Транзистор bd140

Bd140 транзистор характеристики, datasheet, аналоги, цоколевка

Практика работы составного транзистора

На рис. 3 показаны три варианта построения выходного каскада (эмиттерный повторитель). При подборе транзисторов надо стремится к b1~b2 и b3~b4 . Различие можно компенсировать за счёт подбора пар по равенству коэффициентов усиления СТ b13~b24 (см. табл. 1).

  • Схема на рис. 3а имеет наибольшее входное сопротивление, но это худшая из приведённых схем: требует изоляцию фланцев мощных транзисторов (или раздельные радиаторы) и обеспечивает наименьший размах напряжения, поскольку между базами СТ должно падать ~2 В, в противном случае сильно проявятся искажения типа «ступенька».
  • Схема на рис. 3б досталась в наследство с тех времён, когда ещё не выпускались комплементарные пары мощных транзисторов. Единственный плюс по сравнению с предыдущим вариантом – меньшее падение напряжения ~1,8 В и больше размах без искажений.
  • Схема на рис. 3в наглядно демонстрирует преимущества СТШ: между базами СТ падает минимум напряжения, а мощные транзисторы можно посадить на общий радиатор без изоляционных прокладок.

На рис. 4 показаны два параметрических стабилизатора. Выходное напряжение для варианта с СТД равно:

Поскольку Uбэ гуляет в зависимости от температуры и коллекторного тока, то у схемы с СТД разброс выходного напряжения будет больше, а потому вариант с СТШ предпочтительней.

Рис. 3. Варианты выходных эмиттерных повторителей на СТ

Рис. 4. Применение СТ в качестве регулятора в линейном стабилизаторе

Для коммутации электромеханических приводов и, тем более, в импульсных схемах следует использовать готовые СТ с нормированными параметрами включения и выключения, паразитными ёмкостями. Типичный пример – широко распространённые импортные комплементарные СТД серии TIP12х.

Транзистор КТ815 (n-p-n типа).

КТ815 — кремниевый биполярный n-p-n транзистор низкочастотный средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-126, либо в корпусе D-PAK для поверхностного монтажа (в наименовании суффикс 9, например, КТ815А9).

Назначение: КТ815 -транзистор широкого применения для использования в ключевых и линейных схемах.

Типы: КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г

Комплементарная пара: КТ814 (pnp транзистор с такими же характеристиками)

Аналог: BD135, BD137, BD139

Цоколевка КТ815: Э-К-Б , смотри рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)

Модификации и группы транзистора B772

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT CC hFE Корпус
2SB772 12,5 (1,25) 60 30 5 3 150 50 60 TO-126
2SB772 (R, O, Y, GR) 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 40 55 160 TO-126
BTB772ST3 10,0 (1,0) 40 30 5 2 150 80 55 180 TO-126
BTB772T3 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 180 TO-126
CSB772 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 TO-126
CSB772 (P, Q, R, E) 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 200 TO-126
FTB772 (1.25) 40 30 6 3 150 80 55 60 TO-126
KSB772 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 TO-126
KSB772 (R, O, Y, GR) 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 TO-126
KTB772 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 TO-126
PMB772 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 TO-126
ST2S772T 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 TO-126
TSB772CK 10,0 (1,0) 50 30 5 3 150 80 55 100 TO-126
B772C (1.25) 40 30 6 3 150 50 60 TO-126C
B772P 15,0 (1,25) 40 30 6 3 150 50 120 TO-126D
HSB772 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 100 TO-126ML
2SB772B 25,0 (2,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 TO-220
2SB772I 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 30 TO-251
B772PC 10,0 (1,0) 40 30 6 3 150 50 120 TO-251
BTB772I3 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 180 TO-251
WTP772 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 30 TO-251
2SB772D 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 TO-252
B772 (R, O, Y, GR) 10,0 (1,0) 40 30 6 3 150 50 60 TO-252
BTB772AJ3 15,0 (1,0) 50 30 7 3 150 190 33 180 TO-252
BTB772J3 10,0 (1,0) 40 30 6 3 150 80 55 180 TO-252
FTB772D 10,0 (1,0) 40 30 6 3 150 50 60 TO-252
GSTD772 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 60 TO-252
ST2SB772R 10,0 (1,0) 40 30 6 3 150 50 100 TO-252
B772M (1.25) 40 30 6 3 150 50 60 TO-252-2L
2SB772A (0.5) 70 60 6 3 150 50 60 SOT-89
2SB772GP (1.5) 40 30 5 3 150 100 55 160 SOT-89
2SB772T (0.5) 40 30 5 3 150 80 55 60 SOT-89
BTB772AM3 (2) 50 50 6 3 150 80 25 180 SOT-89
FTB772F (0.5) 40 30 6 3 150 50 60 SOT-89
GSTM772 (0.5) 40 30 5 3 150 80 60 SOT-89
KXA1502 (0.5) 40 20 5 1.5 150 100 20 160 SOT-89
L2SB772 (P, Q) (0.5) 40 30 6 3 150 50 160 SOT-89
ST2SB772U 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 SOT-89
ZX5T250 (0.5) 70 60 6 3 150 50 160 SOT-89
2SB772S (0.5) 40 30 5 3 150 80 45 100 SOT-89
ALJB772 (1) 40 30 6 1.5 150 100 200 TO-92
B772S (0.625) 40 30 6 3 150 50 60 TO-92
BTB772SA3 (0.75) 50 50 5 3 150 80 55 180 TO-92
GSTS772 (0.625) 40 30 5 3 150 80 60 TO-92
HB772S (0.75) 40 30 5 3 150 80 55 100 TO-92
HSB772S (0.75) 40 30 5 3 150 80 55 100 TO-92
TSB772SCT (0.625) 50 30 5 3 150 80 55 100 TO-92
2SB772L 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 TO-92LM
2SB772M (0.35) 40 30 5 3 150 80 45 100 SOT-23
B772SS 10,0 (0,35) 40 30 5 3 150 80 45 100 SOT-23
2SB772N 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 SOT-223
2SB772ZGP (1.5) 40 30 5 3 150 100 55 160 SOT-223

Примечения:

  1. Столбец корпуса. Уточнения для следующих корпусов: TO-251 или TO-252, TO-252  или DPAK, SOT-89 или TO-92.
  2. В столбце «Модель» в скобках указаны дополнительные символы, вводимые в обозначение транзистора в случаях, когда производитель классифицирует изделия по группам параметра hFE.
  3. В столбце мощности «PC Tc(Ta) = 25°С» в скобках указывается значение рассеиваемой мощности в режиме ограничения температуры внешней среды на уровне TA = 25°C.
  4. В режиме ограничения температуры корпуса транзистора TC = 25°C значение рассеиваемой мощности указывается в основном для транзисторов, выпускаемых в крупных корпусах, например, таких как TO-126. Поскольку такой температурный режим означает присутствие охладителя – устройства, стабилизирующего температуру корпуса, для транзисторов, выпускаемых в малоразмерных корпусах (TO-92, SOT-89), где применение охладителя на практике невозможно или нецелесообразно, значение рассеиваемой мощности для условия TC = 25°C большинством производителей не указывается.
  5. Иногда производитель выпускает изделие в корпусе версии повышенной мощности (например – TO-92LM). В этом случае указывается повышенное значение мощности рассеивания (см. таблицу, транзистор 2SB772L).

Соответствие: отечественный транзистор ⇒ импортный аналог

Транзистор Аналог
КТ209 MPS404
КТ368А9 BF599
КТ3102АМ КТ3102БМ КТ3102ВМ КТ3102ДМ BC547A BC547B BC548B BC549C
КТ3107БМ КТ3107ГМ КТ3107ДМ КТ3107ЖМ КТ3107ИМ КТ3107КМ КТ3107ЛМ BC308A BC308A BC308B BC309B BC307B BC308C BC309C
КТ3117А КТ3117Б 2N2221 2N2222A
КТ3126А BF506
КТ3127А 2N4411
КТ3129Б9 КТ3129В9 КТ3129Г9 BC857A BC858A BC858B
КТ3130А9 КТ3130Б9 КТ3130В9 BCW71 BCW72 BCW31
КТ3142А 2N2369
КТ3189А9 КТ3189Б9 КТ3189В9 BC847A BC847B BC847C
КТ635Б 2N3725
КТ639А КТ639Б КТ639В КТ639Г КТ639Д КТ639Е КТ639Ж BD136-6 BD136-10 BD136-16 BD138-6 BD138-10 BD140-6 BD140-10
КТ644А КТ644Б КТ644В КТ644Г PN2905A PN2906 PN2907 PN2907A
КТ645А КТ645Б 2N4400 2N4400
КТ646А КТ646Б 2SC495 2SC496
КТ660А КТ660Б BC337 BC338
Транзистор Аналог
КТ668А КТ668Б КТ668В BC556 BC557 BC558
КТ940А BF458
КТ940Б КТ940В BF457 BF459
КТ961А КТ961Б КТ961В BD139 BD137 BD135
КТ969А BF469
КТ972А КТ972Б BD877 BD875
КТ684А КТ684Б КТ684В BC636 BC638 BC640
КТ685А КТ685Б КТ685В КТ685Г PN2906 PN2906A PN2907 PN2907A
КТ686А КТ686Б КТ686В КТ686Г КТ686Д КТ686Е BC327-16 BC327-25 BC327-40 BC328-16 BC328-25 BC328-40
КТ6109А КТ6109Б КТ6109В КТ6109Г КТ6109Д SS9012D SS9012E SS9012F SS9012G SS9012H
КТ6110А КТ6110Б КТ6110В КТ6110Г КТ6110Д SS9013D SS9013E SS9013F SS9013G SS9013H
КТ6111А КТ6111Б КТ6111В КТ6111Г SS9014A SS9014B SS9014C SS9014D
КТ6112А КТ6112Б КТ6112В SS9015A SS9015B SS9015C
КТ6113А КТ6113Б КТ6113В КТ6113Г КТ6113Д КТ6113Е SS9018D SS9018E SS9018F SS9018G SS9018H SS9018I
Транзистор Аналог
КТ6114А КТ6114Б КТ6114В SS8050B SS8050C SS8050D
КТ6115А КТ6115Б КТ6115В SS8550B SS8550C SS8550D
КТ6116А КТ6116Б 2N5401 2N5400
КТ6117А КТ6117Б 2N5551 2N5550
КТ6128А КТ6128Б SS9016D SS9016E
КТ973А КТ973Б BD878 BD876
KT9116A KT9116Б TPV-394 TPV-375
KT9133A TPV-376
KT9142A 2SC3218
KT9150 TPV-595
KT9151A 2SC3812
KT9152A 2SC3660
КТ6136А 2N3906
КТ728А КТ729А MJ3055 2N3055
КТ808АМ КТ808БМ 2SC1619A 2SC1618
КТ814Б КТ814В КТ814Г BD136 BD138 BD140
КТ815Б КТ815В КТ815Г BD135 BD137 BD139
КТ817Б КТ817В КТ817Г BD233 BD235 BD237
КТ818Б TIP42
КТ819Б TIP41
КТ840А КТ840Б BU326A BU126
Транзистор Аналог
КТ856А КТ856Б BUX48A BUX48
КТ867А BUY21
КТ872А КТ872Б КТ872Г BU508A BU508 BU508D
КТ878А КТ878Б КТ878В BUX98 2N6546 BUX98A
КТ879А КТ879Б 2N6279 2N6278
КТ892А КТ892Б КТ892В TIP661 BU932Z TIP662
КТ899А 2N6388
КТ8107А BU508A
КТ8109А TIP151
КТ8110А 2SC4242
КТ8121А MJE13005
КТ8126А КТ8126Б MJE13007 MJE13006
КТ8164А КТ8164Б MJE13005 MJE13004
КТ8170А1 КТ8170Б1 MJE13003 MJE13002
КТ8176А КТ8176Б КТ8176В TIP31A TIP31B TIP31C
КТ8177А КТ8177Б КТ8177В TIP32A TIP32B TIP32C
КТ6128В КТ6128Г КТ6128Д КТ6128Е SS9016F SS9016G SS9016H SS9016I
КТ6137А 2N3904
КТ928А 2N2218
КТ928Б КТ928В 2N2219 2N2219A

.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: