Транзистор ss8050

Транзистор s8050 параметры цоколевка

In Stock

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Применение транзистора Ss8050 d 331

Одной из основных областей применения транзистора Ss8050 d 331 является электроника. Он может быть использован в радиоприемниках, телевизорах, аудиоусилителях и других аналоговых устройствах. Также транзистор может быть использован в цифровых устройствах, таких как счетчики, таймеры, сигнальные генераторы и другие.

Транзистор Ss8050 d 331 может также быть использован в силовых устройствах. Он обладает достаточной мощностью и надежностью, чтобы использоваться в режиме ключа для управления высокими токами и напряжениями. Такой транзистор может использоваться в схемах источников питания, преобразователей, стабилизаторов напряжения и других схемах силовой электроники.

Также транзистор Ss8050 d 331 может быть использован в устройствах синхронной коммутации, таких как помехозащищенные счетчики, устройства обратной связи, детекторы сигналов и т.д. Благодаря низкому уровню шума и высокой точности, он может обеспечить надежную и стабильную работу таких устройств.

В заключение, транзистор Ss8050 d 331 является универсальным полупроводниковым устройством, которое можно использовать в различных электронных схемах и устройствах. Его применение может быть найдено в электронике, силовой электронике, а также в устройствах синхронной коммутации. Он обладает преимуществами высокой мощности, надежности, низкого уровня шума и высокой точности, что делает его отличным выбором для множества приложений.

Аналог транзистора ss8050: выбор замены

Если вам понадобилась замена для транзистора ss8050, вам следует учитывать его характеристики и найти аналогичный компонент, который способен обеспечить аналогичные функции.

Транзистор ss8050 является NPN биполярным транзистором с максимальной коллекторной мощностью 1.5 Вт. Он часто используется в усилителях и переключателях.

При выборе замены для транзистора ss8050, вы должны учитывать следующие характеристики:

  • Напряжение коллектора (Vcbo): подобное или больше, чем у ss8050.
  • Напряжение эмиттера (Vebo): подобное или больше, чем у ss8050.
  • Коллекторный ток (Ic): подобное или больше, чем у ss8050.
  • Ток базы (Ib): подобное или больше, чем у ss8050.
  • Усиление тока транзистора (hFE): подобное или больше, чем у ss8050.

Популярными аналогами транзистора ss8050 являются:

  • 2N3904: NPN биполярный транзистор с максимальной коллекторной мощностью 0.625 Вт.
  • BC547: NPN биполярный транзистор с максимальной коллекторной мощностью 0.5 Вт.
  • BC337: NPN биполярный транзистор с максимальной коллекторной мощностью 0.625 Вт.

Перед выбором аналога для транзистора ss8050, рекомендуется проконсультироваться с техническими специалистами, чтобы убедиться, что выбранный вариант действительно подходит для вашего проекта.

Второй вариант замены транзистора ss8050: транзистор bc557

BC557 имеет максимальные рабочие напряжения 45 В и токи коллектора до 100 мА, что позволяет его использование в большинстве обычных электронных устройств. Он также может работать с высокоомными нагрузками благодаря своей высокой степени усиления.

Однако, перед заменой транзистора ss8050 на bc557, необходимо учесть различия в его параметрах. BC557 имеет немного отличающиеся значения тока коллектора и напряжения эмиттера-коллектора, а также может иметь другую распиновку. Поэтому рекомендуется внимательно изучить исходную схему и оценить пригодность bc557 для вашего проекта.

В целом, транзистор bc557 может успешно заменить транзистор ss8050 в большинстве случаев. Однако, если точность и исправность вашей схемы очень важны, рекомендуется использовать транзисторы, которые полностью соответствуют параметрам исходной модели.

Как выбрать замену для транзистора ss8050?

В случае, если требуется заменить транзистор ss8050, необходимо выбрать подходящую альтернативу, которая будет иметь схожие параметры и характеристики. Правильный выбор замены позволяет гарантировать безопасную и стабильную работу электронной схемы.

Для определения подходящей замены необходимо учитывать следующие параметры транзистора ss8050:

Параметр Значение
Тип NPN
Максимальный коллекторный ток (Ic) 1.5 А
Максимальное коллекторное напряжение (Vce) 20 В
Максимальная мощность (Pc) 0.625 Вт
Коэффициент усиления по току (hfe) от 120 до 300
Тип корпуса TO-92

На рынке существует несколько аналогов для транзистора ss8050, которые могут быть использованы в качестве замены. Некоторые из них включают:

  • 2N3904
  • BC549
  • 2N5551

Перед выбором замены рекомендуется проверить технические характеристики и параметры аналоговой модели, чтобы убедиться в их схожести с транзистором ss8050.

При правильном подборе замены транзистора ss8050 позволяет сохранить функциональность и эффективность электронного устройства. В случае неуверенности в выборе замены, рекомендуется обратиться к специалисту или использовать документацию производителя.

Характеристики транзистора S8050

По своим техническим характеристикам кремниевый биполярный транзистор S8050 предназначен для использования в двухтактном УНЧ класса В и других усилителях общего назначения. Также он используется в различных модулях, построенных на Arduino, схемах управления светодиодными, источниками света и в другой электронике. Его структура n-p-n.

Цоколевка

S8050 выпускают в корпусе для дырочного монтажа ТО-92 и для навесного SOT-23. Во втором случае его маркируют как J3Y. На рисунке можно увидеть, как расположены ножки рассматриваемого устройства в обеих исполнениях.

Технические характеристики

Рассмотрение начнём с предельно возможных, превышение значений этих параметров недопустимо и ведёт к выходу транзистора из строя. Все максимальные характеристики S8050 были измерены при температуре окружающего воздуха +25 О С, вот они:

  • напряжение между К-Б VCBO (Uкб max) — 40 В;
  • напряжение между К-Э VCEO (Uкэ max) — 25 В;
  • напряжение между Э-Б VEBO (Uэб max) — 5 В;
  • ток через коллектор IC (Iк max)
  • в корпусе SOT-23 IC (Iк max) – 500 мА;
  • в корпусе ТО-92 IC (Iк max) – 700 мА.
  • мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе
  • в корпусе SOT-23 Рк 300 мВт;
  • в корпусе ТО-92 1 Вт
  • допустимая температура кристалла +150 О С;
  • рабочая температура от -55 до +150 О С.

Также важными параметрами, на которые стоит обратить внимание, являются электрические характеристики. Они были измерены при температуре +25 О С

Остальные значения приведены в отдельном столбце таблице, который называется «Режимы измерения».

В зависимости от к-та передачи тока транзисторы S8050 в SMD корпусе J3Y делятся на три типа:

  • L от 120 до 200;
  • H от 200 до 350;
  • J от 300 до 400.

Аналоги

  • Транзистор S8050 можно заменить на аналоги: 2SC1008, 2SC1009, 2SD471A, , KSC1008, KSP06, KSP42, KSP43, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS6532, MPS8050, MPSA42, MPSA43, MPSW01, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, MPSW42, S9013, SS8050, ZTX457.
  • Существуют Российские аналоги: КТ6114А, КТ968В, КТ6114Б, КТ6114В.
  • Комплементарна парой для рассматриваемого устройства – это S8550. В корпусе SMD он маркируется 2TY.

Производители

Перечислим производителей S8050:

В магазинах можно встретить продукцию следующих компаний:

Скачать datasheet на транзистор S8050 можно кликнув на нужного производителя.

C8050D Datasheet (PDF)

0.1. c8050b c8050c c8050d.pdf Size:120K _usha

Transistors
C8050
www.DataSheet4U.com
www.DataSheet4U.com

9.1. tpc8050-h.pdf Size:207K _toshiba

TPC8050-H
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSⅥ-H)
TPC8050-H
Switching Regulator Applications
Motor Drive Applications
Unit: mm
DC-DC Converter Applications
• Small footprint due to a small and thin package
• High-speed switching
• Small gate charge: QSW = 9.2 nC (typ.)
• Low drain-source ON-resistance:
RDS (ON) = 9.3 mΩ (typ.)

9.2. utc8050s.pdf Size:23K _utc

UTC 8050S NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
LOW VOLTAGE HIGH CURRENT
SMALL SIGNAL NPN
TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC8050S is a low voltage high current small signal
NPN transistor, designed for Class B push-pull audio
amplifier and general purpose applications.
FEATURES
*Collector current up to 800mA
*Collector-Emitter voltage up to 20 V
TO-92
*Complementary to UTC 8550S
1:EMITTER

 9.3. ktc8050a.pdf Size:48K _kec

SEMICONDUCTOR KTC8050A
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
B C
FEATURE
·Complementary to KTC8550A.
N DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
MAXIMUM RATING (Ta=25℃) G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
E 1.00
F 1.27
VCBO
Collector-Base Voltage 35 V
G 0.85
H 0.45
VCEO
Collector-Emitter Voltage 30 V
_
H
J 14.0

9.4. ktc8050.pdf Size:38K _kec

SEMICONDUCTOR KTC8050
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
B C
FEATURE
Complementary to KTC8550.
N DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
E 1.00
F 1.27
VCBO
Collector-Base Voltage 35 V
G 0.85
H 0.45
VCEO
Collector-Emitter Voltage 30 V
_
H
J 14.00 + 0.

 9.5. ktc8050s.pdf Size:393K _kec

SEMICONDUCTOR KTC8050S
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
FEATURE
E
L B L
Complementary to KTC8550S.
DIM MILLIMETERS
_
A 2.93 0.20
+
B 1.30+0.20/-0.15
C 1.30 MAX
2
3 D 0.45+0.15/-0.05
E 2.40+0.30/-0.20
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
1
G 1.90
H 0.95
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
J 0.13+0.10/-0.05
K 0.00 ~ 0.10
VCBO
Collector-Base Voltag

9.6. stc8050n.pdf Size:242K _blue-rocket-elect

STC8050N
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• High current application
• Radio in class B push-pull operation
Feature
• Complementary pair with STA8550N
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STC8050N STC8050 TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20~4.40
2.25 Max.
0.52 Max.
0.90 Max.
1.27 Typ.
0.40 Max.
1 2 3
3.55

9.7. hc8050s.pdf Size:130K _shantou-huashan

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
HC8050S
█ APPLICATIONS
Audio Frequency Amplifier.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ TO-92
Tj——Juncttion Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation……………………

9.8. hc8050.pdf Size:137K _shantou-huashan

 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
HC8050
█ NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2W OUTPUT AMPLIFIER PORTABLE RADIO IN CLASS
B PUSH-PULL OPERATION.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ TO-92
Tj——Juncttion Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation

9.9. ftc8050h.pdf Size:352K _first_silicon

SEMICONDUCTOR
FTC8050H
TECHNICAL DATA
General Purpose Transistors
NPN Silicon
FEATURE
3
High current capacity in compact package.
I C
=1.5A.
1
Epitaxial planar type.
2
PNP complement: FTA8550H
Pb-Free Package is available.
SOT–23
COLLECTOR
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
3
Shipping
Device Marking
1
FTC8050H 1FC 3000/Tape&Reel
BASE
2
E

9.10. ftc8050.pdf Size:222K _first_silicon

SEMICONDUCTOR
FTC8050
TECHNICAL DATA
TRANSISTOR (NPN)
FTC8050
B C
FEATURES
Complimentary to FTA8550
Collector current: IC=0.5A
DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
B 4.80 MAX
G
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
C 3.70 MAX
D
D 0.55 MAX
Symbol Parameter
Value Unit E 1.00
F 1.27
G 0.85
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
H 0.45
_
H
J 14.00 0.50
+
VCEO Col

9.11. dc8050.pdf Size:62K _dc_components

DC COMPONENTS CO., LTD.
DC8050
DISCRETE SEMICONDUCTORS
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Designed for use in 2W output amplifier of portable
radios in class B push-pull operation.
TO-92
Pinning
.190(4.83)
1 = Emitter
.170(4.33)
2 = Base
2oTyp
3 = Collector
.190(4.83)
.170(4.33)
2oTyp
Absolute Maximum Ratings(TA=25oC)
.500
Characterist

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: