Чем заменить транзистор КТ817В: лучшие аналоги и альтернативные варианты
Одним из лучших аналогов транзистора КТ817В является транзистор 2N2222. Он обладает схожими электрическими характеристиками и может быть использован в большинстве случаев вместо КТ817В
Также, стоит обратить внимание на транзисторы BC547 и BC337, которые также могут служить заменой для КТ817В
Однако, при замене транзистора КТ817В необходимо учитывать его параметры, такие как максимальная мощность, ток и коэффициент усиления. Для более точной замены рекомендуется обратиться к документации и производителям электронных компонентов.
Применение подобных аналогов и альтернативных вариантов позволяет продолжить работу электронного устройства, даже если транзистор КТ817В оказывается недоступным
Важно отметить, что при замене транзистора необходимо учитывать целевое назначение и электрические характеристики устройства
Datasheet Download — Integral
Номер произв
KT816
Описание
PNP Transistor
Производители
Integral
логотип
1Page
No Preview Available !
КТ816
p-n-p кремниевый
биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в
ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Зарубежные прототипы
• Прототип КТ816Б – BD234
• Прототип КТ816В – BD236
• Прототип КТ816Г – BD238
Особенности
• Диапазон рабочих температур корпуса от — 60 до + 150°C
• Комплиментарная пара – КТ817
Обозначение технических условий
• аАО. 336.186 ТУ / 02
Корпусное исполнение
• пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ816А, Б, В, Г
• пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) — КТ816А9, Б9, В9, Г9
Назначение выводов
Вывод
(корпус КТ-27)
№1
№2
№3
Назначение
(корпус КТ-27)
Эмиттер
Коллектор
База
Вывод
(корпус КТ-89)
№1
№2
№3
КТ-27
КТ-89
Назначение
(корпус КТ-89)
База
Коллектор
Эмиттер
КТ816 (январь 2011г., редакция 1.0)
1
No Preview Available !
Таблица 1. Основные электрические параметры КТ816 при Токр. среды = 25 °С
Паpаметpы
Граничное напряжение колл-эмит
КТ816А, А9
КТ816Б, Б9
КТ816В, В9
КТ816Г, Г9
Обратный ток коллектора
КТ816А, А9
КТ816Б, Б9
КТ816В, В9
КТ816Г, Г9
Обратный ток коллектор-эмиттер
КТ816А, А9
КТ816Б, Б9
КТ816В, В9
КТ816Г, Г9
Статический коэффициент передачи тока
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Обозна-
чение
Uкэо гp.
Iкбо
Iкэr
h21э
Uкэ нас
Ед. изм. Режимы измеpения Min
B Iэ=0,1A, tи=0,3÷1 мс
25
45
60
80
мкА
Uкэ=40 В
—
Uкэ=45 В
—
Uкэ=60 В
—
Uкэ=100 В
—
мкА
Uкэ=40 В, Rбэ≤ 1 кОм —
Uкэ=45 В, Rбэ≤ 1 кОм
Uкэ=60 В, Rбэ≤ 1 кОм
Uкэ=100В, Rбэ≤ 1 кОм
—
—
—
Uкб=2 B, Iэ=1A
25
В Iк=1 A, Iб=0,1A
—
Max
—
—
—
100
100
100
100
200
200
200
200
275
0,6
Таблица 2. Предельно допустимые электрические режимы КТ816
Параметры
Напряжение коллектор-эмиттер (Rэб ≤ 1кОм)
КТ816А, А9
КТ816Б, Б9
КТ816В, В9
КТ816Г, Г9
Напряжение эмиттер-база
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора
Максимально допустимый постоянный ток базы
Рассеиваемая мощность коллектора
Температура перехода
Обозначение
Uкэ max
Uэб max
Iк max
Iки max
Iб max
Pк max
Tпер
Единица
измер.
В
В
А
А
А
Вт
°C
Значение
40
45
60
100
5
3
6
1
25
150
КТ816 (январь 2011г., редакция 1.0)
2
No Preview Available !
ОАО «ИНТЕГРАЛ», г
Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные прототипы не подразумевают
полного совпадения конструкции иили технологии
Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте
http://www.integral.by
КТ816 (январь 2011г., редакция 1.0)
3
Всего страниц
3 Pages
Скачать PDF
Таблица 2 – Зарубежные аналоги транзисторов КТ361, КТ361-1, КТ361-2 и КТ361-3
| Отечественный транзистор |
Зарубежный аналог |
Возможность купить |
Предприятие производитель |
Страна производитель |
|---|---|---|---|---|
Сравнение характеристик
Для выбора аналогов и возможных замен на транзистор КТ817А необходимо сравнивать его характеристики с характеристиками других транзисторов. Ниже приведены основные характеристики, которые стоит учитывать при сравнении:
- Ток коллектора (Ic) — максимально допустимый ток, который может протекать через коллектор транзистора. Большой ток коллектора означает, что транзистор может использоваться для усиления больших сигналов.
- Ток эмиттера (Ie) — максимально допустимый ток, который может протекать через эмиттер транзистора. Большой ток эмиттера позволяет транзистору работать с большими токами нагрузки.
- Напряжение коллектора (Vce) — максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером транзистора. Большое напряжение коллектора позволяет транзистору управлять нагрузкой с более высоким напряжением.
- Ток утечки коллектора (Iceo) — ток, который протекает через коллектор транзистора при закрытом эмиттере. Малый ток утечки коллектора означает, что транзистор имеет хорошую изоляцию между коллектором и эмиттером.
- Ток усиления (hfe) — коэффициент усиления по току. Большой ток усиления позволяет транзистору усиливать слабые сигналы.
- Мощность потери (Pd) — максимальная мощность, которую транзистор может потерять в виде тепла без перегрева. Большая мощность потери означает, что транзистор может работать с более высокими мощностями.
Транзисторы для замены КТ817В
-
2N3904: Этот NPN транзистор широко применяется в электронике из-за своей низкой стоимости и высокой надежности. Он имеет сходные характеристики с КТ817В и может использоваться для замены.
-
BC547: Этот NPN транзистор также является популярным выбором для замены КТ817В. Он имеет хорошую линейность и низкий уровень шума, что делает его идеальным для усилительных схем.
-
-
2N2222: Этот NPN транзистор отличается высокой коммутационной способностью и низким напряжением насыщения. Он также может быть хорошим вариантом замены для КТ817В.
-
BC337: Этот NPN транзистор обладает высоким значением коэффициента усиления и может использоваться как аналог КТ817В. Он также имеет широкий рабочий диапазон температур.
Вышеуказанные транзисторы предлагают различные аналоги для замены КТ817В в различных схемах электроники
При выборе заменителя важно учитывать требования вашей конкретной схемы и сравнивать характеристики транзисторов для выбора наиболее подходящего варианта
Физические характеристики
Габаритные размеры транзистора KT817В составляют примерно 4.6 мм в длину, 3.9 мм в ширину и 4.3 мм в высоту. Внутри данной структуры находится активная область, где происходят основные физические процессы, связанные с электрическими и тепловыми свойствами транзистора.
Транзистор KT817В обладает высокой мощностью, которая позволяет использовать его в различных схемах и приложениях. Он способен выдерживать ток коллектора до 6 А и имеет прямую тепловую мощность до 40 Вт.
Для эффективного использования транзистора KT817В важно обеспечить оптимальные температурные условия. Максимальная рабочая температура, при которой можно гарантировать надежную работу транзистора, составляет 150°C
Цоколевка
KT817В имеет стандартную цоколевку, которая состоит из трех выводов:
| Вывод | Описание |
|---|---|
| B | База транзистора. Подключается к управляющему сигналу для управления током, который будет протекать между коллектором и эмиттером. |
| C | Коллектор транзистора. Подключается к нагрузке, через которую будет протекать управляемый ток. |
| E | Эмиттер транзистора. Подключается к общей точке или земле схемы. |
Как выбрать замену для транзистора КТ817В
Транзистор КТ817В, используемый в различных электронных устройствах, иногда может потребоваться заменить по разным причинам. При выборе аналога или альтернативы необходимо учитывать ряд факторов, таких как характеристики транзистора, его параметры и совместимость с существующей схемой.
Перед выбором замены для транзистора КТ817В рекомендуется обратиться к документации, схеме или спецификации устройства, где он использовался
Важно понять, какие требования предъявляются к замене и какие характеристики она должна иметь
Одним из важных параметров транзистора является его тип. В некоторых случаях КТ817В может быть сменен на транзистор с аналогичным типом, например, КТ815В или КТ816В. Однако, следует учитывать, что подобные замены можно использовать только в тех случаях, когда их характеристики полностью соответствуют требованиям схемы.
Другим параметром, на который следует обратить внимание, является максимальное рабочее напряжение (Uсe) транзистора. Если заменитель имеет более высокое значение этого параметра, то он может успешно заменить КТ817В
Если значение Uсe меньше, следует подобрать транзистор с такими же или близкими характеристиками.
Кроме того, следует обратить внимание на ток коллектора (Iс). Если заменитель имеет большую величину Iс, то он может прекрасно заменить КТ817В
Если значение Iс меньше, необходимо подобрать транзистор с аналогичными или близкими характеристиками.
Стоит также обратить внимание на значение тока коллектор-эмиттер (Iсe), тока база-эмиттер (Ibe) и коэффициента усиления по току (hfe) заменителя. Они должны быть совместимы с таковыми у транзистора КТ817В
Подбор замены для транзистора КТ817В требует определенных знаний и внимательности. Поэтому, если у вас нет опыта в подобных вопросах или сомневаетесь в своих навыках, рекомендуется обратиться к специалисту или производителю устройства для получения консультации по замене.
Успешная замена транзистора КТ817В может помочь восстановить функциональность устройства и продлить его срок службы.
Техническое описание
Транзистор выпускается с гибкими выводами в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92), либо в металлостеклянном корпусе КТ-17. Цоколевка выводов кт3102 следующая: 1 – эмиттер, 2 – база, 3 –коллектор.
Характеристики
Все нижеуказанные характеристики для транзисторов в пластиковом корпусе КТ3102 (А-Л) идентичны соответствующим параметрам в металлостекленном (АМ- ЛМ).
- принцип действия – биполярный;
- корпус: пластик для КТ26 (ТО-92); металлостеклянный у КТ-17;
- материал – кремний (Si);
- npn-проводимость (обратная);
предельно допустимые электрические эксплуатационные данные (при температуре окружающей среды от +25 °C):
основные электрические параметры:
- IКБО (ICBO) не более 50 нА (nA), при UКБ макс. (VCB max) = 50 В (V) и IЭ (IE)=0;
- IЭБО (IEBO) не более 10 мкА (µA), при UEБ макс. (VEB max ) = 5 В (V);
- fгр норм.(ftTYP) от 100 до 300 МГц (MHz), при UКб (VCB) = 5 В (V), IЭ (IE)= 10 мА (mA);
- емкость коллекторного перехода СК (СС) 6 пФ (pF) при UКБ (VCB) = 5 В (V), f= 10 МГц (MHz);
- коэффициент шума КШ (Noise Figure) NF от 4 до 10 Дб (dB), при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 0.2 мА (mA);
- cтатический коэффициент усиления по току h21E находится в диапазоне от 100 до 1000, при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 2 мА (mA), f=50 Гц(Hz).
- тепловое сопротивление переход- среда 0,4 °C/мВт (°C/mW);
- Токр от -40 до +85 °C.
При выборе транзистора обратите внимание на дату выпуска и его предельно допустимые напряжения и токи, определите возможность его использования в схеме. Более новые модели имеют преимущества перед старыми, так как производители непрерывно работают над улучшением характеристик в своих продуктах. Не стоит забывать, что у некоторых из них (например КТ3102Г, КТ3102Е) предельные значения по напряжению не превышают 20 В
Ниже приведена классификация КТ3102
Не стоит забывать, что у некоторых из них (например КТ3102Г, КТ3102Е) предельные значения по напряжению не превышают 20 В. Ниже приведена классификация КТ3102.
По мнению радиолюбителей, несмотря на идентичность характеристик заявленных производителем, транзистор в пластиковом корпусе немного уступает металлостеклянному. Так, при работе на предельно допустимых параметрах, пластик расширяется и сжимается, что нередко приводит к отрыву выводов от кристалла. Это основная причина, из за которой стоит подумать о применении устройства в пластиковом корпусе. Кроме того пластик иногда становится не герметичен и вдоль выводов к кристаллу может проникать влага. Считают, что в металлопластиковом корпусе кристалл рассеивает большую мощность. Так же у него будет меньшее тепловое сопротивление, а следовательно устройство будет меньше греться и в свою очередь схема будет работать более стабильней.
Зарубежными аналогами, с похожими техническими характеристиками считаются: BC 174, 2S A2785, BC 182, BC 546, BC 547, BC 548, BC 549. Прототипами для разработки некоторых серий КТ3102 были: BC 307A, BC 308A BC 308B, BC 309B, BC 307B, BC 308C, BC 309C. Из российских аналогов КТ-3102, в качестве замены может подойти КТ 611 или популярный КТ315 с группой Б, Г, Е.
Маркировка
Транзисторы маркируются на боковой стороне корпуса. КТ3102 разных годов выпуска могут встречается с различной маркировкой. До 1995 года производители использовали цветовую и кодовую (буквенно-цифровая и символьно-цветовая) маркировку. Советские транзисторы КТ3102 до 1986 года, изготовленные в корпусе КТ-26, можно узнать по темно-зеленой точке на передней части корпуса. По цвету точки, нанесенной на корпусе сверху, определить принадлежность транзистора конкретной к группе. Дата выпуска при цветовой обозначении могла не указываться.
Маркировать транзистор кт3102 с использованием стандартного метода начали с 1986 года. Согласно кодовой метки он узнаваем по белой фигуре прямоугольного треугольника, размещенного на передней части корпуса (слева сверху), обозначающему его тип (модель). Правее указывается групповая принадлежность, а в нижней части год и месяц даты выпуска. В стандартной кодовой маркировке так же указывался год и месяц выпуска транзистора.
Иногда встречается нестандартные цветовые и кодовые маркировки. Как правило, в них не хватает информации о дате выпуска или групповой принадлежности. Современные производители, уже не используют фигуры в обозначении, а указывают на корпусе полное название типа и группы транзистора. Кроме этого на корпусе можно увидеть знак, указывающий на производителя устройства.
Как уже писалось ранее, транзистор встречается в пластиковом и металлическом корпусе. Устройства с пластиковым корпусом КТ-26 содержат в конце символ “М”. Например КТ3102ВМ это транзистор в пластиковом корпусе КТ-26, а КТ3102В в металлическом КТ-17.
Таблица 5 – Предельно-допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ315
| Параметр, единица измерения |
Обозначение | Норма параметра | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КГ315А | КГ315Б | КГ315В | КГ315Г | КТЗ15Д | КГ315Е | КГ315Ж | КГ315И | КТ315Н | КТ315Р | ||
| Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, (R BE = 10 кОм), В 1) | U CERmax | 25 | 20 | 40 | 35 | 40 | 35 | – | – | 20 | 35 |
| Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при коротком замыкании в цепи эмиттер-база, В 1) | U CES max | – | – | – | – | – | – | 20 | 60 | – | – |
| Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В 1) | U CB max | 25 | 20 | 40 | 35 | 40 | 35 | – | – | 20 | 35 |
| Макс. допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В 1) | U EB max | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 |
| Макс. допустимый постоянный ток коллектора, мА 1) | I C max | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| Макс. допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт 2) | P C max | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 |
| Макс. допустимая температура перехода, ⁰С | t j max | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 |
Примечание:
1. Для всего диапазона рабочих температур.
2. При t атв от минус 60 до 25 °С. При повышении температуры более 25 °С P C max рассчитывается по формуле:
где R t hjα – общее тепловое сопротивление переход-окружающая среда, равное 0,5 °С/мВт.
Хоть я и опоздал на день Радио — но о КТ315 я все-же напишу. Этот транзистор видели и паяли многие, но сегодня мы увидим, чем отличаются КТ315 выпущенные в разные годы, какова его конструкция, и сравним его конструкцию с современными зарубежными аналогами.
Технические характеристики транзистора КТ817
Вот некоторые технические характеристики транзистора КТ817:
- Максимальное постоянное обратное напряжение (VCEO): 25 В
- Максимальное постоянное коллекторное напряжение (VCBO): 40 В
- Максимальное постоянное эмиттерное напряжение (VEBO): 5 В
- Максимальный коллекторный ток (IC): 500 мА
- Максимальный постоянный базовый ток (IB): 50 мА
- Максимальная мощность потерь (PC): 300 мВт
- Коэффициент усиления по току (hFE): 100-600
- Частота перехода (fT): 100 МГц
Транзистор КТ817 имеет 3 вывода для подключения: коллектор (C), база (B) и эмиттер (E). Он доступен в корпусе TO-92, который обеспечивает удобство при монтаже и использовании.
При выборе аналога транзистора КТ817 важно обратить внимание не только на номинальные значения технических характеристик, но и на максимальные допустимые значения, чтобы обеспечить надежную и безопасную работу в выбранной схеме
Характеристики
- Тип корпуса — TO-92;
- Максимальное напряжение Vceo — 30 В для КТ 815 и 45 В для КТ 817;
- Максимальный постоянный коллекторный ток Ic — 0,5 А для КТ 815 и 1 А для КТ 817;
- Максимальная мощность P — 0,625 Вт для КТ 815 и 0,8 Вт для КТ 817;
- Коэффициент усиления hFE — 40-200 для КТ 815 и 80-400 для КТ 817;
- Температурный диапазон работы — от -65 до +150 °C;
- Максимальная рабочая частота — 100 МГц;
- Приборы могут быть использованы в различных усилительных схемах, включая низкочастотные усилители и ключевые схемы.
Эти характеристики делают транзисторы КТ 815 и КТ 817 универсальными и подходящими для множества применений в электронике и радиотехнике.
Распиновка
В советское и перестроечное время производился в корпусе КТ-13, который никогда не использовался зарубежными производителями. Притом, что КТ315 рабочая лошадка советской радиопромышленности. В наши дни, его продолжают выпускать в корпусе КТ-26 (TO-92) и КТ-46А (SOT-23), а так же в ограниченных количествах в КТ-13. Посмотрите внимательней на фотографии цоколевки КТ315 в разных корпусах и на буквы обозначающие назначение его электродов.
Несмотря на внешние различия транзисторов, их распиновка совпадает. Так, если смотреть на маркировку любого из них, то электроды слева на право будут всегда иметь следующее назначение: эмиттер (Э), коллектор (К) и база (Б), соответственно. Исходя из этого, становится понятной аббревиатура из трех букв «ЭКБ», которая встречается на технических форумах.
Таблица 5 – Предельно-допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ315
| Параметр, единица измерения |
Обозначение | Норма параметра | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КГ315А | КГ315Б | КГ315В | КГ315Г | КТЗ15Д | КГ315Е | КГ315Ж | КГ315И | КТ315Н | КТ315Р | ||
| Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, (R BE = 10 кОм), В 1) | U CERmax | 25 | 20 | 40 | 35 | 40 | 35 | – | – | 20 | 35 |
| Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при коротком замыкании в цепи эмиттер-база, В 1) | U CES max | – | – | – | – | – | – | 20 | 60 | – | – |
| Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В 1) | U CB max | 25 | 20 | 40 | 35 | 40 | 35 | – | – | 20 | 35 |
| Макс. допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В 1) | U EB max | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 |
| Макс. допустимый постоянный ток коллектора, мА 1) | I C max | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| Макс. допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт 2) | P C max | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 |
| Макс. допустимая температура перехода, ⁰С | t j max | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 |
Примечание:
1. Для всего диапазона рабочих температур.
2. При t атв от минус 60 до 25 °С. При повышении температуры более 25 °С P C max рассчитывается по формуле:
где R t hjα – общее тепловое сопротивление переход-окружающая среда, равное 0,5 °С/мВт.
Хоть я и опоздал на день Радио — но о КТ315 я все-же напишу. Этот транзистор видели и паяли многие, но сегодня мы увидим, чем отличаются КТ315 выпущенные в разные годы, какова его конструкция, и сравним его конструкцию с современными зарубежными аналогами.
Популярные альтернативы КТ817В
- 2N2222: Данный транзистор является одним из самых распространенных и дешевых типов, которые можно легко найти в большинстве магазинов электроники. Он имеет схожие параметры с КТ817В и может использоваться в широком спектре приложений.
- BC547: Это еще один распространенный транзистор, который может быть использован вместо КТ817В. BC547 имеет аналогичные параметры и широко применяется в многих электронных устройствах.
- 2N3904: Этот транзистор также является популярным аналогом КТ817В. Он имеет высокую частоту переключения и может быть использован во многих устройствах, включая усилители и источники питания.
- 2SC945: Данный транзистор обладает хорошими характеристиками и может быть использован в качестве альтернативы КТ817В. Он также широко доступен и может использоваться в различных электронных схемах.
- 2N3055: Этот транзистор является более мощным аналогом КТ817В и может быть использован в схемах, требующих высокой мощности. Он обычно применяется в усилителях и других мощных устройствах.
Важно отметить, что при замене транзистора всегда следует проверять его параметры и спецификации, чтобы убедиться в совместимости с конкретным приложением
Поиск аналогов транзистора КТ817
При поиске аналогов транзистора КТ817 следует обращать внимание на следующие параметры:
- Тип транзистора (PNP или NPN).
- Максимальное допустимое коллекторное напряжение (Vceo).
- Максимальный коллекторный ток (Ic).
- Коэффициент усиления по току (hfe).
- Максимальная мощность (Ptot).
Исходя из этих параметров, можно подобрать аналоги транзистора КТ817 из доступных на рынке моделей. Кроме того, рекомендуется обратиться к документации и схеме, в которой использовался транзистор КТ817, чтобы убедиться, что выбранный аналог соответствует требованиям схемы.
Популярными аналогами транзистора КТ817 являются такие модели, как 2N3906, BC557, BC327 и BC560
Однако, при выборе аналога следует обратить внимание на спецификации и параметры каждой модели, чтобы убедиться, что выбранный аналог подходит для конкретного применения
Важно отметить, что при замене транзистора КТ817 на его аналог необходимо провести дополнительные проверки и испытания, чтобы убедиться в правильной работе схемы. Также, при выборе аналога следует учитывать наличие и доступность выбранной модели на рынке
Цоколевка транзистора КТ817Б
Обозначение транзистора КТ817Б на схемах
На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ817Б обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.
Характеристики транзистора КТ817Б
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 45 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 45 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 3000(6000) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(25) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 25-275
Обратный ток коллектора
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора
Таблица 4 – Электрические параметры транзисторов КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К, КТ361А, КТ361М, КТ361Н и КТ361П при приемке и поставке
| Наименование параметра (режим измерения), единица измерения |
Буквенное обозначение | Норма | Температура, °С | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Обратный ток коллектора (UКБ=10 В), мкА | ||||||||||||||||||
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (IЭ=1 мА, UКБ=10 В) | ||||||||||||||||||
| Обратный ток коллектор-эмиттер (RБЭ=10 кОм UКЭ=25 В), мА (RБЭ=10 кОм UКЭ=20 В), мА (RБЭ=10 кОм UКЭ=40 В), мА (RБЭ=10 кОм UКЭ=35 В), мА |
||||||||||||||||||
| Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (UКБ = 10 В, IЭ= 5 мА, f = 100 МГц) | ||||||||||||||||||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (IЭ= 5 мА, UКБ=10 В, f=5 МГц), пс |
В любом режиме, из указанных на рисунке 11, при конкретном применении максимальная ожидаемая интенсивность отказов может быть определена по следующей формуле:
где Jp – рабочий ток коллектора, мА;tн – наработка, часов, определенная по рисунку 11, при конкретной рассеиваемой мощности.