Транзистор c3198 характеристики на русском

Как выбрать аналог C3198 транзистора: полезные рекомендации

Когда вам нужно заменить транзистор C3198, важно выбрать подходящий аналог, который обеспечит оптимальную работу вашей электронной схемы. С помощью следующих рекомендаций вы сможете выбрать аналог C3198 транзистора без проблем

1. Определите основные характеристики транзистора:

Перед тем как искать аналог, определите основные параметры C3198 транзистора, такие как напряжение коллектор-эмиттер и ток коллектора. Это позволит вам ограничить список подходящих аналогов и выбрать наиболее подходящий.

2. Используйте онлайн-каталоги:

Существует множество онлайн-каталогов, которые предлагают информацию о различных транзисторах, их параметрах и аналогах. Используйте эти ресурсы для поиска аналогов C3198. Они часто предлагают фильтры, позволяющие уточнить параметры поиска и выбрать подходящие варианты.

3. Обратитесь к производителю:

Если вам нужна точная замена, особенно если C3198 транзистор входит в какое-то определенное оборудование, обратитесь к производителю. Они могут рекомендовать аналогичный транзистор, который будет идеально подходить для вашего приложения.

4. Учтите электрические параметры:

При выборе аналога C3198, учитывайте его электрические параметры: напряжение коллектор-эмиттер, ток коллектора, коэффициент усиления тока (hfe) и другие. Убедитесь, что выбранный аналог имеет схожие или близкие значения этих параметров, чтобы гарантировать правильную работу схемы.

5. Проверьте доступность и стоимость:

Не забывайте проверить доступность выбранного аналога и его стоимость. Убедитесь, что аналог легко доступен для покупки и его стоимость не является препятствием для вашего проекта.

Следуйте этим полезным рекомендациям, чтобы правильно выбрать аналог C3198 транзистора и сохранить надежную работу вашей электронной схемы.

BC547A Datasheet (PDF)

0.1. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

0.2. bc546b bc547a-b-c bc548b-c.pdf Size:72K _onsemi

BC546B, BC547A, B, C,BC548B, CAmplifier TransistorsNPN SiliconFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR1MAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector — Emitter Voltage VCEO VdcBC546 653BC547 45EMITTERBC548 30Collector — Base Voltage VCBO VdcBC546 80BC547 50BC548 30TO-92Emitter — Base Voltage VEBO 6.0 VdcCASE 2

 0.3. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Электрические параметры (при Ta = 25°C)

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Ток коллектора выключения, мкА	ICBO	UCB = 60 В, IE = 0	≤ 0,1
Ток базы выключения, мкА	IEBO	UEB = 5 В, IC =0	≤ 0,1
Статический коэффициент усиления по току ٭	hFE(1)	UCE = 6 В, IC = 0,002 А	40…250
hFE(2)	UCE = 6 В, IC = 0,15 А	≥ 25
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat)	IC = 100мА, IB = 10 мА	0,1…0,25
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UBE(sat)	IC = 100мА, IB = 10 мА	≤ 0,1
Частота среза, МГц	fT	UCE = 10 В, IC = 1 мА	≥ 80
Выходная емкость, pF	Cob	UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц	≤ 3
Внутреннее сопротивление базового перехода, Ом	rbb’	UCB = 10 В, IE = 1 мА, f = 30 МГц	50
Коэффициент шума (типовое значение), dB	2SC3198A	NF	UCE = 6 В, IC = 0,1 мА, f = 1 кГц, Rg = 10 кОм	1
2SC3198L	NF	0,2

٭ — транзисторы классифицируются по группам в зависимости от величины коэффициента усиления по току:

Обозначение транзистора в группе	2SC3198 O	2SC3198 Y	2SC3198 GR	2SC3198 BL
Диапазон величины hFE	70…140	120…240	200…400	350…700

Использование в двухтактной конфигурации

Как уже упоминалось в параметрах, S8550 обычно используется в двухтактной конфигурации с усилителем класса B. Итак, давайте обсудим, как это делается.

Двухтактный усилитель, обычно известный как усилитель класса B, является типом многоступенчатого усилителя, обычно используемого для усиления звука динамика. Это очень просто построить и требует двух идентичных дополнительных транзисторов. Под дополнительным подразумевается, что нам нужен транзистор NPN и его эквивалентный PNP. Простая принципиальная схема усилителя класса B с использованием S8050 показана ниже.

2D модель корпуса

Если вы проектируете печатную плату или перфорированную плату с этим компонентом, вам будет полезно изучить следующее изображение , чтобы узнать тип и размеры корпуса данного устройства.

8550SS Datasheet (PDF)

0.1. 8550ss-c 8550ss-d.pdf Size:366K _mcc

MCC8550SS-CTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components8550SS-DCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.PNP Silicon Collector-current 1.5A Collector-base Voltage 40VTransistors Operating and storage

0.2. 8550sst.pdf Size:344K _secos

8550SST -1.5A , -40V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES General Purpose Switching and Amplification. G HEmitter Collector Base JCLASSIFICATION OF hFE (1) A DMillimeterProduct-Rank 8550SST-B 8550SST-C 8550SST-DREF.B Min. Max.A 4.

 0.3. 8550ss.pdf Size:230K _jiangsu

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO 92 8550SS TRANSISTOR (PNP) 1.EMITTER FEATURES 2.COLLECTOR General Purpose Switching and Amplification. 3.BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-

SS8550W Datasheet (PDF)

0.1. mmss8550w-j.pdf Size:187K _mcc

MMSS8550W-LMCCMicro Commercial Components MMSS8550W-HTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311MMSS8550W-JPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix «-HF»PNP Silicon Case Material:Molded Plastic. UL FlammabilityClassificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1 Marking:Y2 Plasti

0.2. mmss8550w-h.pdf Size:187K _mcc

MMSS8550W-LMCCMicro Commercial Components MMSS8550W-HTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311MMSS8550W-JPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix «-HF»PNP Silicon Case Material:Molded Plastic. UL FlammabilityClassificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1 Marking:Y2 Plasti

 0.3. mmss8550w-l.pdf Size:187K _mcc

MMSS8550W-LMCCMicro Commercial Components MMSS8550W-HTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311MMSS8550W-JPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix «-HF»PNP Silicon Case Material:Molded Plastic. UL FlammabilityClassificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1 Marking:Y2 Plasti

0.4. ss8550w.pdf Size:115K _secos

SS8550WPNP SiliconElektronische BauelementeGeneral Purpose TransistorRoHS Compliant ProductSOT-323FEATURESCollectorDim Min Max33A 1.800 2.200Power dissipation11 B 1.150 1.3502 BasePCM : 0.2 WC 0.800 1.000Collector CurrentD 0.300 0.4002ICM : -1.5 A A G 1.200 1.400EmitterLH 0.000 0.100Collector-base voltageJ 0.100 0.2503V(BR)CBO : — 40 VS

 0.5. ss8550w.pdf Size:264K _wietron

SS8550WPNP Plastic-Encapsulate Transistor3P b Lead(Pb)-Free12MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted)1. BASESymbol Parameter Value Units2. EMITTER3. COLLECTORV(BR)CBO Collector- Base Voltage -40 VICM Collector Current -1.5 ASOT-323(SC-70).PCM Power Dissipation (Tamb=25C) W0.2TJ Junction Temperature -55 to +150 Tstg Storage Temperature -55 to +15

Аналоги

Транзистор BC557 можно заменить на BC556 , BC560

Конкурс персональных сайтов среди учителей БСОШ №1.

Admin 11 Апр 2019 Просмотров:453 КОНКУРС САЙТОВ 2019

Видео для подготовки к ЕГЭ

Единый Государственный Экзамен по информатике и ИКТ в 2019 году Видео для подготовки к ЕГЭ: При подготовке данного метериала были использованы ресурсы: Информатика. Видеоуроки. Подготовка к ЕГЭ(Ч.1 и Ч.2).

Admin 26 Ноя 2018 Просмотров:292 ‘Подготовка к ЕГЭ (11 класс)

Задания на ЕГЭ в 2019 году

Единый Государственный Экзамен по информатике и ИКТ в 2019 году Задания по категориям: При подготовке данного метериала были использованы ресурсы: https://inf-ege.sdamgia.ru – РЕШУ ЕГЭ. Информатика. Видеоуроки. Подготовка к ЕГЭ(Ч.1 и Ч.2).

Admin 26 Ноя 2018 Просмотров:274 ‘Подготовка к ЕГЭ (11 класс)

Как узнать сколько знаков в тексте Word?

Как узнать сколько знаков в тексте Word? Когда требуется написание текста определенного объема, нужно периодически узнавать сколько знаков уже написано в текстовом документе Word. Многие пользователи не знают как это.

Admin 07 Ноя 2018 Просмотров:1005 КОМПЬЮТЕРы

Как в ворде вставить формулу суммы?

Как в ворде вставить формулу суммы? Несмотря на то, что Microsoft Word является текстовым редактором таблицы в нем встречаются довольно часто. А таблицы, как правило, состоят из числовых значений, которые зачастую.

Admin 07 Ноя 2018 Просмотров:1298 КОМПЬЮТЕРы

Биполярный транзистор SS8550-H — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: SS8550-H

Маркировка: HY2D

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора:

Проверка и безопасное использование

Будьте внимательными в использовании транзисторов этой серии, при покупке S8050 убедитесь, что он именно то, что Вам нужно. Очень редко, но встречаются данные транзисторы с PNP проводимостью. Так, компания Wing Shing Computer Components выпускает его с PNP проводимостью.

Придерживайтесь следующих мер безопасности:

• Не эксплуатируйте его с напряжением выше 20 В (V) и нагрузкой более 700 мА (mA);
• Используйте подходящий базовый резистор, который ограничит ток базы до требуемого уровня;
• Не подвергайте его нагреву более 150 и ниже минус 60 градусов по Цельсию;

Производители

Транзистор S8050 выпускают следующие компании:

1. Wing Shing Computer Components Co.Ltd. (WS);
2. UTC (Unisonic Technologies Company);
3. Weitron technology co.,ltd;
4. Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited;
5. Daya Electric Group Co., Ltd;
6. SeCoS Halbleitertechnologie GmbH;
7. Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd;
8. SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD.

Технические характеристики

Транзисторы КТ361 распределены по параметрам группам усиления и отличаются между собой преимущественно такими основными характеристиками: максимальное постоянное напряжения между выводами К-Э, К-Б (при R_БЭ=10 кОм) от 20 до 50 В; статическим коэффициентом передачи тока (H_21Э) от 20 до 350. При этом разброс возможного H_21Э, даже в одинаково промаркированных устройствах, может значительно варьироваться. У них также разные напряжения между К-Э от 10 до 60 В, при обратном токе К-Э не более 1 мА. Другие значения параметров похожие и являются типовыми для всего семейства.

Предельно допустимые

Рассмотрим предельно допустимые параметры, характерные для серии КТ361:

• напряжение между выводами Б-Э до 4В;
• ток коллектора до 50мА;
• мощность рассеивания: 150мВт, если Т>+100оС до 30мВт;
• температуры: кристалла до 120 оС; окружающей среды – 60…+100 оС;
• статический потенциал до 200 В.

При повышении нагрева устройства свыше +100 оС отдельные параметры ухудшаются. Особенно это сильно влияет на мощность рассеивания.

Типовые электрические

К типовым электрическим параметрам у КТ361 относятся:

• граничная частота по H_21Э (если U_KЭ=10 В и I_Э=5 мА) более 250 МГц;
• обратные токи: между К-Э (при R_БЭ=10 кОм и максимальном U_KЭ) до 1 мкА; коллектора (при U_KБ=10В) до 1 мкА;
• возможная емкость перехода на коллекторе-7..9 пФ;
• статический коэффициент усиления H_{21Э от 20 до 350.}

Исходя из вышесказанного, КТ361 можно отнести к высокочастотным полупроводниковым триодам p-n-p-структуры малой мощности. В таблице представлены основные значения наиболее распространенных его групп.

Особенности работы

Из-за специфичной эпитаксиально-планарной технологии изготовления, КТ361 получился не столь хорош, как его «старший брат» КТ315. К основным его недостаткам можно отнести:

• большой разброс значений H_21Э;
• в два раза меньший предельно допустимый коллекторный ток;
• внезапно появляющиеся/пропадающие шумы.

Вместе эти транзисторы выгодней использовать при I_К в районе 20…30 мА, в этот момент H_21Э у них самый высокий. Но при одинаковых условиях и режимах эксплуатации КТ 361 выходит из строя быстрее. Как следствие альтернативу ему приходится искать чаще. Но многое зависит от схемы и её назначения.

Аналоги

Импортные аналоги для кт361 обычно подбирают из следующих устройств: BC556, 2N3905, BC557, BC308A, BC327, SS9012, 2N3906, Из отечественных в качестве замены можно рассмотреть: КТ3107, КТ502. В SMD-корпусе импортные ВС857, ВС858 и российский или белорусский КТ3129.

Маркировка

Первоначальная кодовая маркировка пластиковой упаковки КТ-13 состояла всего из одного символа, размещенного прямо по центру. Она могла запутать многих радиолюбителей, так как в начальный период производства (с 1967 г.) уже были похожие изделия в аналогичном исполнении, но с другими параметрами.

Поэтому с 1971г. обозначение группы коэффициента усиления по току у КТ361, состоящее всего из одной буквы, стали наносить посередине корпуса. Чуть ниже — дату выпуска. Данный транзистор легко отличить от КТ315, групповая принадлежность которого указана в левом верхнем углу на пластике. Таким образом, производители продолжают делать и сейчас.

Транзисторы в корпусе КТ-26 имеют полную цифро-буквенную маркировку и их идентификация обычно не вызывает трудностей.

Транзистор C3198: характеристики, datasheet и аналоги

Рассмотрим технические характеристики маломощного транзистора C3198. Он выделяется высокой линейностью к-та усиления h_fe и невысоким уровнем шумов. Чаще всего его устанавливают в предварительных каскадах предварительного усиления ауди и видео сигнала. Изготавливается по эпитаксиально-планарной технологии, со структурой n-p-n. Впервые разработала данное устройство корейская компания КЕС, и маркировался он «КТC3198». Иногда его называют в соответствии с японским индустриальным стандартом «2SC3198». Сейчас чаще первые две буквы отбрасывают и наносят надпись «C3198».

Цоколевка

Транзистор C3198 все производители выпускают в корпусе ТО-92. Если взять устройство так, чтобы надписи на нем были повёрнуты к вам, а ножки находились внизу, то выводы будут расположены слева направо в следующем порядке: эмиттер, коллектор, база.

Технические характеристики

Приведём предельные параметры C3198. Их нужно учитывать в первую очередь при поиске замены или разработке нового устройства. Они измеряются при температуре +25°С. В нашем случае характеристики C3198 равны:

• напряжение К — Б V_CBO = 60 В;
• напряжение К – Э V_CEO = 50 В;
• напряжение Э — Б V_EBO = 5 В;
• ток коллектора I_C = 150 мА;
• ток через базу I_В = 50 мА;
• максимальная мощность на коллекторе Р_С = 625 мВт;
• т-ра кристалла T_j = 150ОС;
• диапазон температур, при которых C3198 может сберегаться T_stg = 55 … 150ОС.

После максимальных параметров следует рассмотреть электрические.

Электрические характеристики транзистора C3198 (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы измерения	Обозн.	min	typ	max	Ед. изм
Обратный ток коллектора	VCВ= 60 В, IЕ = 0	ICВO			0,1	мкА
Обратный ток эмиттера	VЕВ= 5 В, IС = 0	IEBO			0,1	мкА
Статический коэффициент передачи тока	IC=2 мA; VCE= 6В	hFE1	70		700
IC=150мA; VCE= 6В	hFE2	25	100
Напряжение насыщения К — Э	IC= 100 мA; IB= 10 мA	VCE(sat)		0,1	0,25	В
Напряжение насыщения Б — Э

I_C= 100 мA; I_B= 10 мA
V_ВE(sat)

1,0
В
Граничная частота коэффициента передачи тока
V_CE=10 В, I_C= 1 мA,
f_T
80

МГц

Выходная ёмкость
I_E= 0 А, V_CB=10 В,

f=1 мГц

С_ob

2
3,5
пФ

В зависимости от коэффициента усиления h_FE1 (измерен при следующих условиях: I_C=2 мA; V_CE= 6В) транзисторы делятся на четыре группы О (от 70 до 140), Y(от 120 до 240), GR(от 200 до 400), BL(от 300 до 700).

Аналоги

Подобрать аналоги для C3198 из зарубежных несложно:

• 2SC1815;
• 2SC3331;
• 2SA1246;
• 2SC1740;
• 2SC1685;
• 2SC945;
• 2SC3199.

Кроме этого можно найти также отечественные устройства с похожими характеристиками: КТ 6111 (любой от А до Г) и 6117Г.

Производители

DataSheet на C3198 можно скачать по клину на названия производителя: KEC(Korea Electronics) и Kwang Myoung. В продаже в России встречаются транзисторы, изготовленные фирмой TaiwanSemiconductor.

BC547BP Datasheet (PDF)

8.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B — THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

8.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

 8.3. bc547ba3.pdf Size:412K _cystek

Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2015.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC547BA3Description The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BC557BA3. Pb-free package Symbol Outline BC547BA3 TO-92 BBase CCollector

8.4. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Как выбрать замену C2078 транзистора

При выборе замены для транзистора C2078 важно учитывать несколько факторов, включая параметры работы транзистора, его электрические характеристики и коммерческую доступность альтернативных моделей

Во-первых, необходимо обратить внимание на параметры работы C2078, такие как максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce), максимальный ток коллектора (Ic), коэффициент усиления по току (hFE) и максимальная мощность (P). Эти параметры определяют возможности и ограничения транзистора и должны быть сопоставимы с аналогичными параметрами выбранного заменителя

При выборе замены рекомендуется обратиться к документации производителя транзистора C2078 и ознакомиться с рекомендуемыми альтернативами. Производители обычно предоставляют списки моделей, которые могут использоваться вместо C2078 с сопоставимыми электрическими параметрами.

Также можно воспользоваться специализированными электронными каталогами, которые предоставляют информацию о доступных аналогах для различных электронных компонентов. В этих каталогах можно найти аналоги C2078, которые имеют схожие параметры и доступны для приобретения.

Также следует обратить внимание на коммерческую доступность выбранной альтернативы. Часто некоторые модели транзисторов могут быть сняты с производства или иметь ограниченное количество на складах поставщиков

Поэтому рекомендуется проверить наличие выбранного заменителя у различных поставщиков электронных компонентов.

Выбор замены C2078 транзистора должен основываться на сопоставлении электрических параметров, доступности и соответствии требованиям конкретного проекта или приложения. Следуя этим рекомендациям, можно выбрать оптимальную альтернативу для замены C2078.

Функциональное описание транзистора С3198

• Максимальная переизмеряемая напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) составляет 150 В;
• Максимальное постоянное коллекторное напряжение (VCBO) равно 160 В;
• Максимальное допустимое коллекторное напряжение на обратной полярности (VEBO) составляет 6 В;
• Максимальный коллекторный ток (IC) равен 500 мА;
• Максимальная мощность потерь (Pd) составляет 625 мВт;
• Коэффициент усиления по току транзистора (hFE) составляет от 60 до 320 при коллекторном токе 10 мА и коллекторном напряжении 5 В;
• Уровень допустимых температур от -55°C до +150°C.

Транзистор С3198 широко применяется в усилительных схемах, стабилизаторах напряжения, источниках питания, переключающих и логических схемах, таймерах и других электронных устройствах. С его помощью можно усиливать и переключать сигналы, контролировать электрический ток и выполнять другие функции в системе передачи и обработки сигналов.

Корпус и цоколевка

Транзистор выпускается в корпусах двух вариантов:

1. SOT-23 – предназначен для поверхностного монтажа и представляет собой параллелепипед размером 3,0 х 1,4 х 1,0 мм, на одну из длинных сторон которого выведены две ножки, на другую – одна. Если смотреть на корпус со стороны надписи, при этом внизу находится сторона с двумя выводами, то, начиная с правой нижней ножки, выводы по часовой стрелке пойдут в таком порядке – эмиттер, база, коллектор.
2. ТО-92 – пластмассовый цилиндр, усеченный с одной стороны, на торце которого закреплены три вывода, находящиеся в одной плоскости. Если смотреть со стороны среза, то последовательность следующая (слева направо) – эмиттер, база, коллектор. Вариант предназначен для монтажа на плату навесным способом.

По электрическим параметрам исполнения в различных корпусах отличаются лишь величиной допустимой мощности рассеяния.

Модификации и группы транзистора C3198

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	CC	hFE ٭	NF (типовое) dB	Корпус
C3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
C SC3198 (O, Y, GR, BL)	0,625	60	50	5	0,15	125	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
FTC3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
KTC3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
KTC3198A	0,4	60	50	5	0,15	150	80	2	25…700	1	TO-92
KTC3198L ٭٭	0,625	60	50	5	0,15	150	80	2	25…700	0,5 (1) 0,2 (2)	TO-92

٭ — диапазон значений параметра h_FE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

Характерные особенности

• Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: U_CE(sat) ≤ 1 В при I_C = 3 А.
• Высокая скорость переключений: время спадания импульса t_f ≤ 1 мкс при I_C = 3 А.
• Расширенная область безопасной работы транзистора при обратном смещении в цепи управления (базы): U_{CEX (sus)1} ≥ 450 В I_C = 3 А.

Характеристика	Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В	VCBO	500
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В	VCEO	400
Напряжение эмиттер – база транзистора, В	VEBO	7
Ток коллектора постоянный, А	IC	7
Ток коллектора импульсный, А	ICP ٭	15
Ток базы постоянный, А	IB	3,5
Рассеиваемая мощность (Ta = 25°C), Вт	PC	1,5
Рассеиваемая мощность (Tc = 25°C), Вт	PC	40
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С	Tj	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°	Tstg	-55…+150

٭ — измерено при длительности импульса тока 300 мкс и скважности 10%

2SC3198-Y npn-транзистор комплементарный pnp, замена, распиновка, конфигурация выводов, заменитель, маркировка C3198-Y, аналог smd, техпаспорт

Характеристики транзистора 2SC3198-Y

• Тип: NPN
  
• Напряжение коллектор-база, макс.: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, макс.: 5 В
• Ток коллектора — непрерывный, макс.: 0,15 A
• Collector Dissipation: 0.4 W
• Сообщение тока DC (H _Fe ): 120 до 240
• Частота перехода, 8 80 МГц
• Рис. дБ
• Диапазон температур перехода при эксплуатации и хранении: от -55 до +125 °C
• Упаковка: TO-92

0 Изготовлен из пластмассы a-YSC11

5 ТО-92 случай.

Классификация h

_FE

Транзистор 2SC3198-Y может иметь коэффициент усиления по току от 120 до 240 . Коэффициент усиления 2SC3198 будет находиться в диапазоне от 70 до 700 ., для 2SC3198-O будет в диапазоне от 70 до 140 , для 2SC3198-GR будет в диапазоне от 200 до 400 , для 2SC3198-BL будет в диапазоне диапазон от 300 до 700 .

Комплементарный 9Транзистор 0008 PNP для 2SC3198-Y — это 2SA1266-Y.

SMD версия транзистора 2SC3198-Y

23), 2SC4116 (SOT-323), 2SC4116-Y (SOT-323), 2SC4738 (SOT-23), 2SC4738-Y (SOT-23), FJX945 (SOT-323), FJX945Y (SOT-323), KSC1623 (SOT-23), KTC3875 (SOT-23), KTC3875S (SOT-23), KTC3875S-Y (SOT-23), KTC3875Y (SOT-23), MMBT2484 (SOT-23) и TMBT3904 (SOT-23) версия SMD 2SC3198-й транзистор. Эти транзисторы однотипны, имеют схожие параметры и предназначены для поверхностного монтажа.

Замена и эквивалент для 2SC3198-Y Transistor

Вы можете заменить 2SC3198-Y на 2SC1318, 2SC1318-R, 2SC1384, 2SC1384-R, 2SC1627, 2SC1627-Y, 2SC1627A, 2SC12715, 2SC127, 2SC, 2SC, 2SC, 2SC, 2SC127. , 2SC2002, 2SC2003, 2SC2274, 2SC2274K, 2SC2277, 2SC2458, 2SC2458-Y, 2SC2655, 2SC2655Y, 2SC2960, 2SC3114, 2SC3199, 2SC3199-Y, 2SC3243, 2SC3244, 2SC3328, 2SC3328-Y, 2SC3330, 2SC3331, 2SC3382, 2SC3383, 2SC3708, 2SC3916, 2SC3917, 2SC3918, 2SC3919, 2SC3920, 2SC3921, 2SC3922, 2SC3923, 2SC3940A, 2SC3940A- R, 2SC4208A, 2SC4208A-R, 2SC4408, 2SD1207, 2SD1347, 2SD1835, 2SD438, 2SD667, 2SD789, 2SD863, C1815, C1815Y, C945, C945Y, H945, KSC1008C, KSC1008CY, KSC1815, KSC1815Y, KSC2331, KSC2331Y, KSC945C, KSC945CY, KSP8098C, KSP8099C, KTC1006, KTC1008, KTC3198, KTC3198Y, KTC3199, KTC3199Y, KTC3209, KTC3209Y, KTC3227, KTC3227Y или KTD863.