Усилитель на КТ315
Для создания усилителя, представленного на схеме, нужен один КТ315, один конденсатор (1 мкФ), один резистор и mini Jack.
На схеме видно, что отрицательное питание и один из двух ходов mini Jack надо припаять к эмиттеру (левая ножка).
Ко второму ходу mini Jack присоединяем “плюсом” конденсатор, а его “минус” припаиваем к базе. Дальше мы переходим к резистору. Одна его сторона должна быть прикреплена к первому колоночному проводу (другой ход колоночного провода — к коллектору), а второй — к отрицательному ходу конденсатора. К соединению провода от колонки и резистора добавляется плюсовой провод.
Теперь можно вставлять разъем в колонку и наслаждаться улучшенным и громким звуком.
Сравнение с электронными лампами
До разработки транзисторов вакуумные (электронные) лампы (или просто «лампы») были основными активными компонентами электронного оборудования. По принципу управления наиболее родственен электронной лампе полевой транзистор, многие соотношения, описывающие работу ламп, пригодны и для описания работы полевых транзисторов.
Радиолампа 6Ф12П
Многие схемы, разработанные для ламп, стали применяться для транзисторов и получили развитие, поскольку электронные лампы имеют только один тип проводимости — электронный, а транзисторы могут иметь как электронный, так и дырочный тип проводимости. Так называемый эквивалент воображаемой «позитронной лампы». Это привело к широкому использованию комплементарных схем (КМОП).
Преимущества
Основные преимущества, которые позволили транзисторам заменить своих предшественников (вакуумные лампы) в большинстве электронных устройств:
- малые размеры и небольшой вес, что способствует развитию миниатюризации электронных устройств;
- высокая степень автоматизации и групповой характер операций на многих этапах технологического процесса изготовления, что ведёт к постоянному снижению удельной стоимости при массовом производстве;
- низкие рабочие напряжения, что позволяет использовать транзисторы в небольших по габаритам и энерговооружённости электронных устройствах с питанием от малогабаритных электрохимических источников тока;
- не требуется дополнительного времени на разогрев катода после включения, что позволяет достичь почти мгновенной готовности к работе транзисторных устройств, сразу после подачи питания;
- малая, по сравнению с лампами, рассеиваемая мощность, в том числе из-за отсутствия разогрева катода, что способствует повышению энергоэффективности, облегчает отвод избыточного тепла и позволяет повышать компактность устройств;
- высокая надёжность и большая физическая прочность, стойкость к механическим ударам и вибрации, что позволяет избежать проблем при использовании устройств в условиях любых ударных и вибрационных нагрузок;
- очень продолжительный срок службы — некоторые транзисторные устройства находились в эксплуатации более 50 лет и при этом не потеряли своей работоспособности;
- возможность объединения множества элементов в едином миниатюрном конструктивном модуле позволяет значительно повысить степень интеграции и облегчает разработку комбинированных схем высокой сложности, что не представляется возможным с вакуумными лампами.
Уменьшение размеров радиоэлементов
Недостатки
- Обычные кремниевые транзисторы не работают при напряжениях выше 1 кВ, вакуумные лампы могут работать с напряжениями на несколько порядков выше 1 кВ. Для коммутации цепей с напряжением свыше 1 кВ разработаны IGBT транзисторы.
- Применение транзисторов в мощных радиовещательных и СВЧ передатчиках нередко, оказывается, технически и экономически нецелесообразным: требуется параллельное включение и согласование многих сравнительно маломощных усилителей. Мощные и сверхмощные генераторные лампы с воздушным или водяным охлаждением анода, а также магнетроны, клистроны, лампы бегущей волны(ЛБВ) обеспечивают лучшее соотношение частотных характеристик, мощностей и приемлемой стоимости.
- Транзисторы значительно более уязвимы, чем вакуумные лампы, к действию сильных электромагнитных импульсов, которые, в том числе, являются одним из поражающих факторов ядерного взрыва;
- Чувствительность к радиации и воздействию космических излучений. Для работы в космосе созданы специальные радиационно-стойкие микросхемы для электронных устройств космических аппаратов.
Транзистор
Буквально сразу после появления полупроводниковых приборов, скажем, транзисторов, они стремительно начали вытеснять электровакуумные приборы и, в частности, триоды. В настоящее время транзисторы занимают ведущее положение в схемотехнике.
Начинающему, а порой и опытному радиолюбителю-конструктору, не сразу удаётся найти нужное схемотехническое решение или разобраться в назначении тех или иных элементов в схеме. Имея же под рукой набор «кирпичиков» с известными свойствами гораздо легче строить «здание» того или другого устройства.
Не останавливаясь подробно на параметрах транзистора (об этом достаточно написано в современной литературе, например, в ), рассмотрим лишь отдельные свойства и способы их улучшения.
Одна из первых проблем, возникающих перед разработчиком, — увеличение мощности транзистора. Её можно решить параллельным включением транзисторов (рис.1). Токовыравнивающие резисторы в цепях эмиттеров способствуют равномерному распределению нагрузки.
Оказывается, параллельное включение транзисторов полезно не только для увеличения мощности при усилении больших сигналов, но и для уменьшения шума при усилении слабых. Уровень шумов уменьшается пропорционально корню квадратному из количества параллельно включённых транзисторов.
Защита от перегрузки по току наиболее просто решается введением дополнительного транзистора (рис.2). Недостаток такого самозащитного транзистора — снижение КПД из-за наличия датчика тока R. Возможный вариант усовершенствования показан на рис.3. Благодаря введению германиевого диода или диода Шоттки можно в несколько раз уменьшить номинал резистора R, а значит, и рассеиваемую на нём мощность.
Составной транзистор (рис. 4) имеет повышенное выходное сопротивление и значительно уменьшенный эффект Миллера благодаря каскодному включению полевого и биполярного транзисторов.
За счёт полной развязки второго транзистора от входа и питанию стока первого транзистора напряжением, пропорциональным входному, составной транзистор, изображённый на рис.5, имеет ещё более высокие динамические характеристики.
Единственное условие реализации такого транзистора — более высокое напряжение отсечки второго транзистора. Входной транзистор можно заменить на биполярный.
Одна из особенностей транзисторного ключа при изменяющейся нагрузке — изменение времени выключения транзистора. Чем больше насыщение транзистора при минимальной нагрузке, тем больше время выключения. Избежать глубокого насыщения можно путём предотвращения прямого смещения перехода база-коллектор. Наиболее простая реализация этой идеи с помощью диода Шоттки представлена на рис.6. На рис.7 изображён более сложный вариант — схема Бейкера.
https://youtube.com/watch?v=D60LaX9Fza0
Электрические параметры
При эксплуатации устройства все производители рекомендуют придерживаться номинальных значений параметров (далее – электрических). Они характерны только для температуры внешней среды (ТА) не более +25oС. Режимы измерения, минимальные, типовые и максимальные величины выведены в отдельном столбце таблицы.
| Параметры | Условное обозначение | Режимы измерений | Мин. | Тип. | Макс. | Ед.изм. |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Обратный ток коллектора | ICBO | VCB=30 В, IE=0 А | 15 | нА | ||
| Коэфф. усиления по току | HFE | VCE=5 В, IC=2 мА | 110 | 800 | ||
| Напряжение насыщения К-Э | VCE(sat) | IC=100 мА, IC=5 мА | 250 | 600 | мВ | |
| Напряжение насыщения Б-Э | VBE(sat) | IC=100 мА, IC=5 мА | 900 | мВ | ||
| Напряжение включения Б-Э | VBE(ON) | VCE=5 В, IC=10 мА | 720 | мВ | ||
| Частота перехода | fT | VCE=5 В, IC=10 мА, f=100 МГц | 100 | 300 | МГц | |
| Выходная ёмкость | COB | VCB=10 В, IE=0 мА, f=1 МГц | 3.5 | 6.0 | пФ | |
| Входная ёмкость | CIB | VEB=0.5 В, IC=0 мА, f=1 МГц | 9.0 | пФ | ||
| Коэфф. шума | NF | VCE=5 В, IE=0 мкА, f=1 МГц, RG = 2 кОм | 2 | 10 | дБ |
Стоит отметить, что частота перехода fT у разных производителей (согласно datasheet) варьирует в диапазоне от 100 до 300 МГЦ. С ростом температуры напряжение VBE(sat) падает ориентировано на 1.7 мВ/К, а VBE может понижаться на 1.7 мВ/К.
Коэффициент HFE
Транзистор BC546 обладает отличными усиливающими свойствами. Для определения его коэффициента усиления по току (HFE) возможно использовать обычный мультиметр. Однако, в большинстве случаев, HFE можно узнать по группе, которая указывается производителем на корпусе изделия при маркировке: A (110~220), B (200~450), С (420~800).
Комлементарная пара
BC546 является универсальным устройством для многих электронных приложений в том числе его используют в некоторых ИБП. Виду хорошего коэффициента усиления, специально для него была разработаны транзисторы с похожими параметрами, но противоположной структурой — PNP. В datasheet в качестве комплементарной пары обычно указываются BC556…558.
Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора BC846.
Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора BC846 .Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.Можно попробовать заменить транзистор BC846транзистором 2N2222;
транзистором BCV71;
транзистором
транзистором 2SC3713;
транзистором 2SC2715-Y;
транзистором 2SC2107-G3;
транзистором 2SC2107-G4;
транзистором 2SC2619;
транзистором 2SC2462;
транзистором 2SC2716;
транзистором 2SC2712-GR;
транзистором 2SC2413;
транзистором 2SC2462B;
Зачем нужна маркировка
Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.
Маркировка на практике
Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся
Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений
Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.
Разнообразные корпуса транзисторов.
Маркировка SMD компонентов
SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.
| Код | Сопротивление |
| 101 | 100 Ом |
| 471 | 470 Ом |
| 102 | 1 кОм |
| 122 | 1.2 кОм |
| 103 | 10 кОм |
| 123 | 12 кОм |
| 104 | 100 кОм |
| 124 | 120 кОм |
| 474 | 470 кОм |
Маркировка импортных SMD
Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.
Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.
Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.
Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.
Аналоги и комплементарная пара
Существуют зарубежные устройства, которые полностью идентичны ВС337 по своим характеристикам и распиновке: BC184, 2N4401, MPSA06. Российская промышленность также выпускает изделия, которыми его можно заменить: КТ660А, КТ3102Б, КТ928.
Перед заменой транзистора нужно разобраться, в какой схеме и для чего он используется, а также знать режимы его работы и сравнить технические характеристики оригинального и предполагаемого на замену прибора. И только после этого можно решать, подходит он или нет.
В качестве комлементарой пары производители рекомендуют использовать BC327.
Ангола — SurmaExpediciones
Ангола es uno de los países más ricos de África , puesto que cuenta con grandes reservas de petróleo y diamantes.
también es uno de los países más desconocidos para los turistas
En Surmaexpediciones te descubriremos algunos de los lugares que no puedes perderte de este fascinante lugar.
Катаратас де Каландула. Situadas en el río Lucala y, aunque son bastante desconocidas fueran de Angola, lo cierto es que las cataratas de Kalandula constituyen un espectáculo realmente impponente por su volumen y por ser las más altas de África const sus 10desni.
Национальный парк Киссама . Establecido como reserva en 1938, también es conocido como Quiçama. Se encuentra ubicado al sur del río Kwanza y es probablemente эль-мейор Национальный парк Анголы для исследования разнообразной фауны: слонов, африканских манатов и бегемотов, антилоп соболь, монос, цебра, нус и черепаха де мар.
los maravillosos baobabs nudosos
Национальный парк Луэнге-Луиана . Forma parte del área de conservación transfronteriza de Okavango/Zambeze, la cual comparte territorio con Замбия, Ангола, Намибия, Ботсвана и Зимбауэ, y además constituye una de las regiones más grandes de protección medioambiental de todo el mundo . Este Parque Nacional se encuentra hoy en día prácticamente virgen, ya que apenas ha sufrido el Impacto del Hombre. Aquí podrás disfrutar contemplando animales como la hiena manchada, el tejón, los antílopes sables, impalas, avestruces o ñus y, por supuesto, los cinco grandes mamíferos de África : слоны, леопарды, леонес, буйволы.
Национальный парк Кангандала, . Situado en la provincia de Malanje, en este Parque Nacional podrás ver en vivo el símbolo nacional de Angola: el famoso palanca negra gigante , un gran antílope que se answeró extinto durante más de 20 años, aunque afortunadamente fue redescubierto en 2000 en el 2009 se logró localizarlo y capturarlo para ponerlo bajo protección en este santuario.
Мирадору да Луа . Formado durante millones de años por la accion del viento y la lluvia, probablemente este sea el lugar más visitado de Toda Angola por los turistas. Se trata de un mirador sobre un cañón con acantilados que se desploman sobre el Atlantico y recuerdan mucho a un paisaje lunar, de ahí su nombre y que se conozca también como «Moon Valley View point».
Лубанго . Si quieres contemplar hermosas cascadas y fisuras volcánicas espectaculares , esta pequeña ciudad situada en un hermoso valle rodeado de montañas es un lugar que no puedes perderte.
Бенгела . Si eres más de playa, Бенгела-эс-ту-ситио. Автопрокламада столица культуры де ла республика, Benguela se encuentra rodeada de estupendas playas atlánticas donde podrás disfrutar de la arena y el mar a tus anchas.
Como ves, aunque bastante desconocida todavía, Angola atesora auténticas maravillas en su interior que son dignas de conocer y disfrutar. ¿Te animas a descubrirlas con nosotros?
Схемы включения транзисторов
Обычно биполярный транзистор всегда используется в прямом включении – обратная полярность на КЭ переходе ничего интересного не дает. Для прямой схемы подключения есть три схемы включения: общий эмиттер (ОЭ), общий коллектор (ОК), и общая база (ОБ). Все три включения показаны ниже.
Они поясняют только сам принцип работы – если предположить, что рабочая точка каким-то образом, с помощью дополнительного источника питания или вспомогательной цепи установлена. Для открывания кремниевого транзистора (Si) необходимо иметь потенциал ~0,6 В между эмиттером и базой, а для германиевого хватит ~0,3 В.
Общий эмиттер
Напряжение U1 вызывает ток Iб, ток коллектора Iк равен базовому току, умноженному на β. При этом напряжение +E должно быть достаточно большим: 5 В-15 В. Эта схема хорошо усиливает ток и напряжение, следовательно, и мощность. Выходной сигнал противоположен по фазе входному (инвертируется). Это используется в цифровой технике как функция НЕ.
Если транзистор работает не в ключевом режиме, а как усилитель малых сигналов (активный или линейный режим), то при помощи подбора базового тока устанавливают напряжение U2 равным E/2, чтобы выходной сигнал не искажался. Такое применение используется, например, при усилении аудиосигналов в усилителях высокого класса, с низкими искажениям и, как следствие, низким КПД.
Общий коллектор
По напряжению схема ОК не усиливает, здесь коэффициент усиления равен α ~ 1. Поэтому эта схема называется эмиттерный повторитель. Ток в цепи эмиттера получается в β+1 раз больше, чем в цепи базы. Эта схема хорошо усиливает ток и имеет низкое выходное и очень высокое входное сопротивление.
Тут самое время вспомнить о том, что транзистор называется трансформатором сопротивления. Эмиттерный повторитель имеет свойства и рабочие параметры, очень подходящие для пробников осциллографов. Здесь используют его огромное входное сопротивление и низкое выходное, что хорошо для согласования с низкоомным кабелем.
Общая база
Эта схема отличается наиболее низким входным сопротивлением, но усиление по току у нее равно α. Схема с общей базой хорошо усиливает по напряжению, но не по мощности. Ее особенностью является устранение влияния обратной связи по емкости (эфф. Миллера). Каскады с ОБ идеально подходят в качестве входных каскадов усилителей в радиочастотных трактах, согласованных на низких сопротивлениях 50 и 75 Ом. Каскады с общей базой очень широко используются в технике СВЧ и их применение в радиоэлектронике с каскадом эмиттерного повторителя очень распространено.
Разделы справочника:
Добавить описание биполярного транзистора.Добавить описание полевого транзистора.Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.Поиск транзистора по маркировке.Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.Добавить чертёж транзистора.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.Параметры полевых транзисторов n-канальных.Параметры полевых транзисторов p-канальных.Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Высокочастотные эффекты
Производительность транзисторного усилителя относительно постоянна вплоть до некоторой точки, как показано на графике зависимости коэффициента усиления по току от частоты для усилителя малых сигналов с общим эмиттером (рисунок ниже). За этой точкой по мере увеличения частоты производительность транзистора ухудшается.
Граничная частота (частота отсечки коэффициента бета), fгр, fT – это частота, при которой коэффициент усиления по току (hfe) усилителя малых сигналов с общим эмиттером падает ниже единицы (рисунок ниже). Реальный усилитель должен иметь коэффициент усиления > 1. Таким образом, на частоте fгр транзистор использоваться не может. Максимальная частота, приемлемая для использования транзистора, равна 0,1fгр.
Зависимость коэффициента усиления по току (hfe) от частоты для усилителя малых сигналов с общим эмиттером
Некоторые радиочастотные биполярные транзисторы могут использоваться в качестве усилителей на частотах до нескольких ГГц. Кремниево-германиевые устройства расширяют диапазон до 10 ГГц.
Предельная частота (частота отсечки коэффициента альфа), fпр, falpha – это частота, при которой коэффициент α снижается до 0,707 от коэффициента α на низких частотах, α=0,707α. Предельная частота и граничная частота примерно равны: fпр≅fгр. В качестве высокочастотного показателя предпочтительнее использовать граничную частоту fгр.
fmax – самая высокая частота колебаний, возможная при наиболее благоприятных условиях смещения и согласования импеданса. Это частота, при которой коэффициент усиления по мощности равен единице. Весь выходной сигнал подается назад на вход для поддержания колебаний. fmax является верхним пределом частоты работы транзистора в качестве активного устройства. Хотя реальный усилитель не используется на fmax.
Эффект Миллера: верхний предел частоты для транзистора, связанный с емкостями переходов. Например, PN2222A имеет входную емкость Cibo=25пФ и выходную емкость Cobo=9пФ между К-Б и К-Э соответственно. Хотя емкость К-Э 25 пФ кажется большой, она меньше, чем емкость К-Б (9 пФ). Из-за эффекта Миллера в усилителе с общим эмиттером емкость К-Б оказывает влияние на базу в β раз. Почему это так? Усилитель с общим эмиттером инвертирует сигнал, проходящий от базы к эмиттеру. Инвертированный сигнал коллектора, подаваемый назад на базу, противодействует входному сигналу. Сигнал на коллекторе в β раз больше входного сигнала. Для PN2222A β=50–300. Таким образом, емкость К-Б 9 пФ выглядит так: от 9 · 50 = 450 пФ до 9 · 300 = 2700 пФ.
Решение проблемы с емкостью перехода для широкополосных приложений заключается в выборе высокочастотного транзистора – RF (радиочастотного) или СВЧ транзистора. Полоса пропускания может быть дополнительно расширена за счет использования схемы с общей базой, вместо схемы с общим эмиттером. Заземленная база защищает входной эмиттер от емкостной обратной связи с коллектора. Каскодная схема из двух транзисторов будет обеспечивать такую же полосу пропускания, как и схема с общей базой, но уже с более высоким входным импедансом схемы с общим эмиттером.
Фелер 404
Auswahl von Land und Sprache beeinflusst Deine Geschäftsbedingungen, Produktpreise und Sonderangebote
Sprache
Верунг
Preise
нетто
брутто
нетто
брутто
Каталог
Ви кауфт человек
Хильфе
или другой адрес:
Дом
Abonnieren Sie jetzt
В том же информационном бюллетене вы найдете самые интересные и интересные сведения о новых продуктах, товарах и услугах на веб-сайте TME.
* Pflichtfeld
AnmeldenAuf Mitteilungsblatt verzichten
больше
Венигер
TME-Newsletter abonnieren
Анеботе — Рабатте — Нойхайтен. Sei auf dem Laufenden mit dem Angebot von TME
AGB zum Информационный бюллетень
Auf Mitteilungsblatt verzichten
Daten werden verarbeitet
Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.
Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.
Логин
Пароль
Логин и пароль заранее.
smd-код m6
smd-код «M6»
| Подробная информация о производителях — в GUIDE’е, о типах корпусов — здесь | |||||
| код | наименование | функция | корпус | производитель | примечания |
|---|---|---|---|---|---|
| M6 | 2SA812 | pnp: 50В/100мА h31=200. ..400 | sot23 | Galaxy Semi | |
| M6 | BSS66 | npn: 40В/200мА 250МГц h31=150 | sot23 | Diodes | |
| M6 | BZX384-B22 | стабилитрон 300мВт: 22В ±2% | sod323 | NXP | |
| M6 | MMBA812M6 | pnp: 40В/100мА h31=200…400 | sot23 | Motorola | |
| M6 | Si2316BDS | nМОП: 30В/4,5А/50мОм | sot23 |
Vishay
M6##
RP114K241B
LDO: 2,4В/300мА
dfn4
Ricoh
## — lot-код
M6A
ADM1816-20AKS/ART
супервизор 2,55В, open-drain, active-low
sc70/sot23
ADI
M6A
MMBF4416
n-канальный ВЧ FET: 30В
sot23
ON Semi
M6B
ADM1816-22AKS/ART
супервизор 2,18В, open-drain, active-low
sc70/sot23
ADI
M6C
ADM1816-23AKS/ART
супервизор 2,31В, open-drain, active-low
sc70/sot23
ADI
M6C
MMBFU310
n-канальный ВЧ FET: 25В
sot23
ON Semi
M6E
ADM1816-10AKS/ART
супервизор: 2,88В open-drain/active-low
sc70/sot23
ADI
M6G
SMMBF4393
nFET: 30В/50мА Ugs(off)=-3В
sot23
On Semi
M6H
ADM1816-20AKSZ/ARTZ
супервизор: 2. 55В open-drain/active-low
sc70/sot23
ADI
RoHS
M6H
MMBD354
два смесительных диода ОК: 7В/10мА
sot23
LGE | ON Semi
M6J
ADM803MAKSZ
супервизор: 4,38В open-drain/active-low
sc70
ADI
RoHS
M6K
ADM1816-5AKS/ART
супервизор: 3,06В open-drain/active-low
sc70/sot23
ADI
M6L
ADM803LAKSZ
супервизор: 4,63В open-drain/active-low
sc70
ADI
RoHS
M6M
ADM803RAKSZ
супервизор: 2,63В open-drain/active-low
sc70
ADI
RoHS
M6N
ADM803ZAKSZ
супервизор: 2,32В open-drain/active-low
sc70
ADI
RoHS
M6P
ADM809JAKSZ/JARTZ
супервизор: 4,00В push-pull/active-low
sc70/sot23
ADI
RoHS
M6P
BSR58
n-канальный FET: 40В/50мА
sot23
NXP
M6R
ADM809LAKSZ
супервизор: 4,63В push-pull/active-low
sc70
ADI
RoHS
M6S
ADM810MAKSZ/MARTZ
супервизор: 4,38В push-pull/active-high
sc70/sot23
ADI
RoHS
M6T
ADM810SAKSZ/SARTZ
супервизор: 2,93В push-pull/active-high
sc70/sot23
ADI
RoHS
M6U
ADM810ZAKSZ/ZARTZ
супервизор: 2,32В push-pull/active-high
sc70/sot23
ADI
RoHS
M6V
ADM810JAKSZ/JARTZ
супервизор: 4,00В push-pull/active-high
sc70/sot23
ADI
RoHS
M6W
ADM810LAKSZ/LARTZ
супервизор: 4,63В push-pull/active-high
sc70/sot23
ADI
RoHS
M6X
ADM1813-5AKSZ/ARTZ
супервизор: 4,62В open-drain/active-low
sc70/sot23
ADI
RoHS
M6Y
ADM1813-10AKSZ/ARTZ
супервизор: 4,35В open-drain/active-low
sc70/sot23
ADI
RoHS
M6Z
ADM1811-5AKSZ/ARTZ
супервизор: 4,62В push-pull/active-low
sc70/sot23
ADI
RoHS
Производители
Daya Electric Group; DCCOM (Dc Components); Futurlec; HTSEMI (Shenzhen Jin Yu Semiconductor); KEXIN (Guangdong Kexin Industrial); Kisemiconductor (Kwang Myoung I.S.); Micro Electronics; NEC; Rectron Semiconductor; SECO (SeCoS Halbleitertechnologie GmbH); Stanson Technology; TGS (Tiger Electronic); UTC (Unisonic Technologies); Weitron Technology; Willas Electronic Corp; Winnerjoin (Shenzhen Yongerjia Industry).
Аналоги транзистор C945
| Type | Mat | Struct | Pc | Ucb | Uce | Ueb | Ic | Tj | Ft | Cc | Hfe | Caps |
| 2DC2412R | Si | NPN | 0.3 | 50 | 0.15 | 180 | 180 | SOT23 | ||||
| 2SC1623RLT1 | Si | NPN | 0.3 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 3 | 180 | SOT23 |
| 2SC1623SLT1 | Si | NPN | 0.3 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 3 | 270 | SOT23 |
| 2SC2412-R | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 180 | SOT23 |
| 2SC2412-S | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 270 | SOT23 |
| 2SC2412KRLT1 | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 180 | SOT23 |
| 2SC2412KSLT1 | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 270 | SOT23 |
| 2SC945LT1 | Si | NPN | 0.23 | 60 | 50 | 5 | 0.15 | 150 | 150 | 2.2 | 200 | SOT23 |
| 2SD1501 | Si | NPN | 1 | 70 | 1 | 150 | 250 | SOT23 | ||||
| 2STR1160 | Si | NPN | 0.5 | 60 | 60 | 5 | 1 | 150 | 250 | SOT23 | ||
| 50C02CH-TL-E | Si | NPN | 0.7 | 60 | 50 | 5 | 0.5 | 150 | 500 | 2.8 | 300 | SOT23 |
| BRY61 | Si | PNPN | 0.25 | 70 | 70 | 70 | 0.175 | 150 | 1000 | SOT23 | ||
| BSP52T1 | Si | NPN | 1.5 | 100 | 80 | 5 | 0.5 | 150 | 150 | 5000 | SOT23 | |
| BSP52T3 | Si | NPN | 1.5 | 100 | 80 | 5 | 0.5 | 150 | 150 | 5000 | SOT23 | |
| C945 | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 5 | 0.15 | 150 | 150 | 3 | 130 | SOT23 |
| DNLS160 | Si | NPN | 0.3 | 60 | 1 | 150 | 200 | SOT23 | ||||
| DTD123 | Si | Pre-Biased-NPN | 0.2 | 50 | 0.5 | 150 | 200 | 250 | SOT23 | |||
| ECG2408 | Si | NPN | 0.2 | 60 | 65 | 0.3 | 150 | 300 | 300 | SOT23 | ||
| FMMT493A | Si | NPN | 0.5 | 60 | 1 | 150 | 500 | SOT23 | ||||
| FMMTL619 | Si | NPN | 0.5 | 50 | 1.25 | 180 | 300 | SOT23 | ||||
| L2SC1623RLT1G | Si | NPN | 0.225 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 250 | 3 | 180 | SOT23 |
| L2SC1623SLT1G | Si | NPN | 0.225 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 250 | 3 | 270 | SOT23 |
| L2SC2412KRLT1G | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 180 | SOT23 |
| L2SC2412KSLT1G | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 270 | SOT23 |
| MMBT945-H | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 5 | 0.15 | 150 | 150 | 3 | 200 | SOT23 |
| MMBT945-L | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 5 | 0.15 | 150 | 150 | 3 | 130 | SOT23 |
| NSS60201LT1G | Si | NPN | 0.54 | 60 | 4 | 150 | SOT23 | |||||
| ZXTN19100CFF | Si | NPN | 1.5 | 100 | 4.5 | 150 | 200 | SOT23F | ||||
| ZXTN25050DFH | Si | NPN | 1.25 | 50 | 4 | 200 | 240 | SOT23 | ||||
| ZXTN25100DFH | Si | NPN | 1.25 | 100 | 2.5 | 175 | 300 | SOT23 |
Абсолютные характеристики BC546 (ТО-92)
- напряжение между выводами: К-Э (VCEO) до 65 В, К-Б (VCBO) до 80 В, Э-Б (VCBO) до 6 В;
- ток: коллектора (IС) до 100 мА;
- рассеиваемая мощность (PC) до 500 мВт;
- коэффициент усиления по току (HFE) до 800;
- коэффициент шума (NF) до 10 дБ;
- температура: кристалла (TJ) до +150 oC, при хранении (TSTG) -65 до +150 oC.
Вышеуказанные параметры справедливы для температуры окружающей среды (TA) не более +25oC. Превышение абсолютных значений при эксплуатации может привести к выходу устройству из строя. Не желательно нагружать изделие до указанных величин. Длительное использование в максимальных режимах разрушает кремниевую структуру транзистора и не способствует его стабильной работе.
От чего зависит мощность схемы
У этой схемы есть ограничения. Можно поменять VT1 КТ315 на более мощный, у которого коэффициент усиления будет выше, но этот лимит усиления не бесконечный.
В первую очередь, все зависит от используемого транзистора. Если поменять его на более мощный, то и усиление будет выше. Но следует помнить, что чем мощнее транзистор, тем мощнее нужен входной сигнал. К тому же, придется сделать перерасчет всех компонентов. И подключать предусилитель, собирать схему блока питания, а это уже будет совсем другая схема.
У транзисторов есть ряд параметров, которые влияют на схему. Это коэффициент усиления по току (h21э), напряжению, мощности. А также важный параметр — это рассеиваемая мощность на коллекторе. С повышением мощности потребуется радиатор для отвода тепла.