Какие бывают стандарты маркировки
Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.
Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.
Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.
Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.
| Тип | Наименование ЭРЭ | Зарубежное название |
| A1 | Полевой N-канальный транзистор | Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel |
| A2 | Двухзатворный N-канальный полевой транзистор | Tetrode, Dual-Gate |
| A3 | Набор N-канальных полевых транзисторов | Double MOSFET Transistor Array |
| B1 | Полевой Р-канальный транзистор | MOS, GaAs FET, P-Channel |
| D1 | Один диод широкого применения | General Purpose, Switching, PIN-Diode |
| D2 | Два диода широкого применения | Dual Diodes |
| D3 | Три диода широкого применения | Triple Diodes |
| D4 | Четыре диода широкого применения | Bridge, Quad Diodes |
| E1 | Один импульсный диод | Rectifier Diode |
| E2 | Два импульсных диода | Dual |
| E3 | Три импульсных диода | Triple |
| E4 | Четыре импульсных диода | Quad |
| F1 | Один диод Шоттки | AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode |
| F2 | Два диода Шоттки | Dual |
| F3 | Три диода Шоттки | Tripple |
| F4 | Четыре диода Шоттки | Quad |
| K1 | “Цифровой” транзистор NPN | Digital Transistor NPN |
| K2 | Набор “цифровых” транзисторов NPN | Double Digital NPN Transistor Array |
| L1 | “Цифровой” транзистор PNP | Digital Transistor PNP |
| L2 | Набор “цифровых” транзисторов PNP | Double Digital PNP Transistor Array |
| L3 | Набор “цифровых” транзисторов | PNP, NPN | Double Digital PNP-NPN Transistor Array |
| N1 | Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц) | AF-Transistor NPN |
| N2 | Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц) | RF-Transistor NPN |
| N3 | Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В) | High-Voltage Transistor NPN |
| N4 | “Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000) | Darlington Transistor NPN |
| N5 | Набор транзисторов NPN | Double Transistor Array NPN |
| N6 | Малошумящий транзистор NPN | Low-Noise Transistor NPN |
| 01 | Операционный усилитель | Single Operational Amplifier |
| 02 | Компаратор | Single Differential Comparator |
| P1 | Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц) | AF-Transistor PNP |
| P2 | Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц) | RF-Transistor PNP |
| P3 | Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В) | High-Voltage Transisnor PNP |
| P4 | “Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000) | Darlington Transistor PNP |
| P5 | Набор транзисторов PNP | Double Transistor Array PNP |
| P6 | Набор транзисторов PNP, NPN | Double Transistor Array PNP-NPN |
| S1 | Один сапрессор | Transient Voltage Suppressor (TVS) |
| S2 | Два сапрессора | Dual |
| T1 | Источник опорного напряжения | “Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference |
| T2 | Стабилизатор напряжения | Voltage Regulator |
| T3 | Детектор напряжения | Voltage Detector |
| U1 | Усилитель на полевых транзисторах | GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC) |
| U2 | Усилитель биполярный NPN | Si-MMIC NPN, Amplifier |
| U3 | Усилитель биполярный PNP | Si-MMIC PNP, Amplifier |
| V1 | Один варикап (варактор) | Tuning Diode, Varactor |
| V2 | Два варикапа (варактора) | Dual |
| Z1 | Один стабилитрон | Zener Diode |
Описание и принцип работы D526
Основные особенности D526 включают следующие:
- Максимальная рабочая частота до нескольких гигагерц;
- Низкий уровень искажений сигнала;
- Высокая мощность при работе в классе A;
- Высокая эффективность преобразования сигнала;
- Низкое входное сопротивление;
- Низкое выходное сопротивление;
- Хорошая линейность работы.
Транзистор D526 работает по принципу усиления сигнала. Он состоит из трех слоев полупроводникового материала: эмиттера, базы и коллектора. Слой базы разделяет слои эмиттера и коллектора.
Происходящие внутри транзистора процессы управляются применением внешнего напряжения или тока. При наличии положительного напряжения на базе и отрицательного напряжения на коллекторе, электроны, протекая через базу, индуцируют положительные ионы, образующие электрическую лавину. Это приводит к усилению тока и напряжения на выходе транзистора.
D526 обычно применяется в аудиовизуальных устройствах, радиосистемах, радиостанциях, телевизорах и других устройствах, где требуется усиление сигнала с низкими искажениями и высокой мощностью.
Преимущества использования D526 y транзистора
Транзистор D526 y представляет собой высокомощный биполярный мощный транзистор. Используется для управления высокими токами и напряжениями в различных электронных устройствах и схемах.
Преимущества использования D526 y транзистора:
- Высокая мощность: D526 y транзистор обладает высокой мощностью, что позволяет ему работать с большими токами и напряжениями. Это делает его идеальным для использования в схемах с большой нагрузкой.
- Надежность: D526 y транзистор имеет высокую надежность и стабильную работу, что обеспечивает долгий срок службы устройства, в котором он применяется.
- Хорошая переключающая способность: D526 y транзистор обладает хорошей скоростью переключения, что позволяет использовать его в высокочастотных схемах и устройствах.
- Удобство монтажа: D526 y транзистор имеет удобную форму и конструкцию, что делает его легким в монтаже на печатную плату или другую поверхность.
- Широкий диапазон применений: D526 y транзистор может быть использован в различных электронных устройствах, включая источники питания, усилители звука, коммутационные устройства и другие.
Все эти преимущества делают D526 y транзистор незаменимым элементом во многих электронных устройствах, где требуется управлять высокими токами и напряжениями с высокой мощностью и надежностью.
Фелер 404
Auswahl von Land und Sprache beeinflusst Deine Geschäftsbedingungen, Produktpreise und Sonderangebote
Sprache
Верунг
Preise
нетто
брутто
нетто
брутто
Каталог
Ви кауфт человек
Хильфе
или другой адрес:
Дом
Abonnieren Sie jetzt
В том же информационном бюллетене вы найдете самые интересные и интересные сведения о новых продуктах, товарах и услугах на веб-сайте TME.
* Pflichtfeld
AnmeldenAuf Mitteilungsblatt verzichten
больше
Венигер
TME-Newsletter abonnieren
Анеботе — Рабатте — Нойхайтен. Sei auf dem Laufenden mit dem Angebot von TME
AGB zum Информационный бюллетень
Auf Mitteilungsblatt verzichten
Daten werden verarbeitet
Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.
Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.
Логин
Пароль
Логин и пароль заранее.
Д526 y транзистор: общая информация
У транзистора Д526 y есть три вывода: коллектор (C), база (B) и эмиттер (E). Проходящий через базу ток контролирует ток эмиттера, что позволяет управлять током коллектора. Это делает транзистор Д526 y очень полезным элементом в электронных устройствах, таких как усилители и переключатели сигналов.
Преимущества транзистора Д526 y:
- Высокий коэффициент усиления тока.
- Низкое сопротивление перехода база-эмиттер.
- Широкий диапазон рабочих температур.
- Низкое энергопотребление.
Следует отметить, что перед использованием транзистора Д526 y необходимо прочитать его технические характеристики и рекомендации по применению, чтобы гарантировать его надежную работу в заданной схеме.
Основные характеристики и параметры транзисторов
Классификация транзисторов. Проводимость, усиление, параметры, определяющие мощность, допустимое напряжение, частотные и шумовые свойства транзистора.
Транзистор, в общем понимании этого слова – это полупроводниковый прибор, как правило, с тремя выводами, способный усиливать поступающий на него сигнал. Выполняя функции усиления, преобразования, генерирования, а также коммутации сигналов в электрических цепях, в данный момент транзистор является основой подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
На принципиальных схемах транзистор обычно обозначается латинскими буквами «VT» или «Q» с добавлением позиционного номера (например, VT12 или Q12).
В отечественной документации прошлого века применялись обозначения «Т», «ПП» или «ПТ». Преобладающее применение в промышленных и радиолюбительских конструкциях находят два типа транзисторов – биполярные и полевые. Какими они бывают?
ОСНОВНАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ, ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ.
Основная классификация, определяющая область применения транзисторов, ведётся по: исходному материалу, на основе которого они сделаны, структуре проводимости, максимально допустимому напряжению, максимальной мощности, рассеиваемой на коллекторе, частотным свойствам, шумовым характеристикам, крутизне передаточной характеристики (для полевых) или статическому коэффициенту передачи тока (для биполярных транзисторов) . Рассмотрим перечисленные пункты классификации более детально.
По исходному полупроводниковому материалу транзисторы классифицируются на: — германиевые (в настоящее время не производятся); — кремниевые (наиболее широко представленный класс); — из арсенида галлия (в основном СВЧ транзисторы) и др.
По структуре транзисторы классифицируются на: — p-n-p структуры – биполярные транзисторы «прямой проводимости»; — n-p-n структуры – биполярные транзисторы «обратной проводимости»; — p-типа – полевые транзисторы с «p-типом проводимости»; — n-типа – полевые транзисторы с «n-типом проводимости». В свою очередь, полевые транзисторы подразделяются на приборы с управляющим p-n-переходом (JFET-транзисторы) и транзисторы с изолированным затвором (МДП или МОП-транзисторы).
По параметру мощности транзисторы делятся на: — транзисторы малой мощности (условно Рmах — транзисторы средней мощности (0,3 — мощные транзисторы (Рmах >1,5 Вт). Также косвенным показателем мощности транзистора является параметр максимально допустимого тока коллектора (Iк_max).
По параметру максимально допустимого напряжения Uкэ или Uси транзисторы делятся на: — транзисторы общего применения (условно Uкэ_mах — высоковольтные транзисторы (Uкэ_mах > 100 В). У современных биполярных и полевых транзисторов параметр Uкэ_mах (Uси_mах) может достигать нескольких тысяч вольт!
По частотным характеристикам транзисторы делятся на: — низкочастотные транзисторы (условно Fгр — среднечастотные транзисторы (3 — высокочастотные транзисторы (30 — сверхвысокочастотные транзисторы (Fгр > 300 МГц); Основным параметром, характеризующим быстродействия транзистора, является граничная частота коэффициента передачи тока (Fгр). Косвенным – входная и выходная ёмкости. Для транзисторов, разработанных для использования в ключевых схемах, также может указываться параметр задержки переключения (tr и ts).
По шумовым характеристикам транзисторы делятся на: — транзисторы с ненормированным коэффициентом шума; — транзисторы с нормированным коэффициентом шума (Кш).
Коэффициент передачи тока (h21 – для биполярного транзистора) и крутизна передаточной характеристики (S – для полевого) являются одними из основных параметров полупроводника. От него зависят как качественные показатели транзисторного усилительного каскада, так и требования, предъявляемые к предыдущим и последующим каскадам.
Однако давайте будем считать эту статью вводной, а углубляться и подробно рассуждать о влиянии тех или иных параметров на работу и поведение биполярного или полевого транзистора будем на следующих страницах. Полный перечень статей, посвящённых описанию работы транзистора, а также расчётам каскадов на полевых и биполярных полупроводниках, приведён в рубрике «Это тоже может быть интересно».
Ангола — SurmaExpediciones
Ангола es uno de los países más ricos de África , puesto que cuenta con grandes reservas de petróleo y diamantes.
también es uno de los países más desconocidos para los turistas
En Surmaexpediciones te descubriremos algunos de los lugares que no puedes perderte de este fascinante lugar.
Катаратас де Каландула. Situadas en el río Lucala y, aunque son bastante desconocidas fueran de Angola, lo cierto es que las cataratas de Kalandula constituyen un espectáculo realmente impponente por su volumen y por ser las más altas de África const sus 10desni.
Национальный парк Киссама . Establecido como reserva en 1938, también es conocido como Quiçama. Se encuentra ubicado al sur del río Kwanza y es probablemente эль-мейор Национальный парк Анголы для исследования разнообразной фауны: слонов, африканских манатов и бегемотов, антилоп соболь, монос, цебра, нус и черепаха де мар.
los maravillosos baobabs nudosos
Национальный парк Луэнге-Луиана . Forma parte del área de conservación transfronteriza de Okavango/Zambeze, la cual comparte territorio con Замбия, Ангола, Намибия, Ботсвана и Зимбауэ, y además constituye una de las regiones más grandes de protección medioambiental de todo el mundo . Este Parque Nacional se encuentra hoy en día prácticamente virgen, ya que apenas ha sufrido el Impacto del Hombre. Aquí podrás disfrutar contemplando animales como la hiena manchada, el tejón, los antílopes sables, impalas, avestruces o ñus y, por supuesto, los cinco grandes mamíferos de África : слоны, леопарды, леонес, буйволы.
Национальный парк Кангандала, . Situado en la provincia de Malanje, en este Parque Nacional podrás ver en vivo el símbolo nacional de Angola: el famoso palanca negra gigante , un gran antílope que se answeró extinto durante más de 20 años, aunque afortunadamente fue redescubierto en 2000 en el 2009 se logró localizarlo y capturarlo para ponerlo bajo protección en este santuario.
Мирадору да Луа . Formado durante millones de años por la accion del viento y la lluvia, probablemente este sea el lugar más visitado de Toda Angola por los turistas. Se trata de un mirador sobre un cañón con acantilados que se desploman sobre el Atlantico y recuerdan mucho a un paisaje lunar, de ahí su nombre y que se conozca también como «Moon Valley View point».
Лубанго . Si quieres contemplar hermosas cascadas y fisuras volcánicas espectaculares , esta pequeña ciudad situada en un hermoso valle rodeado de montañas es un lugar que no puedes perderte.
Бенгела . Si eres más de playa, Бенгела-эс-ту-ситио. Автопрокламада столица культуры де ла республика, Benguela se encuentra rodeada de estupendas playas atlánticas donde podrás disfrutar de la arena y el mar a tus anchas.
Como ves, aunque bastante desconocida todavía, Angola atesora auténticas maravillas en su interior que son dignas de conocer y disfrutar. ¿Te animas a descubrirlas con nosotros?
Зачем нужна маркировка
Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.
Маркировка на практике
Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся
Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений
Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.
Разнообразные корпуса транзисторов.
Маркировка SMD компонентов
SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.
| Код | Сопротивление |
| 101 | 100 Ом |
| 471 | 470 Ом |
| 102 | 1 кОм |
| 122 | 1.2 кОм |
| 103 | 10 кОм |
| 123 | 12 кОм |
| 104 | 100 кОм |
| 124 | 120 кОм |
| 474 | 470 кОм |
Маркировка импортных SMD
Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.
Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.
Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.
Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.
smd-код m6
smd-код «M6»
| Подробная информация о производителях — в GUIDE’е, о типах корпусов — здесь | |||||
| код | наименование | функция | корпус | производитель | примечания |
|---|---|---|---|---|---|
| M6 | 2SA812 | pnp: 50В/100мА h31=200. ..400 | sot23 | Galaxy Semi | |
| M6 | BSS66 | npn: 40В/200мА 250МГц h31=150 | sot23 | Diodes | |
| M6 | BZX384-B22 | стабилитрон 300мВт: 22В ±2% | sod323 | NXP | |
| M6 | MMBA812M6 | pnp: 40В/100мА h31=200…400 | sot23 | Motorola | |
| M6 | Si2316BDS | nМОП: 30В/4,5А/50мОм | sot23 |
Vishay
M6##
RP114K241B
LDO: 2,4В/300мА
dfn4
Ricoh
## — lot-код
M6A
ADM1816-20AKS/ART
супервизор 2,55В, open-drain, active-low
sc70/sot23
ADI
M6A
MMBF4416
n-канальный ВЧ FET: 30В
sot23
ON Semi
M6B
ADM1816-22AKS/ART
супервизор 2,18В, open-drain, active-low
sc70/sot23
ADI
M6C
ADM1816-23AKS/ART
супервизор 2,31В, open-drain, active-low
sc70/sot23
ADI
M6C
MMBFU310
n-канальный ВЧ FET: 25В
sot23
ON Semi
M6E
ADM1816-10AKS/ART
супервизор: 2,88В open-drain/active-low
sc70/sot23
ADI
M6G
SMMBF4393
nFET: 30В/50мА Ugs(off)=-3В
sot23
On Semi
M6H
ADM1816-20AKSZ/ARTZ
супервизор: 2. 55В open-drain/active-low
sc70/sot23
ADI
RoHS
M6H
MMBD354
два смесительных диода ОК: 7В/10мА
sot23
LGE | ON Semi
M6J
ADM803MAKSZ
супервизор: 4,38В open-drain/active-low
sc70
ADI
RoHS
M6K
ADM1816-5AKS/ART
супервизор: 3,06В open-drain/active-low
sc70/sot23
ADI
M6L
ADM803LAKSZ
супервизор: 4,63В open-drain/active-low
sc70
ADI
RoHS
M6M
ADM803RAKSZ
супервизор: 2,63В open-drain/active-low
sc70
ADI
RoHS
M6N
ADM803ZAKSZ
супервизор: 2,32В open-drain/active-low
sc70
ADI
RoHS
M6P
ADM809JAKSZ/JARTZ
супервизор: 4,00В push-pull/active-low
sc70/sot23
ADI
RoHS
M6P
BSR58
n-канальный FET: 40В/50мА
sot23
NXP
M6R
ADM809LAKSZ
супервизор: 4,63В push-pull/active-low
sc70
ADI
RoHS
M6S
ADM810MAKSZ/MARTZ
супервизор: 4,38В push-pull/active-high
sc70/sot23
ADI
RoHS
M6T
ADM810SAKSZ/SARTZ
супервизор: 2,93В push-pull/active-high
sc70/sot23
ADI
RoHS
M6U
ADM810ZAKSZ/ZARTZ
супервизор: 2,32В push-pull/active-high
sc70/sot23
ADI
RoHS
M6V
ADM810JAKSZ/JARTZ
супервизор: 4,00В push-pull/active-high
sc70/sot23
ADI
RoHS
M6W
ADM810LAKSZ/LARTZ
супервизор: 4,63В push-pull/active-high
sc70/sot23
ADI
RoHS
M6X
ADM1813-5AKSZ/ARTZ
супервизор: 4,62В open-drain/active-low
sc70/sot23
ADI
RoHS
M6Y
ADM1813-10AKSZ/ARTZ
супервизор: 4,35В open-drain/active-low
sc70/sot23
ADI
RoHS
M6Z
ADM1811-5AKSZ/ARTZ
супервизор: 4,62В push-pull/active-low
sc70/sot23
ADI
RoHS
Биполярный транзистор KSD526Y — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSD526Y
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора:
KSD526Y
Datasheet (PDF)
8.1. Size:177K fairchild semi ksd526.pdf
April 2006KSD526NPN Epitaxial Silicon TransistorPower Amplifier Applications Complement to KSB596TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 80 VVCEO Collector-Emitter Voltage 80 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Current 4 AIB Base Current 0.4 APC
8.2. Size:260K onsemi ksd526.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие транзисторы… KSD5075T
, KSD5076
, KSD5078
, KSD5080
, KSD5090
, KSD526
, KSD526O
, KSD526R
, B772
, KSD560
, KSD560O
, KSD560R
, KSD560Y
, KSD568
, KSD568O
, KSD568R
, KSD568Y
.
Основные особенности D526 транзистора
Транзистор D526 относится к типу p-n-p и предназначен для работы в схемах усиления слабых сигналов. Он может использоваться в качестве переключателя, аналогового усилителя или стабилизатора напряжения.
Основные характеристики D526:
- Максимальное напряжение коллектора: 60 В
- Максимальный ток коллектора: 1 А
- Максимальная мощность: 2 Вт
- Коэффициент усиления тока (hFE): 100-300
- Частота перехода: 30 МГц
- Время переключения: 0,15 мкс
Транзистор D526 имеет трехэлементную структуру, состоящую из базы, эмиттера и коллектора. Он способен работать в широком диапазоне температур от -55°C до +150°C, что делает его подходящим для применения в устройствах, работающих в экстремальных условиях.
Данный транзистор отличается низким уровнем шума и хорошей линейностью при усилении сигналов. Он также характеризуется малыми габаритными размерами, что позволяет его с легкостью интегрировать в различные электронные устройства.
Однако, при работе с транзистором D526 необходимо учитывать его ограничения по напряжению и току. Превышение указанных значений может привести к выходу транзистора из строя.
Таким образом, транзистор D526 является надежным и универсальным элементом электроники, который находит применение в различных устройствах, требующих усиления слабых сигналов или стабилизации напряжения.
KSD526Y Datasheet (PDF)
8.1. Size:177K fairchild semi ksd526.pdf
April 2006KSD526NPN Epitaxial Silicon TransistorPower Amplifier Applications Complement to KSB596TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 80 VVCEO Collector-Emitter Voltage 80 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Current 4 AIB Base Current 0.4 APC
8.2. Size:260K onsemi ksd526.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
In Stock : 3755
Please send RFQ , we will respond immediately.
United States
China
Canada
Japan
Russia
Germany
United Kingdom
Singapore
Italy
Hong Kong(China)
Taiwan(China)
France
Korea
Mexico
Netherlands
Malaysia
Austria
Spain
Switzerland
Poland
Thailand
Vietnam
India
United Arab Emirates
Afghanistan
Åland Islands
Albania
Algeria
American Samoa
Andorra
Angola
Anguilla
Antigua & Barbuda
Argentina
Armenia
Aruba
Australia
Azerbaijan
Bahamas
Bahrain
Bangladesh
Barbados
Belarus
Belgium
Belize
Benin
Bermuda
Bhutan
Bolivia
Bonaire, Sint Eustatius and Saba
Bosnia & Herzegovina
Botswana
Brazil
British Indian Ocean Territory
British Virgin Islands
Brunei
Bulgaria
Burkina Faso
Burundi
Cabo Verde
Cambodia
Cameroon
Cayman Islands
Central African Republic
Chad
Chile
Christmas Island
Cocos (Keeling) Islands
Colombia
Comoros
Congo
Congo (DRC)
Cook Islands
Costa Rica
Côte d’Ivoire
Croatia
Cuba
Curaçao
Cyprus
Czechia
Denmark
Djibouti
Dominica
Dominican Republic
Ecuador
Egypt
El Salvador
Equatorial Guinea
Eritrea
Estonia
Eswatini
Ethiopia
Falkland Islands
Faroe Islands
Fiji
Finland
French Guiana
French Polynesia
Gabon
Gambia
Georgia
Ghana
Gibraltar
Greece
Greenland
Grenada
Guadeloupe
Guam
Guatemala
Guernsey
Guinea
Guinea-Bissau
Guyana
Haiti
Honduras
Hungary
Iceland
Indonesia
Iran
Iraq
Ireland
Isle of Man
Israel
Jamaica
Jersey
Jordan
Kazakhstan
Kenya
Kiribati
Kosovo
Kuwait
Kyrgyzstan
Laos
Latvia
Lebanon
Lesotho
Liberia
Libya
Liechtenstein
Lithuania
Luxembourg
Macao(China)
Madagascar
Malawi
Maldives
Mali
Malta
Marshall Islands
Martinique
Mauritania
Mauritius
Mayotte
Micronesia
Moldova
Monaco
Mongolia
Montenegro
Montserrat
Morocco
Mozambique
Myanmar
Namibia
Nauru
Nepal
New Caledonia
New Zealand
Nicaragua
Niger
Nigeria
Niue
Norfolk Island
North Korea
North Macedonia
Northern Mariana Islands
Norway
Oman
Pakistan
Palau
Palestinian Authority
Panama
Papua New Guinea
Paraguay
Peru
Philippines
Pitcairn Islands
Portugal
Puerto Rico
Qatar
Réunion
Romania
Rwanda
Samoa
San Marino
São Tomé & Príncipe
Saudi Arabia
Senegal
Serbia
Seychelles
Sierra Leone
Sint Maarten
Slovakia
Slovenia
Solomon Islands
Somalia
South Africa
South Sudan
Sri Lanka
St Helena, Ascension, Tristan da Cunha
St. Barthélemy
St. Kitts & Nevis
St. Lucia
St. Martin
St. Pierre & Miquelon
St. Vincent & Grenadines
Sudan
Suriname
Svalbard & Jan Mayen
Sweden
Syria
Tajikistan
Tanzania
Timor-Leste
Togo
Tokelau
Tonga
Trinidad & Tobago
Tunisia
Turkey
Turkmenistan
Turks & Caicos Islands
Tuvalu
U.S. Outlying Islands
U.S. Virgin Islands
Uganda
Ukraine
Uruguay
Uzbekistan
Vanuatu
Vatican City
Venezuela
Wallis & Futuna
Yemen
Zambia
Zimbabwe
Quantity
Quick RFQ
Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009.
Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009 .
Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.
Можно попробовать заменить транзистор MJE13009 транзистором 2SC2335;
транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257; транзистором BUL74A; транзистором BUW72; транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257;
Заключение
Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.
В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:
www.mp16.ru
www.rudatasheet.ru
www.texnic.ru
www.solo-project.com
www.ra4a.narod.ru
Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы
