Рекомендации по использованию и обслуживанию
Для эффективного использования и продолжительного срока службы C5027 транзистора рекомендуется следовать нижеприведенным рекомендациям:
Храните транзистор в сухом и защищенном от пыли месте. Посторонние вещества и влага могут повредить электронные компоненты и снизить их производительность.
Используйте подходящие средства охлаждения. При работе с транзистором он может нагреваться, поэтому рекомендуется использовать радиаторы и вентиляторы охлаждения для поддержания оптимальной температуры работы.
Припаивайте транзистор правильно. При использовании припоя следует соблюдать рекомендации по температуре и времени припаивания. Неправильное припаивание может повредить транзистор и привести к его неисправности.
Используйте соответствующие схемы и нагрузки. При выборе схемы и нагрузки следует учитывать характеристики C5027 транзистора и обеспечивать соответствие их параметров.
Избегайте механических повреждений. Берегите транзистор от ударов, падений и других механических воздействий, чтобы избежать его повреждения.
Соблюдайте электробезопасность
При работе с транзистором всегда соблюдайте меры предосторожности, соответствующие электробезопасности, чтобы избежать поражения электрическим током.
Следуя этим рекомендациям, вы сможете обеспечить надежное и безопасное использование C5027 транзистора на протяжении его срока службы.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Зависимость времени задержки td и времени нарастания импульса tr от коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.
При измерении времени задержки td установлено напряжение смещения UBE(OFF) = 5 В.
Рис. 2. Зависимость времени сохранения ts и времени спадания импульса tf от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.
Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления hFE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята для различных значений температуры структуры Tj и напряжений коллектор-эмиттер UCE.
Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе UCE при изменении управляющего тока базы IB. Зависимости сняты при различных нагрузках IC и температуре структуры Tj = 25°C.
Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе UBE(sat) при разных нагрузках IC и разных температурах структуры Tj. Соотношение токов IC / IB = 3.
Пунктиром показано изменение напряжения включения UBE(ON) при напряжении на коллекторе UCE = 2 В.
Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от коллекторного тока IC при различных температурах и соотношении токов IC/ IB = 3.
Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения база-эмиттер UBE.
Характеристика снята при разных температурах Tj структуры и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 250 В.
FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.
REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.
Рис. 8. Зависимости входной емкости Cib перехода эмиттер-база и выходной емкости Cob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры Tj= 25°С.
Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.
Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока IC = 1,5 А и максимального импульсного тока ICM = 3,0 А.
При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.
Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением UCEO(SUS) = 400 В.
Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.
Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ограничений.
Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды Ta.
Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.
Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.
Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) UCLAMP = 700 В.
Величины напряжений обратного смещения UBE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.
Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы IB1 = 1 А.
Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.
В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.
Модификации и группы транзистора 5027
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Группы по hFE | Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC5027 | 50 | 850 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | 8…40 | N/R/O | 0,5 / 3 / 0,3 | TO-220TO-220F |
| 2SC5027E | 50/52 | 750 | 700 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | 8…40 | N/R/O | 0,5 / 3 / 0,3 | TO-220TO-220FTO-220F2 |
| 2SC5027A/AF | 50 | 850 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | 10…40 | N/R/O | 0,5 / 3 / 0,3 | TO-220AB |
| TO-220F | ||||||||||||
| 2SC5027 | 50 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 12 | 60 | 8…40 | N/R/O | — | TO-220C |
| 3DD5027 | 50 | 1100 | 7 | 3 | 150 | 15 | — | 8…50 | — | 0,5 / 3 / 0,3 | TO-220 | |
| 3DD5027P | 35 | 1500 | 600 | 6 | 8 | 150 | >1,7 | — | 5…30 | — | 1 / 9 / — | TO-220HF |
| BU5027A | 30 | 1100 | 800 | 9 | 2,7 | 150 | >4 | — | 8…35 | — | 1,5 / 0,6 / 4,5 | TO-220A |
| BU5027AF | 20 | 1100 | 800 | 9 | 150 | — | — | 1,5 / 0,6 / 4,5 | TO-220AF | |||
| BU5027S | 15 | 900 | 600 | 9 | 1,6 | 150 | >5 | — | 8…30 | — | 1 / 0,8 / 3 | TO-220 |
| FJP5027 | 50 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | 8…40 | N/R/O | 0,5 / 3 / 0,3 | |
| FJPF5027 | 40 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | 8…40 | N/R/O | TO-220F | |
| HC5027 | 50 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | 8…40 | N/R/O | — | TO-220 |
| HC5027H | 65 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | 8…40 | N/R/O | — | TO-3P |
| KSC5027 | 50 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | 8…40 | N/R/O | 0,5 / 3 / 0,3 | TO-220 |
| KSC5027F | 40 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | — | — | 8…40 | N/R/O | — | TO-220F |
| KSH5027 /A | 50 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | 8…40 | R/O | 0,5 / 3 / 0,3 | TO-220 |
| KSH5027F/AF | 40 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | 8…40 | R/O | 0,5 / 3 / 0,3 | TO-220F |
| KTC5027 | 50 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | 8…40 | R/O | 0,5 / 3 / 0,3 | TO-220AB |
| KTC5027F | 40 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | 8…40 | R/O | 0,5 / 3 / 0,3 | TO-220IS |
| SBP5027R | 50 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | — | 60 | 8…40 | — | 0,5 / 3 / 0,3 | TO-220 |
| EJ5027 | 117 | 100 | 70 | 7 | 15 | 200 | 0,8 | — | 20 | — | — | TO-3 |
| HEPS5027 | 25 | 30 | 30 | — | 3 | 140 | 2 | — | 60 | — | — | TO-126 |
| 2SC5027 | 1,3 | 300 | 300 | 7 | 0,1 | 150 | 70 | 3 | 20…200 | — | — | 2-8H1A |
Примечания:
- 2SC5027E — 52 Вт – корпус TO-220F2.
- 3DD5027 — Маркировка D5027.
- FJP5027 — Маркировка J5027 N/R/O.
- KSC5027F — ISC – группы K/L/M.
In Stock : 6720
Please send RFQ , we will respond immediately.
United States
China
Canada
Japan
Russia
Germany
United Kingdom
Singapore
Italy
Hong Kong(China)
Taiwan(China)
France
Korea
Mexico
Netherlands
Malaysia
Austria
Spain
Switzerland
Poland
Thailand
Vietnam
India
United Arab Emirates
Afghanistan
Åland Islands
Albania
Algeria
American Samoa
Andorra
Angola
Anguilla
Antigua & Barbuda
Argentina
Armenia
Aruba
Australia
Azerbaijan
Bahamas
Bahrain
Bangladesh
Barbados
Belarus
Belgium
Belize
Benin
Bermuda
Bhutan
Bolivia
Bonaire, Sint Eustatius and Saba
Bosnia & Herzegovina
Botswana
Brazil
British Indian Ocean Territory
British Virgin Islands
Brunei
Bulgaria
Burkina Faso
Burundi
Cabo Verde
Cambodia
Cameroon
Cayman Islands
Central African Republic
Chad
Chile
Christmas Island
Cocos (Keeling) Islands
Colombia
Comoros
Congo
Congo (DRC)
Cook Islands
Costa Rica
Côte d’Ivoire
Croatia
Cuba
Curaçao
Cyprus
Czechia
Denmark
Djibouti
Dominica
Dominican Republic
Ecuador
Egypt
El Salvador
Equatorial Guinea
Eritrea
Estonia
Eswatini
Ethiopia
Falkland Islands
Faroe Islands
Fiji
Finland
French Guiana
French Polynesia
Gabon
Gambia
Georgia
Ghana
Gibraltar
Greece
Greenland
Grenada
Guadeloupe
Guam
Guatemala
Guernsey
Guinea
Guinea-Bissau
Guyana
Haiti
Honduras
Hungary
Iceland
Indonesia
Iran
Iraq
Ireland
Isle of Man
Israel
Jamaica
Jersey
Jordan
Kazakhstan
Kenya
Kiribati
Kosovo
Kuwait
Kyrgyzstan
Laos
Latvia
Lebanon
Lesotho
Liberia
Libya
Liechtenstein
Lithuania
Luxembourg
Macao(China)
Madagascar
Malawi
Maldives
Mali
Malta
Marshall Islands
Martinique
Mauritania
Mauritius
Mayotte
Micronesia
Moldova
Monaco
Mongolia
Montenegro
Montserrat
Morocco
Mozambique
Myanmar
Namibia
Nauru
Nepal
New Caledonia
New Zealand
Nicaragua
Niger
Nigeria
Niue
Norfolk Island
North Korea
North Macedonia
Northern Mariana Islands
Norway
Oman
Pakistan
Palau
Palestinian Authority
Panama
Papua New Guinea
Paraguay
Peru
Philippines
Pitcairn Islands
Portugal
Puerto Rico
Qatar
Réunion
Romania
Rwanda
Samoa
San Marino
São Tomé & Príncipe
Saudi Arabia
Senegal
Serbia
Seychelles
Sierra Leone
Sint Maarten
Slovakia
Slovenia
Solomon Islands
Somalia
South Africa
South Sudan
Sri Lanka
St Helena, Ascension, Tristan da Cunha
St. Barthélemy
St. Kitts & Nevis
St. Lucia
St. Martin
St. Pierre & Miquelon
St. Vincent & Grenadines
Sudan
Suriname
Svalbard & Jan Mayen
Sweden
Syria
Tajikistan
Tanzania
Timor-Leste
Togo
Tokelau
Tonga
Trinidad & Tobago
Tunisia
Turkey
Turkmenistan
Turks & Caicos Islands
Tuvalu
U.S. Outlying Islands
U.S. Virgin Islands
Uganda
Ukraine
Uruguay
Uzbekistan
Vanuatu
Vatican City
Venezuela
Wallis & Futuna
Yemen
Zambia
Zimbabwe
Quantity
Quick RFQ
Alternate Parts for FJPF5027RTU
This table gives cross-reference parts and alternative options found for FJPF5027RTU. The Form Fit Function (FFF) tab will give you the options that are more likely to serve as direct pin-to-pin alternates or drop-in parts. The Functional Equivalents tab will give you options that are likely to match the same function of FJPF5027RTU, but it may not fit your design. Always verify details of parts you are evaluating, as these parts are offered as suggestions for what you are looking for and are not guaranteed.
Functional Equivalents (10)
| Part Number | Description | Manufacturer | Compare |
|---|---|---|---|
|
KTC4527F-R |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220IS, 3 PIN | KEC |
FJPF5027RTU vs KTC4527F-R |
|
2SC4426L-RF |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | SANYO Semiconductor Co Ltd |
FJPF5027RTU vs 2SC4426L-RF |
|
2SC4426L-YD |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | SANYO Semiconductor Co Ltd |
FJPF5027RTU vs 2SC4426L-YD |
|
2SC4426L-CA |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | SANYO Semiconductor Co Ltd |
FJPF5027RTU vs 2SC4426L-CA |
|
KTC5027F-R |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220IS, 3 PIN | KEC |
FJPF5027RTU vs KTC5027F-R |
|
FJPF5027R |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN | Fairchild Semiconductor Corporation |
FJPF5027RTU vs FJPF5027R |
|
2SC4426L-YB |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | SANYO Semiconductor Co Ltd |
FJPF5027RTU vs 2SC4426L-YB |
|
KSC5027FRTU |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN | Fairchild Semiconductor Corporation |
FJPF5027RTU vs KSC5027FRTU |
|
KSC5027FRYDTU |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN | Fairchild Semiconductor Corporation |
FJPF5027RTU vs KSC5027FRYDTU |
|
2SC4426L-RG |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | SANYO Semiconductor Co Ltd |
FJPF5027RTU vs 2SC4426L-RG |
| Part Number | Description | Manufacturer | Compare |
|---|---|---|---|
|
KSC5027FRYDTU |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN | Fairchild Semiconductor Corporation |
FJPF5027RTU vs KSC5027FRYDTU |
|
2SC4426L-RF |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | SANYO Semiconductor Co Ltd |
FJPF5027RTU vs 2SC4426L-RF |
|
2SC4426L-CA |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | SANYO Semiconductor Co Ltd |
FJPF5027RTU vs 2SC4426L-CA |
|
2SC4426L-RG |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | SANYO Semiconductor Co Ltd |
FJPF5027RTU vs 2SC4426L-RG |
|
FJPF5027R |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN | Fairchild Semiconductor Corporation |
FJPF5027RTU vs FJPF5027R |
|
KTC4527F-R |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220IS, 3 PIN | KEC |
FJPF5027RTU vs KTC4527F-R |
|
2SC4426L-YD |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | SANYO Semiconductor Co Ltd |
FJPF5027RTU vs 2SC4426L-YD |
|
KSC5027FRTU |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN | Fairchild Semiconductor Corporation |
FJPF5027RTU vs KSC5027FRTU |
|
2SC4426L-YB |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | SANYO Semiconductor Co Ltd |
FJPF5027RTU vs 2SC4426L-YB |
|
KTC5027F-R |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220IS, 3 PIN | KEC |
FJPF5027RTU vs KTC5027F-R |
2SC945P Datasheet (PDF)
8.1. 2sc945.pdf Size:73K _nec
8.2. 2sc945-y.pdf Size:244K _mcc
MCC2SC945-YMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC945-GRCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0.15APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 60V Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC
8.3. 2sc945-gr.pdf Size:244K _mcc
MCC2SC945-YMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC945-GRCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0.15APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 60V Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC
8.4. 2sc945.pdf Size:180K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC945 NPN SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SC945 is an audio frequency amplifier high frequency OSC NPN transistor. FEATURES * Collector-Emitter voltage: BVCBO=50V * Collector current up to 150mA * High hFE linearity Lead-free: 2SC945L * Complimentary to UTC 2SA733
8.5. 2sc945.pdf Size:226K _no
ST 2SC945 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into five groups, R, O, Y, P and L, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor ST 2SA733 is recommended. On special request, these transistors can be 1. Emitter 2. Collector 3. Base manufactured in different pin configurati
8.6. 2sc945.pdf Size:272K _shenzhen
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 2SC945 TRANSISTOR (NPN) FEATURE 1. BASE Excellent hFE Linearity2. EMITTER Low noise 3. COLLECTOR Complementary to A733 MARKING:CR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emi
8.7. 2sc945m.pdf Size:1517K _blue-rocket-elect
2SC945M(BR3DG945M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features ,High voltage, excellent hFE linearity. / Applications General power amplifier application and low speed switching.
8.8. 2sc945lt1.pdf Size:634K _china
SEMICONDUCTOR 2SC945LT1 Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Package:SOT-23 * Collector Current: Ic= 150mA * Collector-Emitter Voltage:Vce= 50V * High Total Power Dissipation:Pc=225mW * High Hfe And Good Linearity ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage Vcbo 60 V
8.9. 2sc945.pdf Size:781K _kexin
SMD TypeSMD Type si o orsSMD Type TranDistdesNPN Transistors2SC945SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Collector current up to 150mA High hFE linearity1 2 Complementary to 2SA733+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector
8.10. 2sc945.pdf Size:189K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Transistor 2SC945DESCRIPTIONHigh VoltageExcellent h linearityFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDsigned for use in driver stage of AF amplifierand low speed switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 60 VCBOV Collector-Emitter Vol
Другие транзисторы… MMBT4401W
, MMBT491
, MMBT493
, MMBT5401W
, MMBT5551W
, MMBT591
, MMBT593
, MMBT619
, TIP122
, MMBTA92W
, MMDT4944
, PZT13003
, S8050T
, S8550T
, S9012T
, S9013T
, S9014T
.
FJP5027R Datasheet (PDF)
7.1. Size:59K fairchild semi fjp5027.pdf
FJP5027High Voltage and High Reliability High Speed Switching Wide SOATO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 3 A ICP Collector Curre
7.2. Size:238K onsemi fjp5027.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Температурные условия и монтажные требования
C5027 транзистор может работать в широком диапазоне температурных условий. Корректное функционирование обеспечивается в диапазоне от -55°C до 150°C. Однако при использовании в качестве ключевого элемента в электронных схемах рекомендуется стабильная температура окружающей среды в пределах от -20°C до 75°C.
Для обеспечения надежного монтажа C5027 транзистора, следует соблюдать следующие требования:
- При монтаже транзистора на печатную плату, необходимо обеспечить надежное контактирование соответствующих выводов с контактными площадками на плате. Рекомендуется использовать паяльную пасту или флюс для устранения окисленности на поверхности выводов.
- При пайке транзистора следует соблюдать температурные режимы в соответствии с рекомендациями производителя. Обычно температура паяльной ванны составляет около 250°C, а время нагрева не должно превышать 5 секунд.
- Необходимо избегать механических повреждений и перегибов выводов при монтаже и эксплуатации транзистора. В случае повреждения или деформации выводов, возможно нарушение электрического контакта и ухудшение характеристик транзистора.
- При использовании радиатора для охлаждения транзистора, необходимо обеспечить надежное крепление и контактирующую поверхность между транзистором и радиатором. Наличие теплопроводящей пасты или прокладки поможет увеличить теплоотвод и предотвратить перегрев элемента.
Соблюдение всех указанных требований позволит обеспечить надежную работу C5027 транзистора при обычных эксплуатационных условиях и продлить срок его службы.
Транзистор c5027s: лучшие аналоги
- 2SC5027 — представляет собой японский эквивалент транзистора c5027s. Он имеет аналогичные электрические параметры и может быть использован вместо c5027s без изменений в схеме.
- BD912 — силовой NPN транзистор, который также может быть использован вместо c5027s. Он имеет более высокую максимальную мощность и более высокую рабочую температуру, что делает его отличным выбором для приложений, требующих более высокой производительности.
- KSC5027 — транзистор, разработанный в Корее, который часто используется в качестве замены для c5027s. Он имеет аналогичные электрические характеристики и совместим с большинством приложений, в которых используется c5027s.
- MJE13009 — силовой NPN транзистор, который также может быть использован вместо c5027s. Он имеет высокую мощность и высокую рабочую температуру, что делает его подходящим для использования в требовательных приложениях.
Перед заменой транзистора c5027s на аналогический, всегда рекомендуется проверить документацию или обратиться к специалисту, чтобы убедиться, что выбранный аналог полностью соответствует требованиям и характеристикам вашей электрической схемы.
Основные параметры транзистора 2SC5027-R биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5027-R . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
| Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
| 50W | 1100V | 800V | 7V | 3A | 150°C | 15MHz | 35 | 15/30 |
Производитель: SAMSUNGСфера применения: Power, High Voltage, General PurposeПопулярность: 30658Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Дополнительные возможности и функции
Транзистор C5027 обладает рядом дополнительных возможностей и функций.
- Высокая надежность и долговечность. Транзистор C5027 прошел строгий процесс тестирования и соответствует высоким стандартам качества. Он обеспечивает стабильную работу в различных условиях эксплуатации и имеет длительный срок службы.
- Широкий диапазон рабочих температур. Транзистор C5027 способен работать в широком диапазоне от -55°C до +150°C. Это позволяет использовать его в различных климатических условиях и при высоких температурах окружающей среды.
- Высокая мощность и эффективность. Транзистор C5027 обладает высокой мощностью и эффективностью, что позволяет использовать его в схемах с высокими требованиями к мощности и производительности.
- Большое разнообразие применений. Транзистор C5027 широко используется в различных электронных устройствах и схемах. Он часто применяется в силовых усилителях, инверторах, стабилизаторах напряжения, и других системах, где необходимо управление мощностью.
Все эти дополнительные возможности и функции делают транзистор C5027 незаменимым элементом в современной электронике и позволяют его использование в широком спектре приложений.
Модификации и группы транзистора C3198
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE ٭ | NF (типовое) dB | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C3198 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 3,5 | 25…700 | ≤ 10 | TO-92 |
| C SC3198 (O, Y, GR, BL) | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 80 | 3,5 | 25…700 | ≤ 10 | TO-92 |
| FTC3198 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 3,5 | 25…700 | ≤ 10 | TO-92 |
| KTC3198 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 3,5 | 25…700 | ≤ 10 | TO-92 |
| KTC3198A | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 2 | 25…700 | 1 | TO-92 |
| KTC3198L ٭٭ | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 2 | 25…700 | 0,5 (1) 0,2 (2) | TO-92 |
٭ — диапазон значений параметра hFE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).
٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.
2N2482 Datasheet (PDF)
0.1. 2n2482.pdf Size:369K _rca
9.1. 2n2484.pdf Size:49K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D1252N2484NPN general purpose transistor1997 May 01Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistor 2N2484FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V)1 emitter2 base
9.2. 2n2484 pn2484.pdf Size:73K _central
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
9.3. 2n2484.pdf Size:221K _cdil
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N2484TO-18This transistors is primarily intended for use in high performance, low level, low noise amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 60 VCollector -Base Voltage VCBO 60 VEmitter -Base
9.4. 2n2484ubc.pdf Size:331K _microsemi
TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http://www.microsemi.com NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/376 DEVICES LEVELS 2N2484 2N2484UB JAN 2N2484UA 2N2484UBC * JANTX JANTXV
9.5. 2n2484ua.pdf Size:331K _microsemi
TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http://www.microsemi.com NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/376 DEVICES LEVELS 2N2484 2N2484UB JAN 2N2484UA 2N2484UBC * JANTX JANTXV
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, применяемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях и другой аппаратуре общего применения.
Отечественное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Временные параметры: ton / tstg / tf мкс. | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC5027 | 50 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | 8…40 | 0,5 / 3 /0,3 | TO-220 |
| КТ840А | 60 | 900 | 400 | 5 | 6 | 150 | 8 | — | 10…60 | 0,2 / 3,5 / 0,6 | TO-3 |
| 2Т856А/Г | 125 | 1000 | 950/850 | 5 | 10/12 | — | — | — | 10…60 | — / — / 0,5 | TO-3 |
| КТ859А | 40 | 800 | 800 | 10 | 3 | 150 | ˃ 25 | — | ˃ 10 | 0,5 / 3,5 / 0,35 | TO-220AB |
| КТ872А | 100 | 1500 | 700 | 6 | 8 | 150 | — | — | 6 | — / 6,7 / 0,8 | TO-218 |
| КТ878А | 100 | — | 900 | 5 | 25 | 150 | 10 | 500 | 12…50 | — / 3 / — | TO-3 |
| 2Т886 | 175 | — | 1400 | 7 | 10 | 150 | — | — | — | — / — / 0,7 | TO-3 |
| КТ8107А | 100 | 1500 | 700 | 6 | 10 | 125 | ˃ 7 | — | 2,3 | — / 3,5 / 0,5 | TO-220 |
| КТ8108А/В | 70 | 800/900 | — | 5 | 3 | 150 | 15 | 75 | 10…50 | — / 3 / 0,3 | TO-220 |
| КТ8114А/Б/В | 125 | 1500 | 700 | 6 | 8 | 150 | — | — | — | — / — / 0,5 | TO-218 |
| КТ8118А | 50 | 900 | 800 | 5 | 3 | 150 | 15 | — | 10…40 | — / 2 / 0,7 | TO-220 |
| КТ8121А | 75 | 700 | 400 | 5 | 4 | 150 | ˃ 4 | — | 8…60 | — / 3 / 0,4 | TO-220 |
| КТ8126А1/Б1 | 80 | 700 | 400 | 9 | 8 | 150 | ˃ 4 | — | 8…60 | — / 1,7 / — | TO-220 |
| КТ8137А | 40 | 700 | 700 | 9 | 1,5 | 150 | ˃ 4 | — | 8…40 | 1 / 4 / 0,7 | КТ-27 |
| КТ8164А/Б | 75 | 700 | 400 | 9 | 4 | 150 | ˃ 4 | 110 | 8…60 | 0,8 / 4 / 0,9 | TO-220 |
| КТ8170А1 | 40 | 700 | 400 | 9 | 1,5 | 150 | ˃ 4 | 35 | 8…40 | 1,1 / 4 / 0,7 | TO-126 |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс. | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC5027 | 50 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | 8…40 | 0,5 / 3 /0,3 | TO-220 |
| 2SD1290 | 50 | 1500 | — | 5 | 3 | 130 | — | — | 3…8 | — / 3 / 1 | TO-3PN |
| 2SD1291 | 65 | 1500 | — | 5 | 3 | 150 | — | — | 4…12 | — / 4 / 1 | TO-3PN |
| BUJ302A | 80 | 1050 | 400 | 24 | 4 | 150 | — | — | 25…100 | — /3,5 / 0,5 | TO-220AB |
| BUJ303A | 100 | 1000 | — | — | 5 | 150 | — | — | 10…35 | 0,7 / 4 / 0,45 | TO-220AB |
| BUJ403A | 100 | 1200 | 550 | — | 6 | 150 | — | — | 15 | 0,5 / 3 /0,3 | TO-220AB |
| BUL216 | 90 | 1600 | 800 | 9 | 4 | 150 | — | — | 10…40 | — / 3 / 0,6 | TO-220 |
| BUL218D-B | 70 | 700 | 400 | — | 4 | 150 | — | — | 10…32 | — / 0,6 / 0,1 | TO-220 |
| BUL416 | 110 | 1600 | 800 | 9 | 6 | 150 | — | — | 10…32 | — / 3 / 0,7 | TO-220 |
| BUL416T | 800 | 9 | 6 | 150 | — | — | 10…32 | — / 1,5 / 0,8 | TO-220A | ||
| FJP2145 | 120 | 1100 | 800 | 7 | 5 | 125 | 15 | 11,4 | 8…40 | — | TO-220 |
| KSC5603D | 100 | 1600 | 800 | 12 | 3 | 150 | 5 | 56 | 6…46 | 1 / 0,18 / 0,2 | TO-220 |
| 2SC2979 | 40 | 900 | 800 | 7 | 3 | 150 | — | — | 7…15 | 1 / 3 / 1 | TO-220 |
| 3DD5023/24 | 40 | 1500 | 800 | 5 | 6 | 150 | ˃ 2 | — | 5…30 | — / — / 1,0 | TO-220F |
| FJPF5021 | 40 | 800 | 500 | 7 | 5 | 150 | 15 | 80 | 8…50 | 0,5 / 3 /0,3 | TO-220F |
| FJPF5321 | 40 | 800 | 500 | 7 | 5 | 150 | 14 | 65 | 8…40 | 0,5 / 3 /0,3 | TO-220F |
| FJPF5200 | 50 | 250 | 250 | 5 | 17 | 150 | 30 | 200 | 35…160 | — | TO-220F |
| MJE15028 | 50 | 120 | 120 | 5 | 8 | 150 | 30 | — | 20…40 | — | TO-220C |
Примечание: FJPF5200 — Маркировка J5200.
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителя.
Транзистор 2N3904 Техническое описание, аналог и схема выводов
2N3904 Транзистор
Эта статья познакомит вас с распиновкой, моделью, введением, функциями, техническими характеристиками, приложениями, эквивалентом и размерами 2N39.04 транзистор. Мы также предоставляем вам 2N3904 Datasheet в формате pdf.
2N3904 Модель
2N3904 Введение
Транзистор 2N3904 представляет собой биполярный отрицательно-положительно-отрицательный (NPN) транзистор, обычно подходящий для цепей отрицательного заземления. Его можно использовать для аудиосигналов и среднескоростных коммутационных приложений. Этот небольшой транзистор является аналогом транзистора 2N3906, положительно-отрицательно-положительного (PNP) транзистора.
Транзистор 2N3904 имеет три вывода: эмиттер, базу и коллектор. Эмиттер и коллектор являются основными выводами транзистора 2N3904. В зависимости от конфигурации схемы к эмиттеру или коллектору может быть подключена нагрузка или эквивалентная нагрузка.
Различные параметры транзистора 2N3904 называются β или коэффициентом усиления по току, который представляет собой отношение тока коллектора к току базы. Для коэффициента усиления по току, равного 100, изменение тока базы на 0,001 А (а) приводит к изменению тока на коллекторе на 0,1 А.
Это показывает, как транзистор 2N3904 является усилителем. Небольшое изменение тока базы приводит к стократному изменению тока коллектора, что может быть переведено в изменения напряжения или мощности.
Смещение — это ток холостого хода на клеммах транзистора.
Обычно для транзистора 2N3904 требуется положительное смещение от базы к эмиттеру, что означает положительный потенциал на подложке для эмиттера.
Следовательно, когда базовый контакт заземлен, коллектор и эмиттер остаются открытыми (обратное смещение) и закрываются (прямое смещение), когда на базовый контакт подается сигнал.
Коэффициент усиления 2N3904 равен 300; Это значение определяет способность транзистора к усилению. Максимальный ток, который может протекать через вывод коллектора, составляет 200 мА, поэтому мы не можем использовать этот транзистор для подключения нагрузки, потребляющей более 200 мА. Чтобы сместить транзистор, мы должны подать ток на вывод базы, который должен быть ограничен 5 мА.
Когда 2N3904 полностью смещен, он пропускает максимальный ток 200 мА через коллектор и эмиттер.
2N3904 Схема контактов транзистора
Конфигурация контактов
|
Number |
Name | Description |
| 1 | Emitter | Current Drains out through emitter |
| 2 | Base |
Controls смещение транзистора |
| 3 | Коллектор | Ток протекает через коллектор |
2N3904 Особенности транзистора
-
Низкий ток, низкое напряжение.
-
Биполярный отрицательно-положительный-отрицательный (NPN) транзистор
-
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE): от 100 до 300
-
Непрерывный ток коллектора (IC) 200 мА.
-
Напряжение база-эмиттер (VBE) составляет 6 В.
-
Ток коллектора: 0,2 А.
-
Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) составляет 40 В.
-
Напряжение коллектор-база (VCB) составляет 60 В.
-
Package(THT): TO-92
2N3904 Specifications
2N3904 Application
-
Commonly used in home appliances such as TVs
-
It can be используется для управления нагрузками до 40 В
-
Может использоваться для аудиосигналов и среднескоростного переключения
-
Модули драйверов, такие как драйверы реле, драйверы светодиодов и т.
