Bdw94c pdf ( даташит ) - silicon pnp power transistor

Маркировка полевых SMD транзисторов

Маркировка	Тип прибора	Маркировка	Тип прибора

6A	MMBF4416	C92	SST4392
6B	MMBF5484	C93	SST4393
6C	MMBFU310	H16	SST4416
6D	MMBF5457	I08	SST108
6E	MMBF5460	I09	SST109
6F	MMBF4860	I10	SST110
6G	MMBF4393	M4	BSR56
6H	MMBF5486	M5	BSR57
6J	MMBF4391	M6	BSR58
6K	MMBF4932	P01	SST201
6L	MMBF5459	P02	SST202
6T	MMBFJ310	P03	SST203
6W	MMBFJ175	P04	SST204
6Y	MMBFJ177	S14	SST5114
B08	SST6908	S15	SST5115
B09	SST6909	S16	SST5116
B10	SST6910	S70	SST270
C11	SST111	S71	SST271
C12	SST112	S74	SST174
C13	SST113	S75	SST175
C41	SST4091	S76	SST176
C42	SST4092	S77	SST177
C43	SST4093	TV	MMBF112
C59	SST4859	Z08	SST308
C60	SST4860	Z09	SST309
C61	SST4861	Z10	SST310
C91	SST4391

Цоколевка

Распиновка КТ818 зависит от его исполнения. Как говорилось ранее, эти транзисторы бывают двух видов: пластиковой упаковке КТ-28 (аналог импортного ТО220) и металлостеклянной КТ-9(ТО3). Обозначение типа приводится на корпусе. Таким устройство впервые появилось еще во времена СССР и с тех пор никак не изменилось. В техническом описании обычно указаны оба варианта.

Внимательно рассмотрим цоколевку у КТ-28. Если смотреть на обозначение транзистора, то слева будет эмиттер (Э), в центре коллектор (К), а справа база (Б).

В металлостеклянном корпусе КТ818 практически перестали выпускать. Связано это с их моральным устареванием и непригодностью применения при создании новой техники. Старое оборудование, в котором они использовались ранее, уже сильно уступает современным техническим новинкам по своим параметрам. В тоже время их можно использовать в учебных целях и ремонта оборудования советских времен.

На рисунке ниже указано расположение выводов для КТ818(КТ-9). Если перевернуть транзистор и посмотреть на него, то вывод Б будет слева, а Э справа. Корпус устройства – это контакт К.

Технические характеристики

Серия кремниевых биполярных транзисторов КТ818, в зависимости от групповой принадлежности, обладает такими максимальными эксплуатационными параметрами:

напряжение между выводами: К-Э – 40…90 В; К-Б – 40…90 В; Э-Б – 5 В;
ток коллектора: постоянный до 10 А; импульсный до 15 А;
ток базы: постоянный до 3 А; импульсный до 5 А;
рассеиваемая мощность с использование радиатора от 60 до 100 Вт, без него 1,5-3 Вт;
температура перехода от +125 до +150 oC;
диапазон рабочих температур от -45 до +100 oC;

В техописаний транзистора, по современным меркам, данных не так много. В некоторых версиях документации отсутствует даже информация о статическом коэффициенте передачи по току H_21Э – в графе стоит прочерк. Многие значения тестирования вообще не указываются. Это связано моральным устареванием серии и нежеланием современных производителей заниматься её совершенствованием, а так же разрабатывать на неё новую документацию. Электрические параметры приводятся с указанием дополнительных условий их измерения, с учетом температуры окружающей среды до +25 oC.

Аналоги

Отечественным аналогом для серии КТ818 считается КТ816. Также рассмотрим в качестве возможных вариантов для его замены импортные транзисторы. Распределим их по группам:

для устройств в корпусе КТ-28 (ТО220):

А- 2N6111, BD292, 2N6132;
Б- 2N6132, 2SB754, BD202, BD294, BD534, BD664, BD706, BD950, BDT92, BDV92, TIP42;
В- 2N5194, 2N6109, 2N6133, 2SB1019, 2SB553, BD204, BD296, BD536,BDT94, BDW94, КТ816В;
Г-2N5195, 2N6107, 2N6134, 2SB1016, 2SB1018, BD538, BD710, BD954, BDT96, BDV96;

для устройств в корпусе КТ-9(ТО3):

АМ – аналогов нет;
БМ -2N6469, BDW22, BDW52, BDX92, 2N6246;
ГМ- 2N6247, 2N6248, 2SB558, BDW22B, BDW22C, BDW52B, BDW52C, BDX18, BDX96;
ВМ — 2N6246, BDW22A, BDW52A, BDX94.

Маркировка

Ознакамливаясь со свойствами необходимо знать, что они так же имеют и другую, отличную от привычной маркировку. В свое время, для того чтобы выполнить условия ОСТ 11.336.919-81, производители применяли наименование 2Т818. Таким образом обозначали устройства, выпускавшиеся для нужд армии. Они имели лучшие характеристики по отношению версии КТ. При их изготовлении использовались более дорогие материалы. Для того, чтобы избежать путаницы у конечного потребителя, в новых версиях даташит приводятся оба варианта обозначений.

Биполярный транзистор BDW94C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BDW94C

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15000

Корпус транзистора:

BDW94C
Datasheet (PDF)

..1. Size:43K fairchild semi bdw94c.pdf

January 2005BDW94/CPNP Epitaxial Silicon TransistorPower Linear and Switching Application Power Darlington TR Complement to BDW93 and BDW93C RespectivelyTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage: BDW94 -45 V: BDW94C -100 VVCEO Collector-Emitter Voltage:

..2. Size:160K onsemi bdw94 bdw94c.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

..3. Size:217K inchange semiconductor bdw94 bdw94a bdw94b bdw94c.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor BDW94/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = -12ACCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -45V(Min)- BDW94; -60V(Min)- BDW94ACEO(SUS)-80V(Min)- BDW94B; -100V(Min)- BDW94CComplement to Type BDW93/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned f

0.1. Size:91K st bdw93cfp bdw94cfp.pdf

BDW93CFPBDW94CFPCOMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE FULLY MOLDED INSULATED PACKAGE 2000 V DC INSULATION (U.L. COMPLIANT)321APPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALT0-220FPEQUIPMENT

0.2. Size:419K fairchild semi bdw94cf.pdf

July 2005BDW94CFPNP Epitaxial Silicon TransistorPower Linear and Switching Application Power Darlington TR Complement to BDW93CF RespectivelyTO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -100 VVCEO Collector-Emitter Voltage -100 VIC Collector Current (DC) -12 A

0.3. Size:140K shantou-huashan hbdw94c.pdf

PNP DARLINGTON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBDW94C APPLICATIONS Power Linear And Switching Applicatione. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220 TstgStorage Temperature -65~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

0.4. Size:195K inchange semiconductor bdw94cfp.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW94CFPDESCRIPTIONWith TO-220F packagingVery high DC current gainMonolithic darlington transistor with integratedantiparallel collector-emitter diodeComplement to Type BDW93CFPMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAC-DC motor controlElec

Другие транзисторы… BDW93B
, BDW93BFI
, BDW93C
, BDW93CFI
, BDW93FI
, BDW94
, BDW94A
, BDW94B
, 2SC2655
, BDX10
, BDX10-4
, BDX10-5
, BDX10-6
, BDX10-7
, BDX10C
, BDX10H
, BDX11
.

Транзистор КТ6116 — DataSheet

Перейти к содержимому

Параметры транзисторов КТ6116
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ6116А		ВС450 2, 2SA794 3, 2SA794P 3, SK3114A 2, 2SA984K 2, 2SA984KD 2, 2SA777NС 2, FMMTA56 3
КТ6116Б		SО5400 1, FMMT5400 1, A5T5400, MPSL51 2, MPSD53 2, PN4356 2, 2N4356 3
Структура

—
p-n-p

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
P_K max,P*_{K, τ max},P**_{K, и max}
КТ6116А
50 °C
625
мВт

КТ6116Б
50 °C
625

Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
f_гр,f*_h31б,f**_h31э, f***_max
КТ6116А

—
≥100
МГц
КТ6116Б
—
≥100

Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
U_{КБО проб. ,}U*_{КЭR проб.,}U**_{КЭО проб.}
КТ6116А
—
160
В

КТ6116Б
—
130

Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора

U_{ЭБО проб.,}
КТ6116А
—
5
В
КТ6116Б
—
5

Максимально допустимый постоянный ток коллектора
I_{K max,} I*_{К , и max}
КТ6116А
—
600
мА

КТ6116Б
—
600

Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера

I_КБО, I*_КЭR, I**_КЭO
КТ6116А
—
≤0. 05
мкА
КТ6116Б
—
≤0.01

Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h_21э, h*_21Э
КТ6116А

—
60…240

КТ6116Б
—
40…180

Емкость коллекторного перехода
c_к, с*_12э
КТ6116А
—
—
пФ

КТ6116Б
—
—

Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
r_{КЭ нас}, r*_{БЭ нас, К}**_у.р.
КТ6116А
—
—
Ом, дБ

КТ6116Б
—
—

Коэффициент шума транзистора
К_ш, r*_b, P**_вых
КТ6116А
—
≤8
Дб, Ом, Вт

КТ6116Б
—
—

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τ_к, t*_рас, t**_выкл, t***_пк(нс)
КТ6116А
—
—
пс

КТ6116Б
—
—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы

Описание
Фабрикантес
ПДФ

АОД468
N-канальный МОП-транзистор 11,5 А
Альфа и Омега Полупроводники
ПДФ

АОИ468
N-канальный МОП-транзистор 11,5 А
Альфа и Омега Полупроводники
ПДФ

АОЛ1206
N-канальный МОП-транзистор 30 В
Альфа и Омега Полупроводники
ПДФ

АОН6206
N-канальный МОП-транзистор 30 В
Альфа и Омега Полупроводники
ПДФ

АОН6514
N-канальный AlphaMOS Альфа и Омега Полупроводники

ПДФ
АОН6534
30 В N-канальный AlphaMOS
Альфа и Омега Полупроводники
ПДФ

АОН6542
N-канальный AlphaMOS Альфа и Омега Полупроводники
ПДФ

АОН6702
N-канальный МОП-транзистор 30 В

Альфа и Омега Полупроводники
PDF
АОН6702Л
N-канальный МОП-транзистор 30 В
Альфа и Омега Полупроводники
ПДФ

АОН7788
N-канальный МОП-транзистор 30 В
Альфа и Омега Полупроводники
ПДФ

БМС3003

P-канальный силовой МОП-транзистор
ПО Полупроводник
ПДФ
БМС3004
Мощный МОП-транзистор с каналом P
ПО Полупроводник
ПДФ

КПК3701
N-канальный вертикальный DMOS FET
IXYS
ПДФ

КПК3710
N-канальный полевой транзистор с режимом обеднения, 250 В
IXYS
ПДФ

Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (datasheet на английском языке), también ficha de características u hoja de características, es un documento que резюме el funcionamiento y otras caracteristicas de un componente (por ejemplo, un componente electronico) o subsistema por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema.

DataSheet.es является веб-страницей, которая функционирует как репозиторий руководств или hoja de datos de muchos de los productos más Populares,
allowiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.