Транзистор 2sc5200: характеристики, datasheet и аналоги

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 2. Внешние характеристики транзистора. Зависимость тока коллектора I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных значениях тока базы (указаны на поле рисунка).

Характеристика для схемы с общим эмиттером.

Рис. 3. Передаточная характеристика транзистора. Зависимость тока коллектора I_C от напряжения база-эмиттер U_BE.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В при нескольких значениях температуры внешней среды.

Характеристика для схемы с общим эмиттером.

Рис. 4. Зависимость статического коэффициента усиления транзистора h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при нескольких значениях температуры внешней среды и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 5. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы I_C/I_B = 5 и при нескольких значениях температуры внешней среды.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер U_BE₍_sat₎ от величины коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 7. Графики изменений временных параметров t_on, t_s, t_f при изменении коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты (пояснения на поле рисунка) при резистивной нагрузке, напряжении питания U_CC = 200 В и соотношении токов: I_C = 5I_B₁ = -2,5I_B₂, (t_stg = t_s).

Рис. 8. Область безопасной работы транзистора для случая резистивной нагрузки, температуре корпуса T_c = 25°C. Ограничения:

— по току коллектора для постоянного тока — I_C (режим DC OPERATION), для однократного импульса — I_CP разных длительностей: ≤ 50 мкс, 100 мкс, 1 мс,10 мс;

— по напряжению U_CEO = 400 В;

— режим ограничений рассеиваемой мощности по условиям вторичного пробоя: S/B Limited (пояснения на поле рисунка).

Рис. 9. Расширенная область безопасной работы. Транзистор включен при обратном смещении и введены ограничения по напряжению коллектор-эмиттер U_CE₍_sus₎ = 500 В.

Характеристика снята при температуре корпуса T_c = 25°C. Величина постоянного тока смещения базы I_B₂ = -1,2 А. Величина индуктивности нагрузки L = 100 мкГн (пояснения на поле рисунка).

Рис. 10. Ограничения по величине рассеиваемой мощности, возникающие при увеличении температуры внешней среды T_a.

Нижняя характеристика снята при отсутствии охладителя транзистора (пояснение на поле рисунка — No heat sink).

Аналоги

Для замены C4106 могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, мезапланарные, предназначенные для использования в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.

Отечественное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C/I_CP	T_J	U_{CE (sat)}	U_{BE (sat)}	f_T	C_ob	h_FE	Корпус	Временные параметры: t_on/ t_stg/ t_f мкс
2SC4106	50	500	400	7	7 / 14	150	0,8	1,5	20	80	10…50	TO-220C	0,5 / 2,5 / 0,3
КТ840А	60	900	400	5	6 / 8	150	0,6	1,5	8…15	—	10…100	TO-3	0,2 / 3,5 / 0,6
КТ840Б	750	350	5	—
КТ840В	800	375	5	—
КТ841А	50	600	350	5	10 / 15	150	1,5	2,2	10…25	300	12…45	TO-3	0,08 / 0,8 / 0,5
КТ841Е	800	400
КТ841Д	500	400
КТ854А	60	600	500	5	10 / 15	150	2	—	10	—	20	TO-220AB	—
2Т856А	125	—	950	5	10 / 12	—	1,5	—	—	—	10…60	TO-3	— / — / 0,5
2Т856Б	—	750	—	—	—	—
2Т856В	—	550	—	—	—	—
2Т856Г	—	850	—	—	—	—
КТ858А	60	400	400	6	7 / 10	150	1	1,2	—	—	10	TO-220AB	— / 2,5 / 0,75
КТ859А	40	800	800	10	3 / 4	150	1,5	1,4	—	—	10	TO-220AB	0,35 / 3,5 / 0,35
КТ862В	50	600	400	5	10 / 15	150	1,5	1,6	20…30	250	12…50	TO-3	0,4 / 2 / 0,5
КТ868А	70	900	400	5	6 / 8	150	1,5	—	8	—	10…100	TO-3	—
КТ868Б	750	375	6 / 8	150	—	—	—
КТ8110	60	500	500	7	7 / 14	175	0,8	1,5	—	—	15…30	—	0,7 / 2,5 / 0,7

Зарубежное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C/I_CP	T_J	U_{CE (sat)}	U_{BE (sat)}	f_T	C_ob	h_FE	Корпус	Временные параметры: t_on/ t_stg/ t_f мкс
2SC4106	50	500	400	7	7 / 14	150	0,8	1,5	20	80	10…50	TO-220C	0,5 / 2,5 / 0,3
2SC3158	60	500	400	7	7	—	1	1,2	—	—	20	TO-220F	1 / 2,5 / 1
2SC4055	60	600	450	7	8	180	1	1,5	20	—	100	TO-220	0,5 / 2 / 0,2
2SC4105	40	500	400	7	4 / 8	150	0,8	1,5	20	50	10…50	TO-220C	0,5 / 2,5 / 0,3
2SC4107	60	500	400	7	10 / 20	150	0,8	1,5	20	120	10…50	TO-220C	0,5 / 2,5 / 0,3
2SC4108	100	500	400	7	12 / 25	150	0,8	1,5	20	160	10…50	TO-3PB	0,5 / 2,5 / 0,3
2SC4109	140	500	400	7	16 / 32	150	0,8	1,5	20	230	10…50	TO-3PN	0,5 / 2,5 / 0,3
3DK3039	50	500	400	7	7	175	1	1,5	—	—	25	TO-220 ٭	1 / — / 1
SGSD00020	70	650	400	—	8	175	—	—	—	—	1000	TO-220	—
SGSF341	85	850	400	—	10	175	—	—	—	—	—	TO-220	—
SGSF343	85	1000	450	—	8	175	—	—	—	—	—	TO-220	—
SGSF344	85	1200	600	7	7	175	1,5	1,5	—	—	—	TO-220	1,2 / 3,5 / 0,4
SM2175	60	—	400	—	15	200	—	—	20	—	200	TO-220	—
BUL128	70	700	400	9	4 / 8	150	1,5	1,3	—	—	10…40	TO-220	— / 3 / 0,4
BUL128B-D	70	700	400	9…18	4 / 8	150	1,5	1,3	—	—	10…32	TO-220	— / 0,6 / 0,1
BUL128DR7	75	700	400	9	4	150	0,8	1,2	7	—	10…40	TO-220	— / 4 / 0,8
BUL128DR8	75	700	400	9	4	150	0,8	1,2	7	—	10…40	TO-220F	— / 4 / 0,8
BUL128FP	31	700	400	9	4 / 8	150	1,5	1,3	—	—	10…45	TO-220FP	— / 2,9 / 0,4

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Datasheet26.com — поиск даташит, даташитов скачивание

Номер в каталоге
Особенности
Производители
PDF

12D-XXD05N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXD05N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXD09N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXD09N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD12N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXD12N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXD15N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXD15N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXS05N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXS05N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXS09N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXS09N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXS12N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXS12N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы
Описание
Фабрикантес
ПДФ

1SMA10AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA11AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA12AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA13AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA14AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA15AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA16AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA17AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA18AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA20AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA22AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA24AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA26AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA28AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

Datasheet Download — Unisonic Technologies

Номер произв

2SC3320

Описание

HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING

Производители

Unisonic Technologies

логотип

1Page

No Preview Available !

UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
2SC3320
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE HIGH SPEED
SWITCHING

 FEATURES

* High voltage, high speed switching
* High reliability

 ORDERING INFORMATION

Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
Package
2SC3320L-x-T3P-T
2SC3320L-x-T3P-T
TO-3P
2SC3320L-x-T3N-T
2SC3320L-x-T3N-T
TO-3PN
Note: Pin Assignment: B: Base C: Collector E: Emitter
Pin Assignment
123
BCE
BCE
Packing
Tube
Tube

 MARKING INFORMATION

PACKAGE
TO-3P
TO-3PN
MARKING
www.unisonic.com.tw
Copyright 2014 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 5
QW-R214-008.E

No Preview Available !

2SC3320
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C)

PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector Base Voltage
Collector Emitter Voltage
Emitter Base Voltage

VCBO

VCEO

VCEO(SUS)

VEBO

500
400
400
7
V
V
V
V
Collector Current
Base Current

IC 15 A

IB 5 A

Power Dissipation
Junction Temperature

PD 80 W

+150
°C
Storage Temperature

TSTG

-40 ~ +150
°C
Note 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

 THERMAL DATA

PARAMETER
Junction to Case
SYMBOL

θJC

RATINGS
1.55

 ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TC =25°C, Unless Otherwise Specified.)

UNIT
°C/W
PARAMETER
Collector Base Voltage
Collector Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Emitter Saturation Voltage
Base Emitter Saturation Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Switching Time
SYMBOL

VCBO

VCEO

VCEO(SUS)

VEBO

VCE (SAT)

VBE (SAT)

ICBO

IEBO

hFE

tON

tSTG

TEST CONDITIONS

ICBO=1mA

ICEO=10mA

IC=0.2A

IEBO=1mA

IC=6A, IB=1.2A

VCBO=500V

VEBO=7V

IC=6A, VCE=5V

IC=7.5A, IB1 =1.5A, IB2=-3A

RL=20Ω, PW=20μs, Duty ≤ 2%

MIN TYP MAX UNIT
500 V
400 V
400 V
7V
1V
1.5 V
1 mA
1 mA
10 45

0.5 μs

1.5 μs

0.15 μs

 CLASSIFICATION OF hFE

RANK
RANGE
A
10~15
B
15~20
C
20~25
D
25~30
E
30~35
F
35~45
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
2 of 5
QW-R214-008.E

No Preview Available !

2SC3320

 SWITCHING TIME TEST CIRCUIT

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
3 of 5
QW-R214-008.E

Всего страниц

5 Pages

Скачать PDF

Графические иллюстрации характеристик

Аналоги

Отечественное производство

Зарубежное производство

Datasheet26.com — поиск даташит, даташитов скачивание

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Datasheet Download — Unisonic Technologies

Похожие записи:

Похожие записи: