Номинальные параметры и особенности транзистора КТ8101
Максимально допустимое значение входного тока, обозначенное как Iнн, составляет 10 мА. То есть, ток входящий в базу транзистора не должен превышать этой величины, чтобы избежать повреждения устройства.
Максимальное значение напряжения коллектора, обозначенное Vнк, составляет 60 В, в то время как максимальное напряжение эмиттера, обозначенное Vнэ, составляет 5 В. Эти значения важны для поддержания надежной работы транзистора и предотвращения его выхода из строя.
Транзистор КТ8101 также характеризуется значением коэффициента усиления тока, обозначенного как h21e или hfe. Этот коэффициент показывает, во сколько раз ток коллектора усиливается относительно тока базы. Для транзистора КТ8101 этот коэффициент составляет в среднем 25.
Различные области применения транзистора КТ8101
Аудиоусилители и усилители мощности. Транзистор КТ8101 обладает высоким коэффициентом усиления и может быть использован в аудиоусилителях и усилителях мощности для усиления сигнала до требуемого уровня.
Импульсные источники питания. Транзистор КТ8101 обладает высокими коммутационными характеристиками, что делает его идеальным для использования в импульсных источниках питания. Он способен обрабатывать большие токи и переключаться быстрее, что позволяет эффективно преобразовывать электрическую энергию.
Регуляторы напряжения и стабилизаторы. Транзистор КТ8101 может быть использован в регуляторах напряжения и стабилизаторах для поддержания постоянного напряжения на выходе. Он обеспечивает точное регулирование и стабильную работу электронных устройств.
Телекоммуникационное оборудование. Транзистор КТ8101 применяется в телекоммуникационном оборудовании, таком как радиопередатчики и радиоприемники. Его высокая частотная характеристика позволяет передавать и принимать сигналы на высоких частотах с минимальными потерями.
Источники света и дисплеи. Транзистор КТ8101 используется в источниках света и дисплеях, таких как светодиоды и лазеры. Он обеспечивает управление электрическим током, что позволяет контролировать яркость света или цветность дисплея.
Транзистор КТ8101 является многоцелевым элементом, который находит применение в различных областях электроники. Его высокие характеристики и надежность делают его особенно ценным для разработки и производства различных электронных устройств.
Модификации и группы транзистора D1047
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE ٭ | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1047 | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 60 | TO-247 |
| 2SD1047 (D, E) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 20…200 | TO-3PN |
| 2SD1047 C | 120 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 140 | 35…200 | TO-3PB |
| 2SD1047 P | 120 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 20…200 | TO-3PB |
| CSD1047 F (O, Y) | 90 | 160 | 160 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 20…200 | TO-3P |
| KSD1047 (O, Y) | 80 | 160 | 140 | 6 | 8 | 150 | 15 | 210 | 20…200 | TO-3P |
| KTD1047 (O, Y) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 20…200 | TO-3P(N) |
| KTD1047 B (O, Y) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 20…200 | TO-3P(N)-E |
| PMD1047 (D, E) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 20…200 | TO-3PI |
٭ — производителями почти во всех модификациях выделяются группы (O, Y) или (D, E) по поддиапазонам величин hFE.
| Обозначение транзистора в группе | 2SD1047 O | 2SD1047 Y | 2SD1047 D | 2SD1047 E |
|---|---|---|---|---|
| Диапазон величины hFE | 60…120 | 100…200 | 60…120 | 100…200 |
Характеристики
К основным и важным параметрам биполярного транзистора 2SD5072 относятся следующие показатели:
- Сила коллекторного тока (IC), которая на порядок превышает ток базы (IB) и является основным параметром – коэффициентом усиления по току. Определить этот параметр можно при соблюдении двух условий. Во-первых, при работе транзистора нагрузка на коллекторе должна отсутствовать. Во – вторых, должно присутствовать постоянное напряжение на коллекторе и эмиттере. Такое соотношение Iко / Iбаз дает нужный показатель. При уменьшении IКО снижается значение коэффициента.
- Входное сопротивление вычисляется путём соотношения Uбэ (напряжение база — эмиттер) к Iбаз (тока базы).
- Коэффициент усиления по напряжению – соотношение величин входного и выходного напряжений (по каналу база – эмиттер). При настройке работы транзистора нужно помнить, что управляющие базовые напряжения отличаются друг от друга по коэффициенту усиления.
- Граничная частота коэффициента передачи тока этот параметр важен, так как при увеличении частоты величина коэффициента усиления значительно уменьшается.
Кроме выше перечисленных существует ещё целый ряд параметров, влияющих на окончательное решение при выборе транзистора для конкретной схемы.
Максимально допустимые параметры
- Напряжение на эмиттер-база (UEBO) – 6V
- Напряжение на база-коллектор (UCBO ) – 1500V
- Макс. напряжение на эмиттер- коллектор (UCEO) – 800V
- Постоянный ток коллектора (ICO) – 5A
- Импульсный ток коллектора (ICM) – 16A
- Макс. допустимая температура кристалла (TJ) – 150 C
- Диапазон температур при эксплуатации (TSTG) – от -55 до 150 C
- Мощность рассеивания на коллекторе (PC) – 60W
Электрические параметры транзистора
|
Параметр |
Обозначение |
Тип измерения |
Допустимое отклонение |
| Напряжение насыщения коллектор — эмиттер | UCE (SAT) | IC = 4A, IB = 0,8A |
± 5,0 V |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | UBE (SAT) | IC = 4A, IB = 0,8A | ± 1,5 V |
| Ток отключения коллектора | ICBO | UCB=800V,IE=0 | ± 10 µA |
| Ток отключения эмиттера | IEBO | UEB=800V, IC=0 | от 40 до 200 mA |
| Коэффициент усиления по постоянному току | hFE | UCE=5V, IC=1A | ± 8 |
| Прямое падение напряжения на защитном диоде | UECF | IF=5A | ± 2,0 V |
| Частота перехода | fT | UCE=10V, IC=1A | = 3 MHz |
| Время спада | TF | IC = 1A,IB1=0,8A, IB2=1,6A,RL=50Ω, UCC=200V | ± 0,4 µS |
Применение КТ8101
Главным областями применения КТ8101 являются электроника и электротехника. Он может быть использован в качестве ключевого элемента в усилительных схемах, генераторах, стабилизаторах напряжения и схемах коммутации. Благодаря низкому уровню шума, высокой надежности и доступной цене, транзистор КТ8101 является популярным выбором для различных приложений.
КТ8101 также находит применение в микроконтроллерах, силовых блоках, источниках питания и других электронных устройствах. Он может использоваться как ключ для управления другими электронными компонентами, а также в качестве усилителя сигнала.
Транзистор КТ8101 обладает хорошими электрическими характеристиками, такими как высокий коэффициент усиления по току и напряжению, малый уровень выходной емкости и низким уровнем шума. Это позволяет использовать его в различных электронных схемах с высокими требованиями к точности и качеству сигнала.
КТ8101 имеет возможность работать в широком диапазоне рабочих температур и выдерживать высокие токи и напряжения. Благодаря этим характеристикам, транзистор КТ8101 подходит для работы в экстремальных условиях и может применяться в различных отраслях промышленности.
КТ8101: описание
Данный транзистор имеет три вывода — базу (B), эмиттер (E) и коллектор (C). Он изготавливается в металл-полупроводниковой технологии.
Особенностью КТ8101 является его низкое сопротивление выхода, что обеспечивает максимальную передачу мощности. Также он обладает высокой линейностью и низким уровнем искажений.
КТ8101 имеет следующие характеристики:
- Максимальное напряжение коллектора: 30 В;
- Максимальный ток коллектора: 0,5 А;
- Максимальная мощность потери в базисе: 500 мВт;
- Коэффициент усиления по току: 40-160;
- Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С.
Транзистор КТ8101 широко применяется в радиоэлектронике, в том числе в устройствах усиления аудиосигналов, источниках питания, радиоприемниках, телевизорах и других устройствах электроники.
