Биполярный транзистор 2SC2705 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC2705
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора:
2SC2705
Datasheet (PDF)
..1. Size:125K toshiba 2sc2705.pdf
2SC2705 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC2705 Audio Frequency Amplifier Applications Unit: mm Small collector output capacitance: C = 1.8 pF (typ.) ob High transition frequency: fT = 200 MHz (typ.) Complementary to 2SA1145. Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 150 VCollector-em
..2. Size:200K inchange semiconductor 2sc2705.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2705DESCRIPTIONCollector-Emitter sustaining Voltage: V =150V(Min)CEOGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio Frequency Amplifier ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 150 VCBOV Coll
8.1. Size:173K toshiba 2sc2703.pdf
8.2. Size:216K lge 2sc2703 to-92mod.pdf
2SC2703 TO-92MOD Transistor (NPN)TO-92MOD1. EMITTER 1 22. COLLECTOR 3 3. BASE 5.8006.200Features 8.400 High DC Current Gain: hFE=100-320 8.8000.9001.1000.4000.60013.80014.200 1.500 TYP2.900Dimensions in inches and (millimeters)3.100MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.000 1.600Symbol Parameter 0.380 Value Units0.4004.7
8.3. Size:195K lge 2sc2703 to-92l.pdf
2SC2703 TO-92L Transistor (NPN)TO-92L1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 2 3 4.70015.100Features7.800 High DC Current Gain: hFE=100-320 8.2000.6000.800 0.3500.55013.80014.200Dimensions in inches and (millimeters)1.270 TYPMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 2.4402.640Symbol Parameter 0.000 Value Units1.6000.3000.350Collector-Ba
8.4. Size:189K inchange semiconductor 2sc2707.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2707DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 180V(Min.)(BR)CEOHigh Power DissipationComplement to Type 2SA1147Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power switching amplifier and generalpurpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY
8.5. Size:202K inchange semiconductor 2sc2706.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2706DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 140V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SA1146Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency low power amplifier applicationsRecommend for 70W audio frequency amplifier outputstage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RA
Другие транзисторы… 2SC270
, 2SC2700
, 2SC2701
, 2SC2702
, 2SC2703
, 2SC2703O
, 2SC2703Y
, 2SC2704
, , 2SC2705O
, 2SC2705Y
, 2SC2706
, 2SC2707
, 2SC271
, 2SC2710
, 2SC2710G
, 2SC2710O
.
Полевики с обособленным затвором
Эти устройства часто используются как полупроводниковые управляющиеся ключи. Как правило, они функционируют в режиме ключа. Есть 2 положения — включить и выключить 3 названия:
- МДП, что означает присутствие в устройстве диэлектрического материала, полупроводника и металла.
- МОП. В него входит окислительный элемент, полупроводник и металл.
- МОФСЕТ:metal-oxide-semiconductor.
Все перечисленное — только варианты одного и того же наименования. Окислительный, или диэлектрический элемент — это, по сути, изолятор затвора. Он находится между самим затвором и n-участком. Это пространство белого цвета, с точечками, состоящее из кремниевого диоксида.
Диэлектрик не допускает электрического контакта подложки и затворного электрода. Он функционирует не так, как p-n переход, по принципу расширения канального перекрытия и перехода. Устройство действует за счёт смены концентрации полупроводниковых переносчиков заряда под влиянием внешнего электрополя.
Есть 2 вида распространённых транзисторов МОП: с индукционным и встроенным каналами.
Со встроенным
Принцип действия такого прибора аналогичен полевому транзистору с управлением от p-n перехода при нулевом напряжении затвора. Ток при этом течёт через ключ.
Транзисторы с внутренним каналом
Возле истока и стока есть 2 области с большим количеством заряженных примесей, имеющих повышенную проводимость. Здесь подложкой является p-основание.
Кристалл соединяется с истоком, поэтому на большей части условных графиков он так и изображен. Когда напряжение на затворе повышается, в канале появляется поперечное электрополе, отталкивающее Электроны. Происходит закрытие канала, когда достигается порог Uзи.
Когда подается отрицательное напряжение затвора — истока, стоковая сила тока уменьшается. Транзистор закрывается. Это называется режимом обеднения. Если же подаётся напряжение со знаком «+», на затворе и истоке осуществляется обратное: за счет притягивания электронов возрастает сила тока. Это явление именуют режимом обогащения.
Все описанное подходит к транзисторам типа n, с внутренним каналом. В случае с p происходит замена электронов так называемыми дырками, и происходит изменение полярности напряжения на другой знак.
С индуктивным каналом
В таких транзисторах не протекает ток, если нет напряжения затвора. Если сказать точнее, ток очень небольшой, поскольку он является обратным от подложки — к высоко легированным элементам стока и истока.
Если напряжение есть, мы имеем дело с вариантом канала индукции, где под влиянием поля заряды со знаком «-» попадают на территорию затвора. Это означает появление электронного коридора между истоком и стоком. При появлении канала происходит открытие транзистора и протекание через него электричества.
Приведем пример практического применения высокого сопротивления выхода. Устройства с такими свойствами довольно популярны. Это согласующие приборы, которыми проводится подключение электроакустики — гитар с пьезозвукоснимающими приборами и электрических гитар с электромагнитными снимателями звука, к входам с маленькими сопротивлениями
От невысокого сопротивления может произойти просадка сигнала выхода. Его форма может меняться в разных пределах, согласно частоте сигнала. Это можно предотвратить введением каскада невысокого сопротивления входа. Таким способом удобно подключаются электрогитары к линейным входам компьютерных видеокарт. Это делает звук более ярким, а тембр — насыщенным.
Тепловые характеристики
Главный параметр, ограничивающий использование полевика — температура, необходимая для его нормальной работы, то есть, ее возрастание. Оно зависит от сопротивления прибора, когда сквозь него проходит электричество. Если оно небольшое, все равно присутствует небольшая рассеивающаяся мощность, что и вызывает нагрев.
Чтобы упростить расчеты, зависящие от нагревания IRF740, а в datasheet прописаны показатели его теплового сопротивления: от кристалла к корпусу и кристалл-внешняя среда.
Неверные вычисления тепловых характеристик для применения в проектах и неправильная пайка вызывают перегревание транзисторов. Как-то раз я читал радиолюбительский форум, и там один из участников говорил, что в сформированной им схеме пиратский металлоискатель слишком нагрет. Электронщик долго разбирался, и оказалось, что дело в некачественной пайке устройства на плату и снижение температуры.
2SC2705 Datasheet (PDF)
..1. Size:125K toshiba 2sc2705.pdf
2SC2705 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC2705 Audio Frequency Amplifier Applications Unit: mm Small collector output capacitance: C = 1.8 pF (typ.) ob High transition frequency: fT = 200 MHz (typ.) Complementary to 2SA1145. Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 150 VCollector-em
..2. Size:200K inchange semiconductor 2sc2705.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2705DESCRIPTIONCollector-Emitter sustaining Voltage: V =150V(Min)CEOGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio Frequency Amplifier ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 150 VCBOV Coll
8.1. Size:173K toshiba 2sc2703.pdf
8.2. Size:216K lge 2sc2703 to-92mod.pdf
2SC2703 TO-92MOD Transistor (NPN)TO-92MOD1. EMITTER 1 22. COLLECTOR 3 3. BASE 5.8006.200Features 8.400 High DC Current Gain: hFE=100-320 8.8000.9001.1000.4000.60013.80014.200 1.500 TYP2.900Dimensions in inches and (millimeters)3.100MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.000 1.600Symbol Parameter 0.380 Value Units0.4004.7
8.3. Size:195K lge 2sc2703 to-92l.pdf
2SC2703 TO-92L Transistor (NPN)TO-92L1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 2 3 4.70015.100Features7.800 High DC Current Gain: hFE=100-320 8.2000.6000.800 0.3500.55013.80014.200Dimensions in inches and (millimeters)1.270 TYPMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 2.4402.640Symbol Parameter 0.000 Value Units1.6000.3000.350Collector-Ba
8.4. Size:189K inchange semiconductor 2sc2707.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2707DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 180V(Min.)(BR)CEOHigh Power DissipationComplement to Type 2SA1147Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power switching amplifier and generalpurpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY
8.5. Size:202K inchange semiconductor 2sc2706.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2706DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 140V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SA1146Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency low power amplifier applicationsRecommend for 70W audio frequency amplifier outputstage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RA
Модификации и маркировка транзистора S8050
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус | Маркировка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 | — |
| GS8050T | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 45 | TO-92 | — |
| GSTSS8050 | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 85 | TO-92 | — |
| MPS8050 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | 9 | 85 | TO-92 | — |
| S8050A/B/C/D/G | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8/0,5 | 150 | 100/150 | 9 | 85…300 | TO-92 | — |
| S8050T | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,5 | 150 | 150 | — | 85 | TO-92 | — |
| SPS8050 | 0,625 | 15 | 12 | 6,5 | 1,5 | 150 | 260 | 5 | 200 | TO-92 | — |
| SS8050/C/D/G | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 85…400 | TO-92 | — |
| SS8050T | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 85 | TO-92 | — |
| STS8050 | 0,625 | 30 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 120 | 19 | 85 | TO-92 | — |
| Транзисторы исполнения SMD и их маркировка | |||||||||||
| MMSS8050W-H/J/L | 0,2 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | 15 | 120…400 | SOT-323 | Y1 |
| S8050W | 0,25 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | SOT-323 | Y1 |
| SS8050W | 0,2 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 120 | SOT-323 | Y1 |
| GSTSS8050LT1 | 0,225 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 100 | SOT-23 | 1HA |
| MMSS8050-L/H | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120…350 | SOT-23 | Y1 |
| MPS8050S | 0,35 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | — | 85 | SOT-23 | — |
| MPS8050SC | 0,35 | 40 | 25 | 5 | 1,2 | 150 | 150 | — | 85…300 | SOT-23 | — |
| MS8050-H/L | 0,2 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 150 | — | 80…300 | SOT-23 | Y11 |
| S8050 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 | — |
| S8050M-/B/C/D | 0,45 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85…300 | SOT-23 | HY3B/C/D |
| SS8050LT1 | 0,225 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 | KEY |
| KST8050D | 0,25 | 50 | 50 | 6 | 1,2 | 150 | 100 | — | 100…320 | SOT-23 | Y1C, Y1D |
| KST8050M | 0,3 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 150 | — | 40…400 | SOT-23 | Y11 |
| KST8050X | 0,3 | 40 | 20 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | 20 | 40…350 | SOT-23 | Y1+ |
| KST9013 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 200…400 | SOT-23 | J3 |
| KST9013C | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 40…200 | SOT-23 | J3Y |
| S8050LT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 | J3Y |
| MMS8050-L/H | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 50…350 | SOT-23 | J3Y |
| DMBT8050 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | 100 | — | 120 | SOT-23 | J3Y |
| KST8050S | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 50…400 | SOT-23 | J3Y |
| KTD1304S | 0,2 | 25 | 20 | 12 | 0,3 | 150 | 50 | 10 | 20…800 | SOT-23 | J3Y |
| KTD1304 | 0,2 | 25 | 20 | 12 | 0,3 | 150 | 60 | — | 20…1000 | SOT-23 | J3Y или MAX |
Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра hFE.
Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».
Рабочие режимы IRF740
Uзи (напряжение) бывает или нулевым, или обратным. Второе помогает прикрыть транзистор, поэтому и применяется внутри усилителей группы А и иных схемах с плавным регулированием.
В так называемом режиме отсечки Uзи=Uотсечки. Тогда для всех приборов оно разное, хоть и прилагается в обратную сторону.
Типы подключений
По аналогии с биполярниками, у рассматриваемого устройства есть 3 варианта подключения:
- С одним истоком. Самая распространенная схема, усиливает ток и мощность.
- С одним затвором. Непопулярный вариант. Небольшое напряжение входа, усиление отсутствует.
- С одним стоком. Напряжение усиливается почти на 100%, сильное сопротивление входа, маленькое — выхода. По-другому схема называется токовым повторителем.
Биполярный транзистор 2N5087 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5087
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 135
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
Корпус транзистора:
2N5087
Datasheet (PDF)
..1. Size:434K motorola 2n5086 2n5087.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5086/DAmplifier Transistors2N5086PNP Silicon*2N5087*Motorola Preferred DeviceCOLLECTOR32BASE1EMITTER 123
..2. Size:49K philips 2n5087 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1862N5087PNP general purpose transistorProduct specification 1997 Jul 02Supersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor 2N5087FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1
..3. Size:100K fairchild semi 2n5086 2n5087 mmbt5087.pdf
2N5086/2N5087/MMBT5087PNP General Purpose Amplifier3 This device is designed for low level, high gain, low noise general purpose amplifier applications at collector currents to 50mA.2SOT-23TO-92 1Mark: 2Q11. Emitter 2. Base 3. Collector 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collect
..4. Size:60K central 2n5086 2n5087.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
..5. Size:1285K sprague 2n4265 2n4400 2n4401 2n4402 2n4403 2n4409 2n4410 2n4424 2n4425 2n4951 2n4952 2n4953 2n4954 2n5087 2n5088 2n5089.pdf
0.1. Size:300K motorola 2n5087rev0.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5087/DAmplifier TransistorPNP Silicon2N5087COLLECTOR3Motorola Preferred Device2BASE1EMITTER123MAXIMUM RAT
0.2. Size:155K onsemi 2n5087-d.pdf
2N5087Preferred Device Amplifier TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com3 COLLECTORMAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 Vdc1 EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current — Continuous IC 50 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 2
0.3. Size:156K onsemi 2n5087g.pdf
2N5087Preferred Device Amplifier TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com3 COLLECTORMAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 Vdc1 EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current — Continuous IC 50 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 2
0.4. Size:156K onsemi 2n5087rlrag.pdf
2N5087Preferred Device Amplifier TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com3 COLLECTORMAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 Vdc1 EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current — Continuous IC 50 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 2
0.5. Size:49K hsmc h2n5087.pdf
Spec. No. : HE6210HI-SINCERITYIssued Date : 1998.02.01Revised Date : 2005.01.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N5087PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThis device was designed for low noise,high gain,general purpose amplifierapplications for 1uA to 25mA collector current.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature ………..
Другие транзисторы… 2N508
, 2N5080
, 2N5081
, 2N5082
, 2N5083
, 2N5084
, 2N5085
, 2N5086
, 2N3773
, 2N5088
, 2N5089
, 2N508A
, 2N509
, 2N5090
, 2N5091
, 2N5092
, 2N5093
.
Как проверить устройство с помощью мультиметра
Основная часть полевиков проверяется с помощью стандартного мультиметра. Первым делом нужно проверить, как работает так называемый диод-паразит, соединяющий выводы истока и стока. Далее — проверьте как мофсет открывают и закрывают одновременным быстрым прикосновением щупов оборудования к контактам G и S.
Если такая подача положительного заряда на первый вывод открывает транзистора, а между первым и вторым возникает короткое замыкание, значит, устройство находится в рабочем состоянии. При проблемах с его открытием, он нерабочий.
Но чтобы провести полноценную проверку мофсета, не достаточно одного мультиметра. Чтобы его открыть, на затворе должно быть напряжение максимум 4-5 В, а мультиметр выдает всего лишь 0,3. Так что, для проверки нужен запас источников питания, к примеру, стандартная крона.
Если быстро коснуться с помощью “минусовой” клеммы этой кроны контакта И, или “плюсово” — G, открывается транзистора. При этих условиях ток движется в 2 направлениях, можно сказать об исправности транзистора. До проверки на степени закрытия и открытия, проверьте, исправен ли паразитный диод. Взгляните на схему.
Достоинства и недостатки
Основной плюс всех ролевиков — высокий уровень входного сопротивления. Сопротивлением выхода называется соотношение силы тока с напряжением затвора-истока.
Суть работы прибора состоит в том, что им управляет электрическое поле, образующееся, когда прикладывается напряжение. Иными словами, полевиками управляет напряжение.
Полевики почти не тратят электричество, что уменьшает потери управления, изменение сигналов, перегруженность по току, исходящему от сигнального источника.
Средние показатели частоты полевиков намного превосходят биполярники. Это вызвано тем, что рассасывание заряда происходит быстрее. Ряд современных биполярников по основным характеристикам не уступают полевикам, за счет использования современных усовершенствованных технологий и сужения базы.
Транзисторы почти бесшумны. Дело в том, что в них практически нет инжекции заряда.
Устройство стабильно работает при температурных перепадах. Оно потребляет невысокую мощность состоянии проводника, что увеличивает КПД.
Основной минус — в том, что у таких транзисторов есть своего рода боязнь статики. То есть, если наэлектризовать руки и притронуться к прибору, он перестанет работать. Это называется результатом управления ключом посредством поля.
Поэтому для работы с транзисторами необходимы перчатки из диэлектрических материалов. Мало того, они должны заземляться с помощью специального браслета, с помощью паяльника с низким напряжением, у которого изолировано жало.
Транзисторные выводы нужно обмотать проволокой. Это приведёт к временному короткому замыканию при монтаже. Для современных приборов это почти безопасно, так как в них входят элементы для защиты, например, стабилитроны. Их задача — сработать при возрастании напряжения.
Бывают случаи, когда радиоэлектроники излишне опасаются, поэтому надевают на голову шапки, изготовленные из фольги. Инструкцию, конечно, нужно соблюдать, но это не говорит о том, что при минимальном отклонении от нее сразу сломается прибор.
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.
Производство российское и белорусское
| Модель | PC Ta = 25°C | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| КТ6111 А/Б/В/Г | 1 | 40 | 25 | 6 | 0,1 | 150 | 100 | 1,7 | 45…630 | TO-92 |
| КТ6114 А/Б/В | 0,45 | 50 | 45 | 5 | 0,1 | 150 | 150 | 3,5 | 60…1000 | TO-92 |
| КТ968 В | 4 | 300 | 200 | 5 | 0,1 | 150 | 90 | 2,8 | 35…220 | TO-39 |
Зарубежное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| 3DG8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| BC517S | 0,625 | 40 | 30 | 10 | 1 | 150 | 200 | — | 33000 | TO-92 |
| BTN8050A3 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 100 | 6 | 160 | TO-92 |
| BTN8050BA3 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 100 | — | 160 | TO-92 |
| CX908B/C/D | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1 | 150 | 100 | — | 120…260 | TO-92 |
| KTC3203 | 0,625 | — | 30 | — | 0,8 | 150 | 190 | — | 100 | TO-92 |
| KTC3211 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | 9 | 85 | TO-92 |
| KTS8050 | 0,625 | — | 25 | — | 0,8 | 175 | — | — | 100 | TO-92 |
| M8050-C/D | 0,625 | 40 | 25 | 6 | — | 150 | 150 | — | 120…160 | TO-92 |
| S8050 | 0,3 | 409 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| 8050HQLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | — | — | 150 | SOT-23 |
| 8050QLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | — | — | 150 | SOT-23 |
| 8050SLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| CHT9013GP | 0,3 | 45 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| F8050HPLG | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| KTC9013SC | 0,35 | 40 | 30 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| MMBT8050D | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| MMS9013-H/L | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| NSS40201L | 0,54 | 40 | 25 | — | 4 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| NSS40201LT1G | 0,54 | 40 | 40 | 6 | 2 | — | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| NSV40201LT1G | 0,54 | 40 | 40 | 6 | 2 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| PBSS4140T | 0,3 | 40 | 40 | 5 | 1 | 150 | 150 | — | 300 | SOT-23 |
| S9013 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| ZXTN2040F | 0,35 | — | 40 | — | 1 | — | 150 | — | 300 | SOT-23 |
| ZXTN25040DFL | 0,35 | — | 40 | — | 1,5 | — | 190 | — | 300 | SOT-23 |
| ZXTN649F | 0,5 | — | 25 | — | 3 | — | — | — | 200 | SOT-23 |
Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.