Замена транзистора s8050: лучшие аналоги и подходящие замены

Критерии выбора аналогов для замены ST8050D

При выборе аналога для замены транзистора ST8050D важно учитывать несколько критериев:

Тип транзистора: транзистор ST8050D относится к типу NPN
При выборе аналога необходимо убедиться, что выбранный транзистор также является NPN.

Параметры тока и напряжения: стоит обратить внимание на максимальные значения тока и напряжения, которые может выдерживать заменяемый транзистор

Выбранный аналог должен иметь такие же или более высокие значения этих параметров.

Бета (коэффициент усиления): бета транзистора указывает на его способность усиливать сигнал
При выборе аналога необходимо учитывать значение бета и настраивать схему соответствующим образом.

Пакет транзистора: при замене ST8050D важно проверить, что выбранный аналог имеет такой же или совместимый тип пакета. Это позволит легко установить новый транзистор на печатную плату или в существующую конструкцию без необходимости дополнительной модификации.

Доступность: следует проверять доступность выбранного аналога на рынке

Если аналог транзистора ST8050D имеет низкую доступность или большую стоимость, можно рассмотреть другие варианты замены, которые легче найти и приобрести.

При выборе аналога для замены транзистора ST8050D рекомендуется учитывать все перечисленные критерии. Это поможет подобрать наиболее подходящий и совместимый аналог, который будет успешно работать в существующей схеме.

Транзисторы S8050 и MJE13002(13002) .

Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высокочастотные усилительные. Производитель — Китай. Выпускаются в пластмассовом корпусе TO-92, с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка S8050.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока: У транзисторов класса B — от 85 до 160, класса С — от 120до 200, класса D — от 160 до 300.

Граничная частота передачи тока: У транзистора S8050 — 150 МГц. У транзистора SS8050 — 190 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 25 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) — У транзистора S8050 — 0,5 А, у SS8050 — 1,5 A.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА — 0,6в.

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 500мА, базы 50мА — — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора— У транзистора S8050 — 0.3 Вт., у SS8050 — 1Вт.

Отечественый аналог SS8050 — КТ6114Б, при использовании в УЗЧ и УПТ можно менять на КТ815Г, КТ817Г.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 40 в — не более 0,1 мА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 0,1 мА.

Транзисторы MJE13002(13002)

Транзисторы MJE13002(13002) кремниевые мощные низкочастотные,структуры n-p-n, предназначены для работы в преобразователях напряжения. Корпус пластиковый TO-126. Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка MJE13002(13002).

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — от 8.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 300 В.

Максимальный ток коллектора — 1,5 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — 1в.

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора — около 40 Вт(на радиаторе).

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 15 в — не более 1 мА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 9 в — не более 1 мА.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Преимущества использования транзистора SS8050 D331

1. Надежность и долговечность. Транзистор SS8050 D331 характеризуется высокой надежностью и долговечностью, что позволяет ему успешно использоваться в различных электронных устройствах.

2. Высокая эффективность. Данная модель транзистора обладает высокой эффективностью и малым энергопотреблением, что делает его прекрасным выбором для применения в устройствах с ограниченным источником питания.

3. Быстродействие. SS8050 D331 имеет высокую скорость переключения, что позволяет ему эффективно управлять электрическими сигналами и обеспечивать точность и стабильность работы устройств.

4. Многофункциональность. Транзистор может быть использован в различных схемах, включая усилительные и коммутационные цепи. Он также может использоваться в качестве стабилизатора тока.

5. Возможность работы при высоких температурах. SS8050 D331 способен работать при повышенных температурах, что делает его подходящим для использования в условиях с повышенной тепловыделением или при необходимости работы в экстремальных условиях.

6. Низкие затраты. Транзистор SS8050 D331 имеет относительно низкую стоимость, что позволяет снизить затраты на производство и сделать его доступным для широкого круга потребителей.

7. Простота монтажа и подключения. Благодаря удобному корпусу и размерам, транзистор легко монтируется на печатные платы и подключается к другим элементам схемы без особых усилий.

8. Широкое применение. Транзистор SS8050 D331 широко используется в различных сферах, включая радиоэлектронику, телекоммуникации, автоматизацию, системы безопасности и других областях, где требуется эффективное управление электронными сигналами.

Подключение IRF3205

Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:

Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.

Подключение к микроконтроллеру

Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:

Регулировать напряжение на затворе менее мощным транзистором, благодаря которому можно управлять напряжением в 5В. В таком случае схема будет простая и все, что придется добавить — это два резистора (подтягивающий на 10 кОм и ограничивающий ток на 100 Ом)
Использовать специализированный драйвер. Такая микросхема будет формировать необходимый сигнал управления и выравнивать уровень между контроллером и транзистором. Ниже приведена одна из возможных схем для такого способа.
Воспользоваться другим транзистором, у которого вольтаж открытия будет ниже. Вот список наиболее мощных и распространенных транзисторов, которые можно использовать с микроконтроллерами такими, как arduino, например:
- IRF3704ZPBF
- IRLB8743PBF
- IRL2203NPBF
- IRLB8748PBF
- IRL8113PBF

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для импульсных источников питания и преобразователей.

Особенности:

Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
Высокое напряжение пробоя: Vceo = 800 В.
Изолированный корпус.

Символы	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс. значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	—	—	—	900	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	—	—	—	800	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	—	—	—	7	В
Ic	Ток коллектора постоянный/импульсный	—	—	—	3,0/5,0	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	T = 25 °C	—	—	25	Вт
h_FE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, Ic = 0,15 А	15	—	—	—
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 1,2 A, Ib = 0,24 А	—	—	1,0	В
Ib	Ток базы	—	—	—	1,0	А
Tr/Tf	Время нарастания/спада	—	—	0,5	0,7/0,5	мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Главная

О сайте

Теория

Практика

Контакты

Высказывания: Если что-либо не работает, стукните это хорошенько, если оно сломалось — ничего, все равно нужно было выбрасывать.

Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5353

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5353 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремнийСтруктура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВт	Ucb max, В	Uce max, В	Ueb max, В	Ic max, мА	Tj max, °C	Ft max, Гц	Cc tip, пФ	Hfe
25000	900	800	7	3000	+150	200000	15

Bosch pke611d17e варочная панель как подключить провода

Производитель: UTCСфера применения: Популярность: 3246Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора 2SC5353

Общий вид транзистора 2SC5353.	Цоколевка транзистора 2SC5353.

Обозначение контактов: Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер. Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Дата создания страницы: 2016-02-03 08:45:50.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Биполярный транзистор 2SC5353 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC5353

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: TO220NIS

2SC5353 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5353.pdf Size:207K _toshiba

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 1 1 TO-126 TO-126C DESCRIPTION Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications 1 1 TO-220 TO-220F FEATURES * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage: VCEO = 700V 1 TO-220F1

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353B NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN 1 1 TRANSISTOR TO-126 TO-126C DESCRIPTION 1 1 TO-220 TO-220F Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications. 1 1 FEATURES TO-220F1 TO-251 * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage:

«>

Аналоги для замены транзистора ST8050D

Транзисторы часто требуют замены из-за выхода из строя или отсутствия нужной модели. Если вам нужно заменить транзистор ST8050D, рассмотрите следующие аналоги:

2N4401: популярный NPN-транзистор общего назначения с аналогичными характеристиками.
MMBT8050: SMD-версия транзистора ST8050D с аналогичными техническими параметрами.
KSC945: другой NPN-транзистор с рядом схожими характеристиками, часто используется в аналоговых схемах.

Эти аналоги могут успешно заменить ST8050D и выполнять аналогичные функции в вашей схеме

При выборе аналога обратите внимание на технические характеристики, такие как ток коллектора, ток эмиттера, напряжение коллектора и коэффициент усиления, чтобы обеспечить совместимость с вашей схемой