Электрические параметры (при Ta = 25°C)
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Ток коллектора выключения, мкА | ICBO | UCB = 35 В В, IE = 0 | ≤ 0,1 |
| Ток эмиттера выключения, мкА | IEBO | UEB = 6 В, IC = 0 | ≤ 0,1 |
| Напряжение пробоя коллектор-база, В | UCBO | IC = 100 мкА, IE = 0 | ≥ 40 |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В | UCEO | IC = 2 мА, IB = 0 | ≥ 25 |
| Напряжение пробоя база-эмиттер, В | UEBO | IE = 100 мкА, IC = 0 | ≥ 6 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) | IC = 0,8 А, IB = 0,08 А | ≤ 0,5 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | IC = 0,8 А, IB = 0,08 А | ≤ 1,2 |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE (1) | UCE = 1 В, IC = 0,005 мА | 135 |
| hFE (2) | UCE = 1 В, IC = 0,1 мА | 160 | |
| hFE (3) | UCE = 1 В, IC = 0,8 мА | 110 | |
| Частота среза, МГц | fT | UCE = 10 В, IC = 0,05 мА | 190 |
| Выходная емкость, pF | Cob | UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц | 9 |
٭ — производитель разделяет транзисторы по величине параметра hFE на группы B, C, D в пределах указанного диапазона. См. таблицу.
| Классификация | B | C | D |
|---|---|---|---|
| hFE (2) | 85…160 | 120…200 | 160…300 |
SS8550-D Datasheet (PDF)
7.1. ss8550-c-d.pdf Size:196K _mcc
MCCSS8550-CTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsSS8550-DCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.PNP Silicon Collector-current 1.5A Collector-base Voltage 40VTransistors Operating and storage
7.2. mmss8550-h.pdf Size:153K _mcc
MCCMMSS8550-LMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsMMSS8550-HCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939FeaturesPNP Silicon Case Material:Molded Plastic. UL FlammabilityClassificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1 Marking:Y2 Plastic-Encapsulate Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.Tra
7.3. mmss8550-l.pdf Size:153K _mcc
MCCMMSS8550-LMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsMMSS8550-HCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939FeaturesPNP Silicon Case Material:Molded Plastic. UL FlammabilityClassificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1 Marking:Y2 Plastic-Encapsulate Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.Tra
H8550S Datasheet (PDF)
0.1. h8550s.pdf Size:127K _shantou-huashan
PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H8550S APPLICATIONS Audio Frequency Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TO-92 TjJuncttion Temperature150PCCollector Dissipation
9.1. lh8550plt1g.pdf Size:157K _lrc
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8550PLT1GPNP SiliconSeriesFEATURE S-LH8550PLT1G High current capacity in compact package.SeriesIC =-1.5A. Epitaxial planar type. PNP complement: LH85503 Pb-Free Package is available.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and
9.2. lh8550qlt1g.pdf Size:138K _lrc
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8550PLT1GPNP SiliconSeriesFEATURE S-LH8550PLT1G High current capacity in compact package.SeriesIC =-1.5A. Epitaxial planar type. PNP complement: LH85503 Pb-Free Package is available.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and
9.3. h8550.pdf Size:138K _shantou-huashan
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H8550 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 2W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TO-92 TjJunction Temperature150PCCollector Dissipation
9.4. h8550.pdf Size:796K _kexin
SMD Type TransistorsPNP TransistorsH8550 Features1.70 0.1 Collector Power Dissipation: PC=0.5W Collector Current: IC=-1.5A Comlementary to H80500.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -40 VCollector-emitter voltage VCEO -25 VEmitter-base voltage VEBO —
Аналоги
В таблице 3 представлены основные параметры n-p-n транзисторов, пригодных для замены S9014.
Таблица 3. Транзисторы, подходящие для замены S9014 (все кремниевые, n-p-n)
| Тип | VCEO | IC | PC | hFE | fT | Корпус | Цоколевка* |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S9014 | 45 | 100 | 450 | 60-1000 | 150 | ТО-92 | эбк |
| 200 | SOT-23 | эбк | |||||
| Импорт | |||||||
| BC547 | 45 | 100 | 625 | 110 – 800 | 150 | ТО-92 | кбэ |
| MPSW06 | 60 | 500 | 1000 | от 80 | 50 | ТО-92 | эбк |
| BC550 | 45 | 100 | 500 | 420-800 | 300 | ТО-92 | кбэ |
| MPSA43 | 200 | 500 | 625 | от 25 | от 50 | ТО-92 | эбк |
| 2SD1938 | 20 | 300 | 200 | 500 –2500 | 80 | SOT-346 | эбк |
| 9014SLT1 | 45 | 100 | 300 | 300 | 300 | SOT-23 | эбк |
| 2N7051 | 100 | 1500 | 625 | от 1000 | 200 | ТО-92 | экб |
| Российское производство | |||||||
| КТ3102 | 20-50 | 100 | 250 | 100 – 1000 | от 150 | ТО-92 | кбэ |
| КТ6111 | 45 | 100 | 450 | 60 – 1000 | от 150 | ТО-92 | кбэ |
*Цоколевка (ТО-92 – слева направо; SOT-23 – по часовой стрелке)
Примечания.
1. Значение VCEO КТ3102 определяется буквой, следующей за последней цифрой.
2. Корпус SOT-346 отличается от SOT-23 размерами (см. табл. 4).
3. Информация по параметрам аналогов заимствована из даташитов компаний-производителей.
Рис. 7. Корпуса SOT-23 и SOT-346.
Таблица 4. Размеры SMD-корпусов
| Корпус | А (мм) | B (мм) | S (мм) | H (мм) |
|---|---|---|---|---|
| SOT-23 | 2,9 | 1,3 | 2,4 | 0,95 |
| SOT-346 | 2,9 | 1,6 | 2,8 | 1,1 |
LH8550QLT1G Datasheet (PDF)
0.1. lh8550qlt1g.pdf Size:138K _lrc
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8550PLT1GPNP SiliconSeriesFEATURE S-LH8550PLT1G High current capacity in compact package.SeriesIC =-1.5A. Epitaxial planar type. PNP complement: LH85503 Pb-Free Package is available.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and
8.1. lh8550plt1g.pdf Size:157K _lrc
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8550PLT1GPNP SiliconSeriesFEATURE S-LH8550PLT1G High current capacity in compact package.SeriesIC =-1.5A. Epitaxial planar type. PNP complement: LH85503 Pb-Free Package is available.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and
8550SS Datasheet (PDF)
0.1. 8550ss-c 8550ss-d.pdf Size:366K _mcc
MCC8550SS-CTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components8550SS-DCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.PNP Silicon Collector-current 1.5A Collector-base Voltage 40VTransistors Operating and storage
0.2. 8550sst.pdf Size:344K _secos
8550SST -1.5A , -40V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES General Purpose Switching and Amplification. G HEmitter Collector Base JCLASSIFICATION OF hFE (1) A DMillimeterProduct-Rank 8550SST-B 8550SST-C 8550SST-DREF.B Min. Max.A 4.
0.3. 8550ss.pdf Size:230K _jiangsu
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO 92 8550SS TRANSISTOR (PNP) 1.EMITTER FEATURES 2.COLLECTOR General Purpose Switching and Amplification. 3.BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-
Datasheet Download — Unisonic Technologies
| Номер произв | HE8550 | ||
| Описание | LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR | ||
| Производители | Unisonic Technologies | ||
| логотип | |||
|
1Page
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD The UTC HE8550 is a low voltage high current small signal PNP transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for * Complimentary to UTC HE8050 1 HE8550L-x-AB3-Rwww.DataSheSet4OU.Tco-m89 HE8550-x-AE3-R (3) x: refer to Classification of hFE2 (4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn
HE8550 ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25 , unless otherwise specified) PARAMETER VCBO -40 VCEO -25 VEBO -6 PC 0.5 IC -1.5 A TJ +150 Operating Ambient Temperature TOPR -40 ~ +150 TSTG -65 ~ +150 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 , unless otherwise specified) PARAMETER Collector-Base Breakdown Voltage BVCBO IC=-100µA, IE=0 Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO IC=-2mA, IB=0 Emitter-Base Breakdown Voltage BVEBO IE=-100µA, IC=0 Collector Cut-Off Current ICBO VCB=-35V, IE=0 Emitter Cut-Off Current IEBO VEB=-6V, IC=0 hFE1 VCE=-1V, IC=-5mA DC Current Gain hFE2 VCE=-1V, IC=-100mA hFE3 VCE=-1V, IC=-800mA Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(SAT) IC=-800mA, IB=-80mA Base-Emitter Saturation Voltage VBE(SAT) IC=-800mA, IB=-80mA Base-Emitter Voltage VBE VCE=-1V,IC=-10mA Current Gain Bandwidth Product fT VCE=-10V,IC=-50mA Output Capacitance Cob VCB=-10V, IE=0 f=1MHz CLASSIFICATION OF hFE2 RANK
TYPICAL CHARACTERISTICS IB=-3.0mA IB=-2.5mA IB=-2.0mA IB=-1.5mA IB=-1.0mA IB=-0.5mA -0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 -103 -102 VCE=-1V -101 -10 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 103 VCE=-10V 102 101 10 -10 -101 -102 -103 Collector Current, IC (mA) PNP SILICON TRANSISTOR 103 VCE=-1V 102 101 10 -10-1 -10 -101 -102 -103 Collector Current, IC (mA) Saturation Voltage -104 IC=10*IB -103 VBE (SAT) -102 VCE(SAT) -101 -10-1 -10-101 -102 Collector Current, IC (mA) -103 Collector Output Capacitance 103 f=1MHz IE=0 102 101 10 -10 -101 -102 -103 Collector-Base Voltage (V) |
|||
| Всего страниц | 4 Pages | ||
| Скачать PDF |
HE8550
Использование в двухтактной конфигурации
Как уже упоминалось в параметрах, S8550 обычно используется в двухтактной конфигурации с усилителем класса B. Итак, давайте обсудим, как это делается.
Двухтактный усилитель, обычно известный как усилитель класса B, является типом многоступенчатого усилителя, обычно используемого для усиления звука динамика. Это очень просто построить и требует двух идентичных дополнительных транзисторов. Под дополнительным подразумевается, что нам нужен транзистор NPN и его эквивалентный PNP. Простая принципиальная схема усилителя класса B с использованием S8050 показана ниже.
2D модель корпуса
Если вы проектируете печатную плату или перфорированную плату с этим компонентом, вам будет полезно изучить следующее изображение , чтобы узнать тип и размеры корпуса данного устройства.
Проверка и безопасное использование
Будьте внимательными в использовании транзисторов этой серии, при покупке S8050 убедитесь, что он именно то, что Вам нужно. Очень редко, но встречаются данные транзисторы с PNP проводимостью. Так, компания Wing Shing Computer Components выпускает его с PNP проводимостью.
Придерживайтесь следующих мер безопасности:
- Не эксплуатируйте его с напряжением выше 20 В (V) и нагрузкой более 700 мА (mA);
- Используйте подходящий базовый резистор, который ограничит ток базы до требуемого уровня;
- Не подвергайте его нагреву более 150 и ниже минус 60 градусов по Цельсию;
Производители
Транзистор S8050 выпускают следующие компании:
- Wing Shing Computer Components Co.Ltd. (WS);
- UTC (Unisonic Technologies Company);
- Weitron technology co.,ltd;
- Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited;
- Daya Electric Group Co., Ltd;
- SeCoS Halbleitertechnologie GmbH;
- Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd;
- SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD.
Корпус и цоколевка
Транзистор выпускается в корпусах двух вариантов:
- SOT-23 – предназначен для поверхностного монтажа и представляет собой параллелепипед размером 3,0 х 1,4 х 1,0 мм, на одну из длинных сторон которого выведены две ножки, на другую – одна. Если смотреть на корпус со стороны надписи, при этом внизу находится сторона с двумя выводами, то, начиная с правой нижней ножки, выводы по часовой стрелке пойдут в таком порядке – эмиттер, база, коллектор.
- ТО-92 – пластмассовый цилиндр, усеченный с одной стороны, на торце которого закреплены три вывода, находящиеся в одной плоскости. Если смотреть со стороны среза, то последовательность следующая (слева направо) – эмиттер, база, коллектор. Вариант предназначен для монтажа на плату навесным способом.
По электрическим параметрам исполнения в различных корпусах отличаются лишь величиной допустимой мощности рассеяния.
DataSheet
Полные технические данные про s8550 подробно можно найти в его DataSheet.
Раздел: Зарубежные Полупроводники Транзисторы Биполярные
- Наименование: S8550
- Тип: PNP
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCE (max) (UКЭ (max)): 20 В
- Максимально допустимое напряжение коллектор-база VCBO (max) (UКБ (max)): 30 В
- Максимально допустимое напряжение эмиттер-база VEBO (max) (UЭБ (max)): 5 В
- Максимальный ток коллектора IC (max) (IК (max)): 700 мА
- Максимальная рассеиваемая мощность (PК (max)): 1 Вт
Граничная частота ft (fГР): 100 МГц
Корпус:TO-92
Даташит:Даташит
Распиновка:
Производитель:Unisonic technologies
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
|
Высказывания: Я вижу, что крепость, которую построили тысячи людей, может разрушить один человек. А как быть, если строит один, а разрушителей — тысячи? Имам Шамиль Справка об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора SS8550.Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора SS8550 . Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора. Можно попробовать заменить транзистор SS8550 Коллективный разум.дата записи: 2015-12-10 06:48:53 дата записи: 2015-12-23 13:37:11 комментарий: 4 way DISEqC DS-1040. В нем 4 транзистора Y2(SS8550)-sot-23. Один был кз — замена на КТ814Г — устройство работает; пользователь: Горлов А. Ю. , дата записи: 2015-12-31 00:54:43 дата записи: 2016-12-26 12:40:34 S8550-D — ближайший аналог; дата записи: 2016-10-06 17:29:15 SS8050 — комплементарная пара; дата записи: 2017-10-31 16:57:53 SS8050 — комплементарная пара; дата записи: 2017-10-31 16:58:24 Добавить аналог транзистора SS8550.Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора SS8550? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения. Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество. |
Замена козырька на балконе
MMBT8550 Datasheet (PDF)
0.1. mmbt8550.pdf Size:332K _topdiode
0.2. mmbt8550lt1.pdf Size:131K _wej
RoHS MMBT8550LT1PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SOT-2332W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE1RADIOS IN CLASSB PUSH-PULL OPERATION2 Complement to MMPT8050LT11.1.BASE Collector-current:Ic=-500mA 2.EMITTER High Total Power Dissipation:Pc=225mW2.43.COLLECTOR1.3Unit:mmoABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Symbol Rating UnitCharacteristicCollector-Base Voltage
9.1. mmbt8099lt1g.pdf Size:154K _onsemi
MMBT8099LT1GAmplifier TransistorNPN SiliconFeatureshttp://onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value UnitBASECollector-Emitter Voltage VCEO 80 VdcCollector-Base Voltage VCBO 80 Vdc 2EMITTEREmitter-Base Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Current — Continuous IC 500 mAdc3THERMAL
9.2. mmbt8099lt1.pdf Size:158K _onsemi
MMBT8099LT1GAmplifier TransistorNPN SiliconFeatureshttp://onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value UnitBASECollector-Emitter Voltage VCEO 80 VdcCollector-Base Voltage VCBO 80 Vdc 2EMITTEREmitter-Base Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Current — Continuous IC 500 mAdc3THERMAL
9.3. mmbt8050d.pdf Size:351K _bytesonic
MMBT8050DoTRANSISTOR (NPN)FEATURES SOT-23 Complimentary to S8550 Collector Current: IC=0.5A 1BASE 2EMITTER 3COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.5 A PC Collector Dissipat
9.4. mmbt8050.pdf Size:325K _topdiode
9.5. mmbt8050lt1.pdf Size:150K _wej
RoHS MMBT8050LT1NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SOT-2332W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLERADIOS IN CLASS1B PUSH-PULL OPERATION21. Complement to MMPT8550LT11.BASE Collector Current:Ic=500mA 2.EMITTERo2.4 Collector Dissipation:Pc=225mW(Tc=25 C) 3.COLLECTOR1.3Unit:mmoABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Symbol Rating UnitCharacteristicCollector-Base Volta
Мультивибратор на КТ315
Мультивибратор — это генератор широкой импульсной модуляции (или коротко ШИМ). Получается, что генератор будет выдавать сигнал либо постоянного плюса, либо постоянного минуса.
Принцип действий заключается в попеременном поступлении тока то к одному, то к другому светодиоду (их два). Частоту каждого из них можно менять (если резисторы будут разными, то и включение светодиодов тоже будет отличаться). Данная схема работает от напряжения 1,7 В до 16 В. Чтобы запустить схему понадобиться 3,2 В (этого будет достаточно, чтобы увидеть деятельность светодиодов).
Стоит отметить, что схема парная (2 конденсатора, 2 резистора, (2 RC-цепи), 2 светодиода), а вот значения транзисторов могут отличаться (от 220 Ом до 300 Ом), в таком случае схема все равно будет работать.
Надежная функциональность мультивибратора зависит от более высокого сопротивления одного из резисторов.
Отметим, что, чем больше сопротивление на переменном резисторе, тем больше будет мигать светодиод.
M8550S Datasheet (PDF)
0.1. m8550s.pdf Size:346K _jiangsu
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors M8550S TRANSISTOR (PNP) TO-92 FEATURES 1.EMITTER Power Dissipation 2. COLLECTORMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 3.BASE Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V IC Collecto
9.1. m8550t.pdf Size:818K _secos
M8550T -0.8A , -40V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURE AD Power Dissipation BE CFG H1Emitter 1112Base 2223Collector 333J Collector 3 1 Base 2 Emitter ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise specified
9.2. m8550.pdf Size:738K _secos
M8550 -40V, -0.8A, 200mW PNP Plastic Encapsulate Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES Power dissipation AL33MARKING Top View C B11 2Product Marking Code 2K EM8550 Y21 DH JF GCLASSIFICATION OF hFE(2) Product-Rank M8550-L M8550-H Millimeter Millimeter REF. R
9.3. m8550.pdf Size:721K _htsemi
M8 550TRANSISTOR(PNP)SOT-23 FEATURES Power dissipation MARKING: Y21 1. BASE 2. EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3. COLLECTOR Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V IC Collector Current -Continuous -0.8 A PC Collector power dissipation 200 mW Tj Ju
9.4. m8550.pdf Size:292K _gsme
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.GM8550FEATURESFEATURES FEATURESLow Frequency Power Amplifier Suitable for Driver Stage lf Small Motor Complementary to GM8050 GM8050 (Ta=25 )
9.5. m8550 sot-23.pdf Size:414K _lge
M8550 SOT-23 Transistor(PNP)1. BASE SOT-232. EMITTER 3. COLLECTOR Features Power dissipation MARKING: Y21 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -40 V Dimensions in inches and (millimeters)VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V IC Collector Current -Continuous -0.8 A
9.6. m8550 to-92.pdf Size:189K _lge
M8550(PNP)TO-92 TransistorsTO-92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR Features Power dissipation MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V IC Collector Current -Continuous -800 mA Dimensions in inches and (millimeters)PC Colle
9.7. m8550lt1.pdf Size:429K _wietron
M8550LT1PNP General Purpose Transistors3P b Lead(Pb)-Free12SOT-23ValueVCEO 25405.0 8003002.44170.125100 40 5.01000.15u35u4.0 0.15WEITRON1/4 15-Jul-10http://www.weitron.com.twM8550LT1ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued)CharacteristicsSymbol Max UnitMinON CHARACTERISTICSDC Current Gain-
8550C Datasheet (PDF)
0.1. s8550b s8550c s8550d.pdf Size:177K _mcc
S8550-BMCCMicro Commercial ComponentsTMS8550-C20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311S8550-DPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.PNP Silicon Collector-current 0.5A Collector-base Voltage 40VTransistors Operating a
0.2. 8550c.pdf Size:143K _sunroc
SUNROC8550C TRANSISTOR(PNP) MAXIMUM RATINGS(Ta=25 unless otherwise noted) 1. EMITTER Symbol Parameter Value UnitsCollector-Base Voltage 2. BASE VCBO -40 VCollector-Emitter Voltage -25VCEO V3. COLLECTOR Emitter-Base Voltage VEBO -5 VCollector Current IC -0.5 ACollector Power Dissipation PC 625 mWJunction Temperature Tj 150 Storag Temperature -55150