In Stock
United States
China
Canada
Japan
Russia
Germany
United Kingdom
Singapore
Italy
Hong Kong(China)
Taiwan(China)
France
Korea
Mexico
Netherlands
Malaysia
Austria
Spain
Switzerland
Poland
Thailand
Vietnam
India
United Arab Emirates
Afghanistan
Åland Islands
Albania
Algeria
American Samoa
Andorra
Angola
Anguilla
Antigua & Barbuda
Argentina
Armenia
Aruba
Australia
Azerbaijan
Bahamas
Bahrain
Bangladesh
Barbados
Belarus
Belgium
Belize
Benin
Bermuda
Bhutan
Bolivia
Bonaire, Sint Eustatius and Saba
Bosnia & Herzegovina
Botswana
Brazil
British Indian Ocean Territory
British Virgin Islands
Brunei
Bulgaria
Burkina Faso
Burundi
Cabo Verde
Cambodia
Cameroon
Cayman Islands
Central African Republic
Chad
Chile
Christmas Island
Cocos (Keeling) Islands
Colombia
Comoros
Congo
Congo (DRC)
Cook Islands
Costa Rica
Côte d’Ivoire
Croatia
Cuba
Curaçao
Cyprus
Czechia
Denmark
Djibouti
Dominica
Dominican Republic
Ecuador
Egypt
El Salvador
Equatorial Guinea
Eritrea
Estonia
Eswatini
Ethiopia
Falkland Islands
Faroe Islands
Fiji
Finland
French Guiana
French Polynesia
Gabon
Gambia
Georgia
Ghana
Gibraltar
Greece
Greenland
Grenada
Guadeloupe
Guam
Guatemala
Guernsey
Guinea
Guinea-Bissau
Guyana
Haiti
Honduras
Hungary
Iceland
Indonesia
Iran
Iraq
Ireland
Isle of Man
Israel
Jamaica
Jersey
Jordan
Kazakhstan
Kenya
Kiribati
Kosovo
Kuwait
Kyrgyzstan
Laos
Latvia
Lebanon
Lesotho
Liberia
Libya
Liechtenstein
Lithuania
Luxembourg
Macao(China)
Madagascar
Malawi
Maldives
Mali
Malta
Marshall Islands
Martinique
Mauritania
Mauritius
Mayotte
Micronesia
Moldova
Monaco
Mongolia
Montenegro
Montserrat
Morocco
Mozambique
Myanmar
Namibia
Nauru
Nepal
New Caledonia
New Zealand
Nicaragua
Niger
Nigeria
Niue
Norfolk Island
North Korea
North Macedonia
Northern Mariana Islands
Norway
Oman
Pakistan
Palau
Palestinian Authority
Panama
Papua New Guinea
Paraguay
Peru
Philippines
Pitcairn Islands
Portugal
Puerto Rico
Qatar
Réunion
Romania
Rwanda
Samoa
San Marino
São Tomé & Príncipe
Saudi Arabia
Senegal
Serbia
Seychelles
Sierra Leone
Sint Maarten
Slovakia
Slovenia
Solomon Islands
Somalia
South Africa
South Sudan
Sri Lanka
St Helena, Ascension, Tristan da Cunha
St. Barthélemy
St. Kitts & Nevis
St. Lucia
St. Martin
St. Pierre & Miquelon
St. Vincent & Grenadines
Sudan
Suriname
Svalbard & Jan Mayen
Sweden
Syria
Tajikistan
Tanzania
Timor-Leste
Togo
Tokelau
Tonga
Trinidad & Tobago
Tunisia
Turkey
Turkmenistan
Turks & Caicos Islands
Tuvalu
U.S. Outlying Islands
U.S. Virgin Islands
Uganda
Ukraine
Uruguay
Uzbekistan
Vanuatu
Vatican City
Venezuela
Wallis & Futuna
Yemen
Zambia
Zimbabwe
Quantity
Quick RFQ
Применение транзистора Ss8050 d 331
Одной из основных областей применения транзистора Ss8050 d 331 является электроника. Он может быть использован в радиоприемниках, телевизорах, аудиоусилителях и других аналоговых устройствах. Также транзистор может быть использован в цифровых устройствах, таких как счетчики, таймеры, сигнальные генераторы и другие.
Транзистор Ss8050 d 331 может также быть использован в силовых устройствах. Он обладает достаточной мощностью и надежностью, чтобы использоваться в режиме ключа для управления высокими токами и напряжениями. Такой транзистор может использоваться в схемах источников питания, преобразователей, стабилизаторов напряжения и других схемах силовой электроники.
Также транзистор Ss8050 d 331 может быть использован в устройствах синхронной коммутации, таких как помехозащищенные счетчики, устройства обратной связи, детекторы сигналов и т.д. Благодаря низкому уровню шума и высокой точности, он может обеспечить надежную и стабильную работу таких устройств.
В заключение, транзистор Ss8050 d 331 является универсальным полупроводниковым устройством, которое можно использовать в различных электронных схемах и устройствах. Его применение может быть найдено в электронике, силовой электронике, а также в устройствах синхронной коммутации. Он обладает преимуществами высокой мощности, надежности, низкого уровня шума и высокой точности, что делает его отличным выбором для множества приложений.
Аналог транзистора ss8050: выбор замены
Если вам понадобилась замена для транзистора ss8050, вам следует учитывать его характеристики и найти аналогичный компонент, который способен обеспечить аналогичные функции.
Транзистор ss8050 является NPN биполярным транзистором с максимальной коллекторной мощностью 1.5 Вт. Он часто используется в усилителях и переключателях.
При выборе замены для транзистора ss8050, вы должны учитывать следующие характеристики:
- Напряжение коллектора (Vcbo): подобное или больше, чем у ss8050.
- Напряжение эмиттера (Vebo): подобное или больше, чем у ss8050.
- Коллекторный ток (Ic): подобное или больше, чем у ss8050.
- Ток базы (Ib): подобное или больше, чем у ss8050.
- Усиление тока транзистора (hFE): подобное или больше, чем у ss8050.
Популярными аналогами транзистора ss8050 являются:
- 2N3904: NPN биполярный транзистор с максимальной коллекторной мощностью 0.625 Вт.
- BC547: NPN биполярный транзистор с максимальной коллекторной мощностью 0.5 Вт.
- BC337: NPN биполярный транзистор с максимальной коллекторной мощностью 0.625 Вт.
Перед выбором аналога для транзистора ss8050, рекомендуется проконсультироваться с техническими специалистами, чтобы убедиться, что выбранный вариант действительно подходит для вашего проекта.
Второй вариант замены транзистора ss8050: транзистор bc557
BC557 имеет максимальные рабочие напряжения 45 В и токи коллектора до 100 мА, что позволяет его использование в большинстве обычных электронных устройств. Он также может работать с высокоомными нагрузками благодаря своей высокой степени усиления.
Однако, перед заменой транзистора ss8050 на bc557, необходимо учесть различия в его параметрах. BC557 имеет немного отличающиеся значения тока коллектора и напряжения эмиттера-коллектора, а также может иметь другую распиновку. Поэтому рекомендуется внимательно изучить исходную схему и оценить пригодность bc557 для вашего проекта.
В целом, транзистор bc557 может успешно заменить транзистор ss8050 в большинстве случаев. Однако, если точность и исправность вашей схемы очень важны, рекомендуется использовать транзисторы, которые полностью соответствуют параметрам исходной модели.
Как выбрать замену для транзистора ss8050?
В случае, если требуется заменить транзистор ss8050, необходимо выбрать подходящую альтернативу, которая будет иметь схожие параметры и характеристики. Правильный выбор замены позволяет гарантировать безопасную и стабильную работу электронной схемы.
Для определения подходящей замены необходимо учитывать следующие параметры транзистора ss8050:
Параметр | Значение |
---|---|
Тип | NPN |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 1.5 А |
Максимальное коллекторное напряжение (Vce) | 20 В |
Максимальная мощность (Pc) | 0.625 Вт |
Коэффициент усиления по току (hfe) | от 120 до 300 |
Тип корпуса | TO-92 |
На рынке существует несколько аналогов для транзистора ss8050, которые могут быть использованы в качестве замены. Некоторые из них включают:
- 2N3904
- BC549
- 2N5551
Перед выбором замены рекомендуется проверить технические характеристики и параметры аналоговой модели, чтобы убедиться в их схожести с транзистором ss8050.
При правильном подборе замены транзистора ss8050 позволяет сохранить функциональность и эффективность электронного устройства. В случае неуверенности в выборе замены, рекомендуется обратиться к специалисту или использовать документацию производителя.
Характеристики транзистора S8050
По своим техническим характеристикам кремниевый биполярный транзистор S8050 предназначен для использования в двухтактном УНЧ класса В и других усилителях общего назначения. Также он используется в различных модулях, построенных на Arduino, схемах управления светодиодными, источниками света и в другой электронике. Его структура n-p-n.
Цоколевка
S8050 выпускают в корпусе для дырочного монтажа ТО-92 и для навесного SOT-23. Во втором случае его маркируют как J3Y. На рисунке можно увидеть, как расположены ножки рассматриваемого устройства в обеих исполнениях.
Технические характеристики
Рассмотрение начнём с предельно возможных, превышение значений этих параметров недопустимо и ведёт к выходу транзистора из строя. Все максимальные характеристики S8050 были измерены при температуре окружающего воздуха +25 О С, вот они:
- напряжение между К-Б VCBO (Uкб max) — 40 В;
- напряжение между К-Э VCEO (Uкэ max) — 25 В;
- напряжение между Э-Б VEBO (Uэб max) — 5 В;
- ток через коллектор IC (Iк max)
- в корпусе SOT-23 IC (Iк max) – 500 мА;
- в корпусе ТО-92 IC (Iк max) – 700 мА.
- мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе
- в корпусе SOT-23 Рк 300 мВт;
- в корпусе ТО-92 1 Вт
- допустимая температура кристалла +150 О С;
- рабочая температура от -55 до +150 О С.
Также важными параметрами, на которые стоит обратить внимание, являются электрические характеристики. Они были измерены при температуре +25 О С
Остальные значения приведены в отдельном столбце таблице, который называется «Режимы измерения».
В зависимости от к-та передачи тока транзисторы S8050 в SMD корпусе J3Y делятся на три типа:
- L от 120 до 200;
- H от 200 до 350;
- J от 300 до 400.
Аналоги
- Транзистор S8050 можно заменить на аналоги: 2SC1008, 2SC1009, 2SD471A, , KSC1008, KSP06, KSP42, KSP43, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS6532, MPS8050, MPSA42, MPSA43, MPSW01, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, MPSW42, S9013, SS8050, ZTX457.
- Существуют Российские аналоги: КТ6114А, КТ968В, КТ6114Б, КТ6114В.
- Комплементарна парой для рассматриваемого устройства – это S8550. В корпусе SMD он маркируется 2TY.
Производители
Перечислим производителей S8050:
В магазинах можно встретить продукцию следующих компаний:
Скачать datasheet на транзистор S8050 можно кликнув на нужного производителя.
C8050D Datasheet (PDF)
0.1. c8050b c8050c c8050d.pdf Size:120K _usha
Transistors
C8050
www.DataSheet4U.com
www.DataSheet4U.com
9.1. tpc8050-h.pdf Size:207K _toshiba
TPC8050-H
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSⅥ-H)
TPC8050-H
Switching Regulator Applications
Motor Drive Applications
Unit: mm
DC-DC Converter Applications
• Small footprint due to a small and thin package
• High-speed switching
• Small gate charge: QSW = 9.2 nC (typ.)
• Low drain-source ON-resistance:
RDS (ON) = 9.3 mΩ (typ.)
•
9.2. utc8050s.pdf Size:23K _utc
UTC 8050S NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
LOW VOLTAGE HIGH CURRENT
SMALL SIGNAL NPN
TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC8050S is a low voltage high current small signal
NPN transistor, designed for Class B push-pull audio
amplifier and general purpose applications.
FEATURES
*Collector current up to 800mA
*Collector-Emitter voltage up to 20 V
TO-92
*Complementary to UTC 8550S
1:EMITTER
9.3. ktc8050a.pdf Size:48K _kec
SEMICONDUCTOR KTC8050A
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
B C
FEATURE
·Complementary to KTC8550A.
N DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
MAXIMUM RATING (Ta=25℃) G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
E 1.00
F 1.27
VCBO
Collector-Base Voltage 35 V
G 0.85
H 0.45
VCEO
Collector-Emitter Voltage 30 V
_
H
J 14.0
9.4. ktc8050.pdf Size:38K _kec
SEMICONDUCTOR KTC8050
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
B C
FEATURE
Complementary to KTC8550.
N DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
E 1.00
F 1.27
VCBO
Collector-Base Voltage 35 V
G 0.85
H 0.45
VCEO
Collector-Emitter Voltage 30 V
_
H
J 14.00 + 0.
9.5. ktc8050s.pdf Size:393K _kec
SEMICONDUCTOR KTC8050S
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
FEATURE
E
L B L
Complementary to KTC8550S.
DIM MILLIMETERS
_
A 2.93 0.20
+
B 1.30+0.20/-0.15
C 1.30 MAX
2
3 D 0.45+0.15/-0.05
E 2.40+0.30/-0.20
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
1
G 1.90
H 0.95
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
J 0.13+0.10/-0.05
K 0.00 ~ 0.10
VCBO
Collector-Base Voltag
9.6. stc8050n.pdf Size:242K _blue-rocket-elect
STC8050N
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• High current application
• Radio in class B push-pull operation
Feature
• Complementary pair with STA8550N
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STC8050N STC8050 TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20~4.40
2.25 Max.
0.52 Max.
0.90 Max.
1.27 Typ.
0.40 Max.
1 2 3
3.55
9.7. hc8050s.pdf Size:130K _shantou-huashan
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
HC8050S
█ APPLICATIONS
Audio Frequency Amplifier.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ TO-92
Tj——Juncttion Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation……………………
9.8. hc8050.pdf Size:137K _shantou-huashan
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
HC8050
█ NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2W OUTPUT AMPLIFIER PORTABLE RADIO IN CLASS
B PUSH-PULL OPERATION.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ TO-92
Tj——Juncttion Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation
9.9. ftc8050h.pdf Size:352K _first_silicon
SEMICONDUCTOR
FTC8050H
TECHNICAL DATA
General Purpose Transistors
NPN Silicon
FEATURE
3
High current capacity in compact package.
I C
=1.5A.
1
Epitaxial planar type.
2
PNP complement: FTA8550H
Pb-Free Package is available.
SOT–23
COLLECTOR
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
3
Shipping
Device Marking
1
FTC8050H 1FC 3000/Tape&Reel
BASE
2
E
9.10. ftc8050.pdf Size:222K _first_silicon
SEMICONDUCTOR
FTC8050
TECHNICAL DATA
TRANSISTOR (NPN)
FTC8050
B C
FEATURES
Complimentary to FTA8550
Collector current: IC=0.5A
DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
B 4.80 MAX
G
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
C 3.70 MAX
D
D 0.55 MAX
Symbol Parameter
Value Unit E 1.00
F 1.27
G 0.85
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
H 0.45
_
H
J 14.00 0.50
+
VCEO Col
9.11. dc8050.pdf Size:62K _dc_components
DC COMPONENTS CO., LTD.
DC8050
DISCRETE SEMICONDUCTORS
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Designed for use in 2W output amplifier of portable
radios in class B push-pull operation.
TO-92
Pinning
.190(4.83)
1 = Emitter
.170(4.33)
2 = Base
2oTyp
3 = Collector
.190(4.83)
.170(4.33)
2oTyp
Absolute Maximum Ratings(TA=25oC)
.500
Characterist