Related Datasheets
| Номер в каталоге | Описание | Производители |
| 2SC3320 | TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING | Fuji Electric |
| 2SC3320 | HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING | Unisonic Technologies |
| 2SC3320 | SILICON POWER TRANSISTOR | SavantIC |
| 2SC3320B | Silicon NPN triple diffusion planar transistor(High voltage switching transistor) | NELL SEMICONDUCTOR |
| Номер в каталоге | Описание | Производители |
| 6MBP200RA-060 |
Intelligent Power Module |
Fuji Electric |
| ADF41020 |
18 GHz Microwave PLL Synthesizer |
Analog Devices |
| AN-SY6280 |
Low Loss Power Distribution Switch |
Silergy |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |
Разновидности и характеристики
Существует достаточно большое количество различных вариантов данного прибора, отличающихся друг от друга теми или иными показателями. Для рассмотрения всех вариантов прибора, введём следующие параметры КТ3102 :
- Максимальный допустимый ток на коллекторе( I K MAX ) – 0,1 A .
- Максимальный импульсный ток на коллекторе( I K I MAX ) – 0,2 A .
- Максимальная мощность коллектора( P K MAX ) – 0,25 B т. ( Данное значение мощности подсчитано без использования радиатора)
- Максимальная частота при подключении по схеме с общим эмиттером ( f гр ) – 150МГц.
Вышеперечисленные характеристики КТ3102 одинаковы для всех моделей прибора. То есть, при любой маркировке прибора, вы должны учитывать вышеперечисленные значения. Описанные ниже показатели будут отличаться в зависимости от типа элемента. В последующем приведём краткую сводку параметров для каждого типа.
- U КБ – максимальная разность потенциалов системы коллектор-база.
- U КЭ – максимальная разность потенциалов системы коллектор-эмиттер.
- H 21э – коэффициент усиления при подключении с общим эмиттером.
- I КБ – обратный ток коллектора.
- К Ш – коэффициент шума.
Для удобства, все показатели будут вынесены в таблицу. Буква М и её отсутствие в обозначении пары транзисторов (например, КТ3102А и КТ3102АМ) означает тип корпуса. С буквой М – пластиковый корпус. Без неё – металлический. Показатели не зависят от типа корпуса. В таблице, также, будут приведены зарубежные аналоги КТ3102.
| Тип | U КБ и U КЭ , В | H 21 Э | I КБ , МкА | К Ш , Дб | Аналог КТ3102 |
| КТ3102А(АМ) | 50 | 100-250 | 0,05 | 10 | 2 N 4123 |
| КТ3102Б(БМ) | 50 | 200-500 | 0,05 | 10 | 2N2483 |
| КТ3102В(ВМ) | 30 | 200-500 | 0,15 | 10 | 2SC828 |
| КТ3102Г(ГМ) | 20 | 400-1000 | 0,15 | 10 | BC546C |
| КТ3102Д(ДМ) | 30 | 200-500 | 0,15 | 4 | BC547B |
| КТ3102Е(ЕМ) | 20 | 400-1000 | 0,15 | 4 | BC547C |
| КТ3102Ж(ЖМ) | 50 | 100-250 | 0,05 | — | — |
| КТ3102И(ИМ) | 50 | 200-500 | 0,05 | — | — |
| КТ3102К(КМ) | 20 и 30 | 200-500 | 0,15 | — | — |
Мастерам на все руки будет интересна статья о самостоятельном подключении дифавтомата в однофазной сети.
2SC3202Y транзистор (3202 NPN 000A50 0025V TO-92 2SC3202Y KEC)
- Продукция
- Транзисторы
- 2SC… KSC…
Производитель:
KEC
Код товара: Т0000012634
Маркировка: ???
Количество приборов:
Параметры
| Наименование | Значение | Единица измерения | Режим изменения |
|---|---|---|---|
| Проводимость | NPN | ||
| Функциональное назначение выводов | 1=E 2=C 3=B | ||
| Напряжение коллектор-эмиттер | 30 | Vdc | @25*C@Ic=100mA@Ib=0 |
| Напряжение коллектор-база | 35 | Vdc | @25*C |
| Напряжение эмиттер-база | 5 | Vdc | @25*C |
| Ток коллектора max | 500 | mA | @25*C(peak) |
| Напряжение коллектор-эмиттер насыщения | 0,25 | V | max@Ic=100mA@Ib=10mA |
| Напряжение база-эмиттер насыщения | 0,1 | V | max@Ic=100mA@Vce=1V |
| Обратный ток коллектора | 0,1 | mkA | @Vcb=35Vdc@Ie=0 |
| Обратный ток эмиттера | 0,1 | mkA | @Veb=5Vdc@Ic=0 |
| Коэфф. усиления при схеме вкл с ОЕ | 120…240 | @Ic=50mA@Vce=1V | |
| Граничная частота | 300 | MHz | @Ie=20mA@Vce=6V |
| Емкость коллекторного перехода |
7 |
pF | max@Vcb=6V@Ie=0@f=1MHz |
| Мощность рассеивания | 500 | mW | @25*C |
| Температура рабочая | -50…+150 | *C | |
| > | комплементарная пара 2SA1270 |
Номер в каталоге
Описание (Функция)
PDF
производитель
RN4902
Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
Toshiba
KTC2235
SILICON NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE (PCT PROCESS)
KEC
2SC3202
SILICON NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE ( PCT PROCESS)
KEC
2SC2715
Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT process) Transistor
Toshiba
2SC1923
Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT process) Transistor
Toshiba
2SC3203
SILICON NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE(PCT PROCESS)
KEC
RN4986
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
Toshiba
RN4911
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
Toshiba
RN4904
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
Toshiba
RN4909
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
Toshiba
Основные принципы работы транзистора c3202
Принцип работы транзистора c3202 основан на трехстадийном усилении сигнала. При подаче сигнала на базу транзистора, происходит управление током от эмиттера к коллектору. Основные принципы работы транзистора c3202 представлены в таблице ниже.
Таблица основных принципов работы транзистора c3202:
| Элемент | Описание |
|---|---|
| Эмиттер | Это конструктивный элемент транзистора, через который протекает ток стока. |
| База | Элемент, который управляет током, проходящим через эмиттер и коллектор транзистора. Управление осуществляется изменением напряжения на базе. |
| Коллектор | Элемент, через которое выходит накопленный ток от базы и эмиттера. |
Транзистор c3202 можно использовать в различных цепях усиления сигнала, а также в различных логических схемах. Он также часто применяется в электронных устройствах для переключения и управления потоком электрического тока.
Таким образом, знание основных принципов работы транзистора c3202 позволяет эффективно использовать его в различных электронных схемах и устройствах для достижения требуемых результатов.
