Электрические характеристики
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В | UCEO(sus) | IC = 3 А, IB1 = 0,6 А, L = 1 мгн | ≥ 400 |
| Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В | UCEX(sus)1 | IC = 3,0 А, IB1 = 0,6 А, IB2 = — 0,6 А, UBE(off) = — 5 В, L = 1 мкгн, с ограни-чением напряжения. | ≥ 450 |
| Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В | UCEX(sus)2 | IC = 6,0 А, IB1 = 2,0 А, IB2 = — 0,6 А, UBE(off) = — 5В, L = 1 мкгн, с ограни-чением напряжения. | ≥ 400 |
| Ток коллектора выключения, мкА | ICBO | UCB = 400 В, IE = 0 | ≤ 10 |
| Ток коллектора выключения, мА | ICER | UCE = 400 В, RBE = 51 Ом, Tc = 125°C | ≤ 1 |
| Ток коллектора выключения, мкА | ICEX1 | UCE = 400 В, UBE(off) = — 1,5В | ≤ 10 |
| Ток коллектора выключения, мА | ICEX2 | UCE = 400 В, UBE(off) = — 1,5 В, Tc = 125°C | ≤ 1 |
| Ток эмиттера выключения, мкА | IEBO | UEB = 5,0 В, IC = 0 | ≤ 10 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) ٭ | IC = 3,0 А, IB = 0,6 А | ≤ 1,0 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) ٭ | IC = 3,0 А, IB = 0,6 А | ≤ 1,2 |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE (1) ٭ | UCE = 5,0 В, IC = 0,1 А | 20….80 |
| hFE (2) ٭ | UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А | 20….80 | |
| hFE (3) ٭ | UCE = 5,0 В, IC = 3,0 А | ≥ 10 | |
| Временные параметры транзистора, см. схему измерений | |||
| Время включения транзистора, мкс | ton | UCC = 150 В, IC = 3,0 А, IB1 = 0,6 А, IB2 = — 0,6 А, RL = 50 Ом. | ≤ 1,0 |
| Время сохранения импульса, мкс | tstg | ≤ 2,5 | |
| Время спадания импульса, мкс | tf | ≤ 1,0 |
٭ — измерено при длительности импульса тока 350 мкс и скважности 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C
Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C.
Производитель разделяет транзисторы по величине параметра hFE2 на группы R, O, Y в пределах указанного диапазона.
| Классификация | R | O | Y |
|---|---|---|---|
| hFE2 | 20….40 | 30….60 | 40….80 |
Использование транзистора c3503 d в электронике
Во-первых, транзистор c3503 d обладает высокой частотой переключения, что позволяет использовать его в быстрых электрических схемах. Это особенно полезно при проектировании радиоприемников, передатчиков и других схем, где требуется высокая скорость работы.
Во-вторых, данный транзистор характеризуется низким уровнем шума и низким уровнем потребления энергии. Это делает его идеальным для использования в электронных устройствах, требующих маленького размера, низкого потребления энергии и высокой чувствительности.
Транзистор c3503 d также отличается высокой мощностью и надежностью работы, что делает его подходящим для использования во многих различных областях электроники. Он может быть использован в усилителях звука, источниках питания, беспроводных коммуникационных устройствах, светодиодных драйверах и многих других приложениях.
Кроме того, транзистор c3503 d имеет низкую цену и широкий ассортимент производителей, что делает его доступным для широкой аудитории разработчиков электронных устройств.
В целом, транзистор c3503 d является многоцелевым и универсальным компонентом в электронике с высокой производительностью и надежностью. Он широко используется во многих областях электроники и позволяет создавать компактные, низкошумящие и энергоэффективные устройства.
Основные характеристики и параметры транзисторов
Классификация транзисторов. Проводимость, усиление, параметры, определяющие мощность, допустимое напряжение, частотные и шумовые свойства транзистора.
Транзистор, в общем понимании этого слова – это полупроводниковый прибор, как правило, с тремя выводами, способный усиливать поступающий на него сигнал. Выполняя функции усиления, преобразования, генерирования, а также коммутации сигналов в электрических цепях, в данный момент транзистор является основой подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
На принципиальных схемах транзистор обычно обозначается латинскими буквами «VT» или «Q» с добавлением позиционного номера (например, VT12 или Q12).
В отечественной документации прошлого века применялись обозначения «Т», «ПП» или «ПТ». Преобладающее применение в промышленных и радиолюбительских конструкциях находят два типа транзисторов – биполярные и полевые. Какими они бывают?
ОСНОВНАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ, ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ.
Основная классификация, определяющая область применения транзисторов, ведётся по: исходному материалу, на основе которого они сделаны, структуре проводимости, максимально допустимому напряжению, максимальной мощности, рассеиваемой на коллекторе, частотным свойствам, шумовым характеристикам, крутизне передаточной характеристики (для полевых) или статическому коэффициенту передачи тока (для биполярных транзисторов) . Рассмотрим перечисленные пункты классификации более детально.
По исходному полупроводниковому материалу транзисторы классифицируются на: — германиевые (в настоящее время не производятся); — кремниевые (наиболее широко представленный класс); — из арсенида галлия (в основном СВЧ транзисторы) и др.
По структуре транзисторы классифицируются на: — p-n-p структуры – биполярные транзисторы «прямой проводимости»; — n-p-n структуры – биполярные транзисторы «обратной проводимости»; — p-типа – полевые транзисторы с «p-типом проводимости»; — n-типа – полевые транзисторы с «n-типом проводимости». В свою очередь, полевые транзисторы подразделяются на приборы с управляющим p-n-переходом (JFET-транзисторы) и транзисторы с изолированным затвором (МДП или МОП-транзисторы).
По параметру мощности транзисторы делятся на: — транзисторы малой мощности (условно Рmах — транзисторы средней мощности (0,3 — мощные транзисторы (Рmах >1,5 Вт). Также косвенным показателем мощности транзистора является параметр максимально допустимого тока коллектора (Iк_max).
По параметру максимально допустимого напряжения Uкэ или Uси транзисторы делятся на: — транзисторы общего применения (условно Uкэ_mах — высоковольтные транзисторы (Uкэ_mах > 100 В). У современных биполярных и полевых транзисторов параметр Uкэ_mах (Uси_mах) может достигать нескольких тысяч вольт!
По частотным характеристикам транзисторы делятся на: — низкочастотные транзисторы (условно Fгр — среднечастотные транзисторы (3 — высокочастотные транзисторы (30 — сверхвысокочастотные транзисторы (Fгр > 300 МГц); Основным параметром, характеризующим быстродействия транзистора, является граничная частота коэффициента передачи тока (Fгр). Косвенным – входная и выходная ёмкости. Для транзисторов, разработанных для использования в ключевых схемах, также может указываться параметр задержки переключения (tr и ts).
По шумовым характеристикам транзисторы делятся на: — транзисторы с ненормированным коэффициентом шума; — транзисторы с нормированным коэффициентом шума (Кш).
Коэффициент передачи тока (h21 – для биполярного транзистора) и крутизна передаточной характеристики (S – для полевого) являются одними из основных параметров полупроводника. От него зависят как качественные показатели транзисторного усилительного каскада, так и требования, предъявляемые к предыдущим и последующим каскадам.
Однако давайте будем считать эту статью вводной, а углубляться и подробно рассуждать о влиянии тех или иных параметров на работу и поведение биполярного или полевого транзистора будем на следующих страницах. Полный перечень статей, посвящённых описанию работы транзистора, а также расчётам каскадов на полевых и биполярных полупроводниках, приведён в рубрике «Это тоже может быть интересно».
DataSheet PDF Search Site
| Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39.com, основного источника таблиц данных. С обширной коллекцией спецификаций для электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, Datasheet39В домене .com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов. |
Новые списки
| Номер детали | Функция | Производители | ПДФ |
| 10Н60К | N-КАНАЛЬНЫЙ МОЩНЫЙ МОП-транзистор | Юнисоник Текнолоджиз | |
| 12Н10 | N-КАНАЛЬНЫЙ МОЩНЫЙ МОП-транзистор | Юнисоник Текнолоджиз | |
| 14N50 | N-КАНАЛЬНЫЙ МОЩНЫЙ МОП-транзистор | Юнисоник Текнолоджиз | |
| 3N50Z | N-КАНАЛЬНЫЙ МОЩНЫЙ МОП-транзистор | Юнисоник Текнолоджиз | |
| 5П49В5944 | Программируемый тактовый генератор | Технология интегрированных устройств | |
| 6N60Z | N-КАНАЛЬНЫЙ МОЩНЫЙ МОП-транзистор | Юнисоник Текнолоджиз | |
| 78D05 | РЕГУЛЯТОР ПОЛОЖИТЕЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ НА 3 КЛЕММЫ 0,5 А | Юнисоник Текнолоджиз | |
| 78D05A | 3-КЛЕММЫ 1A РЕГУЛЯТОР ПОЛОЖИТЕЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ | Юнисоник Текнолоджиз | |
| 78D05L | РЕГУЛЯТОР ПОЛОЖИТЕЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ НА 3 КЛЕММЫ 0,5 А | Юнисоник Текнолоджиз | |
| 78D06 | РЕГУЛЯТОР ПОЛОЖИТЕЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ НА 3 КЛЕММЫ 0,5 А | Юнисоник Текнолоджиз |
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях, стабилизаторах.
Отечественное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | hFE | Временные параметры | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KSC2335 | 40 | 500 | 400 | 7 | 7 | 150 | — | 10…80 | ton ˂ 1 мкс tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 1 мкс | TO-220 |
| КТ840А | 60 | 900 | 400 | 5 | 6 | 150 | 8 | 10…60 | ton ˂ 0,2 мкс tstg ˂ 3,5 мкс tf ˂ 0,6 мкс | TO-3 |
| КТ841А | 50 | 600 | 400 | 5 | 10 | 150 | 10 | 10 | ton = 0,08 мкс tstg = 0,8 мкс tf = 0,5 мкс | TO-3 |
| 2Т842А | 50 | 300 | 300 | 5 | 5 | 150 | 20 | 15 | ton = 0,12 мкс tstg = 0,8 мкс tf = 0,13 мкс | TO-3 |
| КТ847А | 125 | 650 | — | 8 | 15 | 150 | ˃ 15 | ˃ 8 | tstg = 3,0 мкс tf = 1,5 мкс | TO-3 |
| КТ858А | 60 | 400 | 400 | 6 | 7 | 150 | — | ˃ 10 | tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 0,75 мкс | TO-220 |
| 2Т862 | 50 | 600 | 400 | 5 | 10 | 150 | 20 | 12…50 | ton ˂ 0,4 мкс tstg ˂ 1,0 мкс tf ˂ 0,25 мкс | TO-3 |
| КТ812А | 50 | 400 | 400 | 7 | 8 | 150 | ˃ 3 | — | tf = 0,2…1,3 мкс | TO-3 |
| КТ8126А1 | 80 | 700 | 400 | 9 | 8 | 150 | ˃ 4 | 8…40 | ton = 1,6 мкс tstg = 3,0 мкс tf = 0,7 мкс | TO-220 |
| КТ8164А | 75 | 700 | 400 | 9 | 4 | 150 | ˃ 4 | 10…60 | ton = 0,8 мкс tstg = 0,9 мкс tf = 4,0 мкс | TO-220 |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KSC2335 | 40 | 500 | 400 | 7 | 7 | 150 | 10…80 | TO-220 |
| KSC2334 | 40 | 150 | 100 | 7 | 7 | 150 | 20…240 | TO-220C |
| 2SC2502 | 50 | 500 | 400 | 7 | 8 | 150 | ˃ 15 | TO-220 |
| TT2194 | 50 | 500 | 400 | 7 | 12 | 150 | 20 | TO-220 |
| WBP3308 | 45 | 900 | 500 | 7 | 7 | 150 | 20 | TO-220 |
| 2SC3038 | 40 | 500 | 400 | 7 | 7 | 150 | 50 | TO-220 |
| 2SC3039 | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 | 150 | 30 | TO-220 |
| 2SC3170 | 40 | 500 | — | — | 7 | 150 | 25 | TO-220 |
| 2SC3626 | 40 | — | 400 | — | 8 | — | 55 | TO-220 |
| 2SC4055 | 60 | 600 | 450 | 7 | 8 | 180 | 100 | TO-220 |
| 2SC4106 M/N | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 | 175 | 60 | TO-220 |
| 2SC4107 M/N | 60 | 500 | 400 | 7 | 10 | 150 | 20/60 | TO-220 |
| 2SC4274 | 40 | 500 | 400 | — | 10 | 150 | 40 | TO-220 |
| 2SC4458 L | 40 | 900 | 500 | 9 | 8 | 150 | 25 | TO-220F |
| 2SC4559 | 40 | 500 | 400 | — | 7 | 175 | 150 | TO-220 |
| 2SD1162 | 40 | 500 | — | 10 | 10 | 150 | 400 | TO-220 |
| 2SD1349 | 50 | 500 | — | — | 7 | 150 | 150 | TO-220 |
| 2SD1533 | 45 | 500 | — | — | 7 | 150 | 800 | TO-220 |
| 2SD1710A | 50 | 900 | 500 | 9 | 8 | 150 | 25 | TO-220 |
| 3DK3039 | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 | 175 | 25 | TO-220, TO-276AB |
| MJ10012T | 65 | 600 | 400 | — | 15 | 200 | 200 | TO-220 |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип-производителя.
C3503 Datasheet PDF — Sanyo Semicon Device
| Part Number | C3503 | |
| Description | NPN Transistor — 2SC3503 | |
| Manufacturers | Sanyo Semicon Device | |
| Logo | ||
|
There is a preview and C3503 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 4 Pages |
|
Preview 1 page
No Preview Available !
Ordering number:EN1426B · High breakdown voltage : VCEO≥300V. · Small reverse transfer capacitance and excellent high : Cre=1.8 pF (NPN), 2.3pF (PNP), VCB=30V. · Adoption of MBIT process. Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C Parameter Electrical Characteristics at Ta = 25˚C Tc=25˚C IC=(–)1mA, RBE=∞ IE=(–)10µA, IC=0 * : The 2SA1381/2SC3503 are classified by 10mA hFE as follows : 40 C 80 60 D 120 100 E 200 160 F 320 |
|
On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for C3503 electronic component. |
| Information | Total 4 Pages |
| Link URL | |
| Download |
Share Link :
Electronic Components Distributor
|
An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists. |
| SparkFun Electronics | Allied Electronics | DigiKey Electronics | Arrow Electronics |
| Mouser Electronics | Adafruit | Newark | Chip One Stop |
Безопасная эксплуатация IRF3205
У всех МОСФЕТ транзисторов одинаковые причины для поломки.
Первое, о чем стоит помнить, так это о характеристиках конкретного экземпляра. Не вздумайте использовать его на недопустимых пределах. А при использовании на больших мощностях всегда нужно иметь под рукой дополнительное охлаждения в виде радиатора и, при необходимости, кулера.
Вторая по распространенности проблема — короткое замыкание между стоком и истоком. При такой ситуации кристалл внутри транзистора может легко расплавиться, что приведет устройство в негодность.
Последнее, о чем стоит помнить, это напряжение на затворе. В случае с этим МОП-транзистором, слой диэлектрика способен разрушиться при превышении 25 Вольт на затворе.
Чтобы выбрать подходящий для любого проекта транзистор, нужно опираться на его запас по мощности. Желательно, чтобы этот запас составлял около 30%: этого должно хватить и на нестабильность питания, и на возможную неисправность других компонентов.