Транзистор кт819г (гм)

Технические характеристики

Семейство кремниевых биполярных транзисторов КТ819, в зависимости от модификации, могут иметь следующие предельные эксплуатационные характеристики:

• напряжение между: коллектором и базой от 25 до 60 В; коллектором и эмиттером (при R_БЭ ≤ 100 Ом) от 40 до 100 В; базой и эмиттером – 5 В;
• постоянный ток на коллекторе от 10 до 15 А; проходящий через базу – 3 А;
• импульсный ток (при t_и ≤ 10 мс, Q ≥ 100): коллектора от 15 до 20 А; базы– 5 А;
• максимальная рассеиваемая мощность (при Т_К ≤ 25 o C) с теплоотводом от 60 до 100 Вт и без него от 1,5 до 3 Вт;
• температура p-n перехода от +125 до +150 o C;
• диапазон рабочих температур от -45 до +150 o C;

Основные параметры представлены в документации от производителя. Значения приводятся с учетом температуры окружающей среды не более +25 o C. Рассмотрим их подробнее, в зависимости от классификации устройств.

В связи с тем, что транзистор устарел, современные производители указывают в его техописании только минимальный набор параметров. Более подробную информацию по серии можно найти в старой версии даташит. Там данные приведены вместе с графиками передаточных характеристик, зависимостями статического коэффициента усиления от тока эмиттера и др.

Маркировка

Изучая параметры КТ819, стоит знать и другую маркировку этой серии транзисторов. Выполняя условия отраслевого стандарта ОСТ 11.336.919-81 различные отечественные производители обозначали его так — 2Т819. Первые символы «2T» указывают на кремневые биполярные транзисторы. В старых технических описаниях данные об этих устройствах приводят вместе с рассматриваемыми в этой статье.

Характеристики

Разные транзисторы из семейства КТ819 отличаются в зависимости от модификации. У изделий есть максимальные эксплуатационными характеристиками. Допускаемое напряжение:

• На участке коллектора и базы – от 25 до 60В;
• На участке К-Э – от 40 до 100В (если RБЭ меньше либо равно 100 Ом);
• На участке Б-Э – 5 В.

Характеристики КТ819:

• Показатель постоянного тока на коллекторе – от 10 до 15А;
• Ток, следующий через базу – 3А;
• Импульсный ток (условие: tи ≤ 10 мс, Q ≥ 100): на участке коллектора – от 15 до 20А, базы – 5А;
• Предельная рассеиваемая мощность (если ТК ≤ 25°C): с механизмом отвода тепла – от 60 до 100 Вт, без – от 1,5 до 3 Вт;
• Температура совершения p-n перехода – от +125 до +150°C;
• Допускаемые рабочие температуры – от -45 до +150°C.

Все базовые характеристики описываются в технической документации от изготовителя. Параметры представлены с расчётом нагрева окружения до +25°C. При этом параметры будут отличатся при изменении классификации прибора.

Транзистор считается устаревшим, потому современные изготовители приводят в техническом описании лишь базовый набор характеристик. Обширные сведения по конкретной серии можно найти в старых вариантах Datasheet. В них информация указана рядом с графиками передаточных параметров, связанными зависимостями и другими полезными сведениями.

Биполярный транзистор: внешний вид, составные элементы, конструкция корпуса — кратко

Сразу стоит определиться, что биполярный транзистор (bipolar transistor) создан для работы в цепях постоянного тока, где и используется. Сократим его название до БТ.

На фотографии ниже показал насколько разнообразные формы он имеет. А ведь этот небольшой ассортимент мной высыпан из одной маленькой коробочки.

Транзисторный корпус может быть изготовлен из пластмассы или металла в виде параллелепипеда, цилиндра, таблетки различной величины. Общими элементами являются три контактных штыря, созданные для подключения к электрической схеме.

Эти выводы необходимо различать в технической документации, правильно подключать при монтаже. Поэтому их назвали:

1. Э (E) — эмиттер;
2. К (C) — коллектор;
3. Б (B) — база.

Буквы в скобках используются в международной документации.

Основной метод соединения БТ в электрических схемах — пайка, хотя допускаются и другие.

Габариты корпуса и контактных выводов зависят от мощности, которую способен коммутировать этот модуль. Чем выше проектная нагрузка, тем большие размеры вынуждены создавать производители для обеспечения надежной работы и отвода опасного тепла.

Общеизвестно, что полупроводниковые переходы не способны выдерживать высокий нагрев — они банально перегорают. Поэтому все мощные корпуса выполняются из металла и снабжаются теплоотводящими радиаторами.

В особо ответственных узлах для них дополнительно создается принудительный обдув струями воздуха. Этим приемом значительно повышается надежность работы системных блоков компьютеров, ноутбуков, сложной электронной техники.

Любой БТ состоит из трех полупроводниковых переходов p и n типа, как обычный диод. Только у диода их меньше: всего два. Он способен пропускать ток всего в одну сторону, а в противоположную — блокирует.

Bipolar transistor создается по одной из двух схем соединения полупроводниковых элементов:

1. p-n-p, называемую прямым включением;
2. n-p-n — обратным.

При обозначении на схемах их рисуют одинаково, но с небольшими отличиями вывода эмиттера:

1. прямое направление: стрелка нацелена на базу;
2. обратное — стрелка показывается выходом из базы наружу элемента.

Указатель стрелки эмиттера показывает положительное направление тока через полупроводниковый переход.

Понятие о транзисторе КТ819Г и его применении

Транзистор КТ819Г широко используется в различных устройствах и схемах, где требуется усилитель или коммутатор средних и высоких частот. Он применяется в радиоэлектронике, телевидении, радиоаппаратуре, а также в аудиосистемах и устройствах связи.

Основными особенностями транзистора КТ819Г являются высокая надежность работы, малый уровень шума и возможность передачи больших сигналов. Он обладает высокой усиливающей способностью и хорошими рабочими характеристиками.

Однако, несмотря на его популярность и широкое применение, возникают ситуации, когда требуется заменить данный транзистор на аналог с аналогичными характеристиками. Это может быть вызвано необходимостью замены вышедшего из строя транзистора, отсутствием возможности приобрести именно КТ819Г или желанием улучшить работу устройства с помощью более современного компонента.

Краткий обзор основных характеристик аналогов транзистора КТ819Г

Прежде чем выбирать аналог транзистора КТ819Г, необходимо учесть следующие характеристики:

• Тип корпуса: DIP (двухрядный насаживаемый корпус) или TO-92 (пластмассовый корпус с металлической закладной).
• Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер (Vceo) и ток коллектора (Ic).
• Коэффициент усиления по току (hfe), который показывает, насколько ток в коллекторе усиливается от базового тока.
• Мощность потерь (Ptot) – определяет, сколько мощности может транзистор выдержать без перегрева.
• Максимальная рабочая частота (fT), она показывает, на какой частоте возможно работать транзистору с заданным качеством.

Среди аналогов транзистора КТ819Г можно выделить:

• 2N3904 – популярный транзистор общего назначения с корпусом TO-92. Он имеет максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер 40 В, ток коллектора 200 мА и коэффициент усиления по току 100-300.
• BC547 – NPN-транзистор с корпусом TO-92, обладающий максимальным значением напряжения коллектор-эмиттер 45 В, током коллектора 100 мА и коэффициентом усиления по току 200-450.
• KT315 – транзистор с корпусом TO-92, имеющий максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер 25 В, ток коллектора 70 мА и коэффициент усиления по току 120-450.

Конечный выбор аналога транзистора КТ819Г зависит от конкретных требований и характеристик схемы, в которую он будет включен. Поэтому рекомендуется внимательно изучить документацию и спецификации каждого аналога, а также провести необходимые расчеты итоговых значений параметров.

Цоколевка транзистора КТ819ГМ

Транзистор КТ819ГМ имеет трехконтактную цоколевку, которая позволяет его подключать к электрическим цепям. Ниже приведена таблица с распределением контактов:

Контакт	Назначение
1	Эмиттер (Е)
2	База (B)
3	Коллектор (С)

Цоколевка транзистора КТ819ГМ позволяет установить его в соответствующую пайку на печатной плате или использовать разъемы для подключения. Каждый из трех контактов имеет свое назначение и необходим для правильной работы транзистора.

При подключении транзистора КТ819ГМ к электрической цепи, обязательно учитывайте правильность соединения контактов, чтобы избежать неправильной работы или повреждения устройства.

Преимущества транзистора КТ819ГМ

• Высокая мощность: транзистор КТ819ГМ способен выдержать нагрузку до 1,5 Вт, что позволяет использовать его в устройствах с высокими энергетическими требованиями.
• Широкий рабочий диапазон: транзистор КТ819ГМ обладает широким диапазоном рабочих температур (-55°C до +150°C), что позволяет использовать его в различных условиях эксплуатации.
• Надежность: благодаря своей конструкции и использованию высококачественных материалов транзистор КТ819ГМ обладает высокой стабильностью работы и долгим сроком службы.
• Удобство монтажа: транзистор КТ819ГМ имеет удобную цоколевку TO-92, что облегчает его установку на печатную плату или в другие устройства.
• Широкое применение: транзистор КТ819ГМ может использоваться в различных видео-, аудио- и электронных устройствах, таких как усилители, источники питания, радиопередатчики и т.д.

Преимущества и недостатки выбранных аналогов транзистора КТ819Г

При замене транзистора КТ819Г на аналоги, необходимо учитывать их особенности и характеристики. В этом разделе мы рассмотрим преимущества и недостатки некоторых выбранных аналогов данного транзистора.

1. BD135

• Преимущества:
  • Высокая коммутационная способность.
  • Широкий диапазон рабочих температур.
  • Высокая надежность и долговечность.
• Недостатки:
  • Необходимость расчета новой схемы для обеспечения совместимости.
  • Возможность появления несоответствия по некоторым параметрам, таким как максимальное рабочее напряжение.

2. 2N2222

• Преимущества:
  • Обширное применение в различных электронных устройствах.
  • Высокая мощность и коммутационная способность.
  • Низкое сопротивление переключения.
• Недостатки:
  • Сравнительно небольшой диапазон рабочих температур.
  • Меньшая надежность по сравнению с некоторыми другими аналогами.

3. BC547

• Преимущества:
  • Низкий уровень шума.
  • Доступность и широкое распространение.
  • Высокая коммутационная способность.
• Недостатки:
  • Ограниченная мощность и токовая способность.
  • Необходимость выбора аналога с рабочими параметрами, соответствующими требованиям схемы.

Перед заменой транзистора КТ819Г на аналоги, рекомендуется провести тщательный анализ требований к схеме и выбрать подходящий аналог, учитывая преимущества и недостатки каждого из них

Также следует обратить внимание на необходимость доработок схемы и проверить совместимость выбранного аналога с остальными компонентами системы

Технические характеристики

КТ819Г(ГМ) самые мощные транзисторы в серии. У них наибольшая, по сравнению с другими, максимальная мощность рассеивания до 60 Вт (до 100 Вт) и величина пропускаемого напряжения (до 100 В). Вместе с тем самый низкий коэффициент усиления по току (H_21Э) до 12.

Максимальные параметры

Приведем предельные эксплуатационные параметры КТ819Г подробней (в скобках данные для КТ819ГМ, если значения не совпадают):

• постоянное напряжение между: К-Б до 60В (до 100В); К-Б до 5В;
• коллекторный ток: до 10А (до 15А); импульсный до 15А (до 20А);
• базовый ток: до 3А; импульсный до 5А;
• мощность рассеиваемая на коллекторе: до 100Вт (с радиатором); до 2Вт (без теплоотвода);
• температуры: кристалла до +125 oC; окружающей среды -45 до +100 oC.

Как видно из представленных данных, максимальная рассеваемая мощность P_К устройства заметно снижается если не использовать радиатор. Так, для КТ819Г при температуре окружающей среды более  +25 °C она уменьшается на 0.6 Вт/°С (1 Вт/°С) с теплоотводом и на 0,015 Вт/°С (0,02 Вт/°С) без него.

Электрические параметры

Как известно, предельно допустимые значения не стоит превышать, в таких случаях с большой вероятностью выйдет из строя. Поэтому, в техописаниях кроме них приведены номинальные величины при которых допускается нормальная работа устройства. Они указываются в разделе – электрических характеристик.

Приведем значения электрических параметров КТ819Г(ГМ,Г1). Они представлены в даташит с учётом температуры вокруг изделия не более +25oC. В графе «режимы измерения» указаны условия, при которых они были получены.

Выбор аналогов транзистора КТ819Г в зависимости от задачи

При выборе аналогов транзистора КТ819Г следует обратить внимание на следующие факторы:

1. Тип транзистора:

КТ819Г относится к типу PNP транзисторов, поэтому при выборе аналогов следует учитывать их тип. Если в схеме используется только PNP транзистор, то аналоги также должны быть PNP транзисторами.

2. Максимальное рабочее напряжение (U_CEO):

Транзистор должен иметь максимальное рабочее напряжение, которое не превышает требуемого для данной задачи. Не рекомендуется выбирать транзистор с максимальным напряжением ниже требуемого, так как это может привести к его перегреву и выходу из строя.

3. Максимальный коллекторный ток (I_C):

Транзистор должен иметь максимальный коллекторный ток, который удовлетворяет требованиям задачи. Если требуется более высокий ток, необходимо выбрать аналог с соответствующим значением. При выборе аналогов также учитывайте коэффициент усиления тока (h_FE), который должен быть сопоставимым с КТ819Г.

4. Температурный диапазон:

Если работа транзистора предполагается при высоких или низких температурах, необходимо выбрать аналог с аналогичными параметрами работы в данном температурном диапазоне.

Изучив требования к транзистору и учитывая эти факторы, можно подобрать аналоги транзистора КТ819Г, удовлетворяющие необходимым параметрам и условиям эксплуатации.