KN3904S Datasheet (PDF)
0.1. kn3904s.pdf Size:71K _kec
SEMICONDUCTOR KN3904STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EFEATURES L B LDIM MILLIMETERS Low Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=50nA(Max.) ; @VCE=30V, VEB=3V.C 1.30 MAX2 Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=50mA, IB=5mA.1G 1.90H
8.1. kn3904.pdf Size:71K _kec
SEMICONDUCTOR KN3904TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B CFEATURES Low Leakage Current: ICEX=50nA(Max.), @VCE=30V, VEB=3V.N DIM MILLIMETERS Low Saturation Voltage A 4.70 MAXEK: VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA. B 4.80 MAXGC 3.70 MAXD Complementary to KN3906.D 0.45E 1.00F 1.27G 0.85H 0
9.1. kn3906.pdf Size:71K _kec
SEMICONDUCTOR KN3906TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B CFEATURES Low Leakage Current: ICEX=-50nA(Max.), @VCE=-30V, VEB=-3V.N DIM MILLIMETERS Low Saturation Voltage A 4.70 MAXEK: VCE(sat)=-0.4V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA. B 4.80 MAXGC 3.70 MAXD Complementary to KN3904.D 0.45E 1.00F 1.27G 0.8
9.2. kn3906s.pdf Size:72K _kec
SEMICONDUCTOR KN3906STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EFEATURES L B LDIM MILLIMETERS Low Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=-50nA(Max.) ; @VCE=-30V, VEB=-3V.C 1.30 MAX2 Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-50mA, IB=-5mA.1G 1.
9.3. kn3905s.pdf Size:425K _kec
SEMICONDUCTOR KN3905STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EFEATURES L B LDIM MILLIMETERSLow Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=-50nA(Max.) ; @VCE=-30V, VEB=-3V.C 1.30 MAX2Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-50mA, IB=-5mA.1G
H2N3904 Datasheet (PDF)
0.1. h2n3904.pdf Size:50K _hsmc
Spec. No. : HE6218HI-SINCERITYIssued Date : 1992.11.25Revised Date : 2005.01.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N3904NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe H2N3904 is designed for general purpose switching and amplifier applications.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature………………………………………………
8.1. h2n3906.pdf Size:51K _hsmc
Spec. No. : HE6240HI-SINCERITYIssued Date : 1992.11.25Revised Date : 2005.01.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N3906PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe H2N3906 is designed for general purpose switching and amplifier applications.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature………………………………………………
2N3904S Datasheet (PDF)
0.1. 2n3904s.pdf Size:410K _kec
SEMICONDUCTOR 2N3904STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EL B LDIM MILLIMETERSFEATURES_+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15Low Leakage CurrentC 1.30 MAX2: ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20@VCE=30V, VEB=3V.1G 1.90H 0.95Excellent DC Current Gain Linearity.J 0.13+0.1
0.2. 2n3904sc.pdf Size:699K _kec
SEMICONDUCTOR 2N3904SCTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.FEATURESLow Leakage Current: ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.)@VCE=30V, VEB=3V.Excellent DC Current Gain Linearity.Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA.Complementary to 2N3906SC.MAXIMUM RATING (Ta=25)CHARACTERISTIC SYMB
0.3. 2n3904s.pdf Size:227K _first_silicon
SEMICONDUCTOR2N3904STECHNICAL DATAGeneral Purpose Transistor We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.ORDERING INFORMATIONDevice Marking Shipping32N3904S 1AM 3000/Tape & Reel21MAXIMUM RATINGSSOT23Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 40 VdcCollectorBase Voltage VCBO 60 Vdc3COLLECTOREmitterBase Vo
Аналоги КТ315
У транзистора имеется как отечественная замена, так и заграничная. Начнем с первой. Это КТ3102 (ТО-92). Он тоже кремниевый, с npn структурой, но с большей температурой (до +150 С), другим расположением диодов и более высокими электрическими возможностями. Можно сказать, что они, относительно, одинаковы.
Иностранные заменители: ВС547 (npn, высокочастотный (примерно в 300 МГц, когда у КТ315 — 250 МГц), расположение диодов как у КТ3102, температура до +150 С), PN2222 (300 МГц, цоколевка соответствует предыдущей, остальные характеристики примерно одинаковы с КТ315), 2SC9014 (температура от -55 С до +150 С, 270 МГц). Раньше зарубежные транзисторы выходили с корпусом КТ-13, но на данный момент таких уже не существует.
Производители
Выпускают транзистор 2N3906 такие фирмы: ON Semiconductor, KEC(Korea Electronics), Fairchild Semiconductor, Unisonic Technologies, Micro Commercial Components, SeCoS Halbleitertechnologie, First Silicon, Central Semiconductor, AUK, STMicroelectronics, Inchange Semiconductor, Transys Electronics, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Tiger Electronic, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, Pan Jit International, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Rohm, Daya Electric Group, Guangdong Kexin Industrial, General Semiconductor, Weitron Technology, New Jersey Semi-Conductor Products, SEMTECH ELECTRONICS, Micro Electronics, Dc Components, KODENSHI KOREA, Semtech Corporation, Silicon Standard, Nanjing International, Diodes Incorporated.
Результаты подбора транзистора (поиска аналога)
| Type | Code | Mat | Struct | Pc | Ucb | Uce | Ueb | Ic | Tj | Ft | Cc | Hfe | Caps |
| 2N3904 | Si | NPN | 0.31 | 60 | 40 | 6 | 0.2 | 135 | 300 | 4 | 40 | ||
| 2N3904A | Si | NPN | 1.5 | 60 | 40 | 6 | 0.2 | 150 | 300 | 4 | 100 | ||
| 2N3904C | Si | NPN | 0.625 | 60 | 40 | 6 | 0.2 | 150 | 300 | 4 | 100 | ||
| 2N3904G | Si | NPN | 0.625 | 60 | 40 | 6 | 0.2 | 150 | 300 | 100 | |||
| 2N3904N | Si | NPN | 0.4 | 60 | 40 | 6 | 0.2 | 150 | 300 | 3 | 100 | TO92N | |
| 2N6719 | Si | NPN | 2 | 300 | 300 | 6 | 2 | 150 | 40 | ||||
| 2N6736 | Si | NPN | 35 | 80 | 45 | 6 | 5 | 150 | 40 | ||||
| 2SC2474 | Si | NPN | 0.6 | 60 | 6 | 0.2 | 150 | 150 | |||||
| 2SC2475 | Si | NPN | 0.6 | 60 | 6 | 0.6 | 150 | 200 | |||||
| 2SC2477 | Si | NPN | 0.6 | 60 | 6 | 0.6 | 150 | 150 | |||||
| 2SC4145 | Si | NPN | 1.2 | 80 | 2 | 150 | 200 | ||||||
| 2SC6136 | C6136 | Si | NPN | 0.5 | 600 | 285 | 8 | 0.7 | 150 | 100 | |||
| 2SD1015 | Si | NPN | 0.9 | 140 | 50 | 50 | 2 | 150 | 150 | ||||
| 2SD1209 | Si | NPN | 0.9 | 60 | 1 | 150 | 4000 | ||||||
| 2SD1388 | Si | NPN | 0.7 | 60 | 1 | 150 | 250 | ||||||
| 2SD1490 | Si | NPN | 0.75 | 70 | 1 | 150 | 60 | ||||||
| 2SD1642 | Si | NPN | 0.7 | 100 | 2 | 150 | 40 | ||||||
| 2SD1698 | Si | NPN | 0.75 | 100 | 0.8 | 150 | 10000 | ||||||
| 2SD1701 | Si | NPN | 0.75 | 1700 | 0.8 | 150 | 10000 | ||||||
| 2SD1853 | Si | NPN | 0.7 | 80 | 60 | 6 | 1.5 | 150 | 2000 | ||||
| 2SD1929 | Si | NPN | 1.2 | 60 | 2 | 150 | 5000 | ||||||
| 2SD1930 | Si | NPN | 1.2 | 100 | 2 | 150 | 5000 | ||||||
| 2SD1931 | Si | NPN | 1.2 | 60 | 2 | 150 | 10000 | ||||||
| 2SD1978 | Si | NPN | 0.9 | 120 | 1.5 | 150 | 10000 | ||||||
| 2SD1981 | Si | NPN | 1 | 100 | 80 | 6 | 2 | 150 | 24000 | ||||
| 2SD2068 | Si | NPN | 1 | 60 | 1 | 150 | 18000 | ||||||
| 2SD2206A | Si | NPN | 0.9 | 120 | 2 | 2000 | TO92MOD | ||||||
| 2SD2213 | Si | NPN | 0.9 | 150 | 80 | 8 | 1.5 | 150 | 1000 | TO92MOD | |||
| 2STL2580 | Si | NPN | 1.5 | 800 | 400 | 9 | 1 | 150 | 60 | TO92MOD | |||
| 3DG3904 | Si | NPN | 0.625 | 60 | 40 | 6 | 0.2 | 150 | 300 | 4 | 100 | ||
| 3TE440 | Si | NPN | 10 | 80 | 1.5 | 150 | 350 | 40 | |||||
| 3TE450 | Si | NPN | 5 | 80 | 0.5 | 150 | 350 | 40 | |||||
| BCX38 | Si | NPN | 1 | 80 | 60 | 10 | 0.8 | 150 | 500 | ||||
| BCX38A | Si | NPN | 1 | 80 | 60 | 10 | 0.8 | 150 | 500 | ||||
| BCX38B | Si | NPN | 1 | 80 | 60 | 10 | 0.8 | 150 | 4000 | ||||
| BCX38C | Si | NPN | 1 | 80 | 60 | 10 | 0.8 | 150 | 6000 | ||||
| BFX152 | Si | NPN | 0.83 | 100 | 0.3 | 175 | 500 | 75 | |||||
| BTN3904A3 | Si | NPN | 0.625 | 60 | 40 | 6 | 0.2 | 150 | 300 | 4 | 100 | ||
| C266 | Si | NPN | 0.825 | 60 | 10 | 2 | 175 | 45 | |||||
| CE1N2R | Si | NPN | 1 | 60 | 60 | 15 | 2 | 150 | 1000 | ||||
| CE2F3P | Si | NPN | 1 | 60 | 60 | 15 | 2 | 150 | 1000 | ||||
| ECG123AP | Si | NPN | 0.5 | 75 | 40 | 0.8 | 175 | 300 | 200 | ||||
| ECG2341 | Si | NPN | 0.8 | 80 | 1 | 150 | 2000 | ||||||
| H2N3904 | Si | NPN | 0.625 | 60 | 40 | 6 | 0.2 | 150 | 300 | 4 | 100 | ||
| HEPS0015 | Si | NPN | 0.31 | 60 | 40 | 0.6 | 135 | 300 | 200 | ||||
| HEPS0025 | Si | NPN | 0.35 | 60 | 40 | 0.6 | 150 | 300 | 100 | ||||
| HIT667 | Si | NPN | 0.9 | 120 | 100 | 6 | 1 | 150 | 140 | TO92MOD | |||
| HSE424 | Si | NPN | 0.31 | 60 | 40 | 150 | 400 | 80 | |||||
| KN3903 | Si | NPN | 0.625 | 40 | 0.2 | 50 | |||||||
| KN3904 | Si | NPN | 0.625 | 60 | 40 | 6 | 0.2 | 150 | 300 | 4 | 100 | ||
| KN4400 | Si | NPN | 0.625 | 40 | 0.6 | 50 | |||||||
| KN4401 | Si | NPN | 0.625 | 40 | 0.6 | 100 | |||||||
| KSC1072 | Si | NPN | 0.8 | 60 | 45 | 8 | 0.7 | 150 | 40 | ||||
| KSP8097 | Si | NPN | 0.625 | 60 | 40 | 6 | 0.2 | 150 | 4 | 250 | |||
| KTC1006 | Si | NPN | 1 | 80 | 0.8 | 175 | 100 | ||||||
| KTC1027 | Si | NPN | 1 | 120 | 0.8 | 175 | 80 | ||||||
| KTC3227 | Si | NPN | 1 | 80 | 0.4 | 175 | 70 | ||||||
| KTC3228 | Si | NPN | 1 | 160 | 1 | 175 | 60 | ||||||
| KTC3245 | Si | NPN | 0.625 | 400 | 350 | 6 | 0.3 | 150 | 50 | ||||
| NTE2341 | Si | NPN | 1 | 100 | 80 | 7 | 1 | 2000 | |||||
| NTE46 | Si | NPN | 0.625 | 100 | 100 | 12 | 0.5 | 10000 | |||||
| NTE48 | Si | NPN | 1 | 60 | 50 | 12 | 1 | 25000 | |||||
| P2N2222A | Si | NPN | 0.625 | 40 | 0.6 | 300 | 100 | ||||||
| SK3854 | Si | NPN | 1.2 | 75 | 40 | 6 | 0.8 | 300 | 200 | ||||
| STX0560 | X0560 | Si | NPN | 1.5 | 800 | 600 | 7 | 1 | 150 | 70 | |||
| TSC873CT | Si | NPN | 1 | 600 | 400 | 9 | 0.3 | 150 | 80 | ||||
| ZTX614 | Si | NPN | 1 | 120 | 100 | 10 | 0.8 | 200 | 20000 |
Всего результатов: 67
Цоколёвка и маркировка КТ815
Цоколёвка транзистора КТ815 зависит от типа корпуса прибора. Существует два различных типа корпуса – КТ-27 и КТ-89. Первый случай используется для объёмного монтажа элементов, второй – для поверхностного. По зарубежной классификации, типы данных корпусов имеют, соответственно, следующие обозначения: TO -126 для первого случая и DPAK для второго случая.
Расположение выводов элемента прибора в корпусе КТ-27 имеет следующий порядок: эмиттер-коллектор-база, если смотреть на транзистор с его лицевой стороны. Для элемента в корпусе КТ-89, расположение выводов имеет следующий порядок: база-коллектор-эмиттер, где коллектором является верхний электрод прибора.
На сегодняшний день, применение элементов в корпусе КТ-27 ограничено, в основном, радиолюбительскими схемами и конструкциям. Элементы в корпусах КТ-89 применяются в изготовлении бытовой техники и по сей день.
Для маркировки данного прибора изначально использовали полное его название, например, КТ815А и дополняли маркировку месяцем и годом выпуска транзистора. В дальнейшем обозначения значительно сократили, оставив на корпусе элемента только одну букву, обозначающую тип элемента и цифру, например -5А для прибора КТ815А.
Усилитель на КТ315
Для создания усилителя, представленного на схеме, нужен один КТ315, один конденсатор (1 мкФ), один резистор и mini Jack.
На схеме видно, что отрицательное питание и один из двух ходов mini Jack надо припаять к эмиттеру (левая ножка).
Ко второму ходу mini Jack присоединяем “плюсом” конденсатор, а его “минус” припаиваем к базе. Дальше мы переходим к резистору. Одна его сторона должна быть прикреплена к первому колоночному проводу (другой ход колоночного провода — к коллектору), а второй — к отрицательному ходу конденсатора. К соединению провода от колонки и резистора добавляется плюсовой провод.
Теперь можно вставлять разъем в колонку и наслаждаться улучшенным и громким звуком.
Проверка работоспособности КТ315
Иногда КТ315 может быть нерабочим из-за пробитого или закороченного перехода, поэтому перед использованием стоит проверить его np-переходы мультиметром. Отрицательный щуп прикрепляется к базе, а положительный — на выбор (коллектор или эмиттер). Если диоды исправны, то их значения должны быть не близки нулю, а также отсутствие пищания мультиметра.
Проверка работоспособности КТ361
Поскольку эти транзисторы часто применяются вместе, то исправность КТ361 тоже нужно узнать
Очень важно запомнить, что КТ361 противоположен 315, из-за чего работа должна совершаться наоборот. Здесь отрицательный щуп прикрепляется к коллектору (или эмиттеру), а положительный — к базе
Показатели должны быть не близки к нулю, мультиметр не должен сигнализировать (как и в предыдущем разделе).
Графические данные
Рис.1 Зависимость коэффициента усиления по току hFE от величины тока коллектора IC при различных температурах (VCE – напряжение коллектор-эмиттер).
Рис.2 Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).
Рис.3 Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер VBE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).
Рис.4 Зависимость напряжения включения база-эмиттер VBE(ON) тока коллектора (VCE – напряжение коллектор-эмиттер).
Рис.5 Зависимость тока выключения ICBO транзистора от температуры окружающей среды Ta (VCB – напряжение коллектор-база).
Рис.6 Зависимость рассеиваемой транзистором мощности (PC) от температуры окружающей среды Ta.
Рис.7 Зависимость коэффициента усиления тока hfe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).
Рис.8 Зависимость полной выходной проводимости hoe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).
Рис.9 Зависимость величины входного импеданса от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).
Рис.10 Зависимость коэффициента обратной связи по напряжению hre от тока коллектора IC.
Рис.11 Зависимости емкостей переходов эмиттер-база (Cob) и коллектор-база (Cib) от величин напряжений обратного смещения переходов эмиттер-база (VEB) и коллектор-база (VCB).
Рис.12 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от частоты передаваемого сигнала f (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, RS – выходное сопротивление источника сигнала).
Рис.13 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от величины внутреннего сопротивления источника сигнала (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, f – частота входного сигнала, поступающего от внешнего источника).
Рис.14 Зависимости отрезков времени переключения (t) от величины тока коллектора (IC) (IB1, IB2 – значения тока базы при переключениях; td – время задержки переключения; tr – время нарастания выходного сигнала; tf – время спадания выходного сигнала; ts – время рассасывания объемного заряда (или — время сохранения tstg)).
Рис.15 Зависимости времени включения (ton) и выключения (toff) от величины коллекторного тока IC (VBE(OFF) – напряжение база-эмиттер при выключении; IB1, IB2 – значения тока базы при включении и выключении).
Рис.16 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени задержки (td) и времени нарастания (tr). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%.
Рис.17 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени рассасывания (tstg) заряда коллекторного перехода и времени спадания (tf). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%. CS – суммарная емкость монтажа и коннекторов.
Характеристики популярных аналогов
Наименование производителя: KT972A
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
Наименование производителя: WW263
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
- Корпус транзистора: TO220
Наименование производителя: U2T833
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
- Аналоги (замена) для U2T833
Наименование производителя: U2T832
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Наименование производителя: U2T823
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Наименование производителя: U2T6O1
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
- Корпус транзистора: TO66
Наименование производителя: U2T605
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
- Корпус транзистора: TO66
Наименование производителя: TTD1415B
- Маркировка: D1415B
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
- Корпус транзистора: TO220SIS
Налаживание
Для контроля излучения антенны удобно пользоваться индикатором излучения, состоящим из достаточно высокочастотного осциллографа (например, С1-65А) и объемной катушкой, подключенной на его входе (объемная катушка может быть бескаркасной, диаметром около 50-70 мм, намотанная 5-6 витков толстого намоточного провода). Для контроля излучения осциллограф с катушкой нужно расположить на расстоянии 1-1,5 метра от антенны передатчика.
Подключив ту антенну, с которой будет работать передатчик в дальнейшем, подайте на передатчик питание. Подстраивая контур L1-C5 и наблюдая за изображением на экране осциллографа, добейтесь изображения максимальной неискаженной амплитуды синусоиды.
При настройке следите за тем, чтобы частота сигнала была именно в диапазоне 27 МГц, а не на гармонике (например, 13,5 МГц или 54 МГц). Это можно легко определить по осциллографу (рассчитав по периоду согласно координатной сетке не его экране).
Ток потребления передатчиком должен быть около 30 миллиампер. Затем, подайте на вход модулирующий сигнал. Переключите осциллограф на контроль НЧ сигнала.
Если ползунок R1 находится внизу (по схеме) на экране будет широкая полоса ВЧ сигнала. Постепенно поворачивайте R1. Полоса начнет приобретать форму модулирующего сигнала. Подстройкой R1 выставите глубину модуляции 30-50%. Это будет оптимально. Но можно поэкспериментировать с положением R1.
При его дальнейшем движении вверх (по схеме) сначала глубина AM будет увеличиваться, а затем начинает снижаться максимальная амплитуда ВЧ сигнала, и далее, генерация срывается.
В качестве контрольного сигнала для налаживания приемника удобно использовать сигнал готового передатчика. Подключите к приемнику ту антенну, с которой он будет работать в дальнейшем. Подстроечный резистор R2 установите в среднее положение. Подключите осциллограф к точке соединения эмиттеров транзисторов VT1 и VT2 (рис.2).
При выключенном передатчике здесь должно быть какое-то постоянное напряжение. Если есть генерация -подстройкой R2 сбейте генерацию. Включите передатчик и подайте на его вход модулирующий сигнал.
На эмиттерах VT1 и VT2 должно появиться ВЧ-напряжение, с огибающей, соответствующей модулирующему сигналу (смотреть, переключив осциллограф на наблюдение НЧ сигнала). Подстройкой контура L1-C2 (рис.2) добейтесь её максимальной амплитуды. Затем, подключите осциллограф к коллектору VТ3.
Подстройкой подстроечного резистора R2 добейтесь появления на коллекторе VТ3 НЧ-сигнала, соответствующего модулирующему. Затем, удаляя передатчик от приемника, более точно подстраивайте R2 и входной контур чтобы обеспечивалась наибольшая дальность связи.
Режим работы транзистора VТ3 устанавливается подбором сопротивления резистора R4. Нужно установить такой режим, при котором, при напряжении питания 9В на коллекторе VТ3 есть постоянное напряжение 1 В, при отсутствии сигнала передатчика. При необходимости это напряжение установите подбором сопротивления R4. На этом, можно считать налаживание законченным.
Снегирев И. РК-02-18.
Цоколевка
Распиновку транзистор 2N3906 имеет следующую. Чаще всего выпускаются в пластмассовом ТО-92 и весит не более 0,18 г. Этот корпус имеет три гибких вывода для дырочного монтажа. Если смотреть прямо на скошенную часть с той стороны, где нанесена маркировка, то самый левый вывод -это эмиттер, средний – база, правый – коллектор.
Компании Fairchild Semiconductor, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Daya Electric Group, General Semiconductor, Silicon Standard, Daya Electric Group, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS также выпускают данное изделие в SOT-23. У Fairchild Semiconductor встречаются в SOT-223. Эти пластиковые корпуса, с тремя короткими выводами, предназначены для поверхностного монтажа (SMD).
Принципиальная схема
Принципиальная схема передатчика показана на рисунке 1. Передатчик излучает мощность около 0,1 Вт при напряжении питания 9В. Напряжение питания может быть снижено до 6В, при этом мощность снизится примерно в два раза.
Особенность схемы передатчика в том, что его транзисторы, один из которых работает в задающем генераторе (VT1), а другой (VT2) в усилителе мощности включены по схеме составного транзистора.
Рис. 1. Принципиальная схема радиопередатчика для DTMF-сигнала на транзисторах 2N3906.
Частота генерации устанавливается кварцевым резонатором Q1. Он должен быть на частоту в диапазоне «27 МГц» или на частоту меньше в два или три раза. При этом передатчик будет работать на второй или третей гармонике кварцевого резонатора. Схема амплитудной модуляции здесь очень простая, она получена экспериментальным путем.
На базу транзистора VT1 поступает напряжение через резистор R1. От него зависит амплитуда сигнала на выходе. Этот резистор сделан подстроечным, и на его ползунок через конденсатор С6 подается напряжение ЗЧ от DTMF-кодера или другого источника НЧ сигнала. Подстраивая R1 можно выбрать оптимальный режим модуляции. В крайне нижнем положении амплитудная модуляция отсутствует.
При движении вверх по схеме она увеличивается, но в какой-то момент амплитуда ВЧ сигнала на выходе передатчика начинает падать, и генерация срывается из-за того, что НЧ сигнал модуляции начинает ВЧ сигнал на базе VT1, шунтируя его.
Усилитель мощности выполненный на транзисторе VT2 получает ВЧ-напряжение и напряжение смещения, необходимое для работы с эмиттера транзистора VT1.
Колебательный контур L1-C5 включенный в его коллекторной цепи должен быть настроен на частоту передачи. То есть, при использовании резонатора на частоту канала — на частоту резонатора.
А при использовании резонатора для работы на второй или третьей гармонике — соответственно, на частоту в два или три раза больше частоты используемого резонатора.
Катушка L2 служит для обеспечения согласования контура с антенной, в качестве которой можно использовать проволочный штырь или «подвеску» из монтажного провода.
Рис. 2. Принципиальная схема радиоприемника для DTMF-сигнала на транзисторах 2N3906 и 2N3904.
Приемный тракт (рис. 2) выполнен на трех транзисторах.
На транзисторах VТ1 и VТ2 выполнен регенеративный детектор, а транзистор VТ3 работает в качестве предварительного усилителя продетектированного сигнала. Сигнал от антенны поступает на коллекторный контур L1-C2, настроенный на такую же частоту, что и контур передатчика. Конденсатор С1 является разделительным.
На транзисторах VТ1 и VТ2 выполнена схема генератора, частота генерации которого устанавливается контуром L1-C2. Но питание на этот генератор поступает через резистор R1 от подстроечного резистора R2, которым можно регулировать напряжение питание данного генератора. Этим резистором устанавливается регенеративный режим работы каскада.
При этом, каскад работает как регенеративный детектор, обладая существенной чувствительностью и селективностью. Выходом детектора является точка соединения эмиттеров VТ1 и VТ2 с резистором R1. Отсюда демодулированный сигнал через LC-фильтр С4-L2-C5 поступает на усилительный каскад на транзисторе VТ3.
Мультивибратор на КТ315
Мультивибратор — это генератор широкой импульсной модуляции (или коротко ШИМ). Получается, что генератор будет выдавать сигнал либо постоянного плюса, либо постоянного минуса.
Принцип действий заключается в попеременном поступлении тока то к одному, то к другому светодиоду (их два). Частоту каждого из них можно менять (если резисторы будут разными, то и включение светодиодов тоже будет отличаться). Данная схема работает от напряжения 1,7 В до 16 В. Чтобы запустить схему понадобиться 3,2 В (этого будет достаточно, чтобы увидеть деятельность светодиодов).
Стоит отметить, что схема парная (2 конденсатора, 2 резистора, (2 RC-цепи), 2 светодиода), а вот значения транзисторов могут отличаться (от 220 Ом до 300 Ом), в таком случае схема все равно будет работать.
Надежная функциональность мультивибратора зависит от более высокого сопротивления одного из резисторов.
Отметим, что, чем больше сопротивление на переменном резисторе, тем больше будет мигать светодиод.
Аналоги импортного и отечественного производства
| Тип транзистора | PC | VCEO | VEBO | IC | TJ | fT | CC | hFE | Тип корпуса |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N 3906A | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| Импортные аналоги | |||||||||
| MMBT 390 | 0,35 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | SOT-23 |
| PZT 3906 | 1 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | SOT-223 |
| H2N 3906 | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| KN 3906 | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| 2N 3905 | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 200 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| 2SB 1014 | 0,7 | 60 | 8 | 1 | 185 | 160 | ТО-92 | ||
| 2SB 977A | 0,75 | 50 | 8 | 1 | 195 | 3000 | ТО-92 | ||
| BC 327-025 | 0,625 | 45 | 5 | 0,5 | 150 | 260 | 10 | 160 | ТО-92 |
| KN 4403 | 0,625 | 40 | 5 | 0,6 | 150 | 200 | 8,5 | 100 | ТО-92 |
| KSP 75/76/77 | 0,625 | 40/50/60 | 10 | 0,5 | 150 | 10000 | ТО-92 | ||
| TIPP 115/116/117 | 0,8 | 60/80/100 | 5 | 2 | 150 | 1000 | ТО-92 | ||
| TIS 91 (M) | 0,625 | 40 | 5 | 0,4 | 150 | 100 | ТО-92 | ||
| ECG 2342 | 0,8 | 80 | 5 | 1 | 150 | 200 | 2000 | ТО-92 | |
| BSR 62 | 0,8 | 80 | 5 | 1 | 150 | 200 | 1000 | ТО-92 | |
| Аналоги производства РФ и Республики Беларусь | |||||||||
| КТ 6109D/G | 0,625 | 40 | 5 | 0,5 | 150 | 144/112 | ТО-92 | ||
| КТ361Г/В2/Д2/К2 | 0,15 | 35 – 60 | 4 | 0,05 | 150 | 250 | 7 | 350 | ТО-92 |
| КТ502В/Г/Д /Е | 0,35 | 40 | 0,15 | 150 | 5 | 120 | ТО-92 | ||
| КТ6136А | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 300 | ТО-92 |
| КТ313Б/В | 0,3 | 60 | 5 | 0,35 | 150 | 200 | 12 | 300 | ТО-92 |
Примечание: характеристики радиоэлементов в таблице взяты из даташит производителя.
Детали
Катушки L1 передатчика и приемника имеют сходную конструкцию. Они намотаны на цилиндрических каркасах диаметром 6 мм и длиной 12 мм с подстроечным сердечником из карбонильного железа.
Катушки содержат по 15 витков провода ПЭВ 0,31, виток к витку. Катушка передатчика имеет отвод от середины, и на неё намотана катушка связи L2 (рис.1), которая содержит 5 витков того же провода.
Катушка L2 (рис.2) намотана на ферритовом кольце внешним диаметром 7 мм из феррита проницаемостью 400-2000. Она содержит 100 витков провода ПЭВ 0,12.
Неполярные конденсаторы — КМ, КД, КТ, К10-7 или импортные аналоги. Электролитические конденсаторы — импортные аналоги К50-35. Транзистор 2N3904 можно заменить на КТ3102, КТ368. Транзисторы 2N3906 можно заменить на КТ3107. Налаживание следует начать с передатчика.