TIP147T Datasheet (PDF)
0.1. tip142t tip147t.pdf Size:57K _st
TIP142TTIP147TCOMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORS STM PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION LOW VOLTAGE HIGH CURRENT HIGH GAINAPPLICATIONS 32 GENERAL PURPOSE SWITCHING 1DESCRIPTION TO-220The TIP142T is a silicon epitaxial-base NPNpower transistor in monolithic Darlingtonconfiguration, mo
8.1. tip140 tip141 tip142 tip145 tip146 tip147 .pdf Size:48K _st
TIP140/141/142TIP145/146/147COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS TIP141, TIP142, TIP145 AND TIP147 ARESTMicroelectronics PREFERREDSALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE 32APPLICATIONS 1 LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENT TO-218DESCRIPTION The TI
8.2. tip140 tip141 tip142 tip145 tip146 tip147.pdf Size:68K _st
TIP140/141/142TIP145/146/147COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS TIP141, TIP142, TIP145 AND TIP147 ARESGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE 3APPLICATIONS 2 LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL1EQUIPMENT TO-218DESCRIPTION The TIP140, TIP141
8.3. tip147f.pdf Size:62K _fairchild_semi
TIP145F/146F/147FMonolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = -4V, IC = -5A (Min.) Industrial Use Complement to TIP140F/141F/142FTO-3PF11.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedEquivalent CircuitCSymbol Parameter Value
8.4. tip140-tip147.pdf Size:321K _cdil
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS TIP140, 141, 142 NPNTIP145, 146, 147 PNPTO- 3PN Non IsolatedPlastic PackageDesigned for General Purpose Amplifier and Low Frequency Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL TIP140 TIP141 TIP142 UNITTIP145 TIP146 TIP147C
8.5. tip147.pdf Size:222K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor TIP147DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = -5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -100V(Min)CEO(SUS)Complement to Type TIP142Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and lowfrequency switching applic
Другие транзисторы… TIP145
, TIP145F
, TIP145T
, TIP146
, TIP146F
, TIP146T
, TIP147
, TIP147F
, , TIP150
, TIP151
, TIP152
, TIP160
, TIP161
, TIP162
, TIP29
, TIP2955
.
Список деталей для схемы усилителя
Резисторы (0,25Вт):
- R1 = 22 К;
- R2 = 2,2 К / 1 Ватт;
- R3 = 2.7 К;
- R4 = 100 Ом;
- R5 = 8,2 К;
- R6 = 470 Ом;
- R7, R8 = 1 К / 1 Ватт;
- R9, R10 = 1 Ом / 1 Ватт;
- R11 = 1 Ом / 1 Ватт.
Конденсаторы:
- C1 = 10 мкФ / 16 В;
- C2 = 470 мкФ / 6.3В;
- C3 = 220 пФ;
- C4 = 220 мкФ / 40 В;
- C5 = 100 пФ;
- C6 = 470 нФ;
- C7 = 100 нФ / 100 В;
- C8 = 220 нФ;
- C9, C10 = 1 мкФ / 63 В (не электролит);
- C11, C12 = 220 мкФ / 63В.
Транзисторы и диоды:
- D1 = стабилитрон на 12В / 500мВт (ZPD 12V);
- D2, D3, D4 = 1N4001 (или подобные);
- D5, D6, D7, D8 = BY 550-50 (или подобные);
- T1, T2 = BC556B;
- T3 = BD241C;
- T4 = TIP142;
- T5 = TIP147.
Рис. 5. Цоколевка транзистора BC556B из даташита ONSemi.
Перед установкой транзисторов прозвоните их выводы тестером и убедитесь что они совпадают с заявленной цоколевкой, это касается BC556, BC556B.
Как пользоваться цифровым мультиметром
Для того чтобы провести измерения, тестер подключается набором проводов к измеряемому элементу. На одном конце каждого из проводов находится штекер, предназначенный для установки в гнездо измерителя, а на другом — контактный щуп. Порядок измерения электронным мультиметром в общем виде можно представить в виде следующих действий:
- Включить устройство, нажав на кнопку ON/OFF.
- Вставить штекера проводов в соответствующие гнёзда на панели. COM — общее гнездо для подключения щупа. V/Ω — положительное гнездо для подключения щупа.
- Поворотный выключатель установить в положение диодной прозвонки «o)))».
- Прижать измерительные щупы к выводам прибора.
- Снять показания с экрана.
TIP147F Datasheet (PDF)
0.1. tip147f.pdf Size:62K _fairchild_semi
TIP145F/146F/147FMonolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = -4V, IC = -5A (Min.) Industrial Use Complement to TIP140F/141F/142FTO-3PF11.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedEquivalent CircuitCSymbol Parameter Value
8.1. tip140 tip141 tip142 tip145 tip146 tip147 .pdf Size:48K _st
TIP140/141/142TIP145/146/147COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS TIP141, TIP142, TIP145 AND TIP147 ARESTMicroelectronics PREFERREDSALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE 32APPLICATIONS 1 LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENT TO-218DESCRIPTION The TI
8.2. tip140 tip141 tip142 tip145 tip146 tip147.pdf Size:68K _st
TIP140/141/142TIP145/146/147COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS TIP141, TIP142, TIP145 AND TIP147 ARESGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE 3APPLICATIONS 2 LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL1EQUIPMENT TO-218DESCRIPTION The TIP140, TIP141
8.3. tip142t tip147t.pdf Size:57K _st
TIP142TTIP147TCOMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORS STM PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION LOW VOLTAGE HIGH CURRENT HIGH GAINAPPLICATIONS 32 GENERAL PURPOSE SWITCHING 1DESCRIPTION TO-220The TIP142T is a silicon epitaxial-base NPNpower transistor in monolithic Darlingtonconfiguration, mo
8.4. tip140-tip147.pdf Size:321K _cdil
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS TIP140, 141, 142 NPNTIP145, 146, 147 PNPTO- 3PN Non IsolatedPlastic PackageDesigned for General Purpose Amplifier and Low Frequency Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL TIP140 TIP141 TIP142 UNITTIP145 TIP146 TIP147C
8.5. tip147.pdf Size:222K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor TIP147DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = -5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -100V(Min)CEO(SUS)Complement to Type TIP142Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and lowfrequency switching applic
Графические данные
Рис. 1. Типичные зависимости коэффициента усиления по постоянному току hFE от коллекторной нагрузки IC.
Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. При этом коллекторное напряжение UCE = 3 В. Рис
2. Зависимости напряжения насыщения транзистора UCE(sat) от коллекторной нагрузки IC
Рис. 2. Зависимости напряжения насыщения транзистора UCE(sat) от коллекторной нагрузки IC.
Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы IB соотносится с током коллектора ICкак 1:100. Рис
3. Зависимости напряжения насыщения базы UBE(sat) от коллекторной нагрузки IC
Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения базы UBE(sat) от коллекторной нагрузки IC.
Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы IB соотносится с током коллектора ICкак 1:100. Рис
4. Зависимости входной Cib и выходной Cob емкостей от обратных напряжений, приложенных к коллекторному и базовому p-n переходам UCB и UEB
Рис. 4. Зависимости входной Cib и выходной Cob емкостей от обратных напряжений, приложенных к коллекторному и базовому p-n переходам UCB и UEB.
Зависимости сняты при частоте приложенных напряжений f = 0,1 МГц.
Рис. 5. Ограничение предельной рассеиваемой мощности PC транзистора при возрастании температуры коллекторного перехода TC.
Рис. 6. Области безопасной работы транзистора.
Области безопасной работы ограничиваются:
- по напряжению — величиной напряжения коллектор-эмиттер, чреватой невосстановимым пробоем п/п структуры транзистора;
- по величине тока – предельным значением тока в цепи коллектор-эмиттер, при котором происходит локальный перегрев и прожигание п/п структуры;
- по величине рассеиваемой мощности – предельным значением, при котором в результате перегрева параметры транзистора безвозвратно изменяются в сторону их ухудшения.
Графические характеристики сняты при различных значениях предельной импульсной мощности в режимах с однократными неповторяющимися импульсами тока длительностей 100 мкс, 500 мкс, 1 мс, 5 мс, а также при постоянном токе (на графике обозначен как DC).
Технические характеристики
- Выходная мощность на нагрузку 8 Ohm — 40W;
- Выходная мощность на нагрузку 4 Ohm — 60W;
- Чувствительность по входу: 35mV с выходной мощностью 40W при 8 Ohm;
- Чувствительность по входу: 42mV с выходной мощностью 60W при 4 Ohm;
- Отзывчивость по частотам: 50Hz-20KHz — 0.5dB; -1.5dB — 40Hz; -3.5dB — 30Hz;
- THD при 1KHz и 8 Ohm нагрузке: меньше 0.1% вплоть до 10W; 0.2% при 30W;
- THD при 10KHz и 8 Ohm нагрузке: меньше 0.15% вплоть до 10W; 0.3% при 30W;
- THD при 1KHz и 4 Ohm нагрузке: меньше 0.18% вплоть до 10W; 0.4% при 60W;
- THD при 10KHz и 4 Ohm нагрузке: меньше 0.3% вплоть до 10W; 0.6% при 60W;
- Регулировка ВЧ: +9/-16dB @ 1KHz; +12/-24dB @ 10KHz;
- Регулировка НЧ: -17.5dB @ 100Hz; -26dB @ 50Hz; -28dB @ 40Hz;
- Регулировка яркости: +6.5dB @ 500Hz; +7dB @ 1KHz; +8.5dB @ 10KHz.
Тепловые характеристики
Главный параметр, ограничивающий использование полевика — температура, необходимая для его нормальной работы, то есть, ее возрастание. Оно зависит от сопротивления прибора, когда сквозь него проходит электричество. Если оно небольшое, все равно присутствует небольшая рассеивающаяся мощность, что и вызывает нагрев.
Чтобы упростить расчеты, зависящие от нагревания IRF740, а в datasheet прописаны показатели его теплового сопротивления: от кристалла к корпусу и кристалл-внешняя среда.
Неверные вычисления тепловых характеристик для применения в проектах и неправильная пайка вызывают перегревание транзисторов. Как-то раз я читал радиолюбительский форум, и там один из участников говорил, что в сформированной им схеме пиратский металлоискатель слишком нагрет. Электронщик долго разбирался, и оказалось, что дело в некачественной пайке устройства на плату и снижение температуры.
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые планарно-эпитаксиальные, NPN, составные, импульсные. Разработаны для применения в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, переключающих устройствах и других схемах аппаратуры широкого применения.
Отечественное производство
Модель | PC * | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | CC, pF | hFE | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TIP122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | 300 | ≥ 1000 | TO-220 | |
КТ716А/Б | 60 | 100/80 | 100/80 | 5 | 8/10 | 150 | 6 | 150 | от 500 до 750 | TO-220, TO-66 |
КТ8116А/Б | 65 | 100 | 5 | 4 | — | 1000 | TO-220 | |||
КТ8116А/Б | 25 | 100 | 3 | 4 | — | 1000 | DPAK | |||
КТ8141А | 60 | 100 | 100 | 8 | 7 | — | 750 | TO-220 | ||
КТ8147А/Б | 100 | 700/500 | — | 8 | 10 | 5 | — | 5 | — | |
КТ8158В | 125 | 100 | 100 | 5 | 12 | 5 | — | 2500 | TO-218 |
Зарубежное производство
Модель | PC * | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TIP122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | ≥ 1000 | TO-220 |
NTE261 | 65 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
NTE263 | 65 | 100 | 100 | 5 | 10 | 150 | 1000 | TO-220 |
RCA122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
SE9302 | 70 | 100 | 100 | 5 | 10 | 150 | 1000 | TO-220 |
TIP102 | 80 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
TIP132 | 70 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
WW263 | 65 | 100 | 100 | 5 | 10 | 150 | 1000 | TO-220 |
2N6045G | 75 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220AB |
2SD498 | 75 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
3DA122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | 1000 | TO-220 |
3DA142T | 80 | 100 | 100 | 5 | 10 | 150 | 1000 | TO-220 |
3DD122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | 1000 | TO-220 |
BDW93C | 80 | 100 | 100 | 5 | 12 | 150 | 15000 | TO-220 |
CFD811 | 65 | 110 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220FP |
HEPS9151 | 65 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
HP102 | 80 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
HP122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | 1000 | TO-220 |
HP142T/TS | 80/70 | 100 | 100 | 5 | 10/8 | 150 | 1000 | TO-220 |
MJE6045/T | 75 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 TO-220AB |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташит производителя.
Цоколевка
У биполярных транзисторов средней и большой мощности цоколевка одинаковая в основном, слева направо — эмиттер, коллектор, база. У транзисторов малой мощности лучше проверять
Это важно, так как при определении работоспособности, эта информация нам понадобится
Внешний вид биполярного транзистора средней мощности и его цоколевка
То есть, если вам необходимо определить рабочий или нет биполярный транзистор, нужно искать его цоколевку. Хотите убедиться или не знаете, где «лицо», то ищите информацию в справочнике или наберите на компьютере «имя» вашего полупроводникового прибора и добавьте слово «даташит». Это транслитерация с английского Datasheet, что переводится как «технические данные». По этому запросу вам в выдаче будет перечень характеристик прибора и его цоколёвка.
In Stock: 5512
United States
China
Canada
Japan
Russia
Germany
United Kingdom
Singapore
Italy
Hong Kong(China)
Taiwan(China)
France
Korea
Mexico
Netherlands
Malaysia
Austria
Spain
Switzerland
Poland
Thailand
Vietnam
India
United Arab Emirates
Afghanistan
Åland Islands
Albania
Algeria
American Samoa
Andorra
Angola
Anguilla
Antigua & Barbuda
Argentina
Armenia
Aruba
Australia
Azerbaijan
Bahamas
Bahrain
Bangladesh
Barbados
Belarus
Belgium
Belize
Benin
Bermuda
Bhutan
Bolivia
Bonaire, Sint Eustatius and Saba
Bosnia & Herzegovina
Botswana
Brazil
British Indian Ocean Territory
British Virgin Islands
Brunei
Bulgaria
Burkina Faso
Burundi
Cabo Verde
Cambodia
Cameroon
Cayman Islands
Central African Republic
Chad
Chile
Christmas Island
Cocos (Keeling) Islands
Colombia
Comoros
Congo
Congo (DRC)
Cook Islands
Costa Rica
Côte d’Ivoire
Croatia
Cuba
Curaçao
Cyprus
Czechia
Denmark
Djibouti
Dominica
Dominican Republic
Ecuador
Egypt
El Salvador
Equatorial Guinea
Eritrea
Estonia
Eswatini
Ethiopia
Falkland Islands
Faroe Islands
Fiji
Finland
French Guiana
French Polynesia
Gabon
Gambia
Georgia
Ghana
Gibraltar
Greece
Greenland
Grenada
Guadeloupe
Guam
Guatemala
Guernsey
Guinea
Guinea-Bissau
Guyana
Haiti
Honduras
Hungary
Iceland
Indonesia
Iran
Iraq
Ireland
Isle of Man
Israel
Jamaica
Jersey
Jordan
Kazakhstan
Kenya
Kiribati
Kosovo
Kuwait
Kyrgyzstan
Laos
Latvia
Lebanon
Lesotho
Liberia
Libya
Liechtenstein
Lithuania
Luxembourg
Macao(China)
Madagascar
Malawi
Maldives
Mali
Malta
Marshall Islands
Martinique
Mauritania
Mauritius
Mayotte
Micronesia
Moldova
Monaco
Mongolia
Montenegro
Montserrat
Morocco
Mozambique
Myanmar
Namibia
Nauru
Nepal
New Caledonia
New Zealand
Nicaragua
Niger
Nigeria
Niue
Norfolk Island
North Korea
North Macedonia
Northern Mariana Islands
Norway
Oman
Pakistan
Palau
Palestinian Authority
Panama
Papua New Guinea
Paraguay
Peru
Philippines
Pitcairn Islands
Portugal
Puerto Rico
Qatar
Réunion
Romania
Rwanda
Samoa
San Marino
São Tomé & Príncipe
Saudi Arabia
Senegal
Serbia
Seychelles
Sierra Leone
Sint Maarten
Slovakia
Slovenia
Solomon Islands
Somalia
South Africa
South Sudan
Sri Lanka
St Helena, Ascension, Tristan da Cunha
St. Barthélemy
St. Kitts & Nevis
St. Lucia
St. Martin
St. Pierre & Miquelon
St. Vincent & Grenadines
Sudan
Suriname
Svalbard & Jan Mayen
Sweden
Syria
Tajikistan
Tanzania
Timor-Leste
Togo
Tokelau
Tonga
Trinidad & Tobago
Tunisia
Turkey
Turkmenistan
Turks & Caicos Islands
Tuvalu
U.S. Outlying Islands
U.S. Virgin Islands
Uganda
Ukraine
Uruguay
Uzbekistan
Vanuatu
Vatican City
Venezuela
Wallis & Futuna
Yemen
Zambia
Zimbabwe
Quantity
Quick RFQ
Рабочие режимы IRF740
Uзи (напряжение) бывает или нулевым, или обратным. Второе помогает прикрыть транзистор, поэтому и применяется внутри усилителей группы А и иных схемах с плавным регулированием.
В так называемом режиме отсечки Uзи=Uотсечки. Тогда для всех приборов оно разное, хоть и прилагается в обратную сторону.
Типы подключений
По аналогии с биполярниками, у рассматриваемого устройства есть 3 варианта подключения:
- С одним истоком. Самая распространенная схема, усиливает ток и мощность.
- С одним затвором. Непопулярный вариант. Небольшое напряжение входа, усиление отсутствует.
- С одним стоком. Напряжение усиливается почти на 100%, сильное сопротивление входа, маленькое — выхода. По-другому схема называется токовым повторителем.
Примеры обозначения приборов:
КТ937А-2 — кремниевый биполярный, большой мощности, высокочастотный, номер разработки 37, группа А, бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержателе (см рисунок в начале статьи).
Биполярные транзисторы, разработанные до 1964 г. и выпускаемые по настоящее время, имеют систему обозначений, включающую в себя два или три элемента.
Первый элемент обозначения
— буква П, характеризующая класс биполярных транзисторов, или две буквы МП — для транзисторов в корпусе, герметизируемом способом холодной сварки.
Второй элемент
— двух- или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и указывает на подкласс транзистора по роду исходного полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной частоты:
● от 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы;
● от 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы;
● от 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы;
● от 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы;
● от 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы;
● от 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы;
● от 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы;
● от 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Полевики с обособленным затвором
Эти устройства часто используются как полупроводниковые управляющиеся ключи. Как правило, они функционируют в режиме ключа. Есть 2 положения — включить и выключить 3 названия:
- МДП, что означает присутствие в устройстве диэлектрического материала, полупроводника и металла.
- МОП. В него входит окислительный элемент, полупроводник и металл.
- МОФСЕТ:metal-oxide-semiconductor.
Все перечисленное — только варианты одного и того же наименования. Окислительный, или диэлектрический элемент — это, по сути, изолятор затвора. Он находится между самим затвором и n-участком. Это пространство белого цвета, с точечками, состоящее из кремниевого диоксида.
Диэлектрик не допускает электрического контакта подложки и затворного электрода. Он функционирует не так, как p-n переход, по принципу расширения канального перекрытия и перехода. Устройство действует за счёт смены концентрации полупроводниковых переносчиков заряда под влиянием внешнего электрополя.
Есть 2 вида распространённых транзисторов МОП: с индукционным и встроенным каналами.
Со встроенным
Принцип действия такого прибора аналогичен полевому транзистору с управлением от p-n перехода при нулевом напряжении затвора. Ток при этом течёт через ключ.
Транзисторы с внутренним каналом
Возле истока и стока есть 2 области с большим количеством заряженных примесей, имеющих повышенную проводимость. Здесь подложкой является p-основание.
Кристалл соединяется с истоком, поэтому на большей части условных графиков он так и изображен. Когда напряжение на затворе повышается, в канале появляется поперечное электрополе, отталкивающее Электроны. Происходит закрытие канала, когда достигается порог Uзи.
Когда подается отрицательное напряжение затвора — истока, стоковая сила тока уменьшается. Транзистор закрывается. Это называется режимом обеднения. Если же подаётся напряжение со знаком «+», на затворе и истоке осуществляется обратное: за счет притягивания электронов возрастает сила тока. Это явление именуют режимом обогащения.
Все описанное подходит к транзисторам типа n, с внутренним каналом. В случае с p происходит замена электронов так называемыми дырками, и происходит изменение полярности напряжения на другой знак.
С индуктивным каналом
В таких транзисторах не протекает ток, если нет напряжения затвора. Если сказать точнее, ток очень небольшой, поскольку он является обратным от подложки — к высоко легированным элементам стока и истока.
Если напряжение есть, мы имеем дело с вариантом канала индукции, где под влиянием поля заряды со знаком «-» попадают на территорию затвора. Это означает появление электронного коридора между истоком и стоком. При появлении канала происходит открытие транзистора и протекание через него электричества.
Приведем пример практического применения высокого сопротивления выхода. Устройства с такими свойствами довольно популярны. Это согласующие приборы, которыми проводится подключение электроакустики — гитар с пьезозвукоснимающими приборами и электрических гитар с электромагнитными снимателями звука, к входам с маленькими сопротивлениями
От невысокого сопротивления может произойти просадка сигнала выхода. Его форма может меняться в разных пределах, согласно частоте сигнала. Это можно предотвратить введением каскада невысокого сопротивления входа. Таким способом удобно подключаются электрогитары к линейным входам компьютерных видеокарт. Это делает звук более ярким, а тембр — насыщенным.
Достоинства и недостатки
Основной плюс всех ролевиков — высокий уровень входного сопротивления. Сопротивлением выхода называется соотношение силы тока с напряжением затвора-истока.
Суть работы прибора состоит в том, что им управляет электрическое поле, образующееся, когда прикладывается напряжение. Иными словами, полевиками управляет напряжение.
Полевики почти не тратят электричество, что уменьшает потери управления, изменение сигналов, перегруженность по току, исходящему от сигнального источника.
Средние показатели частоты полевиков намного превосходят биполярники. Это вызвано тем, что рассасывание заряда происходит быстрее. Ряд современных биполярников по основным характеристикам не уступают полевикам, за счет использования современных усовершенствованных технологий и сужения базы.
Транзисторы почти бесшумны. Дело в том, что в них практически нет инжекции заряда.
Устройство стабильно работает при температурных перепадах. Оно потребляет невысокую мощность состоянии проводника, что увеличивает КПД.
Основной минус — в том, что у таких транзисторов есть своего рода боязнь статики. То есть, если наэлектризовать руки и притронуться к прибору, он перестанет работать. Это называется результатом управления ключом посредством поля.
Поэтому для работы с транзисторами необходимы перчатки из диэлектрических материалов. Мало того, они должны заземляться с помощью специального браслета, с помощью паяльника с низким напряжением, у которого изолировано жало.
Транзисторные выводы нужно обмотать проволокой. Это приведёт к временному короткому замыканию при монтаже. Для современных приборов это почти безопасно, так как в них входят элементы для защиты, например, стабилитроны. Их задача — сработать при возрастании напряжения.
Бывают случаи, когда радиоэлектроники излишне опасаются, поэтому надевают на голову шапки, изготовленные из фольги. Инструкцию, конечно, нужно соблюдать, но это не говорит о том, что при минимальном отклонении от нее сразу сломается прибор.
Следующий пример применения транзистора
В данном примере мы имеем микрофон, соединенный с затвором полевого транзистора и лампу накаливания, подключенную к транзистору и повышенному источнику питания. Теперь при улавливании звука микрофоном, лампочка будет загораться. И чем громче будет звук, тем ярче будет светиться лампа.
Это происходит потому, что микрофон создает напряжение, поступающее на затвор полевого транзистора. При появлении сигнала на затворе происходит отпирание транзистора, в результате чего через транзистор начинает течь ток от стока к истоку.
Фактически, в этой схеме полевой транзистор играет роль усилителя сигнала. Для еще большего усиления можно использовать еще один транзистор.
Данная схема аналогична предыдущей, только теперь вместо лампы подключен электродвигатель. Это позволяет управлять скоростью вращения электродвигателя силой звука поступающего в динамик.
Чем громче вы кричите в микрофон, тем быстрее двигатель будет вращаться.
Как проверить устройство с помощью мультиметра
Основная часть полевиков проверяется с помощью стандартного мультиметра. Первым делом нужно проверить, как работает так называемый диод-паразит, соединяющий выводы истока и стока. Далее — проверьте как мофсет открывают и закрывают одновременным быстрым прикосновением щупов оборудования к контактам G и S.
Если такая подача положительного заряда на первый вывод открывает транзистора, а между первым и вторым возникает короткое замыкание, значит, устройство находится в рабочем состоянии. При проблемах с его открытием, он нерабочий.
Но чтобы провести полноценную проверку мофсета, не достаточно одного мультиметра. Чтобы его открыть, на затворе должно быть напряжение максимум 4-5 В, а мультиметр выдает всего лишь 0,3. Так что, для проверки нужен запас источников питания, к примеру, стандартная крона.
Если быстро коснуться с помощью “минусовой” клеммы этой кроны контакта И, или “плюсово” — G, открывается транзистора. При этих условиях ток движется в 2 направлениях, можно сказать об исправности транзистора. До проверки на степени закрытия и открытия, проверьте, исправен ли паразитный диод. Взгляните на схему.
TIP147 Datasheet (PDF)
0.1. tip140 tip141 tip142 tip145 tip146 tip147 .pdf Size:48K _st
TIP140/141/142TIP145/146/147COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS TIP141, TIP142, TIP145 AND TIP147 ARESTMicroelectronics PREFERREDSALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE 32APPLICATIONS 1 LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENT TO-218DESCRIPTION The TI
0.2. tip140 tip141 tip142 tip145 tip146 tip147.pdf Size:68K _st
TIP140/141/142TIP145/146/147COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS TIP141, TIP142, TIP145 AND TIP147 ARESGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE 3APPLICATIONS 2 LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL1EQUIPMENT TO-218DESCRIPTION The TIP140, TIP141
0.3. tip142t tip147t.pdf Size:57K _st
TIP142TTIP147TCOMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORS STM PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION LOW VOLTAGE HIGH CURRENT HIGH GAINAPPLICATIONS 32 GENERAL PURPOSE SWITCHING 1DESCRIPTION TO-220The TIP142T is a silicon epitaxial-base NPNpower transistor in monolithic Darlingtonconfiguration, mo
0.4. tip147f.pdf Size:62K _fairchild_semi
TIP145F/146F/147FMonolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = -4V, IC = -5A (Min.) Industrial Use Complement to TIP140F/141F/142FTO-3PF11.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedEquivalent CircuitCSymbol Parameter Value
0.5. tip140-tip147.pdf Size:321K _cdil
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS TIP140, 141, 142 NPNTIP145, 146, 147 PNPTO- 3PN Non IsolatedPlastic PackageDesigned for General Purpose Amplifier and Low Frequency Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL TIP140 TIP141 TIP142 UNITTIP145 TIP146 TIP147C
0.6. tip147.pdf Size:222K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor TIP147DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = -5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -100V(Min)CEO(SUS)Complement to Type TIP142Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and lowfrequency switching applic
Детали и конструкция
Электролитические конденсаторы в схеме усилителя и выпрямителя желательно установить на напряжение порядка 63В, как исключение на схеме (рисунок 1) — это C1 и C2.
В качестве выходных транзисторов TIP142, TIP147 можно попробовать использовать другую пару транзисторов с высоким коэффициентом усиления (DC Current Gain = 700-1000). Из отечественных могут подойти КТ825 + КТ827, правда выходная мощность в данном случае будет ограничена до 120 Ватт.
Рис. 3. Внешний вид составных транзисторов TIP142, TIP147.
Рис. 3. Печатная плата для мощного транзисторного УМЗЧ и расположение деталей на ней.
При работе усилителя выходные транзисторы будут рассеивать достаточно большое количество тепла, поэтому их необходимо установить на радиаторы с достаточной площадью тепловыделения, также не помешает дополнительное активное охлаждение в виде вентилятора(куллера).
Рис. 4. Крепление печатных плат с транзисторами к радиаторам.
Стоит заметить что при заметном нагреве диодов D2-D4 их не помешало бы установить на небольшой теплоотвод, это повысит термостабильность схемы.
Трансформатор блока питания должен обладать хорошим запасом мощности: 250-350 Ватт для одного канала, и 480-700 Ватт для стерео-варианта. Также можно использовать два отдельных трансформатора — по одному на каждый канал.
Напряжение каждой вторичной обмотки трансформатора должно быть примерно 34В, что после выпрямления и конденсаторов поднимется до 48-50В. По каждой линии питания выпрямителя 48В следует включить предохранитель на 5-6А, для двухканальной версии при питании от одного выпрямителя — 12А.