Проверка КТ815
Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.
Во-первых, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром, так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.
Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.
Затем нужно проверить обратное падение напряжение. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.
KSH13005W Datasheet (PDF)
1.1. ksh13005w.pdf Size:144K _shantou-huashan
N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. KSH13005W █ HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICICATION High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Montor Control █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-263（D2PAK） Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ Tj——Junction Temperature………
2.1. ksh13005a.pdf Size:227K _upd
KSH13005A KSH13005A ◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007 KSH130 005A KSH13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise noted 75 Watts TO-220
2.2. ksh13005af.pdf Size:223K _upd
KSH13005AF KSH13005AF ◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007 KSH130 005AF KSH13005AF Switch Mode series NPN silicon Power Transistor Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise noted 75 Watts TO
Технические характеристики
Рассмотрим основные технические параметры транзистора 13002. Они приведены в datasheet в разделах максимальных значений и электрических характеристик. Превышение предельно допустимых величин приводит к выходу устройства из строя.
Максимальные значения параметров для транзистора 13002:
- напряжение К-Э: (VCEO (SUS)) до 300 В;
- напряжение Э-Б: (VEBO) до 9 В;
- ток коллектора: (IC) до 1.5 А; (ICM) до 3 А (пиковый);
- ток базы: (IВ) = 0.75 А; (IВМ) до 1.5 А (пиковый);
- рассеиваемая мощность (РD): до 1.4 Вт (без радиатора); до 40 Вт (с теплоотводом);
- диапазон рабочих температур (TJ,Tstg) от -65 до +150ОС.
Электрические параметры
Электрические характеристики представляют собой перечень номинальных значений параметров, при которых гарантируется стабильная работа полупроводникового устройства. Для транзистора 13002 представлены в таблице ниже. Обычно производитель указывает их с учётом температуры кристалла не более +25ОС. В столбце «режимы измерений» приведены условия тестирования.
Аналоги
Наиболее подходящей заменой для рассматриваемого полупроводникового триода можно назвать более мощный транзистор 13003. Он встречается с символами в начале маркировке: MJE, ST, PHE, KSE, указывающими на производителя. По расположению выводов полностью идентичен. Имеет лучшие технические параметры, но перед его использованием внимательно ознакомьтесь с datasheet.
Наиболее близкими российскими аналогами является: КТ8170Б1, КТ872.
MJL21193 Datasheet PDF — Motorola Semiconductors
| Part Number | MJL21193 | |
| Description | 16 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 VOLTS 200 WATTS | |
| Manufacturers | Motorola Semiconductors | |
| Logo | ||
|
There is a preview and MJL21193 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 6 Pages |
|
Preview 1 page
No Preview Available !
MOTOROLA • Total Harmonic Distortion Characterized • High DC Current Gain – hFE = 25 Min @ IC = 8 Adc • Excellent Gain Linearity • High SOA: 2.25 A, 80 V, 1 Second Order this document MJLN2P1N194* *Motorola Preferred Device Collector Current — Peak (1) Base Current – Continuous Total Power Dissipation @ TC = 25°C Derate Above 25°C Operating and Storage Junction Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted) Characteristic (1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 µs, Duty Cycle ≤ 10%. VCEO(sus) Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value. Min –āā65 to +150 Unit W/°C °C Symbol RθJC Max °C/W Typical — 100 µAdc (continued) MMoototorroollaa, IBncip. 1o9la95r Power Transistor Device Data 1 |
|
TC = 25°C Cib TC = 25°C MJL21193 MJL21194 50 Ω +50 V 0.5 Ω 0.5 Ω DUT 8.0 Ω –50 V Preview 5 Page |
10000|
On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for MJL21193 electronic component. |
| Information | Total 6 Pages |
| Link URL | |
| Download |
Share Link :
Electronic Components Distributor
|
An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists. |
| SparkFun Electronics | Allied Electronics | DigiKey Electronics | Arrow Electronics |
| Mouser Electronics | Adafruit | Newark | Chip One Stop |
Зарождение нового мира
В то время как Бардин бросил Bell Labs, чтобы стать академиком (он продолжил изучение германиевых транзисторов и сверхпроводников в Иллинойском университете), Браттэйн поработал еще некоторое время, а после ушел в педагогику. Шокли основал свою собственную компанию по производству транзисторов и создал уникальное место — Силиконовую долину. Это процветающий район в Калифорнии вокруг Пало-Альто, где находятся крупные корпорации электроники. Двое из его сотрудников, Роберт Нойс и Гордон Мур, основали компанию Intel — крупнейшего в мире производителя микросхем.
Бардин, Браттэйн и Шокли ненадолго воссоединились в 1956 году: за свое открытие они получили высшую в мире научную награду — Нобелевскую премию по физике.
Электрические параметры
Характеристика
Обозначение
Параметры при измерениях
Значения Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В ٭
UCEO(SUS)
IC = 10 мА, IB = 0 А.
400 Ток коллектора выключения, мА ٭
Ta = 25°C
ICEO
UCEO = номинальное значение, UBE(OFF) = 1,5 В
1 Tc = 25°C
5 Ток эмиттера выключения, мА ٭
IEBO
UEB = 9,0 В, IC = 0
1 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭
UCE(sat)
IC = 0,5 А, IB = 0,1 А
0,5 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А
1 IC = 1,2 А, IB = 0,4 А
3 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C
1 Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭
UBE(sat)
IC = 0,5 А, IB = 0,1 А
1 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А
1,2 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C
1,1 Статический коэффициент усиления по току ٭
hFE (1)
UCE = 5,0 В, IC = 0,4 А
14….57 hFE (2)
UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А
5…30 Выходная емкость коллектора, pF
Cob
UCB = 10 В, IE = 0, f = 0,1 МГц
21 Частота среза, МГц
fT
UCE = 10 В, IC = 0,1 А
10 Временные параметры транзистора при работе на резистивную нагрузку Время задержки, мкс
td
См
схему измерения временных параметров: UCC = 125 В, IC = 1 А, IB1 = IB2 = 0,2 А, tp = 25 мкс, скважность импульсов ≤ 1%
0,05 Время нарастания импульса тока, мкс
tr
0,5 Время сохранения импульса, мкс
ts
2 Время спадания импульса тока, мкс
tf
0,4 Временные параметры транзистора при работе на индуктивную нагрузку с ограничениями напряжений Время сохранения импульса, мкс
ts
IC = 1 А, UCLAMP = 300 В, IB1 = 0,2 А, UBE(OFF) = 5 В, Tc = 100°C.
1,7 Коммутационный промежуток, мкс
tc
0,29 Время спадания импульса тока, мкс
tf
0,15. ٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%
٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное
Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.
Распиновка
Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.
В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.
Применение термодатчиков LM135, LM235, LM335 (A, AZ, M, H, AH). Схемы
Типовые схемы
Описанное выше свойство позволяет строить схемы, основанные на том, что напряжение пропорционально температуре. Вот примеры таких схем:
(А) — Стандартное включение. Резистор R1 — в этой и последующих схемах — 6.8 кОм.
(Б) — Определение минимальной температуры. Применяется, например, для включения отопления при угрозе замерзания в одном из мест установки датчиков (под полом, в санузле, в гараже).
(В) — Определение средневзвешенной температуры. Веса определяются резисторами R2, R3, R4. Сопротивления этих резисторов лучше выбирать более 50 кОм.
(Г) — Термодатчики допускают подстройку. Для этого у них есть специальный вывод (подстройка). Схема включения с подстройкой.
(Д) — Определение максимальной температуры. Диоды — маломощные, например, детекторные. Резистор R2 — 100 кОм.
Термодатчики LM135, LM235, LM335 к схеме можно подключать довольно длинным экранированным проводом. Я подключал 10-метровым. Все работало отлично.
Используя эти датчики, натолкнулся на такой эффект. На них наблюдается высокочастотный шум. Возможно, это внешние помехи, но датчик их не гасит. Так что ставлю параллельно датчикам конденсаторы 0.1 — 1 мкФ, можно электролитические.
↑ Возможная модернизация
1. Транзисторы типа КТ814, вставленные в панельки «смотрят» надписями от пользователя. Для устранения надо зеркально поменять справа налево рисунок печатной платы. 2. Если пробит переход К-Б, на стабилитрон TL431 поступит напряжение без ограничительного резистора. Поэтому сомнительные транзисторы надо предварительно проверять на замыкание омметром тестера. Для защиты TL431 можно вместо резистора 100 кОм (он предотвращает режим с оторванной базой, я поставил его для перестраховки) поставить резистор 100 Ом и включить его последовательно с миллиамперметром.
3. При длительной подаче повышенного напряжения питания, мощность на балластном резисторе TL431 превышает номинальную. Резистор надо умудриться сжечь, но если есть такие таланты, можно поставить его мощностью 0,5 Вт сопротивлением 200 Ом.
Я не стал вносить эти изменения — делать «защиту от дурака» для себя в схеме из одного стабилитрона и нескольких резисторов считаю ненужным. Плата просто приклеена к кусочку пенопласта с жесткой пленкой. Выглядит неэстетично, но работает, меня это устраивает, как говорится: «дёшево, надёжно и практично».
В процессе эксплуатации обнаружилось, что усиление транзисторов по току очень существенно зависит от тока и транзисторы «одинаковые» при большем токе чаще всего сильно отличаются при малом. Подобрать пары транзисторов с близкими параметрами в широком диапазоне токов оказалось нелегко.