.

В так называемом режиме отсечки Uзи=Uотсечки. Тогда для всех приборов оно разное, хоть и прилагается в обратную сторону.

Типы подключений

По аналогии с биполярниками, у рассматриваемого устройства есть 3 варианта подключения:

С одним истоком. Самая распространенная схема, усиливает ток и мощность.
С одним затвором. Непопулярный вариант. Небольшое напряжение входа, усиление отсутствует.
С одним стоком. Напряжение усиливается почти на 100%, сильное сопротивление входа, маленькое — выхода. По-другому схема называется токовым повторителем.

IRF740 MOSFET electrical specification explanation

In this section we try to explain the electrical specifications of IRF740 MOSFET, the specs explanation will be really helpful for a better understanding of this device for the replacement process.

Voltage specs

The terminal voltage specs of IRF740 MOSFET are a drain to source voltage is 400V and gate to source voltage is 20V, it had a higher value at voltage specifications.

The gate to source threshold voltage is 2V to 4V, it is the trigger voltage of the MOSFET device.

The overall voltage specs of IRF740 MOSFET show that it is a high voltage device mainly used for power supply, power conversion, and driver applications.

Current specs

The drain current value of IRF740 MOSFET is 10A, and the current values of the device show the load capacity of the device at circuits.

The pulsed drain current is 40A, and the pulsed current of the device is always 3times larger than the normal current.

The current values of MOSFET show that it is a device mainly used for driver and battery charger applications.

Zero gates voltage drain current

The value for zero gate voltage drain current is 25 to 250uA, it is a specific condition where the gate voltage is at zero and the current is a specific value with respect to voltage value.

Dissipation specs

The power dissipation value of IRF740 MOSFET is 125W, it is the power dissipation capacity of a MOSFET device in a thermal condition.

Проверка мультиметром

Большинство полевых n-канальных mosfet можно проверить обычным мультиметром. Сначала проверяют работу, так называемого паразитного диода между выводами стока (D) и истока (S). Затем проводится проверка открытия и закрытие мосфета путем одновременного, кратковременного касания щупами мультиметра контактов «S» и затвора (G). Если при такой подаче плюса на вывод «G» транзистор открывается, а между его выводами «D» — «S» появляется короткое замыкание (в обоих направлениях, несмотря на наличие паразитного диода), то он считается рабочим. Соответственно, если не открывается, то он считается нерабочим.

Для проверки irf740 одним мультиметром не обойтись, так для его открытия требуется напряжение на затворе не менее 4-5 вольт, а мультиметр способен выдать не более 0,3. Поэтому при проверке необходимо запастись источникам питания, например обычной кроной. Кратковременным касанием минусовой клеммой кроны контакта И, а плюсовой «G» можно открыть транзистор. Если после этого ток между «D» и «S» течет в обоих направлениях, то значит транзистор исправен. Конечно, перед проверкой на открытие/закрытие, необходимо проверить исправность паразитного диода. Предлагаем посмотреть видео на эту тему.

Характеристика	Значение
Тип транзистора	Мощный полевой транзистор
Максимальное сопротивление открытого канала (RDS(on))	Не выше 0.55 Ом
Максимальный ток стока (ID)	Не менее 10 А
Напряжение стока-исток (VDS)	Не менее 400 В
Мощность (P)	Не менее 150 Вт
Температурный диапазон	Обычно -55 до +175 градусов Цельсия
Корпус	TO-220

Механические параметры транзистора Irf740

Транзистор Irf740 имеет следующие механические параметры:

Расположение выводов	TO-220
Вес	2.2 г
Рекомендуемое применение теплового спрейда	Тактовая или постоянная нагрузка с низкой частотой передачи данных
Максимальное сопротивление теплопередачи, R_{топ-кор}	1.0 °C/W
Максимальное сопротивление теплопередачи, R_{топ-сред}	50 °C/W
Схема монтажа	Отверстие монтажа
Метод монтажа	Поверхностный
Максимальное сопротивление теплопередачи, R_{кор-амб}	62.5 °C/W

Эти параметры позволяют выбрать и правильно установить транзистор Irf740 при проектировании и создании электронных устройств.

Аналоги

Маркировка	Vds	Vgs	Vgs(th)	Pd	Tj	Id	Cd	Qg	Rds	Корпус
IRF740	400	20	4	125	150	10	1450	63	0.55	TO-220
10N40	400	30		135	150	10.5	250		0.5	TO‑220, TO‑220F1
10N50	500	30		143	150	10	177		0.54	TO‑220, TO‑220F1
2SK1378	400	30		125	150	10	170		0.55	TO-220AB
11N50	500	30		195	150	11	185		0.48	TO‑220, TO‑220F, TO‑220F1, TO‑220F2, TO‑262
11N40	400	30		147	150	11.4	180		0.42	TO‑220, TO‑220F
12N50	500	30		195	150	12	198		0.42	TO‑220, TO‑220F, TO‑220F1, TO‑220F2, TO‑263
13N50	500	30		168	150	13	245		0.42	TO‑220, TO‑220F, TO‑220F1
18N50	500	30		277	150	18	330		0.24	TO‑3P, TO‑263, TO‑220, TO‑230, TO‑220F1, TO‑220F2
18N40	400	30		360	150	18	280		0.18	TO‑247, TO‑220, TO‑220F1
AOT11S60	600	30		178	150	11	37.3		0.399	TO‑220
AOT15S65L	650	30	3.3	208	150	15	58		0.29	TO-220
CS20N60A8H	600	30	4	250	150	20	252	61	0.45	TO‑220AB
CS20N60A8H	600	30		250	150	20	252		0.45	TO220AB
FMP20N60S1	600	30	3.5	150	150	20	3120	48	0.19	TO‑220
CS740	400	30	4	134	150	10	150		0.55	TO‑220
FCP22N60N	600	30	4	205	150	22		45	0.165	TO-220
FQPF13N50C	500	30	4	195	150	13		56	0.48	TO-220F
GPT13N50	500	30		193	150	13	180		0.49	TO-220
FQP13N50C	500	30	4	195	150	13		56	0.48	TO-220
IPA50R199CP	500	20	3.5	139	150	17	80	34	0.199	TO-220FP
FTP10N40	400	30		125	150	10	119		0.5	TO-220
FTP14N50C	500	30	4	188	150	14	180	41	0.46	TO-220
IPP60R190C6	600	20	3.5	151	150	20.2	85	63	0.19	TO-220
IPP50R140CP	500	20	3.5	192	150	23	110	48	0.14	TO-220
MMP65R190PTH	650	30	4	154	150	20	1425	53	0.19	TO‑220
KNP6140A	400	30	4	140	150	10	150	28	0.5	TO-220
IRFB11N50A	500	10	4	170	150	11		52	0.52	TO-220AB
SPP11N60C3	600	20	3.9	125	150	11	390	45	0.38	TO-220
WFP740	400	30	4	134	150	10	150	60	0.55	TO‑220

Отечественные аналоги для IRF740 — транзисторы серии КП776 и транзистор КП740.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Сравнение аналогов транзистора IRF740

Однако, если вам необходимо найти аналог данного транзистора или у вас возникла необходимость заменить его, вот несколько вариантов:

Аналоги транзистора IRF740	Максимальное напряжение	Максимальный ток стока	Сопротивление канала (макс.)	Тип корпуса
IRF840	500 В	8 А	0.55 Ом	TO-220
IRFP260	200 В	50 А	0.04 Ом	TO-247AC
IRF3205	55 В	110 А	0.008 Ом	TO-220
IRF9540	100 В	23 А	0.2 Ом	TO-220AB

Выбор аналога транзистора IRF740 зависит от требуемых характеристик вашей электронной схемы, таких как максимальное напряжение, максимальный ток стока и сопротивление канала. Учтите, что каждый аналог может иметь некоторые отличия в характеристиках и типе корпуса.

Важно также учитывать, что при замене транзистора следует обратить внимание на совместимость с другими компонентами схемы и возможные изменения в электрических параметрах

Полевики с обособленным затвором

Эти устройства часто используются как полупроводниковые управляющиеся ключи. Как правило, они функционируют в режиме ключа. Есть 2 положения — включить и выключить 3 названия:

МДП, что означает присутствие в устройстве диэлектрического материала, полупроводника и металла.
МОП. В него входит окислительный элемент, полупроводник и металл.
МОФСЕТ:metal-oxide-semiconductor.

Все перечисленное — только варианты одного и того же наименования. Окислительный, или диэлектрический элемент — это, по сути, изолятор затвора. Он находится между самим затвором и n-участком. Это пространство белого цвета, с точечками, состоящее из кремниевого диоксида.

Диэлектрик не допускает электрического контакта подложки и затворного электрода. Он функционирует не так, как p-n переход, по принципу расширения канального перекрытия и перехода. Устройство действует за счёт смены концентрации полупроводниковых переносчиков заряда под влиянием внешнего электрополя.

Есть 2 вида распространённых транзисторов МОП: с индукционным и встроенным каналами.

Со встроенным

Принцип действия такого прибора аналогичен полевому транзистору с управлением от p-n перехода при нулевом напряжении затвора. Ток при этом течёт через ключ.

Транзисторы с внутренним каналом

Возле истока и стока есть 2 области с большим количеством заряженных примесей, имеющих повышенную проводимость. Здесь подложкой является p-основание.

Кристалл соединяется с истоком, поэтому на большей части условных графиков он так и изображен. Когда напряжение на затворе повышается, в канале появляется поперечное электрополе, отталкивающее Электроны. Происходит закрытие канала, когда достигается порог Uзи.

Когда подается отрицательное напряжение затвора — истока, стоковая сила тока уменьшается. Транзистор закрывается. Это называется режимом обеднения. Если же подаётся напряжение со знаком «+», на затворе и истоке осуществляется обратное: за счет притягивания электронов возрастает сила тока. Это явление именуют режимом обогащения.

Все описанное подходит к транзисторам типа n, с внутренним каналом. В случае с p происходит замена электронов так называемыми дырками, и происходит изменение полярности напряжения на другой знак.

С индуктивным каналом

В таких транзисторах не протекает ток, если нет напряжения затвора. Если сказать точнее, ток очень небольшой, поскольку он является обратным от подложки — к высоко легированным элементам стока и истока.

Если напряжение есть, мы имеем дело с вариантом канала индукции, где под влиянием поля заряды со знаком «-» попадают на территорию затвора. Это означает появление электронного коридора между истоком и стоком. При появлении канала происходит открытие транзистора и протекание через него электричества.

Приведем пример практического применения высокого сопротивления выхода. Устройства с такими свойствами довольно популярны. Это согласующие приборы, которыми проводится подключение электроакустики — гитар с пьезозвукоснимающими приборами и электрических гитар с электромагнитными снимателями звука, к входам с маленькими сопротивлениями

От невысокого сопротивления может произойти просадка сигнала выхода. Его форма может меняться в разных пределах, согласно частоте сигнала. Это можно предотвратить введением каскада невысокого сопротивления входа. Таким способом удобно подключаются электрогитары к линейным входам компьютерных видеокарт. Это делает звук более ярким, а тембр — насыщенным.

Сравнение характеристик аналогов транзистора IRF 740

Ниже приведена таблица, в которой сравниваются основные характеристики нескольких аналогов транзистора IRF 740:

Модель	Тип	Максимальное напряжение сток-исток (V_DS)	Максимальный ток сток-исток (I_D)	Максимальная мощность (P_D)
IRF 530	N-канал	100 В	14 А	104 Вт
IRF 540	N-канал	100 В	28 А	125 Вт
IRL 540	N-канал	100 В	20 А	125 Вт
IRF 640	N-канал	200 В	18 А	150 Вт

Из таблицы видно, что аналоги транзистора IRF 740 обладают различными характеристиками в зависимости от модели. Например, транзисторы IRF 530 и IRL 540 имеют максимальный ток сток-исток 14 А и 20 А соответственно, что может быть необходимо при выборе аналога для конкретного применения. Также важными характеристиками являются максимальное напряжение сток-исток и максимальная мощность. В зависимости от требуемых параметров, можно выбрать наиболее подходящий аналог транзистора IRF 740.

Необходимо помнить, что замена транзистора IRF 740 аналогом должна быть произведена с учетом требований конкретного электрического схемотехнического решения. Поэтому перед заменой транзистора, рекомендуется провести анализ схемы и подобрать наиболее подходящий аналог, учитывая все необходимые параметры и требования.

Преимущества использования транзистора IRF 740

Транзистор полевой IRF 740 имеет ряд преимуществ, которые делают его популярным и широко используемым в различных электронных схемах и устройствах. Вот некоторые из них:

Высокая мощность. Транзистор IRF 740 имеет высокий предел тока и напряжения, что позволяет использовать его для работы с большими электрическими нагрузками.
Низкое сопротивление. Использование транзистора IRF 740 позволяет минимизировать потери энергии на преодоление сопротивления транзистора, что повышает эффективность работы устройства.
Высокая скорость переключения. IRF 740 обладает высокой скоростью переключения, что позволяет быстро изменять состояние транзистора и обеспечивает быструю передачу сигнала.
Широкий диапазон рабочих температур. Транзистор IRF 740 может работать в широком диапазоне температур, что делает его универсальным и применимым в различных условиях эксплуатации.
Надежность и долговечность. IRF 740 обладает высокой надежностью и долговечностью, что позволяет использовать его в различных электронных устройствах с длительным сроком эксплуатации.

Все эти преимущества делают транзистор полевой IRF 740 привлекательным для использования в различных электронных проектах, где требуются высокая мощность, низкое сопротивление и быстрая скорость переключения.

Замена транзистора IRF740: основные критерии выбора

При выборе аналога для замены транзистора IRF740 необходимо учесть несколько критериев:

Ток и напряжение: Подобрать замену с аналогичными характеристиками по току и напряжению
В случае IRF740, это 10 А и 400 В соответственно.
Тип транзистора: Обратить внимание на тип транзистора

IRF740 — это MOSFET транзистор с каналом типа N.
Расположение выводов: Проверить, что выводы заменяемого транзистора совпадают с выбранным аналогом
Также важно учитывать общую конфигурацию корпуса (TO-220, D2Pak, etc).
Мощность и теплопроизводительность: Учесть мощность, обратив внимание на параметры по тепловыделению (RDS(on), тепловое сопротивление и т.д.).
Цена: Сравнить цену аналога с ценой заменяемого транзистора.
Надежность и производительность: Посмотреть отзывы и рейтинги аналога, чтобы выбрать надежный транзистор с высокой производительностью.. Применение этих критериев поможет выбрать подходящую замену для транзистора IRF740 и обеспечить правильное функционирование вашей электронной схемы или устройства

Применение этих критериев поможет выбрать подходящую замену для транзистора IRF740 и обеспечить правильное функционирование вашей электронной схемы или устройства.

Характеристики IRF740

При ознакомлении с характеристиками полевого транзистора IRF740 изначально обращают внимание на его максимальные (предельно допустимые) характеристики. Затем, исходя из поставленной задачи, изучают электрические параметры

После этого переходят к графикам типовых выходных, передаточных и других характеристик. Рассмотрим основные фрагменты из DataSheet irf740 на русском языке.

Максимальные

Ниже представлены предельно допустимые значения МОП-транзистора IRF740. Не следует воспринимать их как основные, при которых mosfet будет работать стабильно. Превышение любого из них, даже на короткий промежуток времени, может привести к выходу устройства из строя.

Электрические

В электрических характеристиках IRF740 содержится информация проверенная производителем при определенных условия. Эти условия указываются дополнительно, в одном из столбцов таблицы. Например, из дополнительных условий можно узнать, что irf740 при напряжении 400 вольт между стоком-истоком, при отсутствующем напряжении на затворе, начинает проводить слабый ток — 250 микроампер.

Тепловые параметры

Основным параметром, который ограничивает применение полевого транзистора, является его рабочая температура. А точнее её увеличение, которое связанно с ростом сопротивления транзистора при прохождении через него электрического тока. Несмотря на низкое сопротивление mosfet, на нём все равно рассеивается некоторая мощность, из-за этого он нагревается. Для упрощения расчётов связанных с нагревом IRF740, в даташит приводятся значения его тепловых сопротивлений: от кристалла к корпусу (Junction-to-Case ) и от корпуса в окружающую среду (Junction-to-Ambient).

Неправильные расчеты тепловых параметров для использования в проектах и плохая пайка приводит к перегреву mosfet. На одном из форумов радиолюбитель жаловался на то, что в собранной им схеме металлоискатель пират на irf740 сильно греется. После продолжительных разбирательств причина перегрева выяснилась и оказалась самой банальной – плохая пайка прибора на плату и охлаждение.

Как проверить устройство с помощью мультиметра

Основная часть полевиков проверяется с помощью стандартного мультиметра. Первым делом нужно проверить, как работает так называемый диод-паразит, соединяющий выводы истока и стока. Далее — проверьте как мофсет открывают и закрывают одновременным быстрым прикосновением щупов оборудования к контактам G и S.

Если такая подача положительного заряда на первый вывод открывает транзистора, а между первым и вторым возникает короткое замыкание, значит, устройство находится в рабочем состоянии. При проблемах с его открытием, он нерабочий.

Но чтобы провести полноценную проверку мофсета, не достаточно одного мультиметра. Чтобы его открыть, на затворе должно быть напряжение максимум 4-5 В, а мультиметр выдает всего лишь 0,3. Так что, для проверки нужен запас источников питания, к примеру, стандартная крона.

Если быстро коснуться с помощью “минусовой” клеммы этой кроны контакта И, или “плюсово” — G, открывается транзистора. При этих условиях ток движется в 2 направлениях, можно сказать об исправности транзистора. До проверки на степени закрытия и открытия, проверьте, исправен ли паразитный диод. Взгляните на схему.

Irf740 mosfet datasheet, pinout, features & applications

Как выбрать аналог для замены транзистора IRF 740

Популярные аналоги транзистора IRF 740

MOSFET-транзистор — влияние резистора затвора