Хаpaктеристики
Транзистор КТ829 обладает следующими максимально допустимыми предельными эксплуатационными хаpaктеристиками:
- максимальное напряжение: коллектор-эмиттер до 120 В; коллектор-база до 120 В;
- постоянное напряжение между базой и эмиттером до 5 В;
- ток коллектора: постоянный до 8 А; импульсный до 12 А;
- рассеиваемая мощность коллектора до 60 Вт;
- статический коэффициент передачи тока (H21Э) — до 750;
- ток базы до 0,2 А;
- температура: перехода до +150 °C; окружающей среды от – 40 до + 85 °C.
Ниже приведены значения электрических параметров КТ829, при определенных условиях эксплуатации.
Серия КТ829 классифицируется по группам от «А» до «Г». Группа «Г» имеет худшие хаpaктеристиками во всей серии, а современный КТ829АТ лучшими. КТ829АТ представляет собой улучшенный вариант КТ829А. У него расширен температурный диапазон до военных рамок от -60 до +125°С, а статический коэффициент передачи тока H21Э. достигает аж 8000.
Значительно меньшая рассеиваемая мощностью на коллекторе (до 20 Вт) у КТ829А2 (ТО-252), отличает его от всей серии. У него так же снижен рабочий диапазон температур от -60 до +1оо °С, по сравнению с «АТ».
Электрические характеристики, при Та=25°C
| Обозн. | Параметр | Режим изм. | Мин. | Макс. | Ед. изм |
|---|---|---|---|---|---|
| Iкэr | Обратный ток коллектор-эмиттер | Uкэ = Uкэ max при Rэб =∞ | 10 | мA | |
| Iкэr | Обратный ток коллектор-эмиттер | Uкэ = Uкэ max при Rэб= 100 Ом | 10 | мА | |
| Iкбо | Обратный ток коллектор-база | Uкб = Uкб max | 0,15 | мA | |
| Iэбо | Обратный ток эмиттера | Uэб =15 В Uэб =5 В | мА | ||
| КТ837А — К | 0,3 | ||||
| КТ837 Л — Ф | 0,3 | ||||
| h21э | Стат. коэффициент передачи тока | Uкэ =5 B, Iк =2A | |||
| КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т | 10 | 40 | |||
| КТ837Б, М, Д, Р, И, У | 20 | 80 | |||
| КТ837В, Н, Е, С, К, Ф | 40 | 150 | |||
| Uкэ нас | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | В | |||
| КТ837А — В, Л — Н | Iк= 3 A, Iб= 0,37 A | 2,5 | |||
| КТ837Г — Е, П — С | Iк= 3 A, Iб= 0,37 A | 0,9 | |||
| КТ837Ж — К, Т — Ф | Iк= 2 А, Iб= 0,3 A | 0,5 | |||
| Uбэ нас | Напряжение насыщения база-эмиттер | Iк= 2 A, Iб=0,5 A | 1,5 | В |
Предельно допустимые значения
Не допускается работа транзистора с превышением одного или нескольких значений, указанных в таблице. Нарушение требования может повредить или нарушить функционирование активного радиоэлемента: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора.
Длительная работа транзистора в области предельно допустимых значений может привести к уменьшению срока эксплуатации элемента и скорейшему выходу его из строя.
Параметры таблицы действительны для температуры окружающей среды +25°C.
| Обозн. | Параметр | Знач. | Ед. изм |
|---|---|---|---|
| Uкб max | Постоянное напряжение коллектор-база | В | |
| КТ837А, Б, В, Л, М, Н | 80 | ||
| КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 60 | ||
| КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 45 | ||
| Uкэ max | Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=∞ Ом | ||
| КТ837А, Б, В, Л, М, Н | 60 | В | |
| КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 45 | ||
| КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 30 | ||
| Uкэ max | Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=100 Ом | ||
| КТ837А, Б, В, Л, М, Н | 70 | В | |
| КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 55 | ||
| КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 40 | ||
| Uэб max | Постоянное напряжение эмиттер-база | ||
| КТ837А — К | 15 | В | |
| КТ837Л — Ф | 5 | ||
| Iк max | Постоянный ток коллектора | 7.5 | А |
| Iб max | Максимально допустимый постоянный ток базы | 1 | А |
| Pк max | Пост. рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода | 1 | Вт |
| Pк max | Пост. рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом | 30 | Вт |
Схема подключения транзистора КТ837В
Транзистор КТ837В имеет трехэлементную структуру и выполняет функцию усиления сигнала. Для правильного подключения транзистора в схеме необходимо знать, какие выводы соответствуют определенным функциям.
Транзистор КТ837В имеет три вывода, обозначенные символами B, C и E. Вывод B обозначает базу, вывод C — коллектор, а вывод E — эмиттер. Схема подключения транзистора КТ837В зависит от его применения.
В случае использования транзистора КТ837В в усилительной схеме с общим эмиттером, база подключается к источнику сигнала через резистор, а эмиттер — к общей земле. Коллектор подключается к нагрузке через резистор.
В схеме с общим базисом, коллектор подключается к источнику питания через резистор, а база — к нагрузке через резистор. Эмиттер в этом случае подключается к общему эмиттеру или к общей земле.
Транзистор КТ837В также может быть использован в схеме с общим коллектором, при котором коллектор подключается к источнику питания, а база и эмиттер — к источнику сигнала.
Важно отметить, что при подключении транзистора КТ837В в схеме необходимо учитывать его максимальные рабочие параметры (ток коллектора, напряжение или мощность). Это поможет избежать повреждений транзистора и обеспечить правильную работу схемы
