2sc5200 transistor basics- pinout, datasheet & equivalent

2sc5200 transistor basics- pinout, datasheet & equivalent

XIV How to Safely Long Run in a Circuit

Use it at least 20% below its maximum ratings for long-lasting performance, as we always advise. Drive no more than 12A of load, as the transistor’s maximum collector current is 15A, and no more than 180V of load, as the transistor’s maximum collector-to-emitter voltage is 230V. Given that it is a high-power transistor with a heatsink connection, it is essential to use a suitable heatsink. It is crucial to take care that the heatsink does not come into contact with any circuit connections because the transistor’s collector is also connected to the heatsink connection.

The minimum to maximum storage and operating temperature of the transistor ranges from -55 degrees centigrade to +150 degrees centigrade. For good and long-term performance of the transistor, the temperature around the transistor should not touch these minimum and maximum limits.

Транзисторы Дарлингтона медленные!

Для схемы Дарлингтона характерно определенное явление, которое очень затрудняет работу на высоких частотах. Его переключение, а особенно выключение, занимает много времени (для электроники).

Давайте еще раз посмотрим на принципиальную схему. При включении питания потенциал базы T1 повышается (например, микроконтроллером), тем самым вводя в нее ток. Этот транзистор очень быстро переходит из состояния засорения в активный, в котором он усиливает этот ток и подает его на базу T2, которая также очень эффективно включается. Все происходит довольно быстро.

Предположим, что этот транзистор используется для включения мощного приемника, например двигателя, который требует его сильного насыщения.

Примерная схема подключения двух биполярных транзисторов в схему Дарлингтона

Теперь выключаем транзистор Дарлингтона. Потенциал базы T1 подтягивается резистором к земле. Носители заряда, накопившиеся в этой базе, должны оттекать от нее через этот резистор. Поскольку T1 был «по-настоящему» насыщен, таких носителей там было довольно много.

В течение этого времени, T2 все еще был проводящим, хотя он больше не должен таковым быть. Предположим, что носители вышли из базы T1, вопрос: куда должны уйти носители с базы T2? Единственный выход — это база, но к ней подключен только забитый транзистор… Нам остается только ждать, пока эти носители самопроизвольно «рассеются» и транзистор окончательно перестанет проводить.

Это явление демонстрируют следующие иллюстрации (текущие значения, конечно, не отражают реальные — они служат только для иллюстрации шкалы и самого факта прохождения тока; RL и значок двигателя символизируют какой-то элемент, который питается от транзистора, например двигатель).

Оба транзистора непроводящие Течение тока через базу, активирует оба транзистора

В выключенном состоянии ситуация следующая:

Заряд, накопленный после отключения тока Захваченный заряд медленно рассеивается

Таким образом, на отключение транзистора Дарлингтона влияют два события:

  • снятие с насыщения и засорения Т1,
  • ожидание, пока транзистор Т2 перестанет проводить.

Первую проблему можно как-то решить, используя, например, соответствующие схемы для ускорения переключения транзисторов. Однако с последним есть проблема, потому что по носителям должен быть обеспечен поток от базы к эмиттеру.

Электроника придумала способ частично решить эту проблему. Этот метод предполагает добавление резистора между базой и эмиттером Т2. Благодаря этому, носители заряда находят выход из базы. Одним из недостатков является снижение коэффициента усиления по току, поскольку этот резистор «крадет» ток у эмиттера T1.

Такие модифицированные транзисторы Дарлингтона коммерчески доступны как одиночные, так и в виде интегральных схем с большим количеством компонентов внутри. Хорошим примером является популярная микросхема ULN2003, в состав которой входит аж 7 таких систем.

Популярная микросхема ULN2003

В состав этой микросхемы также входят резисторы, ограничивающие базовый ток T1 (2,7 кОм) и ускоряющие выключение T1. Использование таких интегральных блоков удобно тем, что экономит место на плате, вход этой схемы подключается напрямую к выходу микроконтроллера.

Внутренняя схема ULN2003

Использование транзистора 2sc5200

Вот некоторые из важных способов использования транзистора 2sc5200:

  • Усилитель мощности: Транзистор 2sc5200 часто используется в усилителях звука и аудио-системах, так как он обеспечивает высокую выходную мощность и отличное качество звука.
  • Источник питания: Благодаря своей способности к работе с высокими токами и высокому КПД, транзистор 2sc5200 идеально подходит для использования в источниках питания.
  • Выходной каскад драйвера: Этот транзистор может использоваться в качестве выходного каскада драйвера для управления большими нагрузками.
  • Импульсные устройства: Благодаря своей высокой мощности и высокому КПД, транзистор 2sc5200 может быть использован в импульсных устройствах, таких как инверторы, переключатели и стабилизаторы напряжения.

В заключение, транзистор 2sc5200 является универсальным и многофункциональным компонентом, который можно использовать во многих различных приложениях. Его высокая мощность, надежность и простота в использовании делают его идеальным выбором для электронных устройств.

Простой транзисторный усилитель класса А

Здравствуйте, аудиофилы-самоделкины! (аудиофилы в хорошем смысле, конечно)

Речь сегодня пойдёт о самом что ни на есть аудиофильском усилителе — класс А, всё-таки. Не хухры-мухры. Спроектирован он был ещё в прошлом веке, но и по сей день его собирают множество радиолюбитей, вот что значит по-настоящему удачная схема. Называется он «JLH 1969» — аббревиатура инициалов автора схемы и год создания. Конечно, база компонентов в те времена была совсем другой, но это не помешает нам собрать этот легендарный усилитель из того, что найдётся сейчас под рукой. Особенностью схемы является её работа в классе А с высоким током покоя выходного каскада. Это обеспечивает минимум нелинейных искажений в выходном сигнале, некую музыкальность, но зато схема потребляет значительный ток и требует для выходных транзисторов приличного размера радиаторов. Некоторые люди считают, что такая схемотехника является наиболее правильной и позволяет слушать музыку с максимальным качеством воспроизведения. Ниже представлена сама схема.

Схема содержит всего 4 транзистора, из них VT3 и VT4 — выходные, должны обладать максимально близкими параметрами, для этого достаточно просто взять два транзистора из одной партии, отлично подойдут КТ805, 2SC5200, 2N3055, 2SC5198. При этом их коэффициент усиления должен быть как минимум 120. VT1 — маломощный входной PNP структуры, подойдут 2N3906, BC212, BC546, КТ361, а так же можно поэкспериментировать с различными германиевыми вариантами, благо их PNP структуры много. VT2 образует драйверный каскад, сюда нужно что-то чуть помощнее, например, КТ801, КТ630, КТ602, 2N697, BD139, 2SC5707, 2SD2165.

Некоторые номиналы схемы, для пущей академичности, следует варьировать исходя из сопротивления нагрузки и напряжения питания. Напряжение может варьироваться от 12 до 40В, соответственно чем оно больше, тем больше будет выходная мощность, и тем сильнее будет греться оконечный каскад. Ниже представлена таблица для подбора номиналов. Несколько слов о настройке. Первым делом включать усилитель нужно без нагрузки и без подключенного источника сигнала. Включаем сперва на небольшом напряжении, контролируем ток покоя, он должен составлять 0,8 — 1,5А. Параллельно с этим замеряем напряжение в точке соединения VT3 и VT4 — оно должно быть равно половине напряжения питания. Если это не так, то подгоняем его максимально близко с помощью подстроечного резистора R2. Также на схеме можно увидеть нарисованную пунктиром цепь Цобеля — последовательно включенный резистор и конденсатор, они служат для подавления самовозбуждения. Резистор сопротивлением 10 Ом, конденсатор 100 нФ.

Монтаж выполняется на печатной плате, обратите внимание, что она полностью залита землей вокруг дорожек, это способствует лучшей помехозащищённости и в какой-то степени защищает от самовозбуждения. Однако при пайке нужно быть максимально аккуратным, запросто можно случайно посадить «соплю» между земляным полигоном и дорожкой. Если усилитель не заработает с первого раза, рекомендую тщательно прозвонить всё на замыкание, ведь глазом волосинку-перемычку очень сложно увидеть

Удачной сборки!

Если усилитель не заработает с первого раза, рекомендую тщательно прозвонить всё на замыкание, ведь глазом волосинку-перемычку очень сложно увидеть. Удачной сборки!

plata.zip (скачиваний: 100)

Источник (Source)

Становитесь автором сайта, публикуйте собственные статьи, описания самоделок с оплатой за текст. Подробнее здесь.

Недостатки схемы Дарлингтона

К сожалению, на этом преимущества заканчиваются. Первый недостаток этой схемы — это то, что на базе-эмиттрере напряжение приходит вдвое большее. Здесь мы имеем дело с последовательным соединением переходов база-эмиттер, поэтому напряжения на каждом из них складываются (около 0,7 В при включении).

Это означает, что U BE схемы Дарлингтона составляет примерно 1,4 вольта. Это следует учитывать при выборе резисторов, ограничивающих базовый ток.

Однако гораздо более серьезным недостатком является повышенное напряжение насыщения. Этот вопрос лучше всего проанализировать на диаграмме с записью напряжений.

Распределение напряжения в насыщенном транзисторе Дарлингтона

Напряжение коллектор-эмиттер транзистора Дарлингтона состоит из:

  • напряжение база-эмиттер транзистора Т2,
  • напряжение коллектор-эмиттер Т1.

Когда система насыщена, транзистор T2 все еще должен быть открыт, то есть, его напряжение база-эмиттер составляет 0,7 В. Благодаря этому, транзистор T1 может правильно насыщаться, и его U CE падает до произвольного уровня 0,2 В. После суммирования этих значений напряжения, оказывается, что U CE транзистора T2 целых 0,9 В!

Эту потерю напряжения следует учитывать при проектировании схемы, потому что такой величиной определенно нельзя пренебрегать!

В нашей примерной схеме, из начала этой статьи, одиночный транзистор имеет большое преимущество: в насыщенном состоянии на нем будет около 0,2 В (на практике немного больше), что в сочетании с протекающим током 5 А, через коллектор, приведет к рассеиванию мощности около 1 Вт.

Это количество тепла можно легко рассеять с помощью небольшого радиатора, то есть элемента, который отводит тепло. Обычно он изготавливается из алюминия, который имеет легкий вес и хорошо проводит тепло. Радиаторы имеют различную форму — чаще всего в поперечном сечении они напоминают гребешок, увеличивающий поверхность контакта с протекающим воздухом.

Радиатор — теплоотводящий элемент

Но вернемся к управлению нашим двигателем. Если мы воспользуемся Дарлингтоном, эта мощность будет потрачена впустую, да и радиатор потребуется намного прочнее. Кроме того, напряжение питания приемника будет ниже примерно на 1 В. В случае схем, питающихся от низкого напряжения, например 3,3 В, это будет значительное снижение.

5 Вт — это очень большая мощность. 5 Вт, например, может потреблять светодиодная настольная лампа.

И еще, в забитом состоянии, напряжение коллектор-эмиттер обоих транзисторов практически одинаково. Это означает, что при управлении приемником от источника питания, например 60 В, оба транзистора должны выдерживать такое напряжение (с запасом).

ВИДЕО УСИЛИТЕЛЯ

Плата для LM крепится на основную плату УНЧ через стойки в виде трубок и болтов. Питание для этого блока берется со второго инвертора, предусмотрена отдельная обмотка. Выпрямитель и фильтрующие конденсаторы расположены непосредственно на плате усилителя. В качестве выпрямительных диодов уже традиционные КД213А. Дросселей для сглаживания ВЧ помех не использовал, да и нет нужды их применять, поскольку даже в довольно брендовых автомобильных усилителях их часто не ставят. В качестве теплоотвода использовал набор дюралюминиевых болванок 200х40х10 мм.

На плату также укреплен кулер, который одновременно отводит теплый воздух с этого блока и отдувает теплоотводы инверторов. С электроникой аудиокомплекса полностью разобрались — переходим к механике и слесарным работам…

Основа любой радиолюбительской конструкции — красивый удобный корпус, тем более он должен прилично смотреться у аппарата, который занимает достойное место в гостинной или вашем рабочем кабинете.

Модули IGBT

Поскольку IGBT, как правило, крайне редко применяются в одиночном варианте, конструкторы стали думать о модульных вариантах их компоновки. Модуль конструктивно гораздо проще и компактнее использовать в изделиях. Но не только это.

Потребуется, правда, вмешательство достаточно квалифицированных инженеров, так как речь идет о переделке схемы частотников, так как далеко не все модели допускают такое расширение: там нет ни выходов для таких подключений, и ни слова в инструкциях, кроме, разве что, запрета  вмешательства в схему преобразователя со стороны потребителей и отказа об ответственности для таких случаев. Кроме технической стороны дела, есть еще и возможная юридическая: возможное нарушение патентов, лицензий и т.д. Это тоже надо иметь в виду.

Особенности и области применения

1. Мощность: 2SC5200 обладает высокой мощностью и способен работать с высокими токами. Это делает его идеальным компонентом для использования в усилителях и других приложениях, где требуется работа с большой энергией.

2. Надежность: Данный транзистор имеет высокую степень надежности благодаря использованию специальных материалов и конструкции. Он обладает стабильными характеристиками и долгим сроком службы, что позволяет использовать его в качестве ключевого элемента в различных устройствах.

3. Широкий диапазон рабочих частот: Транзистор 2SC5200 способен работать в широком диапазоне частот, что делает его универсальным и позволяет применять в различных схемах и устройствах.

4. Высокая точность передачи сигнала: Благодаря высокому коэффициенту усиления токов, транзистор 2SC5200 обеспечивает высокую точность передачи сигналов. Он может усиливать слабые сигналы до достаточного уровня для дальнейшей обработки или передачи.

Области применения:

Транзистор 2SC5200 используется в различных электронных устройствах и системах связи. Его можно встретить в следующих областях:

— Аудиоусилители: Благодаря высокой мощности и надежности, транзистор 2SC5200 широко применяется в усилителях звука различных устройств, включая домашние кинотеатры, студийные мониторы, музыкальные инструменты и другие аудиосистемы.

— Источники питания: Благодаря способности работать с высокими токами, транзистор 2SC5200 используется в источниках питания для обеспечения стабильного и надежного электропитания различных устройств.

— Импульсные преобразователи: Транзистор 2SC5200 применяется в импульсных преобразователях для преобразования пары переменного напряжения в постоянное и обеспечения стабильного питания при работе с высокими токами.

— Коммуникационное оборудование: Данный транзистор используется в различных устройствах связи, таких как передатчики, приемники, усилители сигналов и другое коммуникационное оборудование.

В целом, благодаря своим характеристикам и надежности, транзистор 2SC5200 является универсальным компонентом и применяется во многих областях электроники.

Соответствие: отечественный транзистор ⇒ импортный аналог

Транзистор Аналог
КТ209 MPS404
КТ368А9 BF599
КТ3102АМ КТ3102БМ КТ3102ВМ КТ3102ДМ BC547A BC547B BC548B BC549C
КТ3107БМ КТ3107ГМ КТ3107ДМ КТ3107ЖМ КТ3107ИМ КТ3107КМ КТ3107ЛМ BC308A BC308A BC308B BC309B BC307B BC308C BC309C
КТ3117А КТ3117Б 2N2221 2N2222A
КТ3126А BF506
КТ3127А 2N4411
КТ3129Б9 КТ3129В9 КТ3129Г9 BC857A BC858A BC858B
КТ3130А9 КТ3130Б9 КТ3130В9 BCW71 BCW72 BCW31
КТ3142А 2N2369
КТ3189А9 КТ3189Б9 КТ3189В9 BC847A BC847B BC847C
КТ635Б 2N3725
КТ639А КТ639Б КТ639В КТ639Г КТ639Д КТ639Е КТ639Ж BD136-6 BD136-10 BD136-16 BD138-6 BD138-10 BD140-6 BD140-10
КТ644А КТ644Б КТ644В КТ644Г PN2905A PN2906 PN2907 PN2907A
КТ645А КТ645Б 2N4400 2N4400
КТ646А КТ646Б 2SC495 2SC496
КТ660А КТ660Б BC337 BC338
Транзистор Аналог
КТ668А КТ668Б КТ668В BC556 BC557 BC558
КТ940А BF458
КТ940Б КТ940В BF457 BF459
КТ961А КТ961Б КТ961В BD139 BD137 BD135
КТ969А BF469
КТ972А КТ972Б BD877 BD875
КТ684А КТ684Б КТ684В BC636 BC638 BC640
КТ685А КТ685Б КТ685В КТ685Г PN2906 PN2906A PN2907 PN2907A
КТ686А КТ686Б КТ686В КТ686Г КТ686Д КТ686Е BC327-16 BC327-25 BC327-40 BC328-16 BC328-25 BC328-40
КТ6109А КТ6109Б КТ6109В КТ6109Г КТ6109Д SS9012D SS9012E SS9012F SS9012G SS9012H
КТ6110А КТ6110Б КТ6110В КТ6110Г КТ6110Д SS9013D SS9013E SS9013F SS9013G SS9013H
КТ6111А КТ6111Б КТ6111В КТ6111Г SS9014A SS9014B SS9014C SS9014D
КТ6112А КТ6112Б КТ6112В SS9015A SS9015B SS9015C
КТ6113А КТ6113Б КТ6113В КТ6113Г КТ6113Д КТ6113Е SS9018D SS9018E SS9018F SS9018G SS9018H SS9018I
Транзистор Аналог
КТ6114А КТ6114Б КТ6114В SS8050B SS8050C SS8050D
КТ6115А КТ6115Б КТ6115В SS8550B SS8550C SS8550D
КТ6116А КТ6116Б 2N5401 2N5400
КТ6117А КТ6117Б 2N5551 2N5550
КТ6128А КТ6128Б SS9016D SS9016E
КТ973А КТ973Б BD878 BD876
KT9116A KT9116Б TPV-394 TPV-375
KT9133A TPV-376
KT9142A 2SC3218
KT9150 TPV-595
KT9151A 2SC3812
KT9152A 2SC3660
КТ6136А 2N3906
КТ728А КТ729А MJ3055 2N3055
КТ808АМ КТ808БМ 2SC1619A 2SC1618
КТ814Б КТ814В КТ814Г BD136 BD138 BD140
КТ815Б КТ815В КТ815Г BD135 BD137 BD139
КТ817Б КТ817В КТ817Г BD233 BD235 BD237
КТ818Б TIP42
КТ819Б TIP41
КТ840А КТ840Б BU326A BU126
Транзистор Аналог
КТ856А КТ856Б BUX48A BUX48
КТ867А BUY21
КТ872А КТ872Б КТ872Г BU508A BU508 BU508D
КТ878А КТ878Б КТ878В BUX98 2N6546 BUX98A
КТ879А КТ879Б 2N6279 2N6278
КТ892А КТ892Б КТ892В TIP661 BU932Z TIP662
КТ899А 2N6388
КТ8107А BU508A
КТ8109А TIP151
КТ8110А 2SC4242
КТ8121А MJE13005
КТ8126А КТ8126Б MJE13007 MJE13006
КТ8164А КТ8164Б MJE13005 MJE13004
КТ8170А1 КТ8170Б1 MJE13003 MJE13002
КТ8176А КТ8176Б КТ8176В TIP31A TIP31B TIP31C
КТ8177А КТ8177Б КТ8177В TIP32A TIP32B TIP32C
КТ6128В КТ6128Г КТ6128Д КТ6128Е SS9016F SS9016G SS9016H SS9016I
КТ6137А 2N3904
КТ928А 2N2218
КТ928Б КТ928В 2N2219 2N2219A

Схемы сетевых фильтров импульсных и высокочастотных помех: 4 типа конструкций

Правило №2: у качественных ИБП в конструкции блока должен работать надежный фильтр в/ч сигналов.

Важно понимать, что импульсы высокой частоты играют двоякую роль:

  1. в/ч помехи могут приходить из бытовой сети в блок питания;
  2. импульсы высокочастотного тока генерируются встроенным преобразователем и выходят из него в домашнюю проводку.

Причины появления помех в бытовой сети:

  • апериодические составляющие переходных процессов, возникающие от коммутации мощных нагрузок;
  • работы близкорасположенных приборов с сильными электромагнитными полями, например, сварочных аппаратов, мощных тяговых электродвигателей, силовых трансформаторов;
  • последствия погашенных импульсов атмосферных разрядов и других факторов, включая наложение высокочастотных гармоник.

Помехи ухудшают работу радиоэлектронной аппаратуры, мобильных устройств и цифровых гаджетов. Их необходимо подавлять и блокировать внутри конструкции импульсного блока питания.

Основу фильтра составляет дроссель, выполненный двумя обмотками на одном сердечнике.

Дроссели могут быть выполнены разными габаритами, намотаны толстой или тонкой проволокой на больших или маленьких сердечниках.

Начинающему мастеру достаточно запомнить простое правило: лучше работает фильтр с дросселем большого магнитопровода, увеличенным числом витков и поперечным сечением проволоки. (Принцип: чем больше — тем и лучше.)

Дроссель обладает индуктивным сопротивлением, которое резко ограничивает высокочастотный сигнал, протекающий по проводу фазы или нуля. В то же время оно не оказывает особого влияния на ток бытовой сети.

Работу дросселя эффективно дополняют емкостные сопротивления.

Конденсаторы подобраны так, что закорачивают ослабленные дросселем в/ч сигналы помех, направляя их на потенциал земли.

Принцип работы фильтра в/ч помех от проникновения на блок питания входных сигналов показан на картинке ниже.

Между потенциалами земли с нулем и фазой устанавливают Y конденсаторы. Их конструктивная особенность — они при пробое не способны создать внутреннее короткое замыкание и подать 220 вольт на корпус прибора.

Между цепями фазы и нуля ставят конденсаторы, способные выдерживать 400 вольт, а лучше — 630. Они обычно имеют форму параллепипеда.

Однако следует хорошо представлять, что ИБП в преобразователе напряжения сами выправляют сигнал и помехи им практически не мешают. Поэтому такая система актуальна для обычных аналоговых блоков со стабилизацией выходного сигнала.

У импульсного блока питания важно предотвратить выход в/ч помех в бытовую сеть. Эту возможность реализует другое решение. Как видите, принцип тот же

Просто емкостные сопротивления всегда располагаются по пути движения помехи за дросселем

Как видите, принцип тот же. Просто емкостные сопротивления всегда располагаются по пути движения помехи за дросселем.

Третья схема в/ч фильтра считается универсальной. Она объединила элементы первых двух. Y конденсаторы в ней просто работают с двух сторон каждого дросселя.

У самых дорогих и надежных устройств используется сложный фильтр с дополнительно подключенными дросселями и конденсаторами.

Сразу же показываю схему расположения фильтров на всех цепочках блока питания: входе и выходе.

Обратите внимание, что на кабель, выходящий из ИБП и подключаемый к электронному прибору, может быть дополнительно установлен ферритовый фильтр, состоящий из двух разъемных полуцилиндров или выполненный цельной конструкцией

Примером его использования является импульсный блок питания ноутбука. Это уже четвертый вариант применения фильтра.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.Добавить описание полевого транзистора.Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.Поиск транзистора по маркировке.Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.Добавить чертёж транзистора.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.Параметры полевых транзисторов n-канальных.Параметры полевых транзисторов p-канальных.Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Напряжение и ток коллектора

Транзистор 2sc5200 предназначен для работы с напряжением коллектора до 230 Вольт и тока коллектора до 30 Ампер. Эти значения позволяют использовать данный транзистор в широком спектре приложений, требующих высоких мощностей и надежной работы.

Напряжение коллектора определяет максимальное значение, которое может быть подано на коллекторный вывод транзистора без его повреждения. В случае транзистора 2sc5200 это значение составляет 230 Вольт, что является достаточно высоким для большинства электронных устройств и систем.

Ток коллектора показывает максимальную допустимую силу тока, которой может быть подвержен коллекторный вывод транзистора без его повреждения. В случае транзистора 2sc5200 этот параметр составляет 30 Ампер, что позволяет использовать его в схемах с высокими мощностями и силой тока.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: