Как проверить IRF3205
Это делается, как и с любым другим полевым транзистором с изолированным затвором. Для этого достаточно одного лишь мультиметра.
Перед тем, как проводить проверку рекомендую вам замкнуть все выводы пинцетом между собой, во избежания порчи элемента статическим электричеством (если такое имеется).
Проверка диода
На что нужно обратить внимание первым делом, так это на проверку диода внутри транзистора. Для этого включаем на мультиметре режим прозвонки и прикасаемся красным щупом к контакту истока, а черным к контакту стока
Мультиметр в этом случае должен показывать значение около 400-700. После этого меняем местами щупы — тогда мультиметр должен показывать 1, если мультиметр ограничен индикацией — 1999. Высококлассные мультиметры с ограничением в 4000 будут отображать 2800.
Проверка работы транзистора
Из-за того, что в нашем случае элемент оснащен n-каналом, то для его открытия необходимо на затвор, приложить положительный потенциал. Только в таком случае через транзистор начнет проходить ток.
Снова включаем режим прозвонки на мультиметре, отрицательным щупом прикасаемся к истоку, положительный же к стоку.
В случае исправного транзистора, линия исток-сток начнет проводить ток, другими словами транзистор откроется. Чтобы это проверить, нужно прозвонить исток-сток. В случае, если мультиметр показывает какое-либо значение, значит все работает.
После проверки открытия транзистора, необходимо проверить его закрытие. Для этого на затвор нужно приложить отрицательный потенциал. Для этого присоединим отрицательный щуп к затвору, а положительный к истоку.
Снова проверяем сток-исток и тогда все, что должен показать мультиметр — падение на встроенном диоде.
Если все вышеописанные условия выполняются, значит транзистор полностью исправен и его можно использовать в своих проектах.
Биполярный транзистор BD908 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BD908
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора:
BD908
Datasheet (PDF)
..1. Size:122K cdil bd905 bd906 bd907 bd908 bd909 bd910 bd911 bd912.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PLASTIC POWER TRANSISTORS BD 905, 907, 909, 911 NPN BD906, 908, 910, 912 PNP TO-220 Plastic PackagePower Linear and Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise )DESCRIPTION SYMBOL 905 907 909 911 UNIT906 908 910 912Collector -Emitter Voltage VCEO
..2. Size:215K inchange semiconductor bd908.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor BD908DESCRIPTIONDC Current Gain -: h = 40@ I = -0.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -60V(Min)CEO(SUS)Complement to Type BD907Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMU
Другие транзисторы… BD899A
, BD900
, BD900A
, BD901
, BD902
, BD905
, BD906
, BD907
, TIP31
, BD909
, BD910
, BD911
, BD912
, BD933
, BD933F
, BD934
, BD934F
.
Зарубежная маркировка SMD
В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм. Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.
Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.
Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.
Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.
Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.
Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.
Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.
Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACH1G и ACHT1G.
Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.
Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.
Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.
Самые длинные названия применяют:
- американская фирма Motorola,
- японская Seiko Instruments
- тайваньская Pan Jit.
Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. | Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. |
7E | MUN5215DW1T1 | K2 | MO | 2Q | |||||
11 | MUN5311DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7F | MUN5216DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
12 | MUN5312DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7G | MUN5230DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
12 | INA-12063 | U2 | HP | 2Q | 7H | MUN5231DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
13 | MUN5313DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7J | MUN5232DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
14 | MUN5314DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7K | MUN5233DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
15 | MUN5315DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7L | MUN5234DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
16 | MUN5316DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7M | MUN5235DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
1С | BC847S | N5 | SI | 2Q | 81 | MGA-81563 | U1 | HP | 2Q |
1P | BC847PN | P6 | SI | 2Q | 82 | INA-82563 | U1 | HP | 2Q |
31 | MUN5331DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 86 | INA-86563 | U1 | HP | 2Q |
32 | MUN5332DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 87 | INA-87563 | U1 | HP | 2Q |
33 | MUN5333DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 91 | IAM-91563 | U1 | HP | 2Q |
34 | MUN5334DW1T1 | L3 | MO | 2Q | A2 | MBT3906DW1T1 | P5 | MO | 2Q |
35 | MUN5335DW1T1 | L3 | MO | 2Q | A3 | MBT3906DW9T1 | P5 | MO | 2Q |
36 | ATF-36163 | A1 | HP | 2Q | A4 | BAV70S | E4 | SI | 2Q |
3C | BC857S | P5 | SI | 2Q | E6 | MDC5001T1 | U3 | MO | 2Q |
3X | MUN5330DW1T1 | L3 | MO | 2Q | H5 | MBD770DWT1 | F2 | MO | 2Q |
46 | MBT3946DW1T1 | P6 | MO | 2Q | II | AT-32063 | N2 | HP | 2Q |
51 | INA-51063 | U2 | HP | 2Q | M1 | CMY200 | U1 | SI | 2R |
52 | INA-52063 | U2 | HP | 2Q | M4 | MBD110DWT1 | F2 | MO | Q |
54 | INA-54063 | U2 | HP | 2Q | M6 | MBF4416DW1T1 | A3 | MO | 2Q |
6A | MUN5111DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MA | MBT3904DW1T1 | N5 | MO | 2Q |
6B | MUN5112DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MB | MBT3904DW9T1 | N5 | MO | 2Q |
6C | MUN5113DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MC | BFS17S | N5 | SI | 2Q |
6D | MBF5457DW1T1 | A3 | MO | 2Q | RE | BFS480 | N5 | SI | 2Q |
6D | MUN5114DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RF | BFS481 | N5 | SI | 2Q |
6E | MUN5115DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RG | BFS482 | N5 | SI | 2Q |
6F | MUN5116DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RH | BFS483 | N5 | SI | 2Q |
6G | MUN5130DW1T1 | L2 | MO | 2Q | T4 | MBD330DWT1 | F2 | MO | 2Q |
6H | MUN5131DW1T1 | L2 | MO | 2Q | W1 | BCR10PN | L3 | SI | 2Q |
6J | MUN5132DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WC | BCR133S | K2 | SI | 2Q |
6K | MUN5133DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WF | BCR08PN | L3 | SI | 2Q |
6L | MUN5134DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WK | BCR119S | K2 | SI | 2Q |
6M | MUN5135DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WM | BCR183S | K2 | SI | 2Q |
7A | MUN5211DW1T1 | K2 | MO | 2Q | WP | BCR22PN | L3 | SI | 2Q |
7B | MUN5212DW1T1 | K2 | MO | 2Q | Y2 | CLY2 | A1 | SI | 2R |
7C | MUN5213DW1T1 | K2 | MO | 2Q | 6s | CGY60 | U1 | SI | 2R |
7D | MUN5214DW1T1 | K2 | MO | 2Q | Y7s | CGY62 | U1 | SI | 2R |
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE.
Характеристика снята при нескольких значениях тока базы (управления) IB.
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при коллекторном напряжении UCE = 2 В.
Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и база-эмиттер UBE(sat) транзистора от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристики получены для соотношения токов IC/IB = 10.
Рис. 4. Изменение граничной частоты усиления (частоты среза) fT при изменении нагрузки IC.
При снятии характеристики напряжение коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 5. Зависимость емкости коллекторного перехода транзистора Cob от приложенного обратного напряжения коллектор-база UCB.
Характеристика снята при частоте процесса f = 1 МГц и при отсутствии тока эмиттера IE = 0.
Рис. 6. Снижение токовой нагрузки транзистора (в процентах) от максимальной при возрастании температуры среды Ta.
S/b LIMITED – снижение по условию предотвращения вторичного пробоя.
DISSIPATION LIMITED – снижение по условию общего перегрева п/п структуры.
Рис. 7. Снижение предельной мощности рассеивания PC при нарастании температуры среды Ta.
Рис. 6. Область безопасной работы транзистора.
Характеристика получена в режиме подачи одиночного неповторяющегося импульса тока IC MAX (PULSED) разных длительностей: 100 мкс, 1 мс, 10 мс; при постоянном токе IC MAX (CONTINUOUS) и при его снижении (DC OPERATION).
Температура корпуса транзистора во всех режимах ограничивалась на уровне Tc = 25°C.
При увеличении температуры следует линейно снижать значения ограничивающих токов и напряжений (надпись на поле рисунка).
Маркировка транзисторов
Транзистор КТ315. Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая сдвинута к левому краю корпуса. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения. Старые же (произведенные до 1971 года) транзисторы КТ315 маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а примерно в 1971 году перешли на привычную двухстрочную. Пример маркировки транзистора КТ315 показан на рисунке 1. Следует также отметить, что транзистор КТ315 был первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.
Транзистор КТ315-1. Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора, а также транзисторы могут маркироваться кодовым знаком. Пример маркировки транзистора КТ315-1 приведен на рисунке 2. Маркировка транзистора кодовым знаком приведена в таблице 2.
Транзисторы 2Т803 — драгметаллы, характеристики, аналоги
Описание транзистора 2Т803
2Т803А – это мощный кремниевый транзистор средней частоты, изготавливается в корпусе КТЮ-3-20, выводы жёсткие со стеклянными изоляторами.
Где можно найти 2Т803?
- Встречаются в устройствах: телевизоры (генераторы строчной развётки)
- усилители тока
- усилители низких частот (УНЧ)
- гражданские приборы широкого назначения
- блок питания
Таблица содержания драгметалла в граммах для транзисторов серии 2Т803
Транзистор | Золото, гр в 1000 шт | Серебро, гр в 1000 шт | Золото, гр в 1000 шт Н.возвр | Серебро, гр в 1000 шт Н.возвр | Золото, гр в 1 шт | Серебро, гр в 1 шт |
2Т803 | 25,725 | 60,467 | 21,8663 | 51,39687 | 0,025725 | 0,060467 |
2Т803 | 35,2 | 157,8 | 29,92 | 134,13 | 0,0352 | 0,1578 |
2Т803А | 14,7 | 58,6 | 12,495 | 49,81 | 0,0147 | 0,0586 |
2Т803А | 23,2 | 60,5 | 19,72 | 51,425 | 0,0232 | 0,0605 |
2Т803А | 25,73 | 60,47 | 21,8705 | 51,3995 | 0,02573 | 0,06047 |
2Т803А | 35,24 | 157,7 | 29,954 | 134,045 | 0,03524 | 0,1577 |
2Т803А ОС | 35,24 | 157,7 | 29,954 | 134,045 | 0,03524 | 0,1577 |
Таблица веса драгметаллов в транзисторе 2Т803 в граммах для 1шт и 1000шт, с учётом нормы возвратаНорма возврата. Стоит учесть, после переработки удаётся извлечь не весь драгметалл указанный в паспорте. По этой причине, приведён расчёт учитывая норму возврата (Н.возвр). Были изучены разные источники и собраны средние данные по возврату. Хоть и бывает такое что извлекается почти 100%, ориентироваться на нормы возврата будет более реалистичным. Скупаются радиоэлементы дешевле цены металла в них на 15-50%.
Важный нюанс. Производить изделия могли в разное время и у разных изготовителей, что может сказаться на базовом значении веса драгметалла, а в последствии и на переработанном. РЭА произведённые в более раннем году, имеют более высокие шансы содержать драгметаллы и чаще в большем количестве чем у последующих версий. Прослеживается для любых радиоэлементов в большинстве случаев. Новые же, по причине развития техпроцесса, иногда вовсе без драгметалла.
Цена предлагаемая скупщиками
Посмотрев на расценки, видно что скупщики принимают реле за 50% – 100% от текущей курсовой стоимости драгметалла. Для того чтобы лучше ориентироваться в цене, желательно свериться с актуальной ценой на мировых торговых биржах.
- Исторические цены драгметалла на мировых биржах: Золото за 1 гр – 1600-4500 руб
- Серебро за 1 гр – 30—70 руб
Цены указаны для высшей пробы
В конкретном случае важно понимать, что чем ниже проба, тем меньше стоимость. А так же в зависимости от того по какой цене согласен покупать скупщик. Примечания относительно цен на драгметаллы
Примечания относительно цен на драгметаллы.
- Золото неуклонно росло с 2005 по 2012, с цены 800 до 3800 руб за грамм. С тех пор упало почти в 2 раза и колеблется в диапазоне 2100-2800 руб за грамм с 2013 года. Как можно заметить, в ожидании кризиса 2022 году цена золота снова выросла. После рисковых ситуаций в мире обычно снова возвращается к средней цене.
- Серебро было по 30 руб, это исторически средние значения, если грамм вернётся к пиковому, то будет стоить 85 руб. Так, с 2003 года по 2011 год серебро выросло с 10 до 90 рублей за грамм. Затем к 2015 году упало до 28 и с тех пор колеблется с 28 до 40 руб за грамм. В 2022 снова пошло в рост. Стоит заметить, в кризис серебро дешевеет, поскольку это полупромышленный металл, а в кризис промышленность сбоит и спрос падает.
Надеюсь этим удастся помочь сориентироваться относительно влияния мировых цен на выгодность.
Часто целесообразно такие изделия сдавать на лом после выработки рабочего ресурса, как изделия они стоят иногда существенно дороже.
Стоимость транзистора 2Т803 в качестве изделия
Цены в основном распределены от 70 – 520 рублей за штуку. Сильно колеблются в зависимости от характеристик, производителя, года производства, технического состояния, желаний продавца и года выпуска.
Цены для примера, в среднем, за 1 шт: 2Т803А – 80-640 руб
- Масса: сам транзистор до 22 гр
- вместе с фланцем до 34 гр
Цоколевка: повернуть контактами к себе, место выхода коллектора с виду отличается
И если расположить его внизу “треугольника” образованного точками контактов, то база будет слева-наверху, эмиттер справа-наверху (если важно, следует уточнить, данные могут быть не точными!). Температура эксплуатации: -60+125°C
Максимальная температура перехода: 150°C
Температура эксплуатации: -60+125°C
Максимальная температура перехода: 150°C
Аналоги
Отечественный: КТ808А
Зарубежные: КТ803А – BDY17, BDY23, BD207, BD501A, BDW21A, 180T2A, KDY23, 2N5049, BD501, 2N5067, 2N5068, 2N5069, 2SC493, 2SC521A, BDY24, MJ480, MJ481, 2N1702, 2SC44, KD601, 2SC793, BUYP54
Срок сохраняемости с момента изготовления или с даты перепроверки, минимальный: 25 лет
Ресурс работы в пределах срока сохраняемости:
в допустимых режимах – 25 000 часов
в лёгких режимах – 40 000 часов