Характеристики и цоколевка транзистора а539

Технические характеристики

Практически все производители начинают рассмотрение технических характеристик с предельно допустимых, потому что именно от них зависят возможности устройства. При их превышении, во время эксплуатации, диод перегреется и выйдет из строя. Для надёжности и долговечности работы также вредно длительное использование при значениях параметров близких к максимальным. Измерения параметров производятся при температуре +25°С.

Максимальные характеристики 1N5399:

• максимальное импульсное напряжение при подключении диода в обратном направлении V_RRM = 1000 В;
• средний ток (замеры производились при температуре равной 75ОС) I_F(AV) = 1,5 А;
• наибольший допустимый импульсный ток I_FSM = 50 А;
• предельная мощность P_D = 4,8 Вт;
• термическое сопротивление кристалл – окружающая среды R_θJA = 26 ОС/Вт;
• диапазон температур кристалла T_J = -55 … +150ОС;
• диапазон рабочих температур T_STG = -55 … +150ОС.

После максимальных, все производители, в своей документации, приводят электрические. Они также важны при конструировании новых схем и выборе устройства для замены перегоревшего. От них зависит как сфера применения, так и возможности диода. Их измерение производится при стандартной комнатной температуре +25°С. Имеются также и другие параметры, влияющие на окончательный результат тестирования, все они приведены в отдельной колонке следующей таблицы, озаглавленной как «Режимы проведения измерения».

Электрические характеристики диода 1N5399 (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы проведения измерений	Обозначение	Значение	Ед. изм
Разность потенциалов при включении в прямом направлении	IF = 3 А	VF	1,4	В
Обратный ток через диод	TJ = 25°C	IR	5	мкА
TJ = 100°C	300	мкА
Ёмкость n-p перехода	VR= 4.0 В, f = 1.0мГц	CJ	25	пФ

Так как 1N5399 может использоваться вместо варистора, нужно рассмотреть график зависимости ёмкости перехода от разности потенциалов, приложенных к нему в обратном направлении. Он представляет собой слегка выгнутую кривую, направленную вниз. Исходя из этого можно сделать вывод, что при увеличении обратного напряжения ёмкость снижается.

Характеристики биполярного транзистора.

Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач. И первая на очереди — входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:

I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const

В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):

Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.

Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора — выходной. Выходная характеристика — это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы

I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const

Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:

Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения — изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .

Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:

Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.

Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано.

Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно — при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:

I_к = \beta I_б

Двигаемся дальше

На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина — эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.

В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу — навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.

Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора.

И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.

Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:

Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды. Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.

Преимущества пары Дарлингтон

Пара Дарлингтона имеет несколько преимуществ по сравнению со стандартным одиночным транзистором. Вот некоторые из них:

• Он обеспечивает очень высокий коэффициент усиления по току, чем стандартный одиночный транзистор
• Он обеспечивает очень высокий входной импеданс или хорошее преобразование импеданса.
• Они могут быть двумя отдельными транзисторами или поставляются в одном корпусе.
• Простая и удобная конфигурация схемы, так как используется всего несколько компонентов.
• В случае пары фотодарлингтон внешний шум намного меньше по сравнению с фототранзистором с внешним усилителем.

Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315И, КТ315Ж.

Т ранзисторы КТ315 — кремниевые, маломощные высокочастотные, структуры — n-p-n. Корпус пластиковый — желтого, красного, темно — зеленого, оранжевого цветов. Масса — около 0,18г. Маркировка буквенно — цифровая, либо буквенная. Цоколевка легко определяется с помощью буквы, обозначающей подкласс транзистора. Она распологается напротив вывода эмиттера. Вывод коллектора — посередине, базы — оставшийся, крайний.

Наиболее широко распространенный отечественный транзистор. При изготовлении КТ315 впервые массово была применена планарно — эпитаксиальная технология. На пластине из материала n — проводимости формировался участок базы, проводимостью — p, затем, уже в нем — n участок эмиттера. Эта технология способствовала значительному удешевлению производства, при меньшем разбросе параметрических характеристик, по тому времени — довольно высоких.

Благодаря плоской форме корпуса и выводов КТ315 хорошо подходит для поверхностного монтажа. Таким образом, применение КТ315 позволило в свое время значительно уменьшить размеры элементов ТТЛ советских ЭВМ второго поколения. Область применения КТ315 черезвычайно широка, кроме элементов логики это — низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные усилители, генераторы, все что сотавляло основу огромного количества бытовых и промышленных электронных устройств советской эпохи.

Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР. Примечательно, что КТ315 до сих пор производятся в Белоруссии, в корпусе ТО-92.

Наиболее важные параметры.

Граничная частота передачи тока — 250 МГц. Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д — от 20 до 90. У транзисторов КТ315Б,КТ315Г,КТ315Е — от 50 до 350. У транзистора КТ315Ж, — от 30 до 250. У транзистора КТ315Ж, не менее 30.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. транзистора КТ315А — 25в. Транзистора КТ315Б — 20в, транзистора КТ315Ж — 15в. У транзисторов КТ315В, КТ315Д — 40 в. у транзисторов КТ315Г, КТ315Е — 35 в. У транзистора КТ315И — 60 в.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы — 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 1,1 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1,5 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,9 в.

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 0,4 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,5 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база — 6 в.

Обратный ток коллектор-эмиттер при предельном напряжении : У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 1 мкА. У транзисторов КТ315Ж — 10 мкА. У транзисторов КТ315И — 100 мкА.

Обратный ток коллектора при напряжении колектор-база 10в — 1 мкА.

Максимальный ток коллектора. У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 100 мА. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 50 мА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, не более: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,КТ315Д, КТ315Е, КТ315И — 7 пФ. У транзисторов КТ315Ж — 10 пФ.

Рассеиваемая мощность коллектора.

У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 150 мВт. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 100 мВт.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ315.

Прямых зарубежных аналогов у КТ315 нет. Наиболее близкий аналог(полное совпадение параметров) транзистора КТ315А — BFP719.

Аналог КТ315Б — 2SC633. Параметры этих транзисторов в основном совпадают, но у 2SC633 несколько ниже граничная частота передачи тока — 200МГц.

Аналог КТ315Г — BFP722, КТ315Д — BC546B

Транзисторы КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г,КТ502Д, КТ502Е

Транзисторы КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г,КТ502Д, КТ502Е .

Транзисторы КТ502 — кремниевые,
низкочастотные усилительные, структуры — p-n-p.Корпус — пластмассовый с гибкими выводами, масса — около 0,3 гр.. Маркировка кодированная:1. Знаковая — белый полукруг на корпусе сверху — слева, буква обозначающая группу сверху — справа. 2. Цветовая — желтое пятно сбоку, цвет пятна сверху обозначает группу.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 0,35 Вт.

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: У транзисторов КТ502А, КТ502Б — 25 в.У транзисторов КТ502В, КТ502Г — 40 в.У транзисторов КТ502Д — 60 в.У транзисторов КТ502Е — 80 в.

Максимальное напряжение коллектор-база: У транзисторов КТ502А, КТ502Б — 25 в.У транзисторов КТ502В, КТ502Г — 40 в.У транзисторов КТ502Д — 60 в.У транзисторов КТ502Е — 80 в.

Максимальное постоянное напряжение эмиттер-база — 5 в.

Максимальный постоянный ток коллектора — 100мА, импульсный — 350мА . Коэффициент передачи тока: У транзисторов КТ502А, КТ502Б, КТ502Д, КТ502Е — от 40 до 120. У транзисторов КТ502Г — от

80 до 140.

Обратный ток коллектор-база при максимальном напряжении коллектор-база — 1 мкА.

Напряжение насыщeния коллектор-эмиттер при токе коллектора 10 мА и токе базы 1 мА — не более 0,6в.

Напряжение насыщeния база-эмиттер при токе коллектора 10 мА и токе базы 1 мА — не более 1,2в.

Граничная частота передачи тока( fh31э ) — 5 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ502.

КТ502А — 2N4125 .КТ502Б — 2N4126.КТ502В — KSA539R.КТ502Г — BC638.КТ502Д — BC556A.КТ502Е — BC640.

На главную страницу

Применение транзистора a539 в современной электронике

Основные области применения данного транзистора:

• Усилительные схемы. Транзистор a539 обладает высоким коэффициентом усиления, что позволяет использовать его в качестве усилителя звука, радиосигналов и других аналоговых сигналов.
• Импульсные источники питания. Благодаря своей высокой коммутационной способности и надежности, транзистор a539 применяется в импульсных преобразователях источников питания для радиоэлектронных устройств.
• Таймеры и генераторы. Благодаря высокой скорости переключения, транзистор a539 используется в схемах таймеров и генераторов сигналов.
• Стабилизаторы напряжения. Транзистор a539 может быть использован для создания стабилизаторов напряжения в цепях питания, обеспечивая постоянное значение выходного напряжения.
• Автоматические устройства управления. Транзистор a539 применяется в системах автоматического управленния, где необходимо коммутировать высокие токи и обеспечить точность и быстродействие в процессе управления.

Также транзистор a539 может быть использован в других устройствах и схемах, где требуется коммутация, усиление, переключение сигналов или управление токами и напряжениями.

В целом, транзистор a539 является незаменимым элементом в современной электронике благодаря своим высоким техническим характеристикам и возможностям применения. Он широко используется во многих сферах, включая промышленность, автомобильную отрасль, медицинскую технику и домашнюю электронику.

Характеристики транзистора А539

• Типоразмер: TO-18
• Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер: 40 В
• Максимальное значение тока коллектора: 200 мА
• Максимальная мощность потери: 350 мВт
• Усиление тока в прямом направлении (hfe): от 100 до 300
• Сопротивление коллектор-эмиттер в открытом состоянии (Rceo): не более 10 Ом
• Температурный коэффициент нулевого тока (Iсо): 0,25 мкА/°C

Такие характеристики делают транзистор А539 идеальным для использования в радиоэлектронике, особенно при проектировании усилителей сигналов низкой частоты, устройств смешивания, а также в автоматических системах управления.

Как выбрать транзистор a539 для конкретной задачи

Во-первых, необходимо учесть максимальное значение коллекторного тока (Iсмакс), которое требуется для работы вашей схемы. Транзистор a539 способен выдерживать ток до 1,5 А, что может быть достаточно для большинства электронных приложений.

Далее стоит обратить внимание на коэффициент усиления по току (hfe) транзистора a539. Этот параметр определяет, насколько сильно транзистор усиливает входной ток

Если вам требуется большая усиливающая способность, выберите транзистор с более высоким значением hfe.

Также важным параметром является максимальное рабочее напряжение коллектор-эмиттер (Vceo). Оно описывает максимальное напряжение, которое транзистор может выдержать без повреждений

Обратите внимание, что это значение не должно быть меньше необходимого напряжения для работы вашей схемы

Наконец, задумайтесь о других дополнительных характеристиках, которые могут быть важны в вашем конкретном случае. Например, может потребоваться транзистор с низким уровнем шума или с быстрым временем переключения.

При выборе транзистора a539 для конкретной задачи рекомендуется ознакомиться с технической документацией производителя, чтобы убедиться, что он подходит для ваших требований. Также можно воспользоваться советами и рекомендациями опытных специалистов в области электроники.

Итак, учитывая максимальное значение коллекторного тока, коэффициент усиления по току, максимальное рабочее напряжение коллектор-эмиттер и другие характеристики, вы сможете выбрать транзистор a539, который наилучшим образом подойдет для вашей конкретной задачи.

В каких режимах функционирует полевой транзистор

Режим отсечки

Как уже упоминалось, расстояние между стоком и истоком, регулируется затвором. Алгоритм работы транзистора виден в простейшей схеме, управляющей качеством освещения от лампы накаливания. Когда на затворе отсутствует напряжение, он закрыт, и электрический ток через лампу накаливания не течет.

Для управления светом лампы нужна смена напряжения на затворе по отношению к истоку. У нас n-канальный транзистор, поэтому на затвор подается напряжение со знаком “+”. В окончательном виде irfz44n схема выглядит так:

Так каким же должно быть напряжение на затворе, чтобы ток внутри цепи стока-истока был максимальным?

Возьмем стрелочный блок питания irfz44n для регуляции напряжения. Соберем его по схеме и подадим на затвор 1 В. Лампа не загорится. Если же увеличить напряжение до 3,5 В, амперметр покажет появление тока в лампе накаливания. Но она все равно не загорится, так как такой силы тока не хватает для накала вольфрамовой нити.

Режим активной работы irfz44n

Напряжение в районе 3,5 В частично приоткрывает транзистор. Этот показатель отличается у разных видов полевиков и находится в пределах 0,5-5 В. В даташит этот показатель именуют Gate threshold voltage (предельное напряжение затвора).

Если плавно регулировать величину канала устройства, повышая напряжение, поданное на затвор, становится видно постепенное накаливание нити лампы. Корректируя уровень напряжения, можно создать необходимый уровень освещения. Это и объясняет название данного режима — активный. При нем сопротивление индуцируемого канала транзистора меняется, согласно напряжению на затворе.

В результате активной работы устройство может перегреться. Поэтому необходимо пользоваться охлаждающим радиатором, рассеивающим тепло в окружающую среду.

Режим насыщения irfz44n

Для полного открытия полевого транзистора требуется подача напряжения до того момента, пока лампа не станет гореть на уровне всего канала. В данном режиме сопротивление канала стока-истока находится в минимуме и почти не сопротивляется течению электрического тока.

Примечательно, что само устройство в данном случае не нагревается. Это можно объяснить формулой: P= I2C R. При сопротивлении, равном каким-то сотым долям ома транзистору просто не с чего нагреваться.

Так что, самые мягкие режимы для полевика — это полное открытие или закрытие канала. Если он закрыт, сопротивление канала стремится к бесконечности, а ток, проходящих через него, минимален по закону Ома. Если подставить эти значения в формулу выше, будет понятно, что рассеянная мощность приближается к нулю.

Транзистор a539 — что это?

A539 имеет три вывода: эмиттер (E), базу (B) и коллектор (C). Он работает на основе принципа контроля тока через базу с помощью малого управляющего тока. Такой контроль позволяет транзистору усиливать сигналы и выполнять различные функции в электронных схемах.

Транзисторы a539 обладают высокой частотой переключения и хорошей теплораспределительной способностью, что делает их применимыми во многих сферах. Они широко используются в радиоэлектронике для создания усилителей сигнала, стабилизаторов напряжения, модуляторов, ключей и других устройств.

Из-за своей надежности и стабильной работы, транзисторы a539 также применяются в промышленности, медицине, автотехнике и других отраслях, где требуется эффективное усиление и обработка электрических сигналов.

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор обладает двумя переходами: p-n-p или n-p-n. Принципиальное различие между ними – направление течения тока.

Коллектор и эмиттер, обладающие одинаковой проводимостью (в n-p-n транзисторе n-проводимостью), разделены базой, которая обладает p-проводимостью. Если даже эмиттер подключен к источнику питания, ему не пробиться напрямую в коллектор. Для этого необходимо подать ток на базу.

В таком случае электроны из эмиттера заполняют «дырки» последней. Но так как база слабо легирована, то и дырок в ней мало. Поэтому большая часть электронов переходит в коллектор и они начинают свое движение по цепи. Ток коллектора практически равен току эмиттера, ведь на базу приходится очень маленькое его значение.

Чтобы нагляднее себе это представить, можно воспользоваться аналогией с водопроводной трубой. Для управления количеством воды нужен вентиль (транзистор). Если приложить к нему небольшое усилие, он увеличит свое проходное сечение трубы и через него начнет проходить больше воды.

Основные особенности транзистора Дарлингтона

Основное достоинство составного транзистора это большой коэффициент усиления по току.

Следует вспомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это коэффициент усиления (h21). Он ещё обозначается буквой β («бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60 то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих величин, то есть 7200, а это очень даже неплохо. В результате достаточно очень небольшого тока базы, чтобы транзистор открылся.

Инженер Шиклаи (Sziklai) несколько видоизменил соединение Дарлингтона и получил транзистор, который назвали комплементарный транзистор Дарлингтона. Вспомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимости. Такой парой в своё время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклаи собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n. Вот пример составного транзистора по схеме Шиклаи, который работает как транзистор с n-p-n проводимостью, хотя и состоит из двух различной структуры.

схема Шиклаи

К недостаткам составных транзисторов следует отнести невысокое быстродействие, поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.

Хорошо зарекомендовал себя для работы в электронных схемах зажигания мощный n-p-n транзистор Дарлингтона BU931.

Основные электрические параметры:

• Напряжение коллектор – эмиттер 500 V;

• Напряжение эмиттер – база 5 V;

• Ток коллектора – 15 А;

• Ток коллектора максимальный – 30 А;

• Мощность рассеивания при 250С – 135 W;

• Температура кристалла (перехода) – 1750С.

На принципиальных схемах нет какого-либо специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Хотя бывают и исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.

Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как p-n-p структуру, так n-p-n. В связи с этим, производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К таким можно отнести серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n, а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p.

Также на принципиальных схемах можно встретить и вот такое обозначение.

КТ502 транзистор: характеристики, цоколевка, аналоги, параметры

Транзистор КТ502 – кремниевый эпитаксиально-планарный маломощный биполярный транзистор с p-n-p структурой. Применяется в схемах усилителей низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, а также в импульсных схемах. Выпускается в пластмассовом корпусе.

Маркировка транзистора КТ502

Маркировка данного транзистора может быть двух видов:

А – темно-красная
Б – жёлтая
В – темно-зелёная
Г – голубая
Д – синяя
Е – белая

Характеристики транзистора КТ502

Транзистор	Uкбо(и),В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), мА	Pкmax(т), мВт	h31э	fгр., МГц
КТ502А	40	25	150(350)	350	40-120	5
КТ502Б	40	25	150(350)	350	80-240	5
КТ502В	60	40	150(350)	350	40-120	5
КТ502Г	60	40	150(350)	350	80-240	5
КТ502Д	80	60	150(350)	350	40-120	5
КТ502Е	90	80	150(350)	350	40-120	5

Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-базаUкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттерIкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектораPкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттеромfгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером