Какой транзистор использовать вместо c3198? рекомендации по замене

Режимы работы в схеме с ОЭ

Работу полупроводниковых устройств интересно анализировать с помощью входных/выходных вольт-амперных характеристик (ВАХ). На них видно изменение значений параметров, от которых зависит его состояние: в каких случаях он открывается, когда происходит усиление сигнала и др. На рисунке представлены графики ВАХ для схемы включения КТ315Г с общим эмиттером (ОЭ), на её выход подано постоянное питание Uп. Разберемся как она работает в таком режиме. 

Если транзистор используется в качестве электронного ключа, то в закрытом состоянии (режим отсечки) базовое напряжение на входе (U_БЭ) не должно превышать 0.5 В. Токи базы I_Б и коллектора I_К незначительные, т.е. практически отсутствуют.

Для открытия транзистора (режим насыщения) необходимо поднять входное напряжение U_БЭ с 0.6 до 0.8В. Этим нужно добиться увеличения базового тока I_Б максимум до 2 мА, путем снижения сопротивления переменного ограничительного резистора R_Б. При этом I_К может расти до 100 мА, а U_КЭ на p-n-переходе должно находится на уровне до 0.4 В.

В промежутке между открытым и закрытым состоянием транзистор используется как усилитель слабых сигналов – активный режим. Используя эту информацию можно создавать интересные схемы с этим устройством. Например такие, как в представленном видеоролике.

Область применения транзисторов 13001

Транзисторы серии 13001 разработаны специально для применения в преобразовательных устройствах небольшой мощности в качестве ключевых (переключающих) элементов.

• сетевые адаптеры мобильных устройств;
• электронная пускорегулирующая аппаратура люминесцентных ламп малой мощности;
• электронные трансформаторы;
• другие импульсные устройства.

Нет принципиальных ограничений на использование транзисторов 13001 в качестве транзисторных ключей. Также можно применять данные полупроводниковые приборы в усилителях низкой частоты в случаях, где не требуется особое усиление (коэффициент передачи по току у серии 13001 по современным меркам невелик), но в этих случаях не реализуются довольно высокие параметры этих транзисторов по рабочему напряжению и их высокое быстродействие.

Лучше в этих случаях применить более распространенные и дешевые типы транзисторов. Также при построении усилителей надо помнить, что комплементарная пара у транзистора 31001 отсутствует, поэтому с организацией двухтактного каскада могут быть проблемы.

На рисунке приведен характерный пример использования транзистора 13001 в сетевом зарядном устройстве для аккумулятора переносного устройства. Кремниевый триод включен в качестве ключевого элемента, формирующего импульсы на первичной обмотке трансформатора ТР1. Он с большим запасом выдерживает полное выпрямленное сетевое напряжение и не требует дополнительных схемотехнических мер.

Температурный профиль для пайки бессвинцовым припоем

При пайке транзисторов надо соблюдать определенную осторожность, не допуская излишнего нагрева. Идеальный температурный профиль указан на рисунке и состоит из трех этапов:

• этап предварительного нагрева длится около 2 минут, за это время транзистор прогревается от 25 до 125 градусов;
• собственно пайка длится около 5 секунд при максимальной температуре 255 градусов;
• заключительный этап – расхолаживание со скоростью от 2 до 10 градусов в секунду.

Этот график сложно соблюсти в домашних условиях или в мастерской, да и не так это важно при демонтаже-монтаже единичного транзистора. Главное – не превышать максимально допустимую температуру пайки

Транзисторы 13001 имеют репутацию достаточно надежных изделий, и при условиях эксплуатации, не выходящих за установленные пределы, могут прослужить долго без отказов.

Транзистор — устройство, виды, применение

Описание, устройство и принцип работы полевого транзистора

Что такое биполярный транзистор и какие схемы включения существуют

Описание, характеристики и схема включения стабилизатора напряжения КРЕН 142

Описание, технические характеристики и аналоги выпрямительных диодов серии 1N4001-1N4007

Как работает микросхема TL431, схемы включения, описание характеристик и проверка на работоспособность

Маркировка

Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.

Варианты замены C3198 транзистора

1. 2SC3198: данный транзистор является полным аналогом C3198 и имеет аналогичные электрические характеристики. Он может быть использован без каких-либо изменений в схеме.

2. 2N5551: этот транзистор также является хорошим аналогом C3198. Он обладает высоким коэффициентом усиления и может успешно заменить C3198 в различных приложениях.

3. MPSA42: данный транзистор обладает высоким коэффициентом усиления и низкими шумами. Он может способствовать улучшению производительности схемы при замене C3198.

4. BC557: этот экземпляр также является аналогом C3198 и имеет схожие электрические характеристики. Он может быть использован в приложениях, где требуется низкий уровень шума и стабильность.

5. 2N3906: данный транзистор обладает высоким коэффициентом усиления и может быть успешно использован вместо C3198.

Все перечисленные транзисторы считаются действительными аналогами C3198 и могут быть использованы для замены без каких-либо значительных изменений в схеме. При выборе аналога необходимо руководствоваться требованиями конкретного приложения и электрическими характеристиками необходимого устройства.

Производители

Аналоги транзистора 2SC945 2SC1815, 2SC3198, BC182LB, C1815, C945, KSC1815, KSC945C, KTC3198

Цоколевка транзистора 2SC945

Характеристики транзистора 2SC945

Транзисторы 2SC945 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SC945R в диапазоне от 90 до 180, 2SC945Q  в диапазоне от 135 до 270, 2SC945P — в диапазоне от 200 до 400, 2SC945K — в диапазоне от 300 до 600.

Информация взята по этой ссылке

Похожие материалы:

Распродажа на АлиЭкспресс. Успей купить дешевле!

Понижающий Dc-Dc преобразователь XL4016

Характеристики:

Ток(макс) 5А(8А)

Вх. напряжение 4-40V

Вых. напряжение 1.25-36V

Макс. мощность 200 Вт КПД: 94%

Размер: 61*41*27 мм

Цена: 251руб.

• https://shematok.ru/transistor/c945
• https://rustaste.ru/tranzistor-2sc945.html

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: KT972A

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

Наименование производителя: WW263

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO220

Наименование производителя: U2T833

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Аналоги (замена) для U2T833

Наименование производителя: U2T832

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T823

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T6O1

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: U2T605

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: TTD1415B

• Маркировка: D1415B
• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO220SIS

Схемы тестирования временных параметров транзистора

Диаграмма входного сигнала.

Схема измерения при резистивной нагрузке.

Параметры режима:

UCC = 125 В. RC = 125 Ом. RB = 47 Ом. D1 диод 1N5820 или подобный. SCOPE – осциллограф “Tektronics 475” или подобный

tr, tf ˂ 10 нс; скважность ≤ 1%

Схема измерений с параметрами элементов при индуктивной нагрузке транзистора.

Входной сигнал: прямоугольный импульс с амплитудой 5 В и протяженностью фронтов tr и tf не более 10 нс

Скважность импульсов 10%. Протяженность импульса подбирается из требуемой величины коллекторного тока IC. UCC подбирается из требуемой величины IC

RB подбирается из требуемой величины IB1. Диод MR826 выбирается на напряжение 1 кВ. Напряжение ограничения UCLAMP = 300 В

UCC подбирается из требуемой величины IC. RB подбирается из требуемой величины IB1. Диод MR826 выбирается на напряжение 1 кВ. Напряжение ограничения UCLAMP = 300 В.

Диаграммы выходных токов и напряжений.

На рисунке:

• t_f CLAMPED – время спадания импульса тока при ограничении напряжения на уровне U_CLAMPED.
• I_C(PK) максимальное достижимое значение тока, по которому подбираются значение U_CC и длительность входного импульса.

Расчетные формулы: t₁ = L × I_C(PK) / U_CC; t₂ = L × I_C(PK) / U_CLAMP.

Транзистор C3198: характеристики, datasheet и аналоги

Рассмотрим технические характеристики маломощного транзистора C3198. Он выделяется высокой линейностью к-та усиления h_fe и невысоким уровнем шумов. Чаще всего его устанавливают в предварительных каскадах предварительного усиления ауди и видео сигнала. Изготавливается по эпитаксиально-планарной технологии, со структурой n-p-n. Впервые разработала данное устройство корейская компания КЕС, и маркировался он «КТC3198». Иногда его называют в соответствии с японским индустриальным стандартом «2SC3198». Сейчас чаще первые две буквы отбрасывают и наносят надпись «C3198».

Цоколевка

Транзистор C3198 все производители выпускают в корпусе ТО-92. Если взять устройство так, чтобы надписи на нем были повёрнуты к вам, а ножки находились внизу, то выводы будут расположены слева направо в следующем порядке: эмиттер, коллектор, база.

Технические характеристики

Приведём предельные параметры C3198. Их нужно учитывать в первую очередь при поиске замены или разработке нового устройства. Они измеряются при температуре +25°С. В нашем случае характеристики C3198 равны:

• напряжение К — Б V_CBO = 60 В;
• напряжение К – Э V_CEO = 50 В;
• напряжение Э — Б V_EBO = 5 В;
• ток коллектора I_C = 150 мА;
• ток через базу I_В = 50 мА;
• максимальная мощность на коллекторе Р_С = 625 мВт;
• т-ра кристалла T_j = 150ОС;
• диапазон температур, при которых C3198 может сберегаться T_stg = 55 … 150ОС.

После максимальных параметров следует рассмотреть электрические.

Электрические характеристики транзистора C3198 (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы измерения	Обозн.	min	typ	max	Ед. изм
Обратный ток коллектора	VCВ= 60 В, IЕ = 0	ICВO			0,1	мкА
Обратный ток эмиттера	VЕВ= 5 В, IС = 0	IEBO			0,1	мкА
Статический коэффициент передачи тока	IC=2 мA; VCE= 6В	hFE1	70		700
IC=150мA; VCE= 6В	hFE2	25	100
Напряжение насыщения К — Э	IC= 100 мA; IB= 10 мA	VCE(sat)		0,1	0,25	В
Напряжение насыщения Б — Э

I_C= 100 мA; I_B= 10 мA
V_ВE(sat)

1,0
В
Граничная частота коэффициента передачи тока
V_CE=10 В, I_C= 1 мA,
f_T
80

МГц

Выходная ёмкость
I_E= 0 А, V_CB=10 В,

f=1 мГц

С_ob

2
3,5
пФ

В зависимости от коэффициента усиления h_FE1 (измерен при следующих условиях: I_C=2 мA; V_CE= 6В) транзисторы делятся на четыре группы О (от 70 до 140), Y(от 120 до 240), GR(от 200 до 400), BL(от 300 до 700).

Аналоги

Подобрать аналоги для C3198 из зарубежных несложно:

• 2SC1815;
• 2SC3331;
• 2SA1246;
• 2SC1740;
• 2SC1685;
• 2SC945;
• 2SC3199.

Кроме этого можно найти также отечественные устройства с похожими характеристиками: КТ 6111 (любой от А до Г) и 6117Г.

Производители

DataSheet на C3198 можно скачать по клину на названия производителя: KEC(Korea Electronics) и Kwang Myoung. В продаже в России встречаются транзисторы, изготовленные фирмой TaiwanSemiconductor.

Практика работы составного транзистора

На рис. 3 показаны три варианта построения выходного каскада (эмиттерный повторитель). При подборе транзисторов надо стремится к b1~b2 и b3~b4 . Различие можно компенсировать за счёт подбора пар по равенству коэффициентов усиления СТ b13~b24 (см. табл. 1).

• Схема на рис. 3а имеет наибольшее входное сопротивление, но это худшая из приведённых схем: требует изоляцию фланцев мощных транзисторов (или раздельные радиаторы) и обеспечивает наименьший размах напряжения, поскольку между базами СТ должно падать ~2 В, в противном случае сильно проявятся искажения типа «ступенька».
• Схема на рис. 3б досталась в наследство с тех времён, когда ещё не выпускались комплементарные пары мощных транзисторов. Единственный плюс по сравнению с предыдущим вариантом – меньшее падение напряжения ~1,8 В и больше размах без искажений.
• Схема на рис. 3в наглядно демонстрирует преимущества СТШ: между базами СТ падает минимум напряжения, а мощные транзисторы можно посадить на общий радиатор без изоляционных прокладок.

На рис. 4 показаны два параметрических стабилизатора. Выходное напряжение для варианта с СТД равно:

Поскольку Uбэ гуляет в зависимости от температуры и коллекторного тока, то у схемы с СТД разброс выходного напряжения будет больше, а потому вариант с СТШ предпочтительней.

Рис. 3. Варианты выходных эмиттерных повторителей на СТ

Рис. 4. Применение СТ в качестве регулятора в линейном стабилизаторе

Для коммутации электромеханических приводов и, тем более, в импульсных схемах следует использовать готовые СТ с нормированными параметрами включения и выключения, паразитными ёмкостями. Типичный пример – широко распространённые импортные комплементарные СТД серии TIP12х.

Производители

DataSheet транзистора TIP122 можно посмотреть от следующих производителей: Motorola Inc, STMicroelectronics, KEC(Korea Electronics), Unisonic Technologies, Diotec Semiconductor, TRANSYS Electronics Limited, TAITRON Components Incorporated, Dc Components, SemiHow Co. Ltd, ON Semiconductor, Micro Commercial Components, Tiger Electronic Co. Ltd, Bourns Electronic Solutions, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

Главная

О сайте

Теория

Практика

Контакты

Высказывания: Власть теряет все свое очарование, если ею не злоупотреблять. Поль Валери Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP122. Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP122 . Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора. Можно попробовать заменить транзистор TIP122 транзистором 2SD633; транзистором 2SD970; транзистором ECG261; транзистором TIP121; транзистором TIP120; транзистором RCA122; транзистором TIP622; транзистором TIP121; транзистором 2SC1883; транзистором 2SD1196; транзистором 2SD686; транзистором 2SD970; транзистором 2SD460; транзистором 2SD1414; дата записи: 2017-08-14 04:00:51 дата записи: 2017-10-09 13:23:17 дата записи: 2019-05-18 11:56:53 Добавить аналог транзистора TIP122. Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора TIP122? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения. Другие разделы справочника: Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

  Декоративная штукатурка для внутренней отделки под камень

Распиновка

В советское и перестроечное время производился в корпусе КТ-13, который никогда не использовался зарубежными производителями. Притом, что КТ315 рабочая лошадка советской радиопромышленности. В наши дни, его продолжают выпускать в корпусе КТ-26 (TO-92) и КТ-46А (SOT-23), а так же в ограниченных количествах в КТ-13. Посмотрите внимательней на фотографии цоколевки КТ315 в разных корпусах и на буквы обозначающие назначение его электродов. 

Несмотря на внешние различия транзисторов, их распиновка совпадает. Так, если смотреть на маркировку любого из них, то электроды слева на право будут всегда иметь следующее назначение: эмиттер (Э), коллектор (К) и база (Б), соответственно. Исходя из этого, становится понятной аббревиатура из трех букв «ЭКБ», которая встречается на технических форумах.

2SC3198-Y npn-транзистор комплементарный pnp, замена, распиновка, конфигурация выводов, заменитель, маркировка C3198-Y, аналог smd, техпаспорт

Характеристики транзистора 2SC3198-Y

• Тип: NPN
  
• Напряжение коллектор-база, макс.: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, макс.: 5 В
• Ток коллектора — непрерывный, макс.: 0,15 A
• Collector Dissipation: 0.4 W
• Сообщение тока DC (H _Fe ): 120 до 240
• Частота перехода, 8 80 МГц
• Рис. дБ
• Диапазон температур перехода при эксплуатации и хранении: от -55 до +125 °C
• Упаковка: TO-92

0 Изготовлен из пластмассы a-YSC11

5 ТО-92 случай.

Классификация h

_FE

Транзистор 2SC3198-Y может иметь коэффициент усиления по току от 120 до 240 . Коэффициент усиления 2SC3198 будет находиться в диапазоне от 70 до 700 ., для 2SC3198-O будет в диапазоне от 70 до 140 , для 2SC3198-GR будет в диапазоне от 200 до 400 , для 2SC3198-BL будет в диапазоне диапазон от 300 до 700 .

Комплементарный 9Транзистор 0008 PNP для 2SC3198-Y — это 2SA1266-Y.

SMD версия транзистора 2SC3198-Y

23), 2SC4116 (SOT-323), 2SC4116-Y (SOT-323), 2SC4738 (SOT-23), 2SC4738-Y (SOT-23), FJX945 (SOT-323), FJX945Y (SOT-323), KSC1623 (SOT-23), KTC3875 (SOT-23), KTC3875S (SOT-23), KTC3875S-Y (SOT-23), KTC3875Y (SOT-23), MMBT2484 (SOT-23) и TMBT3904 (SOT-23) версия SMD 2SC3198-й транзистор. Эти транзисторы однотипны, имеют схожие параметры и предназначены для поверхностного монтажа.

Замена и эквивалент для 2SC3198-Y Transistor

Вы можете заменить 2SC3198-Y на 2SC1318, 2SC1318-R, 2SC1384, 2SC1384-R, 2SC1627, 2SC1627-Y, 2SC1627A, 2SC12715, 2SC127, 2SC, 2SC, 2SC, 2SC, 2SC127. , 2SC2002, 2SC2003, 2SC2274, 2SC2274K, 2SC2277, 2SC2458, 2SC2458-Y, 2SC2655, 2SC2655Y, 2SC2960, 2SC3114, 2SC3199, 2SC3199-Y, 2SC3243, 2SC3244, 2SC3328, 2SC3328-Y, 2SC3330, 2SC3331, 2SC3382, 2SC3383, 2SC3708, 2SC3916, 2SC3917, 2SC3918, 2SC3919, 2SC3920, 2SC3921, 2SC3922, 2SC3923, 2SC3940A, 2SC3940A- R, 2SC4208A, 2SC4208A-R, 2SC4408, 2SD1207, 2SD1347, 2SD1835, 2SD438, 2SD667, 2SD789, 2SD863, C1815, C1815Y, C945, C945Y, H945, KSC1008C, KSC1008CY, KSC1815, KSC1815Y, KSC2331, KSC2331Y, KSC945C, KSC945CY, KSP8098C, KSP8099C, KTC1006, KTC1008, KTC3198, KTC3198Y, KTC3199, KTC3199Y, KTC3209, KTC3209Y, KTC3227, KTC3227Y или KTD863.