Биполярный транзистор 2SD1616 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD1616
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 19
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 135
Корпус транзистора:
2SD1616
Datasheet (PDF)
..1. Size:156K nec 2sd1616.pdf
..2. Size:282K utc 2sd1616 2sd1616a.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD1616/A NPN SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 11SOT-223SOT-89 DESCRIPTION * Audio frequency power amplifier * Medium speed switching 1SIP-311TO-92 TO-92SP ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Plating Halogen-Free 1 2 3 2SD1616L-x-AA3-B 2SD1616G-x-AA3-B SOT-22
..3. Size:1161K wietron 2sd1616.pdf
2SD16162SD1616ANPN TransistorsTO-921. EMITTER122. COLLECTOR33. BASEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Rating Symbol 2SD16116 2SD1616A UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 60 VdcCollector-Base Voltage VCBO60 120 VdcEmitter-Base Voltage VEBO6.0 VdcCollector Current IC1.0 AdcPD 0.75Total Device Dissipation T =25 C WAJunction Temperature T 150j C-55
0.1. Size:98K nec 2sd1616a.pdf
DATA SHEETSILICON TRANSISTORS2SD1616, 2SD1616ANPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHINGFEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) Low VCE(sat):VCE(sat) = 0.15 V TYP. (IC = 1.0 A, IB = 50 mA) Large PT in small dimension with versatilityPT = 0.75 W, VCEO = 50/60 V, IC(DC) = 1.0 A Complementary transistor with the 2SB1116 and 1
0.2. Size:341K secos 2sd1616a.pdf
2SD1616A 1A , 120V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES Power dissipation ADMillimeter REF.Min. Max.BA 4.40 4.70CLASSIFICATION OF hFE (1) B 4.30 4.70C 12.70 -D 3.30 3.81Product-Rank 2SD1616A-L 2SD1616A-K 2SD1616A-UE 0.36 0.56F 0.36 0.51
0.3. Size:758K jiangsu 2sd1616a.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 1. EMITTER 2SD1616A TRANSISTOR (NPN) 2. COLLECTOR FEATURE 3. BSAE Power dissipation MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Co
0.4. Size:193K lge 2sd1616a.pdf
2SD1616A(NPN)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE Features Power dissipation MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current -Continuous 1 A Dimensions in inches and (millimeters)PC C
Другие транзисторы… 2SD1610C
, 2SD1610D
, 2SD1611
, 2SD1612
, 2SD1613
, 2SD1614
, 2SD1615
, 2SD1615A
, BC546
, 2SD1616A
, 2SD1616AG
, 2SD1616AL
, 2SD1616AY
, 2SD1616G
, 2SD1616L
, 2SD1616Y
, 2SD1617
.
Замена и эквиваленты
Бывает, что вышедший из строя компонент уже не продается. Поэтому радиолюбители подбирают транзистор, который похож по своим техническим характеристикам на неисправный или ищут его аналог. Для поиска аналогов используют информацию из даташит на устройство и приведенные в нем технические характеристики.
Полные аналоги с d1555 по корпусу, его распиновке и техническому описанию, имеют следующие импортные транзисторы: 2SC42943; 2SC4744; BU508D; D1651; D2095; D2195; ECG2331. Можно подобрать похожий по характеристикам, например d5703, как показано на видео ниже о подборе строчника.
Подходящей замены из отечественных устройств для данного импульсника нет. Некоторые умельцы используют в качестве альтернативы, на отдельных вариантах схем, советский КТ838А. Это очень сомнительное решение, вместе с которым надо учесть отсутствие у этого него защитного диода, резистора и при этом наличие большого металлического корпуса.
Зарубежные и отечественные аналоги транзистора КТ3102
Наиболее часто для замены КТ3102 используют элементы, приведенные в таблице 1.
| Аналог | VCEO | IC | PC | hFE | fT |
|---|---|---|---|---|---|
| КТ3102 | 50 | 0,2 | 0,25 | 100 | 100 |
| Отечественный | |||||
| КТ611Б | 180 | 0,1 | 3 | 30 | 60 |
| КТ315Б | 20 | 0,1 | 0,15 | 50 | 250 |
| КТ315Г | 35 | 0,1 | 0,15 | 50 | 250 |
| КТ315Е | 35 | 0,1 | 0,15 | 50 | 250 |
| Импорт | |||||
| BC174 | 64 | 0,1 | 0,3 | 125 | 100 |
| 2SA2785 | |||||
| BC546 | 80 | 0,1 | 0,5 | 110 | 300 |
| BC547 | 50 | 0,1 | 0,5 | 110 | 300 |
| BC548 | 30 | 0,1 | 0,5 | 110 | 300 |
| BC549 | 30 | 0,1 | 0,5 | 110 | 200 |
| BC182 | 50 | 0,2 | 0,3 | 120 | 150 |
Таблица 1
Таблица 2 включает перечень элементов, схожих по электрическим параметрам, транзистору КТ3102 конкретной категории.
| Группа | Аналоги | |
|---|---|---|
| Импорт | Отечественные | |
| КТ3102АМ | 2N4123, 2SC1815O, 2SC945O, 2SC945R, BC107AP, BC107АP, BC182A, BC183A, BC237A, BC238A, BC317, BC547A, BC548A, BC550A, BCY59-VII, BCY65-VII, MPS3709, SS9014A | КТ6111А |
| КТ3102БМ | 2N2483 , 2N5210, 2SC1000GTM, 2SC1815, 2SC1815BL, 2SC1815GR, 2SC1815L, 2SC1815Y, 2SC828A, 2SC945G, 2SC945L, 2SC945Y, BC107BP, BC182B, BC182C, BC183B, BC183C, BC184A, BC237B, BC237C, BC318, BC337, BC382B, BC452, BC546B, BC547B, BC547C, BC550B, BC550C, BCY56, BCY59-IX, BCY59-VIII, BCY65-IX, BCY65-VII, BCY79, MPSA09, PN1484, SF132E, SS9014B, SS9014C, SS9014D | КТ3102БМ, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3117Б, КТ6111Б, КТ6111В, КТ6111Г, КТ660А |
| КТ3102ВМ | 2N3711, 2SC454B, 2SC454C, 2SC454D, 2SC458, 2SC458KB, 2SC458KC, 2SC458KD, 2SC828, BC108AP, BC108BP, BC238, BC238A, BC238B, BC238C, BC451, BC548A, BC548B, BC548C, BC549A, BC549B, BC549C, MPS3708, MPS3710, SF131E | |
| КТ3102ГМ | 2SC538, 2SC900, 2SC923, BC108CP, BC183C, BC238C, BC382C, BC547C, BC548C, MPS3711, MPS6571, SF131F, SF132F | |
| КТ3102ДМ | 2N2484, 2N4124, 2N5209, 2SC458LGB, 2SC458LGC, 2SC458LGD, 2SC945, BC109BP, BC184A, BC239B, BC239C, BC383B, BC384B, BC453, BC521, BC521C, BC549A, BC549B, BCY59-X, MPS3707, MPS6512, MPS6513, MPS6514, MPS6515, PN1484 | |
| КТ3102ЕМ | 2N5088, 2N5089, 2N5210, BC109CP, BC184B, BC239C, BC319, BC383C, BC384C, BC549C, BCY57, BFX65, MPS6516, MPS6517 | |
| КТ3102ЖМ | BC239B, MPS6518 | |
| КТ3102ИМ | BC109BP | |
| КТ3102КМ | BC109CP |
Таблица 2
Маркировка полевых SMD транзисторов
| Маркировка | Тип прибора | Маркировка | Тип прибора |
| 6A | MMBF4416 | C92 | SST4392 |
| 6B | MMBF5484 | C93 | SST4393 |
| 6C | MMBFU310 | H16 | SST4416 |
| 6D | MMBF5457 | I08 | SST108 |
| 6E | MMBF5460 | I09 | SST109 |
| 6F | MMBF4860 | I10 | SST110 |
| 6G | MMBF4393 | M4 | BSR56 |
| 6H | MMBF5486 | M5 | BSR57 |
| 6J | MMBF4391 | M6 | BSR58 |
| 6K | MMBF4932 | P01 | SST201 |
| 6L | MMBF5459 | P02 | SST202 |
| 6T | MMBFJ310 | P03 | SST203 |
| 6W | MMBFJ175 | P04 | SST204 |
| 6Y | MMBFJ177 | S14 | SST5114 |
| B08 | SST6908 | S15 | SST5115 |
| B09 | SST6909 | S16 | SST5116 |
| B10 | SST6910 | S70 | SST270 |
| C11 | SST111 | S71 | SST271 |
| C12 | SST112 | S74 | SST174 |
| C13 | SST113 | S75 | SST175 |
| C41 | SST4091 | S76 | SST176 |
| C42 | SST4092 | S77 | SST177 |
| C43 | SST4093 | TV | MMBF112 |
| C59 | SST4859 | Z08 | SST308 |
| C60 | SST4860 | Z09 | SST309 |
| C61 | SST4861 | Z10 | SST310 |
| C91 | SST4391 |
Основные технические характеристики
Наличие внутреннего защитного сопротивления и обратного диода являются отличительной характеристикой “строчного транзистора” d1555. Защитная функция демпферного диода заключается в уменьшении обратной индукцию, которая может появиться при работе устройства в ключевом режиме при индуктивной нагрузке.
Предельно допустимые параметры
Транзисторы, которые используются в выходных каскадах блоков развертки и импульсных блоках питания, должны иметь большую мощность рассеивания, а так же способность пропускать высокие токи и напряжение. D1555 подходит под это описание и имеет следующие предельно допустимые значения при эксплуатации (при Токр. = +25 °C)
Электрические характеристики
Для выполнения условий высокой надежности при работе особенно важно допустимое напряжение коллектор-эмиттер UKЭМАКС., а не коллектор-база UKБ МАКС. UKБ МАКС всегда будет больше для данного типа компонентов
Из этого следует то, что нужно осторожно воспринимать фразу “транзистор на 1500 вольт”, так как у 2sd1555 максимальное UKЭМАКС не превышает 600 вольт. Ниже перечислены электрические параметры для d1555 (при температуре окружающей среды Токр.= +25 °C)
Физические характеристики:
- принцип действия — биполярный;
- пластиковый корпус: ТО-3P (HIS); ТО-3PML;
- материал кристалла — Si;
- структура – PNP, с защитным резистором и диодом.
Маркировка
Транзистор d1555 в 1990 годах производила японская компания Toshiba Semiconductor. Исходя из японского происхождения, маркировка на его корпусе нанесена по системам промышленной стандартизации этой страны: JEDEC, Pro-Electron. Символы “2s” обозначают тип полупроводникового устройства. Они иногда не указываются производителем в обозначении. Буква “D” , после “2S”, указывает на NPN-структуру низкой частоты. Под цифрами “1555” скрывается серийный номер устройства. Очень редко транзистор обозначается без первой цифры так — sd1555.
Характеристики и распиновка 2n3055
Как и другие транзисторы, El 2N3055 имеет 3 подключения для эмиттера, базы и коллектора. Мы уже обсуждали это в других статьях о транзисторах. Поэтому ноль сомнений в распиновке этого NPN транзистора. Конфигурация аналогична контакту 1 для базы, который будет использоваться в качестве переключателя для тока, проходящего через полупроводник или нет, контакт 2 является эмиттером (обычно соединенным с GND или землей), а коллектор, который на самом деле является TAB так как третьего пина нет (нормально подключен к питанию).
Можно использовать транзистор 2n3055 для цепей средней мощности, он безопасен, он имеет низкое насыщение между напряжением коллектор-эмиттер, доступна упаковка без свинца, он имеет коэффициент усиления более 70 hFE для постоянного тока (линейный), максимальное напряжение, которое может выдерживать или пропускать коллектор и эмиттер — 60 В для постоянного тока, такой же максимальный ток, который может проходить через коллектор, составляет 15 А.
Теме статьи:
Транзистор BC547: все, что вам нужно знать
Для базы ограничения в обоих случаях составляют 7 В (база-эмиттер) и 7 А постоянного тока. В случае наличия напряжения между коллектором и базой оно может достигать 100 В. Если мы посмотрим на температуру, при которой он может работать, диапазон будет между От -65 до + 200ºC. Таким образом, он без проблем работает при экстремальных температурах, что терпят не все электронные устройства, особенно если вы посмотрите на максимальную поддерживаемую температуру
Кстати, по рассеиваемой мощности она достигает 115Вт, что немаловажно ..
Обзор функций:
- Тип: NPN
- Для цепей средней мощности
- Увеличение 70 hFE
- Коллектор-эмиттер 60в DC
- Ток коллектора 15 А постоянного тока
- База-эмиттер 7в
- База 7А
- Коллектор-база 100в
- Рабочая температура от -65 до + 200ºC
- Рассеиваемая мощность 115 Вт
- Металлическая оболочка
Эквивалентные и дополнительные
Для 2n3055 есть эквивалентные транзисторы. Вы можете использовать их как заменители типа 2n6673 и 2n6675. Другие подобные транзисторы, хотя и не такие, — это MJ10023, BUX98 и BDW51. Вы можете без проблем использовать их в своих схемах в качестве альтернативы, теперь вы должны хорошо прочитать таблицы данных всех из них, чтобы увидеть возможные различия, поскольку они могут быть разными в некоторых случаях и могут создавать проблемы в крайних случаях.
Если вам интересно о дополнительный, то есть наоборот, вы можете увидеть MJ2955. В данном случае это почти сестринский транзистор, идентичный по многим характеристикам, описанным в предыдущем разделе, но это биполярный PNP вместо NPN. Знание дополнений иногда может очень помочь нам в составлении схем, поэтому мы всегда включаем их в наши сообщения.
Даташит
к безопасно составлять схемы и поддерживать поддерживаемые диапазоны Для этого устройства вы должны увидеть спецификации этих устройств. Они могут быть изготовлены самыми разными производителями, и у всех из них есть свои спецификации, в которых могут быть некоторые различия. Freescale, STMicroelectronics и Siemens — одни из самых известных производителей, хотя их больше.
Теме статьи:
Транзистор 2Н2222: все, что нужно знать
Так что ваши будущие схемы переключения мощности, усилители, ШИМ, регуляторы, усилители сигналов и т. Д. схем, которые могут быть составлены с помощью 2n3055, вы можете получить спецификации здесь:
- Различные таблицы данных от различных производителей.
- Компания ON Semiconductor 2n3055: поскольку в других случаях мы использовали техническое описание ON Semiconductor для других электронных устройств, вот техническое описание этой компании для рассматриваемого транзистора …
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые мезо-планарные, NPN, импульсные. Разработаны для применения в генераторах строчной развертки ТВ-приемников и видеоконтрольных устройств, источниках вторичного электропитания и высоковольтных переключающих устройствах.
Отечественное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | CC, pF | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1555 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 5 | 150 | 3 | 165 | 8 | TO-3P(H)IS |
| КТ838А* | 70 | 1500 | 600 | 5 | 5 | 115 | ≥ 3 | 170 | ≥ 4 | ТО-3 (КТ-9) |
| КТ839А* | 50 | 1500 | 1500 | 5 | 10 | 125 | ≥ 5 | 240 | от 5 до 12 | |
| КТ886А1/Б1* | 75 | 1400/1000 | 1400/1000 | 7 | 10 | 150 | 135 | от 6 до 25 | TOP-3 (КТ-43В-2) |
٭ — в сборке отсутствуют защитное сопротивление и демпфирующий диод.
Импортное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | CC, pF | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1555 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 5 | 150 | 3 | 165 | 8 | TO-3P(H)IS |
| 2SD1546/7/8* | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6/7/10 | 150 | 3 | 165 | 8 | TO-3PF |
| 2SD1556 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | 3 | 165 | 8 | |
| 2SD2125 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | 3 | 165 | 8 | |
| 2SD2498*/9 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | 2 | 95 | 8 | TO-3P(H)IS |
| 2SC4293/4 | 50 | 1500 | 800 | 7 | 5/6 | 150 | 8 | TO-3PN | ||
| 2SC4744 | 50 | 1500 | 6 | 6 | 150 | 25 | TO-3PFM | |||
| BUH417 | 55 | 1700 | 700 | 10 | 10 | 150 | 10 | TO-3PF | ||
| BUH515 | 60 | 1500 | 700 | 10 | 10 | 150 | 10 | |||
| BUH517* | 55 | 1700 | 700 | 10 | 10 | 150 | 10 | |||
| BUH615 | 55 | 1500 | 700 | 10 | 10 | 150 | 10 | |||
| BUH715* | 65 | 1500 | 700 | 10 | 10 | 150 | 10 | |||
| KSC5086 | 50 | 1500 | 800 | 6 | 6 | 150 | 8 | |||
| KSC5088* | 50 | 1500 | 800 | 6 | 6 | 150 | 8 | |||
| TS7988 | 70 | 1600 | 800 | 6 | 6 | 150 | 15 | |||
| TS7990 | 75 | 1600 | 800 | 6 | 6 | 150 | 15 | |||
| TS7992 | 75 | 1600 | 800 | 6 | 6 | 150 | 15 | |||
| BU508D | 125 | 1500 | 700 | 8 | 150 | 7 | 125 | от 6 до 30 | SOT-429 | |
| 2SD1847/8 | 100 | 1300 | 1300 | 7 | 6 | 150 | 2 | от 5 до 25 | TO-3PFa | |
| 2SD5072 | 60 | 1500 | 800 | 6 | 5 | 150 | 3 | 8 | TO-3MPL |
٭ — в сборке отсутствуют защитное сопротивление и демпфирующий диод.
Примечание: все данные в таблицах получены из даташит производителя.
2SD667 Datasheet (PDF)
..1. 2sd667.pdf Size:160K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD667 NPN SILICON TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL DESCRIPTION The UTC 2SD667 is a NPN epitaxial silicon transistor, which can be used as a low frequency power amplifier. FEATURES * Low frequency power amplifier ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 2SD667L-x-T9N-B 2SD6
..2. 2sd667.pdf Size:32K _hitachi
2SD667, 2SD667ASilicon NPN EpitaxialApplication Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SB647/AOutlineTO-92MOD1. Emitter2. Collector3. Base3212SD667, 2SD667AAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SD667 2SD667A UnitCollector to base voltage VCBO 120 120 VCollector to emitter voltage VCEO 80 100 VEmitter to base voltage VEBO 55V
0.1. 2sd667l.pdf Size:284K _mcc
MCCTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street Chatsworth2SD667LMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Low Frequency Power Amplifier NPN Complementary Pair with 2SB647/A Plastic-Encapsulate Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating Moisture Sensitivity Level 1Transistor Lead Free Finish/Rohs Compl
0.2. 2sd667a-b-c-d 2sd667-b-c-d.pdf Size:557K _mcc
2SD667(A)-BMCCMicro Commercial ComponentsTM2SD667(A)-C20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SD667(A)-DPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingNPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 Capable of 0.9Watts of Power Dissipation. Capable of 0.9Watts of Power Dissipation.Pla
0.3. 2sd667a.pdf Size:64K _secos
2SD667A 1A , 120V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92MOD FEATURES AD Low Frequency Power Amplifier Complementary Pair with 2SB647A BKEFCLASSIFICATION OF hFE (1) CProduct-Rank 2SD667A-B 2SD667A-C 2SD667A-D Range 60~120 100~200 160~320 NG H1 Emitte
0.4. 2sd667-2sd667a to-92mod.pdf Size:257K _lge
2SD667/2SD667A TO-92MOD Transistor (NPN)TO-92MOD1. EMITTER 1 22. COLLECTOR 3 3. BASE Features Low frequency power amplifier 5.8006.200 Complementary pair with 2SB647/A 8.400MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 8.8000.9001.100Symbol Parameter Value Units 0.400VCBO Collector- Base Voltage 120 V 0.600VCEO Collector-Emitter Voltage 2SD667 8
0.5. 2sd667-2sd667a to-92l.pdf Size:215K _lge
2SD667/2SD667A TO-92L Transistor (NPN)TO-92L1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 4.7005.100 2 3 1Features7.800 Low frequency power amplifier 8.200 Complementary pair with 2SB647/A 0.6000.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.350Symbol Parameter Value Units0.55013.80014.200VCBO Collector- Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Vol
0.6. 2sd667a.pdf Size:557K _blue-rocket-elect
2SD667(A)(BR3DG667(A)L) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92LM NPN Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package. / Features 2SB647(BR3CG647L)/2SB647A(BR3CG647AL) Complementary pair with 2SB647(BR3CG647L)/2SB647A(BR3CG647AL). / Applications Low frequency power ampli
Другие транзисторы… 2SD660
, 2SD661
, 2SD662
, 2SD663
, 2SD664
, 2SD665
, 2SD666
, 2SD666A
, 2SC6090LS
, 2SD667A
, 2SD668
, 2SD668A
, 2SD668AB
, 2SD668AC
, 2SD668B
, 2SD668C
, 2SD668D
.
Аналоги и комплементарная пара
Существуют зарубежные устройства, которые полностью идентичны ВС337 по своим характеристикам и распиновке: BC184, 2N4401, MPSA06. Российская промышленность также выпускает изделия, которыми его можно заменить: КТ660А, КТ3102Б, КТ928.
Перед заменой транзистора нужно разобраться, в какой схеме и для чего он используется, а также знать режимы его работы и сравнить технические характеристики оригинального и предполагаемого на замену прибора. И только после этого можно решать, подходит он или нет.
В качестве комлементарой пары производители рекомендуют использовать BC327.