Транзисторы КТ814 и им подобные
Компания «Ярославский завод вторичных драгоценных металлов» скупает транзисторы КТ814 и им подобные, а так же, другие радиодетали по высоким ценам.
КТ814 — кремниевый транзистор, p-n-p. Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ814 структуры p-n-p выпускаются в двух корпусах, привычном пластиковом КТ-27 (ТО-126) габариты и цоколевка. И в корпусе КТ-89 (DPAK) с маркировкой КТ814А9, Б9, В9, Г9. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах усилителей, источников питания радиоэлектронной аппаратуры отечественного производства.
Предельно допустимые параметры КТ 814А-Г
| Граничная частота коэффициента передачи тока Fгр, МГц | до 3 |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Uкэо, В |
|
| Коэффициент передачи тока h31э |
|
| Максимальный постоянный ток коллектора Iкmax, А | 1,5 |
| Максимальный импульсный ток коллектора Iкmax(и), А | 3 |
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора (с теплоотводом) Pкmax, Вт | 1 (10) |
Сходным отечественным транзистором является КТ816, выполненный в аналогичном корпусе и отличающийся в двое большим током коллектора. Комплементарной парой для транзистора КТ814 служит транзистор КТ815.
Возможные аналоги импортных транзисторов для замены КТ814,- BD136, BD138, BD140.
Содержание драгметаллов в КТ814
| КТ814А-Г |
Золото |
| КТ814А | 3,30 |
| КТ814Б | 3,30 |
| КТ814В | 4,22 |
| КТ814Г | 3,38 |
kt814 технические данные и примечания к применению
IRF9634
Аннотация: MJE13001 KT538A KT8296 KT829 KT940A kt8290 MJE13001 KT8270A KT827 Текст: Дискретные полупроводники Транзисторы · биполярных транзисторах Часть KT6136A KT6137A 607-4 607-4 646 646 646 KT660A KT660 805 805 805 805 KT814A KT814 KT814 KT814B KT815A KT815 KT815 KT815B KT816A KT816 KT816B KT816 KT817A KT817 KT817B KT817 81261 81261 8164 8164 81701 81701 8176 8176 8176 70 Совместимость по штырькам к контакту (продолжение) C VCB VCE VEB Полярность max, max, max, max, WVVV IC max, мкс. 100.300
Оригинал
PDF
KT6136A
KT6137A
KT660A
KT660
KT814A
KT814
KT814B
KT815A
KT815
IRF9634
MJE13001
KT538A
KT8296
KT829
KT940A
kt8290
MJE-13001
KT8270A
KT827
KT805M
Аннотация: KT805BM KT872A KT837 KT837K KT805 KT818 KT837B KT837A KT610A Текст: TIP2955 81261 81261 KT814A KT814 KT814B KT814 KT815A KT815 KT815B K815 K815 KT1515
Оригинал
PDF
KSC1623
3102M
KT805M
kt805bm
KT872A
KT837
KT837K
KT805
KT818
KT837B
KT837A
KT610A
2010 — IL311ANM
Аннотация: tda8362b ILa1519B1Q iff4n60 IN1307N tda8890 IL311AN IL91214AN MC74HC123AN IL258D Текст: текст файла недоступен
Оригинал
PDF
OCR Scan
PDF
MOKP51KOB,
KTC631
TI2023
II2033
TT213
TI216
fI217
II302
XI306
n306A
2T931A
KT853
2T926A
KT838A
2T803A
2T809A
2T904A
2T808A
2T603
2T921A
C520D
Аннотация: rft lautsprecher vqe23 1PP75 U706D Halbleiterinformation Radio Fernsehen Elektronik MAA725 Транзистор DDR U311D Текст: Текст файла недоступен
OCR Scan
PDF
OCR Scan
PDF
Т-0574D.
30Eiaa
Coi03nojiH
2T908A
2T602
1HT251
KT604
2T907A
KT920A
2t903
PO6 115,05
KT117
1T813
t110 94v 0
Аннотация: PTC SY 16P 2N2955T Philips, диод PH 37m 35K0 trimble R8, модель 2 2sc497 2SA749 2n6259 ssi 2N4948 NJS Текст: Текст файла недоступен
OCR Scan
PDF
Барселона-28,
S-171
СН-5400
t110 94v 0
PTC SY 16P
2N2955T
Филипп диодный PH 37м
35K0
Trimble R8 модель 2
2sc497
2SA749
2n6259 фунтов на квадратный дюйм
2N4948 NJS
KT805AM
Резюме: KT805 KT610A KT837B BD140 NPN KT872A KT837K KT315B КТ315 KT818 Текст: KT660A KT660Á 2T672A-2 KT805AM KT805ÁM KT805BM KT805ÈM ÊÒ8126À ÊÒ8126Á KT814A KT814Á KT814B KT814Ã KT815A KT815Á KT815B KT815Ã KT816A KT816Á KT816B KT816Ã ÊÒ8164À ÊÒ8164Á KT817A KT817Á
Оригинал
PDF
KT3126A
KT3126Á
KT3127A
KT3128A
KT3128A1
KT3128
KT3129A9
KT3129
KT3129B9
KT805AM
KT805
KT610A
KT837B
BD140 NPN
KT872A
KT837K
KT315B
КТ315
KT818
2010 — 2N5161
Резюме: KT814a B0136 35N15 NS02 KT814B B0826 Текст: 2SB511 2SA779K 2N5161 2SA886 2SA886 2SA963 2SA624 2N3762 MJE710 KT814A MPSU52 MPSU52 MPSU52 2SB968 2SB524, B0826 B0136-10 B0370A16 NS0203 2N3661 NB322K NB322M MM3726 MM3726 MM3726 KT814B ~~ ~ г ~: ~: г
Оригинал
PDF
2SA1486
TRSP6006
2SA1413Z
TRSP7006
TRSP8006
2SBl141
2SA1438
2SA1562
MH0821
2N5161
KT814a
B0136
35N15
NS02
KT814B
B0826
KC156A
Аннотация: ky202e K174XA2 KT809A KT805A KT610B KT808a KP350A KT904 KC133A Текст: Текст файла недоступен
OCR Scan
PDF
XapfaKOB-57,
KC156A
ky202e
K174XA2
KT809A
KT805A
KT610B
KT808a
KP350A
KT904
KC133A
814
(, п-н-п)
| Т = 25С | R — , C / | ||||||||||||||||||||
| Т = 25С | |||||||||||||||||||||
| I , макс. , | I , макс. , | U , | U 0 макс , | U 0 макс , | P макс , | Т , С | Т макс , С | Т макс , С | ч 21 | U , | I , | U , | I , | ф , | , | С , | С , | т , | т , | ||
| 814 | 1,5 | 3 | 25 | 5 | 10 | 25 | 125 | 100 | 40 | 2 | 0,15 | 0,6 | 0,05 | 3 | 60 | 75 | 10 | ||||
| 814 | 1,5 | 3 | 40 | 5 | 10 | 25 | 125 | 100 | 40 | 2 | 0,15 | 0,6 | 0,05 | 3 | 60 | 75 | 10 | ||||
| 814 | 1,5 | 3 | 60 | 5 | 10 | 25 | 125 | 100 | 40 | 2 | 0,15 | 0,6 | 0,05 | 3 | 60 | 75 | 10 | ||||
| 814 | 1,5 | 3 | 80 | 5 | 10 | 25 | 125 | 100 | 30 | 2 | 0,15 | 0,6 | 0,05 | 3 | 60 | 75 | 10 |
WWW.5v.ru
Аналоги
Выбор аналога для КТ825Г зависит от схемы в которой он используется. В любом случае полной его копии не существует и прототип BDX88 уже не производится. При этом, для большинства ситуаций подходят такие импортные транзисторы: 2N6052, MJ11013, MJ11015, 2N5884
Для его замены в выходных каскадах усилителей, в первую очередь стоит обратить внимание на российский 2Т825А или на эквивалентную конструкцию их двух биполярников КТ814Г и КТ818В
Часто, для ремонта или модернизации популярного УНЧ Солнцева (Квод-405) вместо КТ825Г применяют зарубежные дарлингтоны: MJ11015, TIP147, BDV64B. При таком подходе в данном усилителе также рекомендуют поменять его комплементарник КТ827А и тоже на импортные аналоги. Соответственно подойдут: MJ11016, TIP142, BDV65B. Стоит учитывать, что коллекторный ток у двух последних значительно меньше (до 10 А), чем у рассматриваемого. Но при этом считается, что качество звука в этом случае будет на много лучше.
Бывают и другие случаи, когда вместо дорогого импортного транзистора дарлингтона довольно успешно применяют наш КТ825Г. Например, его нередко используют для замены мощных Т1829-1 и FW26025A1, которые установлены для регулировки напряжением на вентиляторах в автомобильных блоках управления отоплением Valeo 833817E.
Цоколевка
Распиновка у серии КТ825 (он же 2Т825) представлена на рисунке. В первую очередь она зависит от корпусного исполнения устройства. В настоящее время этот транзистор производятся в двух типах корпусов: металлическом со стеклянными изоляторами КТ-9 (ГОСТ 18472-88) и пластиковом ТО-220.
Оба корпуса имеют три жестких вывода со следующим назначением: эмиттер (Э), база (Б), коллектор (К). Конструктивно контакт «К» в таком исполнении физически соединен с металлической частью, которой транзистор крепится на радиатор.
Существуют и бескорпусные версии этого транзистора. Они выпускаются в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для монтажа внутри гибридных интегральных микросхем. Масса кристалла без герметичной упаковки и выводов не превышает 0,025 гр. Такие устройства представлены у производителей с маркировкой на этикетке — 2Т825A-5.
Транзисторы КТ814
Т ранзисторы КТ814 – кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры – p-n-p. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами. Масса – около 0,7 г. Маркировка буквенно – цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.
Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная – в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ814 цифра 4, второй знак – буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже – цоколевка и маркировка КТ814.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ814А, КТ814Б, КТ814В – от 40 У транзисторов КТ814Г – 30
Граничная частота передачи тока. – 3МГц.
Максимальное напряжение коллектор – эмиттер. У транзисторов КТ814А – 25 в. У транзисторов КТ814Б – 40 в. У транзисторов КТ814В – 60 в. У транзисторов КТ814Г – 80 в.
Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ814 – 1,5 А.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А – 0,6 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А – 1,2 в.
Рассеиваемая мощность коллектора. – 10 Вт(с радиатором).
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 40в и температуре окружающей среды не превышающей +25 по Цельсию не более – 50 мкА.
Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5в при частоте 465 КГц не более – 75 пФ.
Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-эмиттер 5в при частоте 465 КГц не более – 60 пФ.
Транзистор комплементарный КТ814 – КТ815.
Транзисторы КТ827
Транзисторы КТ827 – кремниевые, мощные, низкочастотные,составные(схема Дарлингтона) структуры – n-p-n. Корпус металло-стекляный(ТО-3). Применяются в усилительных и генераторных схемах.
Внешний вид и расположение выводов на рисунке:
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока – У транзисторов КТ827А – от 500 до 18000. У транзисторов КТ827Б, КТ827В – от 750 до 18000.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: У транзисторов КТ827А – 100в. У транзисторов КТ827Б – 80в. У транзисторов КТ827В – 60в.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 10А и базовом 40мА до 2-х в, при типовом значении – 1,75в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 10 А и базовом 200мА до – 4-х в, при типовом значении – 3 в.
Максимальный ток коллектора – 20 А.
Рассеиваемая мощность коллектора – 125 Вт(с радиатором).
Граничная частота передачи тока – 4МГц.
Обратный ток коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 1кОм и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более – 3 мА.
Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в не более – 2 мА.
Емкость эмиттерного перехода при напряжении база-эмиттер 5в – не более 350 пФ.
Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10в не более – 400 пФ.
Транзистор комплементарный КТ827 – КТ825.
Проверка работоспособности КТ315
Иногда КТ315 может быть нерабочим из-за пробитого или закороченного перехода, поэтому перед использованием стоит проверить его np-переходы мультиметром. Отрицательный щуп прикрепляется к базе, а положительный — на выбор (коллектор или эмиттер). Если диоды исправны, то их значения должны быть не близки нулю, а также отсутствие пищания мультиметра.
Проверка работоспособности КТ361
Поскольку эти транзисторы часто применяются вместе, то исправность КТ361 тоже нужно узнать
Очень важно запомнить, что КТ361 противоположен 315, из-за чего работа должна совершаться наоборот. Здесь отрицательный щуп прикрепляется к коллектору (или эмиттеру), а положительный — к базе
Показатели должны быть не близки к нулю, мультиметр не должен сигнализировать (как и в предыдущем разделе).
Технические характеристики транзистора КТ814
КТ814 – биполярные транзисторы p-n-p большой мощности (Pк max > 1,5 Вт) низкой частоты (Fгр ≤ 3 МГц). Применяются в линейных и ключевых схемах, узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Предельные параметры КТ814
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IK max):
КТ814А, Б, В, Г — 1,5 А
Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IK, и max):
КТ814А, Б, В, Г — 3 А
Граничное напряжение (UKЭ0 гр):
- КТ814А — 25 В
- КТ814Б — 40 В
- КТ814В — 60 В
- КТ814Г — 80 В
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max):
КТ814А, Б, В, Г — 5 В
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PK max) при температуре корпуса 25° C:
КТ814А, Б, В, Г — 10 Вт
Максимально допустимая температура перехода (Тп max):
КТ814А, Б, В, Г — 125° C
Значения параметров КТ814 при Тперехода=25 o С
Статический коэффициент передачи тока (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (UКБ) 2 В, при постоянном токе эмиттера (IЭ) 0,15 А:
- КТ814А, Б, В — 40
- КТ814Г — 30
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)
КТ814А, Б, В, Г — 0,6 В
Обратный ток коллектоpа (IКБО)
КТ814А, Б, В, Г — 0,05 мА
Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)
КТ814А, Б, В, Г — 3 МГц
Емкость коллектоpного перехода (CК)
КТ814А, Б, В, Г — 60 пф
Емкость эмиттеpного перехода (CЭ)
КТ814А, Б, В, Г — 75 пф
Тепловое сопротивление переход-корпус (RТп-к)
КТ814А, Б, В, Г — 10° С/Вт
— дополнительная информация.
Технические характеристики
Разброс величин предельно допустимых режимов эксплуатации у КТ825 достаточно широк. Например, максимальное напряжение между выводами К и Э находится в диапазоне от 30 до 100 В. Также эта серия, вместе с большими коэффициентами усиления, славится высокой мощностью и пропускаемым током. Рассмотрим значения этих параметров подробнее:
- предельное напряжение К-Э от 30 до 100 В;
- постоянное напряжение Б-Э до 5 В;
- коллекторный ток: постоянный от 15 до 30 А; импульсный от 30 до 40 А;
- рассеиваемая мощность на коллекторе: от 30 до 125 Вт (с радиатором); от 1 до 3 Вт (без теплоотвода); у кристалла до 40 Вт;
- температура: p-n-перехода от +150 до +175 °С; окружающей среды от -60 до +100 °C.
Для КТ825 в пластиковом корпусе, при ТК от +25 до + 100 °C, максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора снижается линейно на 0.25 Вт/°С с теплоотводом и на 8 мВт/°С без него.
Электрические параметры
Электрические параметры транзистора из серии кт825 представлены в таблице
Обратите внимание, что все данные представлены с учетом температуры окружающей среды не более + 25 °C. Стоит заметить, что H21э в схеме с общим эмиттером имеет наибольшее значение при нагреве корпуса близком к максимальному значению (ТК ≈ макс.)
Комплементарная пара
Комплементарной парой, для рассматриваемой серии, является отечественный составной транзистор с n-p-n-структурой — КТ827.
Мультивибратор на КТ315
Мультивибратор — это генератор широкой импульсной модуляции (или коротко ШИМ). Получается, что генератор будет выдавать сигнал либо постоянного плюса, либо постоянного минуса.
Принцип действий заключается в попеременном поступлении тока то к одному, то к другому светодиоду (их два). Частоту каждого из них можно менять (если резисторы будут разными, то и включение светодиодов тоже будет отличаться). Данная схема работает от напряжения 1,7 В до 16 В. Чтобы запустить схему понадобиться 3,2 В (этого будет достаточно, чтобы увидеть деятельность светодиодов).
Стоит отметить, что схема парная (2 конденсатора, 2 резистора, (2 RC-цепи), 2 светодиода), а вот значения транзисторов могут отличаться (от 220 Ом до 300 Ом), в таком случае схема все равно будет работать.
Надежная функциональность мультивибратора зависит от более высокого сопротивления одного из резисторов.
Отметим, что, чем больше сопротивление на переменном резисторе, тем больше будет мигать светодиод.
Применение
На КТ814 можно собрать сенсорный выключатель, который будет работать от электрической сети 220 В. С его помощью можно включать и отключать нагрузку мощностью до 60 Вт.
В качестве сенсора Е1 используется пластина из жести размером с пятирублевую монету. Если его коснуться, то наведённое переменное напряжение появится на затворе транзистора VT1 и откроет его. Появиться положительный импульс на 3 выводе микросхемы DD1, и триггер изменит своё состояние.
Когда на выходе DD1 логический 0 (низкое напряжение), транзистор VT2 будет закрыт и ток в нагрузке отсутствует. При появлении на выходе DD1 высокого напряжения транзистор открывается и переводит тиристор VS1 в открытое состояние и через него ток начинает течь через нагрузку.
- Вместо стабилитрона VD1 установить: КС175А, Д808 или Д814А.
- В качестве выпрямительных диодов можно VD2 – VD5 использовать: Д226В, КД258Б.
- Заменить транзистор VT2 можно любым т-ром серий КТ940 и КТ630.
Технические характеристики
Производители, в своей документации, указывают предельно допустимые параметры своего изделия. Схемы при которых работает устройство, не должны их превышать. Также вредна работа при значениях близких к максимальным.
Предельные характеристики КТ814:
- напряжение К-Э постоянное (IБ = 0 А):
- КТ814А – 25 В;
- КТ814Б – 40 В;
- КТ814В – 60 В;
- КТ814Г – 80 В.
- разность потенциалов Б-Э длительная – 5 В;
- ток К длительный – 1,5 А;
- кратковременный ток К – 3 А;
- ток базы длительный – 0,5 А;
- мощность (присутствует теплоотвод) – 10 Вт;
- мощность (отсутствует теплоотвод) – 1 Вт;
- максимальна т-ра кристалла – 298 К;
- рабочая т-ра – от 233 до 373 К.
Дальше идут электрические параметры. Их тестирование производится при т-ре + 25 О С. Другие, важные для проведения измерений, значения приведены в следующей таблице.
| Параметры | Транзисторы | Режимы тестирования | min | max | Ед. изм |
| Граничная разность потенциалов | А | IЭ = 50 мА, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 100 | 25 | В | |
| Б | 40 | В | |||
| В | 60 | В | |||
| Г | 80 | В | |||
| Разность потенциалов (нас.) К-Э | IК = 0,5 А, IБ = 0,05 А | 0,6 | В | ||
| Разность потенциалов (нас.) Б-Э | IК = 0,5 А, IБ = 0,05 А | 1,2 | В | ||
| Статический к-т усиление с ОЭ | А -В | UКБ = 2 В, IЭ = 0,15 А | 40 | ||
| Г | 30 | ||||
| Граничная частота | UКЭ = 5 В, IЭ = 0,03 А | 3 | МГц | ||
| Ёмкость на коллекторе | UКЭ = 5 В, f = 465 кГц | 60 | пФ | ||
| Ёмкость на эмиттере | UКЭ = 5 В, f = 465 кГц | 75 | пФ | ||
| Обратный ток К | UКБ = 40 В, ТК ≤ 298 К | 50 | мкА | ||
| UКБ = 40 В, ТК = 373 К | 1000 | мкА |
Транзисторы – купить. или найти бесплатно.
Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта – либо купить, либо – получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.
Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки – можно купить. Если же нет – всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -“Гулливер”.
Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника – можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы КТ814 можно найти в магнитофонах – “Весна 205-1”, “Вильма 204 стерео”, Маяк 240С-1, Маяк 233, Ореанда 204С и. т. д.
Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт “Электрика это просто”.
Транзисторы серии КТ825, 2Т825
По своим техническим характеристикам транзисторы серии КТ825 подходят для использования в различных усилительных и коммутационных схемах. Встречаются в старых стабилизаторах напряжения, безконактных системах зажигания и управления двигателями. Кремниевые, изготавливаются по мезапланарной технологии и имеют p-n-p-структуру. Являются составными, т.е. сделанными по схеме Дарлингтона, имеющими большой статический коэффициент усиления по току (H21э до 25000) и способность прогонять через себя большие напряжения и токи. Основные свойства этого популярного полупроводникового прибора, разработанного еще в советские времена, примерно в конце 80-х, приведены в данной статье.
Результаты подбора MOSFET (поиска аналога)
| Маркировка | Pol | Struct | Pd | Uds | Ugs | Ugs(th) | Id | Tj | Qg | Tr | Cd | Rds | Caps |
| 22N20 | N | MOSFET | 156 | 200 | 30 | 22 | 150 | 300 | 220 | 0.12 | TO220 TO220F | ||
| 2SK3555-01MR | N | MOSFET | 95 | 250 | 30 | 37 | 150 | 30 | 220 | 0.1 | TO220F | ||
| 2SK3607-01MR | N | MOSFET | 37 | 200 | 30 | 18 | 150 | 2.6 | 110 | 0.17 | TO220F | ||
| 2SK3926-01MR | N | MOSFET | 95 | 250 | 30 | 34 | 150 | 19 | 220 | 0.11 | TO220F | ||
| AOTF27S60 | N | MOSFET | 50 | 600 | 30 | 27 | 150 | 33 | 80 | 0.16 | TO220F | ||
| AOTF29S50 | N | MOSFET | 50 | 500 | 30 | 3.9 | 29 | 150 | 39 | 88 | 0.15 | TO220F | |
| AOTF42S60 | N | MOSFET | 50 | 600 | 30 | 3.8 | 39 | 150 | 40 | 53 | 135 | 0.099 | TO220F |
| AOTF42S60L | N | MOSFET | 37.9 | 600 | 30 | 3.8 | 39 | 150 | 40 | 53 | 135 | 0.099 | TO220F |
| F21F60CPM | N | MOSFET | 60 | 600 | 30 | 3.5 | 21 | 150 | 39 | 60 | 100 | 0.165 | TO220F |
| F25F60CPM | N | MOSFET | 70 | 600 | 30 | 3.5 | 25 | 150 | 53 | 70 | 120 | 0.125 | TO220F |
| FCPF099N65S3 | N | MOSFET | 43 | 650 | 30 | 4.5 | 30 | 150 | 57 | 20 | 50 | 0.099 | TO220F |
| FCPF125N65S3 | N | MOSFET | 38 | 650 | 30 | 4.5 | 24 | 150 | 44 | 25 | 40 | 0.125 | TO220F |
| FCPF22N60NT | N | MOSFET | 39 | 600 | 30 | 4 | 22 | 150 | 45 | 0.165 | TO220F | ||
| FDPF18N20F | N | MOSFET | 41 | 200 | 30 | 5 | 18 | 150 | 50 | 200 | 0.14 | TO220F | |
| FDPF18N20FT | N | MOSFET | 41 | 200 | 30 | 5 | 18 | 150 | 20 | 0.14 | TO220F | ||
| FDPF18N20FT_G | N | MOSFET | 35 | 200 | 30 | 18 | 150 | 0.14 | TO220F | ||||
| FDPF2710T | N | MOSFET | 62.5 | 250 | 30 | 5 | 25 | 150 | 78 | 0.0425 | TO220F | ||
| FDPF33N25T | N | MOSFET | 37 | 250 | 30 | 5 | 33 | 150 | 36.8 | 0.094 | TO220F | ||
| FDPF33N25TRDTU | N | MOSFET | 37 | 250 | 30 | 5 | 33 | 150 | 0.094 | TO220F | |||
| FDPF39N20 | N | MOSFET | 37 | 200 | 30 | 5 | 39 | 150 | 38 | 0.066 | TO220F | ||
| FDPF39N20TLDTU | N | MOSFET | 37 | 200 | 30 | 5 | 23.4 | 150 | 0.066 | TO220F | |||
| FDPF44N25T | N | MOSFET | 38 | 250 | 30 | 5 | 44 | 150 | 47 | 0.069 | TO220F | ||
| FDPF44N25TRDTU | N | MOSFET | 38 | 250 | 30 | 5 | 44 | 150 | 0.069 | TO220F | |||
| FDPF51N25 | N | MOSFET | 38 | 250 | 30 | 5 | 28 | 150 | 55 | 0.06 | TO220F | ||
| FDPF51N25RDTU | N | MOSFET | 38 | 250 | 30 | 5 | 51 | 150 | 0.06 | TO220F | |||
| FMV24N25G | N | MOSFET | 65 | 250 | 30 | 5 | 24 | 150 | 36 | 22 | 200 | 0.13 | TO220F |
| FQPF18N20V2 | N | MOSFET | 40 | 200 | 30 | 5 | 18 | 150 | 20 | 133 | 200 | 0.14 | TO220F |
| FQPF19N20C | N | MOSFET | 43 | 200 | 30 | 4 | 19 | 150 | 40.5 | 0.17 | TO220F | ||
| FQPF19N20CYDTU | N | MOSFET | 43 | 200 | 30 | 4 | 19 | 150 | 40.5 | 150 | 195 | 0.17 | TO220F |
| FQPF32N20C | N | MOSFET | 50 | 200 | 30 | 4 | 28 | 150 | 82.5 | 0.082 | TO220F | ||
| FS20KM-5 | N | MOSFET | 40 | 250 | 30 | 20 | 0.15 | TO220FN | |||||
| GP1M018A020XX | N | MOSFET | 94 | 200 | 30 | 5 | 18 | 150 | 18 | 30 | 180 | 0.17 | TO220 TO220F |
| IRFI4229 | N | MOSFET | 46 | 250 | 30 | 19 | 73 | 0.046 | TO220FP | ||||
| MTN18N20FP | N | MOSFET | 41 | 200 | 30 | 18 | 150 | 66 | 154 | 0.08 | TO220FP | ||
| NCE65T130F | N | MOSFET | 35 | 650 | 30 | 4 | 28 | 150 | 37.5 | 12 | 120 | 0.13 | TO220F |
| NTPF082N65S3F | N | MOSFET | 48 | 650 | 30 | 5 | 40 | 150 | 70 | 27 | 70 | 0.082 | TO220F |
| RCX200N20 | N | MOSFET | 40 | 200 | 30 | 5 | 20 | 150 | 40 | 100 | 120 | 0.13 | TO220FM |
| RCX220N25 | N | MOSFET | 40 | 250 | 30 | 5 | 22 | 150 | 60 | 100 | 170 | 0.14 | TO220FM |
| RCX300N20 | N | MOSFET | 40 | 200 | 30 | 5 | 30 | 150 | 60 | 160 | 200 | 0.08 | TO220FM |
| RCX330N25 | N | MOSFET | 40 | 250 | 30 | 33 | 150 | 80 | 200 | 220 | 0.077 | TO220FM | |
| SIHA25N50E | N | MOSFET | 35 | 500 | 30 | 4 | 26 | 150 | 57 | 36 | 105 | 0.145 | TO220FP |
| SIHF23N60E | N | MOSFET | 35 | 600 | 30 | 4 | 23 | 150 | 63 | 38 | 119 | 0.158 | TO220FP |
| SIHF28N60EF | N | MOSFET | 39 | 600 | 30 | 4 | 28 | 150 | 80 | 40 | 123 | 0.123 | TO220FP |
| SMK1820F | N | MOSFET | 35 | 200 | 30 | 18 | 150 | 130 | 227 | 0.17 | TO220F | ||
| SMK1820FJ | N | MOSFET | 35 | 200 | 30 | 18 | 150 | 130 | 227 | 0.17 | TO220F | ||
| STF30NM60N | N | MOSFET | 40 | 600 | 30 | 4 | 25 | 150 | 91 | 24 | 210 | 0.13 | TO220FP |
| TK22A65X5 | N | MOSFET | 45 | 650 | 30 | 4.5 | 22 | 150 | 50 | 20 | 60 | 0.16 | TO220F |
Всего результатов: 47
