Транзистор irf640: характеристики, цоколевка, аналоги

Принцип работы и область применения

Главная особенность транзистора IRF640 заключается в его способности управлять большими токами и выдерживать высокое напряжение. Он может справляться с нагрузками до 18 ампер и выдерживать напряжение до 200 вольт. Эта высокая мощность делает его идеальным для использования во многих устройствах, где требуется управление большими электрическими нагрузками.

Транзистор IRF640 находит широкое применение в электрических и электронных схемах, включая импульсные источники питания, моторные контроллеры, устройства модуляции и др. Благодаря своим высоким характеристикам он может быть использован во многих различных проектах, требующих мощные коммутационные устройства.

Преимущества	Область применения
Высокая мощность	Импульсные источники питания
Высокое напряжение	Моторные контроллеры
Быстрая коммутация	Устройства модуляции

Область применения транзистора IRF640 может быть очень широкой, и он является полезным элементом во многих электронных проектах. Его уникальные характеристики позволяют ему обеспечивать надежность и эффективность в системах требующих контроля над большими токами и напряжением.

IRF640NS Datasheet (PDF)

0.1. irf640nlpbf irf640npbf irf640nspbf.pdf Size:336K _international_rectifier

PD — 95046AIRF640NPbFIRF640NSPbFl Advanced Process Technology IRF640NLPbFl Dynamic dv/dt RatingHEXFET Power MOSFETl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingDVDSS = 200Vl Fully Avalanche Ratedl Ease of Parallelingl Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.15Gl Lead-FreeDescriptionID = 18AFifth Generation HEXFET Power MOSFETs fromSInternational Rectif

0.2. irf640npbf irf640nspbf irf640nlpbf.pdf Size:336K _infineon

0.3. irf640ns.pdf Size:228K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF640NSFEATURESWith TO-263( DPAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

Цоколевка транзистора IRF640

Транзистор IRF640 имеет стандартную цоколевку TO-220AB, которая состоит из трех выводов.

Первый вывод (G) предназначен для подключения к входу управления транзистора, который может использоваться для управления его работой.

Второй вывод (D) является выходом транзистора и используется для управления нагрузкой, к которой подключается транзистор.

Третий вывод (S) предназначен для подключения к общему источнику питания и нагрузке.

Надежное и правильное подключение транзистора к соответствующим выводам необходимо для его нормальной работы и предотвращения возможных повреждений.

IRF640NPBF Datasheet (PDF)

0.1. irf640nlpbf irf640npbf irf640nspbf.pdf Size:336K _international_rectifier

0.2. irf640npbf irf640nspbf irf640nlpbf.pdf Size:336K _infineon

7.1. irf640n.pdf Size:155K _international_rectifier

PD — 94006IRF640NIRF640NSIRF640NL Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingD 175C Operating TemperatureVDSS = 200V Fast Switching Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.15 Ease of ParallelingG Simple Drive RequirementsDescriptionID = 18AFifth Generation HEXFET Power MOSFETs from SInternational Rectifier utilize advanced processi

7.2. irf640ns.pdf Size:228K _inchange_semiconductor

7.3. irf640nl.pdf Size:244K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF640NLFEATURESWith TO-262 packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR

7.4. irf640n.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF640NIIRF640NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 150mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITION Efficient and reliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Преимущества и недостатки транзистора IRF640

Преимущества:

Высокая нагрузочная способность. Транзистор IRF640 способен выдерживать большие токи и напряжения, поэтому его можно применять в мощных схемах.
Низкое сопротивление в открытом состоянии. Значение RDS(on) для IRF640 составляет всего несколько десятков миллиомов, что позволяет использовать транзистор в схемах с минимальными потерями.
Хорошая тепловая стабильность. Благодаря особенностям конструкции и материала корпуса, транзистор IRF640 имеет высокий коэффициент теплопроводности и может эффективно расеивать тепло.

Недостатки:

Большие габариты. Корпус транзистора IRF640 имеет достаточно большие размеры, что может быть неудобным при использовании в некоторых схемах или устройствах с ограниченными размерами.
Отсутствие встроенной защиты от перегрева и перенапряжений. В отличие от некоторых других транзисторов, IRF640 не имеет встроенных механизмов защиты, поэтому необходимо самостоятельно предусмотреть соответствующие меры для защиты его от перегрузок и повреждений.
Высокие затраты на производство. В связи с особенностями технологии изготовления, транзистор IRF640 имеет более высокую стоимость в сравнении с некоторыми аналогами.

Перед использованием транзистора IRF640 в своих проектах, следует учитывать все его характеристики и особенности, чтобы правильно оценить его преимущества и недостатки и выбрать наиболее подходящее применение.

IRFS640 Datasheet (PDF)

0.1. irfs640 irfs641.pdf Size:301K _1

0.2. irfs640b.pdf Size:922K _fairchild_semi

November 2001IRF640B/IRFS640B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 18A, 200V, RDS(on) = 0.18 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 45 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 45 pF)This advanced technology has been especially tailored to

0.3. irf640b irfs640b.pdf Size:916K _fairchild_semi

0.4. irfs640a.pdf Size:508K _samsung

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.18 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 9.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) : 0.144 (Typ. )1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic

Советы по выбору и монтажу транзистора IRF640

При выборе и монтаже транзистора IRF640 рекомендуется учитывать несколько важных моментов:

Ток и напряжение: перед выбором транзистора IRF640 необходимо убедиться, что его параметры по току и напряжению соответствуют требуемым значениям для вашей задачи

Проверьте документацию на транзистор на наличие этих параметров.
Охлаждение: важно учитывать, что токи, проходящие через транзистор, могут вызывать его нагревание. Обеспечьте достаточное охлаждение, используя радиатор или теплоотвод

Учтите тепловые потери и выберите радиатор подходящего размера.
Монтаж: перед выполнением монтажа транзистора IRF640, проверьте правильность цоколевки. Убедитесь, что вы правильно подключили транзистор к схеме, следуя схематической диаграмме или инструкции производителя.
Сигнальная изоляция: при необходимости изоляции сигналов, используйте специальные модули или оптопары для подключения транзистора. Это поможет предотвратить возникновение помех и обеспечит более надежную работу системы.
Проверка: после монтажа транзистора IRF640 проведите проверку работы системы. Тщательно измерьте напряжение, токи и другие параметры, чтобы убедиться, что все соответствует ожиданиям.

Следуя этим советам, вы сможете успешно выбрать и монтировать транзистор IRF640 для вашей задачи. Не забывайте следовать инструкциям производителя и быть внимательными при работе с электронными компонентами. Удачи!

In Stock: 15767

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Проверка полевого MOSFET транзистора цифровым мультиметром

Для примера возьмем полевой МОП-транзистор с каналом n-типа IRF 640. Условно-графическое обозначение такого транзистора и его цоколевку вы видите на следующем рисунке.

Перед началом проверки транзистора замкните все его выводы между собой, что бы снять возможный заряд с транзистора.

Проверка встроенного диода

Для начал следует подготовить мультимер и перевести его в режим проверки диодов. Для этого переключатель режимов/пределов установите в положение с изображением диода.

В этом режиме мультиметр при подключении диода в прямом направлении (плюс прибора на анод, минус прибора на катод) показывает падение напряжения на p-n переходе диода. При включении диода в обратном направлении мультиметр показывает «1».

Итак, подключаем щупы мультиметра, как было сказано выше, в прямом включении диода. Таким образом, красный шум (+) подключаем на исток, а черный (-) на сток.

Мультиметр должен показать падение напряжение на переходе порядка 0,5-0,7.

Меняем полярность подключения встроенного диода, при этом мультиметр, при исправности диода покажет «1».

Проверка работы полевого МОП транзистора

Проверяемый нами МОП-транзистор имеет канал n-типа, поэтому, что бы канал стал электропроводен необходимо на затвор транзистора относительно истока либо стока подать положительный потенциал. При этом электроны из подложки переместятся в канал, а дырки будут вытолкнуты из канала. В результате канал между истоком и стоком станет электропроводен и через транзистор потечет ток.

Для открытия транзистора будет достаточно напряжения на щупах мультиметра в режиме прозвонки диодов.

Поэтому черный (отрицательный) щуп мультиметра подключаем на исток (или сток), а красным касаемся затвора.

Если транзистор исправен, то канал исток-сток станет электропроводным, то есть транзистор откроется.

Теперь если прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет какое-то значение падение напряжения на канале, в виду того, что через транзистор потечет ток.

Таким образом черный щуп транзистора ставим на исток, а красный на сток и мультиметр покажет падение напряжение на канале.

Если поменять полярность щупов, то показания мультиметра будут примерно одинаковыми.

Что бы закрыть транзистор достаточно относительно истока на затвор подать отрицательный потенциал.

Следовательно, подключаем положительный (красный) щуп мультиметра на исток, а черным касаемся затвор.

При этом исправный транзистор закроется. И если после этого прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет лишь падение напряжения на встроенном диоде.

Если транзистор управляется напряжением с мультиметра (то есть открывается и закрывается), значит можно сделать вывод, что транзистор исправен.

Проверка полевого МОП – транзистора с каналом p-типа осуществляется подобным образом. За тем исключением, что во всех пунктах проверки полярность подключения щупов меняется на противоположную.

Более подробно и просто всю методику проверки полевого транзистора я изложил в следующем видеоуроке: