2SC3298 транзистор характеристики, аналоги, datasheet, параметры, цоколевка, маркировка C3298

Замок двери передней правой Skoda Octavia 2000-2010 1.6 л. бензин

CARRO.Бизнес — программа для авторазборки + личный сайт =

Хочу попробовать!

В избранное

Пожаловаться

16 июн. 2021 г., 19:10:03

Оставить отзыв

+375 (29) 519-97-**

11 авг. 2022 г., 11:52:05

Работать не хотят! Звонишь уточнить по запчасти, в ответ «ну наверно стандартно, загуглите».

Читать
ещё

+375 (44) 792-90-**

3 мар. 2021 г., 13:43:32

Продавец не заинтересован в продаже запчастей. Непредставился. Бросает трубку. При покупке, отправляет забирать запчасти на Шабаны. Вез…

Читать
ещё

Ищешь для друга? — Поделись!

Замок двери передней правой

51 BYN

В наличии

Минск

ИП Кустовский А. А.

2 отзыва

Позвонить

Артикул	C3229
Марка	Skoda
Модель	Octavia
Поколение	1 поколение (A4) (2000-2010)
Год	2008
Двигатель	1.6, бензин
Ориг. номера	3D1837016

Замок двери на Skoda Octavia 1 поколение (A4)

Замок двери передней правой

Skoda Octavia 2001г.

56 BYN

Замок двери передней левой

Skoda Octavia 2010г.

115 BYN

Замок двери передней правой

Skoda Octavia I 1U2 (1996-2010) 2001г.

115 BYN

Замок двери задней правой

Skoda Octavia A4 2001г.

56 BYN

Замок двери

Skoda Octavia 2005г.

29 BYN

Замок двери задней левой

Skoda Octavia A4 2003г.

69 BYN 65 BYN

Замок двери

Skoda Octavia 2005г.

29 BYN

Замок двери задней левой

Skoda Octavia 2001г.

45 BYN 39 BYN

Замок двери задней правой

Skoda Octavia 2006г.

60 BYN

Замок двери

Skoda Octavia 2008г.

41 BYN

Замок двери

Skoda Octavia 2006г.

29 BYN

Замок двери

Skoda Octavia 2008г.

29 BYN

Замок двери

Skoda Octavia 2006г.

29 BYN

Замок двери

Skoda Octavia 2005г.

29 BYN

Также в наличии

Для Skoda Octavia 1 поколение (A4) в разделе «кузовщина»

накладка на порог правая

накладка на ручку

молдинг крыши правый

молдинг стекла

решетка в бампер правая

крыло заднее левое

усилитель переднего бампера

петля двери передней левой

заглушка заднего бампера

накладка двери задней правой

кронштейн крепления бампера заднего

молдинг переднего бампера правый

ручка наружная двери передней левой

ручка наружная двери передней правой

Пошаговая инструкция проверки мультимером

Перед началом проверки, прежде всего определяется структура триодного устройства, которая обозначается стрелкой эмиттерного перехода. Когда направление стрелки указывает на базу, то это вариант PNP, направление в сторону, противоположную базе, обозначает NPN проводимость.

Проверка мультимером NPN транзистора состоит из таких последовательных операций:

1. Проверяем обратное сопротивление, для этого присоединяем «плюсовой» щуп прибора к его базе.
2. Тестируется эмиттерный переход, для этого «минусовой» щуп подключаем к эмиттеру.
3. Для проверки коллектора перемещаем на него «минусовой» щуп.

Результаты этих измерений должны показать сопротивление в пределах значения «1».

Для проверки прямого сопротивления меняем щупы местами:

1. «Минусовой» щуп прибора присоединяем к базе.
2. «Плюсовой» щуп поочередно перемещаем от эмиттера к коллектору.
3. На экране мультиметра показатели сопротивления должны составить от 500 до 1200 Ом.

Данные показания свидетельствуют о том, что переходы не нарушены, транзистор технически исправен.

Многие любители имеют сложности с определением базы, и соответственно коллектора или эмиттера. Некоторые советуют начинать определение базы независимо от типа структуры таким способом: попеременно подключая черный щуп мультиметра к первому электроду, а красный – поочередно ко второму и третьему.

База обнаружится тогда, когда на приборе начнет падать напряжение. Это означает, что найдена одна из пар транзистора – «база – эмиттер» или «база – коллектор». Далее необходимо определить расположение второй пары таким же образом. Общий электрод у этих пар и будет база.

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (V_CEO) 400 вольт, а порогового (V_CEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (I_C) 1.5 A, а импульсного пиковое (I_CM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора I_C не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

О транзисторе

Давайте вспомним о том, что вне зависимости от того, проверяем мы транзистор с прямой или обратной проводимостью, они имеют два p-n перехода. Любой из этих переходов можно сопоставить с диодом. Исходя из этого, можно с уверенностью заявить, что транзистор представляют собой пару диодов, соединённых параллельно, а место их соединения, является базой.

Таким образом получается, что у одного из диодов выводы будут представлять собой базу и коллектор, а у второго диода выводы будут представлять базу и эмиттер, или наоборот. В таблице ниже представлена цветовая и кодовая маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов.

Таблица маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов.

Исходя из выше написанного, наша задача сводится к проверке напряжения падения на полупроводниковом приборе, или проверки его сопротивления.

Если диоды работоспособны, значит и проверяемый элемент рабочий.Для начала рассмотрим транзистор с обратной проводимостью, то есть имеющим структуру проводимости N-P-N.

На электрических схемах, разных устройств, структуру транзистора определяют с помощью стрелки, которая указывает эмиттерный переход.

Так если стрелка указывает на базу, значит, мы имеем дело c с транзистором прямой проводимости, имеющим структуру p-n-p, а если наоборот, значит это транзистор с обратной проводимостью, имеющий структуру n-p-n.

Для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны. Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым коэффициентом усиления (h21э) пробники вещь даже очень нужная. А для определения исправности достаточно будет и обыкновенного мультика.

Для открытия транзистора с прямой проводимостью, нужно дать отрицательное напряжение на базу. Для этого берём мультиметр, включаем его, и после этого выбираем режим измерения прозвонки, обычно он обозначается символическим изображением диода. В этом режиме прибор показывает падение напряжения в мВ. Благодаря этому мы можем определить кремниевый или германиевый диод или транзистор. Если падение напряжения лежит в пределах 200-400 мВ, то перед нами германиевый полупроводник, а если 500-700 кремниевый.

Современный многофункциональный мультиметр.

Проверка работоспособности транзистора

Подключаем на базу полевого транзистора плюсовой щуп (красный цвет), другим щупом (черный- минус) подключаем к выводу коллектора и делаем измерение. Затем минусовым щупом подключаем к выводу эмиттера и измеряем. Если переходы транзистора не пробиты, то падение напряжения на коллекторном и эмиттерном переходе должно быть на границе от 200 до 700 мВ.

Будет интересно Варианты схем подключения проходных выключателей

Для этого берем, подключаем черный щуп к базе, а красный по очереди подключаем к эмиттеру и коллектору, производя измерения.

Теперь произведём обратное измерение коллекторного и эмиттерного перехода.

Во время измерения, на экране прибора высветится цифра «1», что в свою очередь означает, что при выбранном нами режиме измерения, падение напряжения отсутствует.

Точно также, можно проверить элемент, который находиться на электронной плате, от какого-либо устройства.

При этом во многих случаях можно обойтись и без выпаивания его из платы.

Бывают случаи, когда на впаянные элементы в схеме, оказывают большое влияние резисторы с малым сопротивлением.

Но такие схематические решения, встречаются очень редко. В таких случаях при измерении обратного коллекторного и эмиттерного перехода, значения на приборе будут низкие, и тогда нужно выпаивать элемент из печатной платы. Способ проверки работоспособности элемента с обратной проводимостью (P-N-P переход), точно такой же, только на базу элемента подключается минусовой щуп измерительного прибора.

Металл-воздушные транзисторы

По своей сути принципы работы и конструкция металл-воздушного транзистора напоминает транзисторы MOSFET. За некоторыми исключениями: стоком и истоком нового транзистора являются металлические электроды. Затвор устройства расположен под ними и заизолирован оксидной пленкой. Сток и исток установлены друг от друга на расстоянии тридцати нанометров, что позволяет электронам свободно проходить сквозь воздушное пространство. Обмен заряженными частицами происходит за счет автоэлектронной эмиссии.

Разработкой металл-воздушных транзисторов занимается команда из университета в Мельбурне — RMIT. Инженеры говорят, что технология «вдохнет новую жизнь» в закон Мура и позволит строить целые 3D-сети из транзисторов. Производители чипов смогут перестать заниматься бесконечным уменьшением техпроцессов и займутся формированием компактных 3D-архитектур.

Сейчас команда ищет инвесторов, чтобы продолжить свои исследования и разрешить технологические сложности. Электроды стока и истока плавятся под воздействием электрического поля — это снижает производительность транзистора. Недостаток планируют поправить в ближайшие пару лет. После этого инженеры начнут подготовку к выводу продукта на рынок. О чем еще мы пишем в нашем корпоративном блоге:

• VMware EMPOWER 2021: делимся впечатлениями
• Перспективы дата-центров: технологии, которые повысят производительность серверов
• Процессоры для серверов: обсуждаем новинки
• Развитие дата-центров: технологические тренды
• Как повысить энергоэффективность дата-центра
• Как разместить 100% инфраструктуры в облаке IaaS-провайдера и не пожалеть об этом
• «Как дела у VMware»: обзор новых решений

Datasheet Download — Toshiba Semiconductor

Номер произв	C2482
Описание	2SC2482
Производители	Toshiba Semiconductor
логотип
1Page No Preview Available ! TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC2482 High-Voltage Switching and Amplifier Applications Color TV Horizontal Driver Applications Color TV Chroma Output Applications 2SC2482 Unit: mm • High breakdown voltage: VCEO = 300 V • Small collector output capacitance: Cob = 3.0 pF (typ.) • Recommended for chroma output and driver applications for line-operated TV horizontal. Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg Rating 300 300 7 100 50 900 150 −55 to 150 Unit V V V mA mA mW °C °C Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristics Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Transition frequency Collector output capacitance Symbol ICBO IEBO hFE (1) hFE (2) VCE (sat) VBE (sat) fT Cob Test Condition VCB = 240 V, IE = 0 VEB = 7 V, IC = 0 VCE = 10 V, IC = 4 mA VCE = 10 V, IC = 20 mA IC = 10 mA, IB = 1 mA IC = 10 mA, IB = 1 mA VCE = 10 V, IC = 20 mA VCB = 20 V, IE = 0, f = 1 MHz JEDEC TO-92MOD JEITA ― TOSHIBA 2-5J1A Weight: 0.36 g (typ.) Min Typ. Max Unit ― ― 1.0 µA ― ― 1.0 µA 20 ― ― 30 ― 150 ― ― 1.0 V ― ― 1.0 V 50 ― ― MHz ― 3.0 ― pF Marking C2482 Part No. (or abbreviation code) Lot No. A line indicates lead (Pb)-free package or lead (Pb)-free finish. 1 2004-07-26 No Preview Available ! 120 100 80 60 40 20 IC – VCE 6 4 Common emitter Ta = 25°C 32 1 0.6 0.4 IB = 0.2 mA 4 8 12 16 20 Collector-emitter voltage VCE (V) 24 2SC2482 1000 500 300 100 50 30 10 5 0.3 hFE – IC Common emitter Ta = 25°C VCE = 20 V 10 5 1 3 10 30 Collector current IC (mA) 100 1000 500 300 100 50 30 10 5 0.3 hFE – IC Common emitter VCE = 10 V Ta = 100°C 25 −25 1 3 10 30 Collector current IC (mA) 100 10 5 3 1 0.5 0.3 0.1 0.05 0.3 VCE (sat) – IC Common emitter Ta = 25°C IC/IB = 10 5 2 1 3 10 30 Collector current IC (mA) 100 10 5 3 1 0.5 0.3 0.1 0.05 0.3 VCE (sat) – IC Common emitter IC/IB = 5 Ta = 100°C −25 25 1 3 10 30 Collector current IC (mA) 100 10 5 3 1 0.5 0.3 0.0 0.05 0.3 VBE (sat) – IC Common emitter IC/IB = 5 Ta = 25°C 1 3 10 30 Collector current IC (mA) 100 2 2004-07-26 No Preview Available ! 100 Common emitter VCE = 10 V 80 IC – VBE 60 Ta = 100°C 25 −25 40 20 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 Base-emitter voltage VBE (V) Cob – VCB 100 IE = 0 50 f = 1 MHz Ta = 25°C 30 10 5 3 1 0.5 0.3 1 3 10 30 Collector-base voltage VCB (V) 100 2SC2482 1000 500 300 100 50 30 10 5 0.3 fT – IC Common emitter Ta = 25°C VCE = 20 V 5 10 1 3 10 30 Collector current IC (mA) 100 Safe Operating Area 300 IC max (pulsed)* 300 µs* IC max (continuous) 100 1 ms 10 ms* 100 ms* 50 500 ms* 30 DC operation Ta = 25°C 10 *: Single nonrepetitive pulse 5 Ta = 25°C Curves must be derated linearly with increase in temperature. 2 3 10 30 VCE max 100 300 Collector-emitter voltage VCE (V) 3 2004-07-26
Всего страниц	4 Pages
Скачать PDF

Основные параметры транзистора 2SC3198 биполярного высокочастотного npn.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC3198 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max	Ucb max	Uce max	Ueb max	Ic max	Tj max, °C	Ft max	Cc tip	Hfe
400mW	60V	50V	5V	150mA	125°C	130MHz	2	70MIN

Производитель: KECСфера применения: VHF, Medium Power, General PurposeПопулярность: 33823Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах в аппаратуре общего назначения.

Отечественное производство

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	CC	hFE	Корпус
C3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	TO-92
КТ604А/Б	0,8	300	250	5	0,2	150	40	≤ 7	10…120	TO-92
КТ608А/Б	0,8	60	60	4	0,4	150	200	≤ 15	20…160	TO-92
КТ611А/Б/В/Г	0,8	200	180	4	0,1	150	≥ 60	≤ 5	10…120	TO-8
КТ6110	0,625	40	20	5	0,5	150	—	—	60…200	TO-92
КТ6111	0,45	50	45	5	0,1	150	150	3,5	60…1000	TO-92
КТ6117А/Б	0,625	180	160	15	0,6	150	100	≤ 6	60…250	TO-92
КТ6137	0,625	60	40	6	0,2	150	300	4	100…300	TO-92
КТ660А/Б	0,5	50/30	5	0,8	150	200	≤ 10	110…450	TO-92
К125НТ1	0,4	45	4	0,4	—	—	15	10…150	Транзисторная сборка

Зарубежное производство

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	CC	hFE	Корпус
C3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	от 25 до 700	TO-92
2SA1246	0,4	60	50	15	0,15	150	100	9	100	TO-92
2SC1815	0,4	60	50	5	0,15	175	80	3,5	≥ 70	TO-92
2SC3331	0,5	60	50	6	0,2	150	200	3	≥ 100	TO-92
2SC3382	0,4	60	50	6	0,2	150	250	2,7	≥ 100	TO-92
KTC3199	0,4	50	50	5	0,15	150	80	2	270	TO-92S
2N6428/A	0,625	60	50	6	0,2	150	100	—	100	TO-92
2SC5343T	0,625	60	50	—	0,15	—	80	—	70	TO-92
3DG1318	0,625	60	50	7	0,5	150	200	—	85	TO-92
BC431	0,625	60	—	5	0,5	150	100	—	63	TO-92
BC445A	0,625	60	60	6	0,2	150	100	—	120	TO-92
BC547BA3	0,625	60	50	6	0,2	150	100	—	200	TO-92
BTC945A3	0,625	60	50	5	0,2	150	150	—	135	TO-92
DTD113Z	0,625	60	50	—	0,5	150	200	—	200	TO-92
DTD143E	0,625	60	50	5	0,5	150	200	—	47	TO-92, SOT-23, SOT-323
FTC1318	0,625	60	50	7	0,5	150	200	—	85	TO-92
H1420	0,625	60	60	7	0,2	150	150	—	70	TO-92
KSP8098	0,625	60	60	6	0,5	150	150	—	100	TO-92
KTC1815	0,625	60	50	5	0,15	150	80	—	70	TO-92
KTC945/B	0,625	60	50	5	0,15	150	300	—	90/70	TO-92
STS5343	0,625	60	50	5	0,15	150	80	—	120	TO-92
TEC9014A/B	0,625	60	50	5	0,15	150	150	—	60/100	TO-92

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Схема NPN транзистора

Когда NPN транзистор связан с ресурсами напряжения, базовый ток будет проходить через транзистор. Даже небольшое количество базы контролирует циркуляцию большого количества тока через эмиттер к коллектору. Напряжение базы выше, чем напряжение на эмиттере.

Когда VB базовое напряжение не -ve по сравнению с VE напряжение эмиттера, ток не может проходить в цепи. Таким образом, необходимо обеспечить подачу напряжения обратного смещения> 0.72 Вольт.

Резисторы RL и RB включены в цепь. Это ограничивает ток, проходящий через максимально возможную высоту транзистора.

Напряжение эмиттера VEB как входная сторона. Здесь ток эмиттера (IE) течет со стороны входа и течет в двух направлениях; один яB а другое это яC.

IE= ЯB+ ЯC

Биполярный транзистор 2SC3298 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC3298

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70

Корпус транзистора:

2SC3298
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  jmnic 2sc3298 2sc3298a 2sc3298b.pdf

Product Specification www.jmnic.com Silicon Power Transistors 2SC3298 2SC3298A 2SC3298B DESCRIPTION With TO-220Fa package Complement to type 2SA1306,2SA1306A,2SA1306B APPLICATIONS Power amplifier applications Driver stage amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterABSOLUTE MAXIMUM RATINGS AT Tc=25 SYMBOL PARAMETER CONDITIO

 ..2. Size:189K  inchange semiconductor 2sc3298 2sc3298a.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistors 2SC3298/ADESCRIPTIONGood Linearity of hFEHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-V = 160V(Min)-2SC3298(BR)CEO= 180V(Min)-2SC3298AComplement to Type 2SA1306/AMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applications.Driver stage amplifie

 ..3. Size:198K  inchange semiconductor 2sc3298 2sc3298a 2sc3298b.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3298 A BDESCRIPTIONWith TO-220F packagingComplement to Type 2SA1306 A BMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAC-DC motor controlElectronic ignitionAlternator regulatorABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT2SC3298 160V Collector-Base Voltage 2

 0.1. Size:397K  motorola 2sa1306b 2sc3298b.pdf

 0.2. Size:109K  toshiba 2sc3298b.pdf

 0.3. Size:214K  inchange semiconductor 2sc3298b.pdf

isc Silicon NPN Power Transistors 2SC3298BDESCRIPTIONGood Linearity of hFEHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-V = 200V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SA1306BMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applications.Driver stage amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYM

 0.4. Size:215K  inchange semiconductor 2sc3298-a-b.pdf

isc Silicon NPN Power Transistors 2SC3298/A/BDESCRIPTIONGood Linearity of hFEHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-V = 160V(Min)-2SC3298(BR)CEO= 180V(Min)-2SC3298A= 200V(Min)-2SC3298BComplement to Type 2SA1306/A/BMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applications.Driver stage amplif

Другие транзисторы… 2SC3292
, 2SC3293
, 2SC3294
, 2SC3295
, 2SC3295A
, 2SC3295B
, 2SC3296
, 2SC3297
, A1013
, 2SC3298O
, 2SC3298Y
, 2SC3299
, 2SC3299O
, 2SC3299Y
, 2SC32A
, 2SC32M
, 2SC33
.

Voltage specs

The terminal voltage specs of the C5198 transistor are collector to base and collector to emitter voltage value is 140V and emitter to base voltage is 5V, the voltage specs of the transistor shown that these transistors are good at POWER amplifiers.

The collector to emitter saturation voltage value is 0.3V to 2V, it is the region switching speed of the transistor.

The voltage specifications of the C5198 transistor are higher, this is why these transistors are used in POWER amplifier applications.

Current specs

The collector current value is 10A, and the current value of a transistor shows the maximum load capacity of the transistor.

The current value shows that the C5198 transistor is capable of switching applications.

Current gain specs

The current gain value of the C5198 transistor is 33 to 160hFE, it is the amplification capacity of a transistor device.

Transition frequency

The bandwidth transition frequency value of the C5198 transistor is 30MHz, this transistor had a low-frequency range.

Транзистор кт502, характеристики, маркировка, аналоги, цоколевка

Транзисторы КТ502 универсальные кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Применяются в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, импульсных устройствах, преобразователях.

№1 — Эмиттер

№2 — База

№3 — Коллектор

Маркировка КТ502

КТ503А — сбоку светложелтая точка, сверху темнокрасная точка

КТ503Б — сбоку светложелтая точка, сверху желтая точка

КТ503В — сбоку светложелтая точка, сверху темнозеленая точка

КТ503Г — сбоку светложелтая точка, сверху голубая точка

КТ503Д — сбоку светложелтая точка, сверху синяя точка

КТ503Е — сбоку светложелтая точка, сверху белая точка

Предельные параметры КТ502

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{К max}):

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 150 мА

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{К, и max}):

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 350 мА

Граничное напряжение биполярного транзистора (U_{КЭ0 гр}) при Т_П = 25° C:

• КТ502А — 25 В
• КТ502Б — 25 В
• КТ502В — 40 В
• КТ502Г — 40 В
• КТ502Д — 60 В
• КТ502Е — 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (U_{КБ0 max}) при Т_П = 25° C:

• КТ502А — 40 В
• КТ502Б — 40 В
• КТ502В — 60 В
• КТ502Г — 60 В
• КТ502Д — 80 В
• КТ502Е — 90 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}) при Т_П = 25° C:

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (P_{К max}) при Т = 25° C:

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 350 мВт

Максимально допустимая температура перехода (T_{п max}):

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 125 ° C

Максимально допустимая температура окружающей среды (T_max):

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е —

(adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});
85 ° C

Электрические характеристики транзисторов КТ502 при Т_П = 25oС

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h_21Э) при (U_КЭ) 5 В, (I_Э) 10 мА:

• КТ502А — 40 — 120
• КТ502Б — 80 — 240
• КТ502В — 40 — 120
• КТ502Г — 80 — 240
• КТ502Д — 40 — 120
• КТ502Е — 40 — 120

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (U_{КЭ нас}):

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (I_КБ0)

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 1 мкА

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 5 МГц

if ( rtbW >= 960 ){ var rtbBlockID = «R-A-744188-3»; }
else { var rtbBlockID = «R-A-744188-5»; }

window.yaContextCb.push(()=>{Ya.Context.AdvManager.render({renderTo: «yandex_rtb_4»,blockId: rtbBlockID,pageNumber: 4,onError: (data) => { var g = document.createElement(«ins»);
g.className = «adsbygoogle»;
g.style.display = «inline»;
if (rtbW >= 960){
g.style.width = «580px»;
g.style.height = «400px»;
g.setAttribute(«data-ad-slot», «9935184599»);
}else{
g.style.width = «300px»;
g.style.height = «600px»;
g.setAttribute(«data-ad-slot», «9935184599»);
}
g.setAttribute(«data-ad-client», «ca-pub-1812626643144578»);
g.setAttribute(«data-alternate-ad-url», stroke2);
document.getElementById(«yandex_rtb_4»).appendChild(g);
(adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({}); }})});

window.addEventListener(«load», () => {

var ins = document.getElementById(«yandex_rtb_4»);
if (ins.clientHeight == «0») {
ins.innerHTML = stroke3;
}
}, true);

Емкость коллекторного перехода (C_К)

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 20 пФ

Емкость эмиттерного перехода (C_Э)

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 15 пФ

Тепловое сопротивление переход-среда (R_{Т п-с})

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 214 ° C/Вт

Опубликовано 16.03.2020

Биполярный транзистор 2SC1384 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC1384

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора:

2SC1384
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:47K  panasonic 2sc1383 2sc1384.pdf

Transistor2SC1383, 2SC1384Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency power amplification and driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SA683 and 2SA6845.9 0.2 4.9 0.2FeaturesLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Complementary pair with 2SA683 and 2SA684.0.7 0.1Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)2.54 0.15Parameter Symbol Ratings Unit

 ..2. Size:276K  utc 2sc1384.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC1384 NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SC1384 is power amplifier and driver. FEATURES * Low VCE(SAT) * 2~3W output in complementary pair with 2SA684 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen-Free 1 2 3- 2SC1384G-x-AB3-R SOT-89 B C E Tape Reel2SC138

 ..3. Size:377K  jiangsu 2sc1383 2sc1384.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors2SC1383 TRANSISTOR (NPN)2SC1384 TO-92L FEATURES Low Collector to Emitter Saturation Voltage VCE(sat).1.EMITTER Complementary Pair with 2SA0683 and 2SA0684.2.COLLECTOR 3.BASE C1383=Device code C1383Solid dot = Green molding compound device, Equivalent Circuit if none,

 ..4. Size:193K  lzg 2sc1384 3da1384.pdf

2SC1384(3DA1384) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: AF power amplifier and driver applications. :, 2SA684(3CA684) 23 Features: Low V ,23W output in complementary pair with 2SA684(3CA684). CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25)

 ..5. Size:166K  tgs 2sc1383 2sc1384.pdf

TIGER ELECTRONIC CO.,LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors 2SC1383 TRANSISTOR (NPN) TO-92L 2SC1384 FEATURES 1.EMITTER Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 2.COLLECTOR Complementary pair with 2SA0683 and 2SA0684. 3.BASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter 2SC1383 2SC1384 UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 60 V

 0.1. Size:245K  lge 2sc1383-2sc1384.pdf

2SC1383/2SC1384 TO-92L Transistor (NPN)TO-92L1.EMITTER 2.COLLECTOR 3.BASE 4.700 2 3 5.1001Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 7.8008.200 Complementary pair with 2SA0683 and 2SA0684. 0.6000.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter 2SC1383 2SC1384 Units0.350VCBO Collector-Base Voltage 30 60 V 0.550

 0.2. Size:245K  lge 2sc1383-2sc1384 to-92mod.pdf

2SC1383/2SC1384 TO-92MOD Transistor (NPN)1.EMITTER TO-92MOD2.COLLECTOR 1 23.BASE 3 Features5.800 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 6.200 Complementary pair with 2SA0683 and 2SA0684. 8.4008.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.9001.100Symbol Parameter 2SC1383 2SC1384 Units0.4000.600VCBO Collector-Base Voltage 30

 0.3. Size:514K  semtech st2sc1383 st2sc1384.pdf

ST 2SC1383 / 2SC1384 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor For low-frequency power amplification and driver Amplification. Complementary to 2SA683 to and 2SA684. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 1. Emitter 2. Collector 3. Base TO-92 Plastic PackageAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCo

Другие транзисторы… 2SC1378
, 2SC1379
, 2SC138
, 2SC1380
, 2SC1380A
, 2SC1381
, 2SC1382
, 2SC1383
, 2SC2073
, 2SC1385
, 2SC1385H
, 2SC1386
, 2SC1386H
, 2SC1387
, 2SC1388
, 2SC1388F
, 2SC138A
.