Ksp2222a transistor datasheet : working & its applications

2N3904 характеристики. 2N3904 datasheet. NPN

ДОБРЕ ПІДХОДИТЬ ДЛЯ ТБ І ПОБУТОВОЇ ТЕХНІКИ

ВИСОКЕ ПОСИЛЕННЯ І НИЗЬКА НАПРУГА НАСИЧЕННЯ

2N3904 datasheet pdf

Заміна та аналог транзистора 2N3904

2N4401, 2SC1008, 2SC1210, 2SC1211, 2SC815, BC537, BC538, KN2222A, KN3904, KSC1008, KSC815, KSP05, KSP06, KSP2222A, KSP8098, KSP8099, KTN2222A, MPS2222A, MPS2222AG, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS8098, MPS8098G, MPS8099, MPS8099G, MPSA05, MPSA05G, MPSA06, MPSA06G, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, NTE123AP, P2N2222A, P2N2222AG, PN100, PN2219A, PN2222A, PN3569, PN4033 or ZTX450.

2N3904 характеристики

Параметр	Символ	Значення	Одиниця
Напруга колектор – емітер	V_CEO	40	Vdc
Напруга колектор − база	V_CBO	60	Vdc
Напруга емітер − база	V_EBO	6. 0	Vdc
Максимально допустимий постійний струм колектора	I_C	200	mAdc
Загальне розсіювання пристрою за TA = 25°C Зниження вище 25°C	P_D	6255.0	mWmW/°C
Загальне розсіювання пристрою за TC = 25°C Зниження вище 25°C	P_D	1.512	WmW/°C
Макс. Робоча температура, температура зберігання	T_J , T_stg	−55 to +150	°C

ТЕПЛОВІ ХАРАКТЕРИСТИКИ2N3904

Характеристика	Символ	Max	Одиниця
Термічний опір, з’єднання з навколишнім середовищем	R_JA	200	°C/W
Термічний опір, з’єднання з корпусом	R_JC	83. 3	°C/W

ЕЛЕКТРИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ 2N3906

(TA = 25°C, якщо не зазначено інше)

Характеристика	Символ	Min	Max	Одиниця
ВИМК. ХАРАКТЕРИСТИКИ
Напруга пробою колектор–емітер (I_C = 1.0 mAdc, I_B = 0)	V_(BR)CEO	40	–	Vdc
Напруга пробою колектор-база (I_C = 10 μAdc, I_E = 0)	V_(BR)CBO	60	–	Vdc
Напруга пробою база-емітер (I_E = 10 μAdc, I_C = 0)	V_(BR)EBO	5. 0	–
Базовий граничний струм (V_CE = 30 Vdc, V_EB = 3.0 Vdc)	I_BL	–	50	nAdc
Струм відсічення колектора (V_CE= 30 Vdc, V_EB = 3.0 Vdc)	I_CEX	–	50	nAdc
ВВІМК. ХАРАКТЕРИСТИКИ
Коефіцієнт постійного струму(I_C = 0.1 mAdc, V_CE = 1.0 Vdc)(I_C = 1.0 mAdc, V_CE= 1.0 Vdc)(I_C = 10 mAdc, V_CE = 1.0 Vdc)(I_C = 50 mAdc, V_CE = 1.0 Vdc)(I_C = 100 mAdc, V_CE = 1. 0 Vdc)	h_FE	40701006030	−−300−−	−
Напруга насичення колектор–емітер(I_C = 10 mAdc, I_B = 1.0 mAdc)(I_C = 50 mAdc, I_B = 5.0 mAdc	V_CE(sat)	−−	0.250.4	Vdc
Напруга насичення бази-емітера(I_C = 10 mAdc, I_B = 1.0 mAdc)(I_C = 50 mAdc, I_B = 5.0 mAdc)	V_BE(sat)	0.65−	0.850.95	Vdc

ХАРАКТЕРИСТИКИ СЛАБОГО СИГНАЛУ

Характеристика	Символ	Min	Max	Одиниця
Коефіцієнт підсилення струму − добуток пропускної здатності (I_C= 10 mAdc, V_CE = 20 Vdc, f = 100 MHz)	f_T	300	−	MHz
Вихідна ємність (V_CB = 5. 0 Vdc, I_E = 0, f = 1.0 MHz)	C _obo	−	4.0	pF
Вхідна ємність (V_EB = 0.5 Vdc, I_C = 0, f = 1.0 MHz)	C _ibo	−	8	pF
Вхідний опір (I_C = 1.0 mAdc, V_CE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)	h_ie	1.0	10	kΩ
Коефіцієнт зворотного зв’язку за напругою (I_C = 1.0 mAdc, V_CE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)	h_re	0.5	8.0	X10− 4
Підсилення струму слабкого сигналу (I_C = 1.0 mAdc, V_CE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz	h_fe	100	400	−
Вихідний допуск (I_C = 1. 0 mAdc, V_CE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)	h_oe	1.0	40	μmhos
Коефіцієнт шуму (IC = 100μ Adc, V_CE = 5.0 Vdc, R_S = 1.0 k, f = 1.0 kHz)	NF	−	5.0	dB

ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕМИКАННЯ

Характеристика		Символ	Min	Max	Одиниця
Час затримки	(V_CC = 3.0 Vdc, V_BE = 0.5 Vdc,I_C = 10 mAdc, I_B1 = 1.0 mAdc)	td	−	35	ns
Час наростання	(V_CC = 3.0 Vdc, V_BE = 0.5 Vdc,I_C = 10 mAdc, I_B1 = 1.0 mAdc)	tr	−	35	ns
Час зберігання	(V_CC = 3. 0 Vdc, I_C = 10 mAdc, I_B1 = I_B2 = 1.0 mAdc)	ts	−	200	ns
Час спаду	(V_CC= 3.0 Vdc, I_C = 10 mAdc, I_B1 = I_B2 = 1.0 mAdc)	tf	−	50	ns

Максимальные рабочие температуры транзистора KSP 2222а

Транзистор KSP 2222а обладает определенными ограничениями в отношении максимальной рабочей температуры, которая влияет на его производительность и надежность работы. Эти ограничения состоят из двух параметров:

Максимальная рабочая температура среды (Т_{раб ср})
Максимальная рабочая температура чипа (Т_{раб чип})

Максимальная рабочая температура среды (Т_{раб ср}) — это максимальная температура, которой может быть подвержен транзистор внешней средой во время его работы. Обычно значение этого параметра составляет около 150°C.

Максимальная рабочая температура чипа (Т_{раб чип}) — это максимальная температура, которой может быть подвержен сам чип транзистора. Обычно это значение составляет около 200°C.

Важно придерживаться указанных максимальных рабочих температур при использовании транзистора KSP 2222а, чтобы избежать его перегрева, что может привести к его выходу из строя

Преимущества использования транзистора KSP 2222а в схемах

Транзистор KSP 2222а представляет собой биполярный высокочастотный p-n-p транзистор с малой мощностью, который широко используется в различных схемотехнических решениях. Использование данного транзистора имеет несколько преимуществ:

1. Широкий диапазон работы: Транзистор KSP 2222а характеризуется высокой рабочей частотой, что позволяет его использование в широком диапазоне частотных значений. Это делает его универсальным и применимым в разных типах схем, где требуется работа на разных частотах.

2. Низкие потери при работе: KSP 2222а обладает низкими потерями в режиме работы, что позволяет получать стабильный и эффективный сигнал при минимальных потерях энергии. Это является важным преимуществом в схемах, где требуется получение максимально качественного сигнала.

3. Высокая надежность и стабильность: Транзистор KSP 2222а отличается высокой надежностью и стабильностью работы, что обеспечивает долгий срок службы и минимальное количество неисправностей. Это позволяет использовать данный транзистор в различных схемах, где требуется стабильная и надежная работа устройства.

4. Удобная установка и подключение: Транзистор KSP 2222а имеет удобные размеры и конструкцию, что облегчает его установку и подключение в различных схемах. Это экономит время и упрощает процесс монтажа устройства.

5. Низкая стоимость: Еще одним преимуществом транзистора KSP 2222а является его доступная стоимость. Он относится к категории низкобюджетных компонентов, что делает его популярным и широко используемым в различных проектах.

В целом, транзистор KSP 2222а обладает рядом преимуществ, которые делают его привлекательным для использования в различных схемах. Высокая рабочая частота, низкие потери, высокая надежность, удобная установка и доступная стоимость делают его оптимальным выбором для множества приложений.

KSP 2222A — характеристики транзистора и его применение

Максимальная мощность: 0,625 Вт
Максимальный ток коллектора: 800 мА
Коэффициент усиления по току (β): от 35 до 300
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 40 В

Эти характеристики делают KSP 2222A идеальным выбором для множества электронных устройств, таких как усилители звука, источники питания, таймеры, выключатели и другие. Благодаря высокому коэффициенту усиления, транзистор KSP 2222A может использоваться для усиления слабых сигналов до более высоких уровней, а также для коммутации больших токов.

Применение KSP 2222A:

1. Усилители: KSP 2222A может быть использован для создания различных типов усилителей, включая усилители звука, усилители сигнала, инструментальные усилители и другие. Благодаря своим характеристикам транзистор KSP 2222A может усиливать слабые сигналы до достаточного уровня для управления другими компонентами схемы.

2. Источники питания: KSP 2222A может быть использован в источниках питания для регулирования напряжения и тока. Он может контролировать выходное напряжение и ток и обеспечивать стабильное питание для других компонентов схемы.

3. Таймеры: KSP 2222A может использоваться в таймерах для создания точного временногоразреза с возможностью управления длительностью периода и частотой сигнала.

4. Выключатели: благодаря его способности коммутировать большие токи, KSP 2222A может быть использован в различных выключателях, переключателях и других устройствах управления электрическими цепями.

Транзистор KSP 2222A является универсальным и надежным компонентом, который находит применение во множестве различных электронных устройств. Его высокие характеристики делают его предпочтительным выбором для разработчиков и электронщиков во многих областях применения.

Сопротивление и максимальная мощность транзистора KSP 2222а

Транзистор KSP 2222а имеет низкое входное сопротивление, благодаря чему он может легко взаимодействовать с другими элементами схемы. Его выходное сопротивление также невысокое, что делает его подходящим для работы с нагрузками различного типа.

Кроме того, транзистор KSP 2222а обладает высокой максимальной мощностью, что позволяет использовать его в приложениях, где требуется обработка высоких уровней энергии. Он может работать с постоянной или переменной мощностью в широком диапазоне, что делает его универсальным компонентом для различных электронных устройств.

Для более подробной информации о сопротивлении и максимальной мощности транзистора KSP 2222а можно обратиться к техническим характеристикам, предоставляемым производителем. Там можно найти точные значения этих параметров, что поможет в выборе подходящего режима работы и оптимального применения данного транзистора в собственных проектах.

Параметр	Значение
Входное сопротивление	Низкое
Выходное сопротивление	Невысокое
Максимальная мощность	Высокая

Биполярный транзистор KSP2222A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KSP2222A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

KSP2222A
Datasheet (PDF)

..1. Size:104K fairchild semi ksp2222a.pdf

July 2006KSP2222AtmNPN General Purpose AmplifierFeatures Collector-Emitter Voltage: VCEO= 40V Collector Power Dissipation: PC (max)=625mW Available as PN2222A TO-921 2 31. Emitter 2. Base 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 75 VVCEO Collector-Emitter Voltage 40 VVEB

..2. Size:288K feihonltd ksp2222a.pdf

TRANSISTOR KSP2222A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES IC 500mA Epitaxial silicon VCEO 27V High switching speed VCBO 42V RoHS RoHS product PC 625mW APPLICATIONS High frequency switch power supply Commonly power amplifier circuit High frequency

0.1. Size:22K samsung ksp2222apfc.pdf

KSP2222A NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORGENERAL PURPOSE TRANSISTORTO-92 Collector-Emitter Voltage: VCEO= 40V Collector Dissipation: PC(max)=625mWABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 70 VCollector-Emitter Voltage VCEO 40 VEmitter-Base Voltage VEBO 6 VCollector Current IC 600 mACollector Dissipation PC 625 m

0.2. Size:388K onsemi ksp2222abu ksp2222ata ksp2222atf.pdf

ON SemiconductorIs NowTo learn more about onsemi, please visit our website at www.onsemi.comonsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,

Другие транзисторы… KSP06
, KSP10
, KSP12
, KSP13
, KSP14
, KSP17
, KSP20
, KSP2222
, MPSA92
, KSP24
, KSP25
, KSP26
, KSP2907
, KSP2907A
, KSP42
, KSP43
, KSP44
.

Транзистор 2n2222: распиновка, упаковка, спецификация, эквивалент и техническое описание

Byadharsh
Обновлено 18 августа 2021 г.

2n2222

2n2222 распиновка транзистора

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	Излучатель	Ток протекает через эмиттер
2	База	Управляет смещением транзистора
3	Коллектор	Ток протекает через коллектор

2n2222 упаковка

Для этого транзистора 2n2222 металлическая банка TO-18 упаковка
Транзисторный корпус ТО-18 имел более высокую термостойкость.

2n2222 спецификация

NPN Транзистор BJT
Диапазон коэффициента усиления постоянного тока от 30 до 300 ч _FE
Ток коллектора (I _C ) 800 мА
Напряжение между эмиттером и базой ( В _BE) составляет 5 В
Напряжение между коллектором и эмиттером ( В _CE) составляет 30 В
Напряжение между коллектором и базой ( В _CB) составляет 60 В
Базовый ток ( I _B) не более 200 мА
Частота перехода ( F _T) составляет 250 МГц

2n2222 Описание

Транзистор 2n2222 представляет собой биполярный NPN-транзистор, максимальный коэффициент усиления по току для транзистора 2n2222 составляет 300 ч _FE, а значение коэффициента усиления по току будет определять коэффициент усиления для транзистора.
Максимальный ток коллектора на транзисторе 2n2222 800мА, именно это значение тока и является максимальным током на данном устройстве.
Максимальный ток смещения на транзисторе 2n2222 составляет 200 мА, максимально допустимое напряжение смещения на триггерном выводе.
Частота перехода транзистора 2n2222 250МГц, это максимальная частота на этой частоте.

Тинхшиновой таблицы 2N2222 Transistor

, если вам нужен таблица данных в PDF, пожалуйста, щелкните по этой ссылке

2N22222222222202222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 Equivent

.
Каждый из перечисленных здесь транзисторов, эквивалентных 2n2222, является биполярным NPN, и большинство из них являются идентичными транзисторами.

2n2222 по сравнению с BC547 по сравнению с 2n3904 по сравнению с 2n2222A

	2n2222	BC547	2n3904	2н2222А
Напряжение между коллектором и базой (VCB)	2н222260в	БК54750в	2н3 в	2н2222А75в
Напряжение между коллектором и эмиттером (VCE)	2n222230	BC54735	2n3	2н2222А40
Напряжение между эмиттером и базой (VEB)	2н22225в	БК5476в	2н39046в	2н2222А6в
Ток коллектора (IC)	2n2222800мА	BC547100мА	2n30мА	2n2222A800мА
Рассеиваемая мощность	2n2222500МВт	BC547500 МВт	2n35МВт	2н2222А500МВт
Температура перехода (ТДж)	2n2222200°C	BC547150°C	2n30°С	2n2222A200°C
Частота перехода (FT)	2n2222250MHZ	БК547300МХЗ	2n30MHZ	2n2222A300MHZ
Шум (Н)	2n22224дб	BC5475db	2n3дб	2н2222А4дб
Коэффициент усиления (hFE)	2n222230 – 300 фЭ	BC547110 – 800 фЭ	2n3 – 300 фЭ	2н2222А35 – 300 фЭ
Пакет	2н2222ТО-18	БК547ТО-92	2н3904ТО-92	2н2222АТО-92 ТО18 ТО39

2n2222 Применение

Это самый популярный тип транзисторов общего назначения, используемых в электронике.
Приложения с низким энергопотреблением
Предусилитель
Цепи драйвера двигателя
Цепи инвертора
Цепи усилителя
Цепи переключения
Цепи датчиков

Транзистор 2n2222 в качестве переключателя

Схема показывает транзистор 2n2222 в качестве переключателя, поскольку мы можем видеть входной резистор, используемый для управления транзистором, и другой резистор для управления светодиодом.
Когда переключатель замыкается, транзистор начинает работать, а интервал включения и выключения светодиода регулируется номиналом резистора.

Транзистор 2n2222 в качестве усилителя

На рисунке показана схема усилителя на транзисторе 2n2222.
Общий эмиттер — это конфигурация транзистора, это лучшая схема усилителя напряжения с использованием транзистора NPN 2n2222
Этот конкретный образец имел более высокий коэффициент усиления из-за конфигурации транзистора.

Почтовые теги:
#транзистор

Транзистор 2SC5171: аналог, цоколевка, спецификация, корпус, даташит

Бьядхарш 21 апреля 2022 г.

Транзистор 2SC5171 Спецификация транзистора 2SC5171 2SC5171 — усилитель мощности NPN-транзистор Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 180 В Напряжение между коллектором и базой составляет 180 В Напряжение между эмиттером и базой составляет 5 В Коллектор…

Подробнее Транзистор 2SC5171: эквивалент, распиновка, спецификация, корпус, техническое описаниеПродолжить

BC817: цоколевка, аналог, спецификация, даташит

Бьядхарш 10 октября 2022 г.

Транзистор BC817 Спецификация BC817 BC817 представляет собой SMD-транзистор общего назначения NPN Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 45 В Напряжение между коллектором и базой составляет 50 В Напряжение между эмиттером и базой составляет 5 В Коллектор…

Подробнее Транзистор BC817: распиновка, эквивалент, спецификация, техническое описаниеПродолжить

In Stock: 17547

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

KSP2222A Datasheet (PDF)

..1. Size:104K fairchild semi ksp2222a.pdf

..2. Size:288K feihonltd ksp2222a.pdf

0.1. Size:22K samsung ksp2222apfc.pdf

0.2. Size:388K onsemi ksp2222abu ksp2222ata ksp2222atf.pdf

Производители

По статистике, в мире насчитывается более миллиарда очень похожих по характеристикам транзисторов с цифрами «2222» в обозначении, особенно в корпусе ТО-92. Они встречаются в различных вариантах исполнения и модификаций. Постоянно появляются более новые образцы, которые совершенствуются и модернизируются производителями. При этом, спрос на такие устройства до сих пор остаётся стабильно высоким.

Многие современные транзисторы, у которых в маркировке присутствуют цифры «2222», являются более совершенствованными 2N2222. В настоящее время их выпуск налажен у следующих производителей полупроводниковых компонентов: NXP Semiconductors, Multicomp, Continental Device India Limited, Semtech Electronics, Inchange Semiconductor Company Limited, Micro Commercial Components (MCC), New Jersey Semi-Conductor Products, Siemens Semiconductor, ON Semiconductor, Foshan Blue Rocket Electronics, STMicroelectronics. Выгрузить datasheet в формате pdf возможно кликнув на это сообщение.

История создания

Разработчиком 2N2222 в корпусе ТО-18 считается американская компания Motorola. Её сотрудник (Джек Хайничен) изобрёл кольцевую структуру (annular) при производстве полупроводниковых триодов, позволившую увеличить напряжение p-n-перехода до 100 В. Ряд изделий, изготовленных по новой технологии, в том числе и рассматриваемый транзистор, впервые были продемонстрированы конференции «Института инженеров радиотехники» (IRE) в марте 1962 г. в г.Нью-Йорк.

С 1965 г. его стали производить в пластиковом корпусе ТО-92. У компании Motorola он имел маркировку PN2222, а затем PN2222A. Последний завоевал большую популярность, как среди любителей электроники, так и её производителей. В те времена для зарубежной промышленности он был таким же известным, как например, в Советском союзе КТ315.

В последующем, вместе с внедрением технологий поверхностного монтажа (SMD), появились 2N2222 в корпусах SOT-23, SOT-223. К таким транзисторам можно отнести: MMBT2222(Motorola), PMBT2222(Philips), FMMT2222(Zetex) и др. Их производством в настоящее время занимаются и другие компании.

Более поздние модификации рассматриваемого транзистора имеют маркировку 2N2222ADCSM. Они производятся в герметичном керамическом корпусе LCC (для поверхностного монтажа на плату) английской компанией Semelab.

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы
Описание
Фабрикантес
ПДФ

3308
ДВОЙНОЙ СИЛЬНОТОЧНЫЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ

ВА5417
МОЩНЫЙ ДВОЙНОЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ

ЧА3511
Монолитная микроволновая микросхема GaAs
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

ЧА3512
GaAs монолитная микроволновая микросхема
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

ЧА3513
Монолитная микроволновая микросхема GaAs
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

ЧА3514
GaAs монолитная микроволновая микросхема
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

ЧА3666
Монолитная микроволновая микросхема GaAs
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

КХА3689-99Ф
GaAs монолитная микроволновая микросхема
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

ЧА5356-КГГ
Монолитная микроволновая микросхема GaAs
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

ЧА6005-99Ф
GaAs монолитная микроволновая микросхема
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

ЧА6005-КЭГ
Монолитная микроволновая микросхема GaAs
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

CHA6356-QXG
GaAs монолитная микроволновая микросхема
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

ЧА6552-КДЖГ
Монолитная микроволновая микросхема GaAs
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

ЧА7115-99Ф
GaAs монолитная микроволновая микросхема
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

Способы применения транзистора KSP 2222а в электронике

Усилитель сигнала: Транзистор KSP 2222а может быть использован в качестве усилителя слабых сигналов. Он позволяет усилить входной сигнал и обеспечить его передачу на более высокий выходной уровень. Это особенно полезно при проектировании радиоприемников, усилителей звукового сигнала и других устройств, где необходимо усилить слабые сигналы.
Инвертор: Как и многие другие транзисторы, KSP 2222а может быть использован в качестве инвертора сигнала. Это означает, что он может инвертировать входной сигнал, переводя его в противоположную фазу на выходе. Использование инвертора может быть полезно в таких схемах, как счетчики, генераторы сигналов и логические схемы.
Переключатель: Транзистор KSP 2222а может использоваться как переключатель для включения и выключения электрических нагрузок. Он может быть управляющим элементом в различных схемах, таких как таймеры, автоматические выключатели, а также устройства управления энергопотреблением. Подключение транзистора в режим переключения позволяет контролировать поток тока через нагрузку при наличии и отсутствии управляющего сигнала.
Стабилизатор напряжения: Транзистор KSP 2222а может использоваться как активный элемент в стабилизаторе напряжения. Он позволяет поддерживать постоянный выходной уровень напряжения независимо от изменений входного напряжения или нагрузки. Это может быть полезно в источниках питания, где требуется стабильное напряжение для работы других компонентов.

Это лишь некоторые примеры способов использования транзистора KSP 2222а в электронике. Благодаря своим характеристикам и надежности, этот транзистор широко применяется в различных устройствах и схемах.