2SB562-C Datasheet (PDF)
..1. Size:214K mcc 2sb562-c.pdf
MCCMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB562Micro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Low Frequency Power Amplifier.PNP Epitaxial Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) Silicon Transistor Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
7.1. Size:214K mcc 2sb562-b.pdf
MCCMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB562Micro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Low Frequency Power Amplifier.PNP Epitaxial Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) Silicon Transistor Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
8.1. Size:244K utc 2sb562.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SB562 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER 1 FEATURES TO-92* Low frequency power amplifier * Complement to 2SD468 1TO-92NL ORDERING INFORMATION Order Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 32SB562L-x-T92-B 2SB562G-x-T92-B TO-92 E C B Tape Box2SB562L-x-T92-K 2SB562G-x-T92-K TO-92
8.2. Size:30K hitachi 2sb562.pdf
2SB562Silicon PNP EpitaxialApplication Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SD468OutlineTO-92MOD1. Emitter2. Collector3. Base3212SB562Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 25 VCollector to emitter voltage VCEO 20 VEmitter to base voltage VEBO 5 VCollector current IC 1
Аналоги биполярного транзистора 2SС5586
| Type | Mat | Struct | Pc | Vcb | Vce | Ic | Ft | Cc | Hfe | Caps |
| 2SC5586 | Si | NPN | 70,00 | 900,00 | 550,00 | 5,00 | 6,00 | 50,00 | 10,00 | TO3PF |
| H05N50F | N | MOSFET | 38,00 | 500,00 | 30,00 | 5,00 | 150,00 | 60,00 | ||
| H06N60F | N | MOSFET | 40,00 | 600,00 | 30,00 | 6,00 | 150,00 | 19,00 | ||
| H07N60F | N | MOSFET | 40,00 | 600,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | 19,00 | ||
| H07N65F | N | MOSFET | 48,00 | 650,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | 29,00 | ||
| H10N60F | N | MOSFET | 50,00 | 600,00 | 30,00 | 10,00 | 150,00 | 26,00 | ||
| H10N65F | N | MOSFET | 50,00 | 650,00 | 30,00 | 10,00 | 150,00 | 75,00 | ||
| H12N60F | N | MOSFET | 50,00 | 600,00 | 30,00 | 12,00 | 150,00 | 50,00 | ||
| H12N65F | N | MOSFET | 50,00 | 650,00 | 30,00 | 12,00 | 150,00 | 50,00 | ||
| HIRF830F | N | MOSFET | 38,00 | 500,00 | 30,00 | 43589,00 | 150,00 | 46,00 | ||
| HIRF840F | N | MOSFET | 38,00 | 500,00 | 30,00 | 8,00 | 150,00 | 23,00 | ||
| IPA50R199CP | N | MOSFET | 139,00 | 500,00 | 17,00 | 34,00 | ||||
| MTN12N65FP | N | MOSFET | 51,00 | 650,00 | 30,00 | 12,00 | 150,00 | 38,00 | 85,00 | |
| MTN6N65FP | N | MOSFET | 54,00 | 650,00 | 30,00 | 6,00 | 150,00 | 13,00 | ||
| MTN6N70FP | N | MOSFET | 54,00 | 700,00 | 30,00 | 6,00 | 150,00 | 13,00 | ||
| MTN7N60FP | N | MOSFET | 44,00 | 600,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | 37,00 | 40,00 | |
| MTN7N65FP | N | MOSFET | 52,00 | 650,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | 50,00 | ||
| MTN8N50FP | N | MOSFET | 38.5 | 500,00 | 30,00 | 8,00 | 150,00 | 23,00 | ||
| MTN8N60FP | N | MOSFET | 48,00 | 600,00 | 30,00 | 43592,00 | 150,00 | 37,00 | 40,00 | |
| MTN8N65FP | N | MOSFET | 60,00 | 650,00 | 30,00 | 43592,00 | 150,00 | 70,00 | ||
| MTN8N70FP | N | MOSFET | 60,00 | 700,00 | 30,00 | 43592,00 | 150,00 | 70,00 | ||
| SIF10N60C | N | MOSFET | 156,00 | 600,00 | 20,00 | 10,00 | 150,00 | |||
| SIF10N65C | N | MOSFET | 156,00 | 650,00 | 20,00 | 10,00 | 150,00 | |||
| SIF10N70C | N | MOSFET | 157,00 | 700,00 | 20,00 | 10,00 | 150,00 | |||
| SIF12N60C | N | MOSFET | 225,00 | 600,00 | 30,00 | 12,00 | 150,00 | |||
| SIF12N65C | N | MOSFET | 225,00 | 650,00 | 30,00 | 12,00 | 150,00 | |||
| SIF13N50C | N | MOSFET | 170,00 | 500,00 | 30,00 | 13,00 | 150,00 | |||
| SIF18N65C | N | MOSFET | 65,00 | 650,00 | 30,00 | 18,00 | 150,00 | |||
| SIF5N50C | N | MOSFET | 74,00 | 500,00 | 30,00 | 5,00 | 150,00 | |||
| SIF7N60C | N | MOSFET | 147,00 | 600,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
| SIF7N60D | N | MOSFET | 147,00 | 600,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
| SIF7N65C | N | MOSFET | 142,00 | 650,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
| SIF7N65D | N | MOSFET | 142,00 | 650,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
| SIF7N70C | N | MOSFET | 147,00 | 700,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
| SIF7N80C | N | MOSFET | 167,00 | 800,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
| SIF8N50C | N | MOSFET | 125,00 | 500,00 | 30,00 | 8,00 | 150,00 | |||
| SIHFI830G | N | MOSFET | 35,00 | 500,00 | 20,00 | 4,00 | 43468,00 | 150,00 | 38,00 | 16,00 |
| SPA04N80C3 | N | MOSFET | 38,00 | 800,00 | 4,00 | 23,00 | ||||
| SPA06N80C3 | N | MOSFET | 39,00 | 800,00 | 6,00 | 31,00 | ||||
| STF12N50M2 | N | MOSFET | 85,00 | 500,00 | 25,00 | 4,00 | 10,00 | 150,00 | 15,00 | 43595,00 |
| STF30NM50N | N | MOSFET | 40,00 | 500,00 | 25,00 | 4,00 | 27,00 | 150,00 | ||
| STF8NM50N | N | MOSFET | 45,00 | 500,00 | 25,00 | 4,00 | 5,00 | 150,00 | ||
| STP9NB50FP | N | MOSFET | 40,00 | 500,00 | 30,00 | 43712,00 | 150,00 | 11,00 |
Bipolar transistor, NPN, 900 V, 5 A, 70 W
Биполярный транзистор, NPN, 900 В, 5 А, 70 Вт
Производители
Все DataSheet от указных производителей ВС557 можно скачать здесь. Производители: Diotec Semiconductor, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Rectron Semiconductor, Unisonic Technologies, Fairchild Semiconductor, Continental Device India Limited, Olitech Electronics, Foshan Blue Rocket Electronics, First Silicon, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, KEC(Korea Electronics), Micro Electronics, ON Semiconductor, NXP Semiconductors, Dc Components, SEMTECH ELECTRONICS, Tiger Electronic, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Micro Commercial Components, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Siemens Semiconductor Group, General Semiconductor.
Биполярный транзистор 2SB562-C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB562-C
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 38
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора:
2SB562-C
Datasheet (PDF)
..1. Size:214K mcc 2sb562-c.pdf
MCCMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB562Micro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Low Frequency Power Amplifier.PNP Epitaxial Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) Silicon Transistor Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
7.1. Size:214K mcc 2sb562-b.pdf
MCCMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB562Micro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Low Frequency Power Amplifier.PNP Epitaxial Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) Silicon Transistor Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
8.1. Size:244K utc 2sb562.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SB562 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER 1 FEATURES TO-92* Low frequency power amplifier * Complement to 2SD468 1TO-92NL ORDERING INFORMATION Order Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 32SB562L-x-T92-B 2SB562G-x-T92-B TO-92 E C B Tape Box2SB562L-x-T92-K 2SB562G-x-T92-K TO-92
8.2. Size:30K hitachi 2sb562.pdf
2SB562Silicon PNP EpitaxialApplication Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SD468OutlineTO-92MOD1. Emitter2. Collector3. Base3212SB562Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 25 VCollector to emitter voltage VCEO 20 VEmitter to base voltage VEBO 5 VCollector current IC 1
Другие транзисторы… 2SA505O
, 2SA505R
, 2SA505Y
, 2SA506
, 2SA507
, 2SA508
, 2SA509
, 2SA509G
, , 2SA509GTM
, 2SA509O
, 2SA509Y
, 2SA51
, 2SA510
, 2SA510O
, 2SA510R
, 2SA511
.
Характеристики биполярного транзистора.
Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач. И первая на очереди — входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:
I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const
В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):
Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.
Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора — выходной. Выходная характеристика — это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы
I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const
Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:
Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения — изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .
Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:
Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.
Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано.
Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно — при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:
I_к = \beta I_б
Двигаемся дальше
На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина — эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.
В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу — навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.
Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора.
И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.
Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:
Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды. Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.
