C1507 транзистор характеристики на русском

Характеристики транзистора s8050

Маркировка транзистора C1507

Маркировка транзистора C1507 представляет собой уникальный код, который используется для идентификации конкретного транзистора в электрических схемах и производственных процессах.

Маркировка C1507 указывает на то, что транзистор относится к серии C и имеет специфический номер 1507. Каждый символ в маркировке имеет свое значение и определяет характеристики и параметры конкретного транзистора.

Чтение и интерпретация маркировки C1507 может быть сложной задачей без дополнительной информации и документации от производителя. Некоторые производители предоставляют таблицы соответствия маркировки и характеристик, которые помогают определить тип транзистора и его основные технические параметры.

Символ Значение
C Серия транзистора
1507 Уникальный номер транзистора

Зная маркировку транзистора C1507, можно найти соответствующую документацию и спецификации, которые помогут понять его особенности и применение.

Структура и особенности

Транзистор C1507 представляет собой полевой эффектный транзистор типа N-канал (nMOS). Он состоит из трех основных областей: источника (S), стока (D) и затвора (G).

Источник и сток представляют собой подложку с примесью, образующую p-n переход. Затвор состоит из p-области, отделенной от подложки с помощью тонкого слоя изолирующего материала, такого как диэлектрическая пленка.

Особенностью транзистора C1507 является его высокая чувствительность к внешнему напряжению на затворе. Это позволяет управлять током, протекающим через канал между источником и стоком, изменяя напряжение на затворе.

Канал, по которому протекает ток, образуется приложением положительного напряжения на затворе, что приводит к формированию n-области в подложке и созданию электрического поля. Затворный электрод служит для управления ширины и глубины канала, что влияет на его проводимость.

Другой особенностью транзистора C1507 является его низкое сопротивление в открытом состоянии. Это обеспечивает низкое падение напряжения между источником и стоком во время работы.

Обратите внимание, что для правильной работы транзистора C1507 необходимо учитывать его технические характеристики и подходящие условия эксплуатации

Применение транзистора C1507

  1. Усилительные схемы: транзистор C1507 широко используется в различных усилительных схемах, таких как усилители мощности и усилители низкой частоты. Благодаря его высокой усиливающей способности и низкому уровню шума, он может обеспечить высокое качество и четкое воспроизведение звука или сигнала.
  2. Источники питания: транзистор C1507 может использоваться в устройствах источников питания для регулирования и стабилизации напряжения. Он может эффективно контролировать ток и обеспечивать постоянное напряжение, что облегчает подключение и работу других электронных компонентов.
  3. Лампы накаливания: транзистор C1507 используется в схемах управления и регулирования яркости ламп накаливания. Он обеспечивает точную и мягкую регулировку яркости, что повышает долговечность и энергоэффективность ламп.
  4. Радиосвязь: транзистор C1507 может использоваться в радиопередатчиках и радиоприемниках для усиления и обработки сигнала. Он обладает высоким коэффициентом усиления и хорошей линейностью, что позволяет передавать и принимать сигналы на большие расстояния без искажений.
  5. Электроника автомобилей: транзистор C1507 применяется в автомобильной электронике для управления различными устройствами, такими как электроприводы и системы освещения. Он обладает высоким коэффициентом нагрузки и может выдерживать высокие температуры и напряжения, что позволяет ему работать в экстремальных условиях автомобильной среды.

Транзистор C1507 предоставляет широкий спектр возможностей применения в различных областях электроники. Его надежность, эффективность и высокая производительность делают его одним из основных компонентов во многих современных устройствах и схемах.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 2. Внешние характеристики транзистора. Зависимость тока коллектора IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных значениях тока базы (указаны на поле рисунка).

Характеристика для схемы с общим эмиттером.

Рис. 3. Передаточная характеристика транзистора. Зависимость тока коллектора IC от напряжения база-эмиттер UBE.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В при нескольких значениях температуры внешней среды.

Характеристика для схемы с общим эмиттером.

Рис. 4. Зависимость статического коэффициента усиления транзистора hFE от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристики сняты при нескольких значениях температуры внешней среды и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.

Рис. 5. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы IC/IB = 5 и при нескольких значениях температуры внешней среды.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы IC/IB = 5 и при нескольких значениях температуры внешней среды.

Рис. 7. Графики изменений временных параметров ton, ts, tf при изменении коллекторной нагрузки IC.

Характеристики сняты (пояснения на поле рисунка) при резистивной нагрузке, напряжении питания UCC = 200 В и соотношении токов: IC = 5IB1 = -2,5IB2, (tstg = ts).

Рис. 8. Область безопасной работы транзистора для случая резистивной нагрузки, температуре корпуса Tc = 25°C. Ограничения:

— по току коллектора для постоянного тока — IC (режим DC OPERATION), для однократного импульса — ICP разных длительностей: ≤ 50 мкс, 100 мкс, 1 мс,10 мс;

— по напряжению UCEO = 400 В;

— режим ограничений рассеиваемой мощности по условиям вторичного пробоя: S/B Limited (пояснения на поле рисунка).

Рис. 9. Расширенная область безопасной работы. Транзистор включен при обратном смещении и введены ограничения по напряжению коллектор-эмиттер UCE(sus) = 500 В.

Характеристика снята при температуре корпуса Tc = 25°C. Величина постоянного тока смещения базы IB2 = -1,2 А. Величина индуктивности нагрузки L = 100 мкГн (пояснения на поле рисунка).

Рис. 10. Ограничения по величине рассеиваемой мощности, возникающие при увеличении температуры внешней среды Ta.

Нижняя характеристика снята при отсутствии охладителя транзистора (пояснение на поле рисунка — No heat sink).

Структура и принцип работы транзистора C1507

База транзистора C1507 обладает слабой проводимостью и является контролирующим электродом. Коллектор и эмиттер служат для подачи и снятия тока, и обладают большей проводимостью по сравнению с базой.

Принцип работы транзистора C1507 основан на использовании двух p-n переходов, образующих два переходных диода: база-эмиттер и база-коллектор. Когда между базой и эмиттером подается напряжение, образуется переходной диод, через который проходит небольшой ток. Этот ток влияет на проводимость коллектора и эмиттера, и в результате изменяется ток коллектора.

Транзистор C1507 работает как усилитель, когда небольшой входной сигнал усиливается и выходной сигнал увеличивается. Кроме того, он может работать как коммутатор, переключая высокую мощность с помощью небольшого управляющего тока.

Использование транзистора C1507 позволяет значительно улучшить производительность электронных устройств и обеспечить высокое качество сигнала.

Что такое транзистор C1507 и какие у него особенности?

Одной из особенностей транзистора C1507 является его высокая надежность и стабильность работы. Это обеспечивает долговечность и стабильную работу устройств, в которых применяется данный транзистор.

Транзистор C1507 также отличается отличными электрическими характеристиками, такими как высокая мощность, низкое сопротивление и низкое напряжение пробоя. Это позволяет использовать его в широком спектре приложений, включая усилители, ключи и преобразователи энергии.

Другой важной особенностью транзистора C1507 является его высокая скорость коммутации. Это позволяет выполнять быстрые переключения и обеспечивает высокую производительность устройств, в которых он применяется

Также стоит отметить, что транзистор C1507 имеет компактный размер и низкое значение теплового сопротивления. Это делает его удобным для установки на печатные платы и обеспечивает эффективное охлаждение.

В заключение, транзистор C1507 является надежным и универсальным элементом, который обладает высокой мощностью, низким сопротивлением и высокой скоростью коммутации. Он нашел широкое применение во многих электронных устройствах, и его особенности делают его привлекательным для многих разработчиков и производителей.

Электрические характеристики транзистора C1507

Ток коллектора (IC)

Максимальный ток коллектора (ICmax): 1 А

Номинальный ток коллектора (ICnom): 0.5 А

Ток эмиттера (IE)

Максимальный ток эмиттера (IEmax): 1 А

Номинальный ток эмиттера (IEnom): 0.5 А

Ток базы (IB)

Максимальный ток базы (IBmax): 0.2 А

Номинальный ток базы (IBnom): 0.1 А

Напряжение коллектор-эмиттер (VCE)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEmax): 50 В

Номинальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEnom): 30 В

Тепловые характеристики

Максимальная допустимая мощность (Pmax): 0.8 Вт

Тепловое сопротивление корпуса (Rth): 100 °C/W

Транзистор C1507 имеет высокую электрическую надежность и может использоваться в широком диапазоне электронных устройств и систем, включая усилители, источники питания и другие.

Преимущества использования транзистора C1507

Вот несколько основных преимуществ использования транзистора C1507:

1. Низкое потребление энергии: Транзистор C1507 обладает низким сопротивлением и, следовательно, потребляет меньше энергии при работе, что позволяет продлить срок службы устройства, в котором он используется.
2. Высокая скорость переключения: Благодаря своим характеристикам, транзистор C1507 обеспечивает быстрое и эффективное переключение, что делает его идеальным для применения в различных электронных устройствах, требующих быстрого реагирования и высокой скорости работы.
3. Широкий диапазон рабочих температур: Транзистор C1507 способен работать в широком диапазоне температур, что позволяет его использование в различных условиях и сферах применения. Он обладает высокой теплостойкостью и может работать даже в экстремальных условиях.
4. Устойчивость к перегрузкам: Транзистор C1507 обладает высокой устойчивостью к перегрузкам, что позволяет ему работать на пределе своих возможностей без риска повреждения.
5. Простота монтажа и подключения: Транзистор C1507 имеет удобные размеры и конструкцию, что облегчает его монтаж и подключение. Он может быть легко интегрирован в любое электронное устройство.

Все эти преимущества делают транзистор C1507 популярным выбором для различных промышленных и потребительских приложений, таких как источники питания, телекоммуникационное оборудование, автомобильная электроника и другие.

Монтажные требования для транзистора C1507

1. Ориентация контактов:

Перед монтажом транзистора C1507 необходимо убедиться в правильной ориентации его контактов. Контакты транзистора имеют различный номер и функцию, поэтому их правильное подключение к схеме является важным условием для его работы. Проверьте документацию или схему подключения для определения ориентации контактов.

2. Температурные условия:

Транзистор C1507 должен быть установлен в условиях, соответствующих указанным температурным диапазонам. Необходимо обеспечить достаточное охлаждение транзистора и предотвратить его перегрев. Установите транзистор на радиатор или используйте специальные охлаждающие системы при необходимости.

3. Монтажные процедуры:

При монтаже транзистора C1507 рекомендуется использовать технику, которая поможет избежать потенциальных повреждений компонента и платы

Обратите внимание на следующие моменты:. — Правильное выравнивание контактов: убедитесь, что контакты транзистора выровнены с отверстиями на плате перед его пайкой;

— Правильное выравнивание контактов: убедитесь, что контакты транзистора выровнены с отверстиями на плате перед его пайкой;

— Не применяйте слишком большие усилия при пайке и механическом монтаже, чтобы избежать повреждения транзистора и платы;

— Правильная температура пайки: при пайке транзистора C1507 используйте температуру, рекомендованную производителем, чтобы избежать повреждения компонента;

4. Электростатическая защита:

При монтаже транзистора C1507 рекомендуется использовать электростатический выпрямитель, чтобы предотвратить повреждение компонента статическим электричеством. Такие средства защиты могут включать в себя антистатические настольные коврики, наручные браслеты и другое оборудование.

Соблюдение указанных монтажных требований поможет обеспечить правильную и надежную работу транзистора C1507.

Биполярный транзистор 2SC3950 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC3950

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2000
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Корпус транзистора:

2SC3950
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:79K  sanyo 2sc3950.pdf

Ordering number:EN2441APNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC3950High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042AFeatures High fT : fT=2.0GHz. Large current capacity : IC=500mA. Micaless type : TO-126 plastic package.B : BaseC

 8.1. Size:41K  sanyo 2sa1539 2sc3954.pdf

Ordering number:ENN2438BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1539/2SC3954High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsPackage DimensionsApplications High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1539/SC3954]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=500MHz. High breakdown voltage : VCEO=120Vmin.3.0 Sm

 8.2. Size:41K  sanyo 2sa1536 2sc3951.pdf

Ordering number:ENN2435BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1536/2SC3951High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1536/2SC3951]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=600MHz. High breakdown voltage : VCEO=70Vmin.3.0 Sma

 8.3. Size:39K  sanyo 2sa1541 2sc3956.pdf

Ordering number:ENN2440BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1541/2SC3956High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1541/2SC3956]8.0Features4.03.31.0 1.0 High gain-bandwidth product : fT=300MHz. High breakdown voltage : VCEO=2

 8.4. Size:41K  sanyo 2sa1537 2sc3952.pdf

Ordering number:ENN2436CPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1537/2SC3952High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1537/2SC3952]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=700MHz. High breakdown voltage : VCEO=70Vmin.3.0 Sma

 8.5. Size:40K  sanyo 2sa1538 2sc3953.pdf

Ordering number:ENN2437BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1538/2SC3953High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsPackage DimensionsApplications High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1538/2SC3953]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=400MHz. High breakdown voltage : VCEO=120Vmin.3.0 S

 8.6. Size:40K  sanyo 2sa1540 2sc3955.pdf

Ordering number:ENN2439BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1540/2SC3955High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1540/2SC3955]Features 8.04.03.31.0 1.0 High gain-bandwidth product : fT=300MHz. High breakdown voltage : VCEO=20

 8.7. Size:33K  hitachi 2sc3957.pdf

2SC3957Silicon NPN Epitaxial, DarlingtonApplicationHigh gain amplifierOutlineMPAK-4213311. Collector2. Emitter43. Base4. NC22SC3957Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 40 VCollector to emitter voltage VCEO 30 VEmitter to base voltage VEBO 10 VCollector current IC 300 mACollector peak current

Другие транзисторы… 2SC3944
, 2SC3944A
, 2SC3945
, 2SC3946
, 2SC3947
, 2SC3948
, 2SC3949
, 2SC395
, 2SC4793
, 2SC3951
, 2SC3952
, 2SC3953
, 2SC3953C
, 2SC3953D
, 2SC3954
, 2SC3955
, 2SC3956
.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: