Транзистор 2sc3356: подбор и аналоги

Транзисторы BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 с буквами A, B, C.

Т ранзисторы BC556 – BC560 – кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры – p-n-p. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно – цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) – 500 мВт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером – 300 МГц;

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – У транзисторов BC556 65в. У транзисторов BC557, BC560 45в. У транзисторов BC558, BC549 30в.

Максимальное напряжение коллектор – база – У транзисторов BC556 80в. У транзисторов BC557, BC560 50в. У транзисторов BC558, BC559 30в.

Максимальное напряжение эмиттер – база – 5в.

Коэффициент передачи тока: У транзисторов BC556A, BC557A, BC558A, BC559A, BC560A – от 110 до 220. У транзисторов BC556B, BC557B, BC558B, BC559B, BC560B – от 200 до 450. У транзисторов BC556C, BC557C, BC558C, BC559C, BC560C – от 420 до 800.

Максимальный постоянный ток коллектора – 100 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА – не выше 0,6в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА – 0,9в.

Транзисторы комплиментарные BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 – BC546, BC547, BC548, BC549, BC550.

BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Пример – популярная схема переговорного устройства(уоки – токи) на 27мГц.

Схема состоит из двух компонентов – LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом. Режимы прием – передача переключаются с помощью переключателя В1. В режиме передачи миниатюрный громкоговоритель переключается с выхода УЗЧ на вход и используется как динамический микрофон. Усиленный сигнал поступает на генератор 27мГц, производя модуляцию основной частоты.

В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты, после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 – VT5) и два комплементарных BC557(VT3 – VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450). Резисторы можно взять любого типа с мощностью от 0,1 ватта, за исключением R3 – его мощность должна быть не менее 0,25 ватт.

Конденсаторы C1 – C11 слюдяные, C12 – C13 – оксидные(электролитические), любого типа. Катушка генератора L1 – 4 витка провода ПЭЛ -0,25 с отводом от одного витка, намотанная на каркасе диаметром 0,4 см, с подстроечным стержнем из феррита(от малогаб. импортного приемника). Катушка L2 – 1,5 витка на том же каркасе, тем же проводом. Антенной служит безкаркасная катушка – пружина диаметром 0,5 см содержащая 160 – 170 плотно намотанных витков провода ПЭВ 0,5 (виток, к витку). Длина такой антенны получается от 8 до 10см.

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

12 шт. из магазина г.Ижевск2328 шт. со склада г.Москва,срок 3-4 рабочих дня
− +

В корзину

PNP транзистор общего применения

ХарактеристикиТехнические ∙ Корпус TO-92 ∙ Распиновка CBE

Электрические ∙ Мощность 0.5Вт ∙ Ток коллектора -0.1А ∙ Обратный ток коллектор-база -0.015uA ∙ Напряжение эмиттер-база -5В ∙ Напряжение коллектор-эмиттер 45В ∙ Напряжение коллектор-база -50В ∙ Hfe min 420 ∙ Hfe max 800

Общие ∙ Производитель Semtech

Указание паспортных характеристик

Они же являются основными показателями отечественных и импортных стабилитронов, которыми необходимо руководствоваться при подборе стабилитрона под конкретную электронную цепь.

UCT – указывает, какое номинальное значение модуль способен стабилизировать.
ΔUCT – используется для указания диапазона возможного отклонения входящего тока в качестве безопасной амортизации.
ICT – параметры тока, который может протекать при подаче номинального напряжения на модуль.
ICT.МИН – показывает самое маленькое значение, которое способно протекать по стабилизатору. При этом протекающее напряжение по диоду будет находиться в диапазоне UCT ± ΔUCT.
ICT.МАКС – модуль не способен выдерживать более высокое напряжение, чем это значение.

На фото ниже представлен классический вариант

Обратите внимание, что прямо на корпусе показано, где у него анод и катод. По кругу нарисована черная (реже встречается серая) полоска, которая располагается со стороны катода. Противоположная сторона – анод

Такой способ используется как для отечественных, так и для импортных диодов

Противоположная сторона – анод. Такой способ используется как для отечественных, так и для импортных диодов.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах (управления) базы I_B.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при импульсном напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE₍_sat₎ и эмиттер-база U_BE₍_sat₎от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении амплитуд импульсов токов коллектора и базы I_C/I_B = 5.

Рис. 4. Снижение предельной токовой нагрузки I_C в области безопасной работы транзистора при увеличении температуры корпуса прибора T_C.

Кривая «Dissipation Limited» — снижение токовой нагрузки в результате общего перегрева п/п структуры.

Кривая «S/b Limited» — снижение токовой нагрузки для исключения вторичного пробоя п/п структуры локально, в местах повышенной плотности тока.

Определение теплового режима транзистора во многом сводится к определению рассеиваемой мощности и соотнесению её с областью безопасной работы транзистора (ОБР). Для транзистора, работающего в ключевом режиме, приходится учитывать потери на коммутационных интервалах, а также ряд особенностей, определяемых реактивными свойствами коллекторной цепи и источника питания.

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора, определена при температуре среды T_a = 25°С при нагрузке транзистора одиночными импульсами (Single Pulse) различной длительности: PW = 10 мкс; 50 мкс; 100 мс; 300 мкс; 1,0 мс; 10 мс; 100 мс.

Выделяются 4 участка ограничивающих линий предельного тока коллектора:

горизонтальный – предельный ток транзистора, определяющий устойчивость паяных соединений. При возрастании температуры корпуса вводится поправка согласно графику Рис. 4;
участок «Dissipation Limited» – предельный ток, ограничивающий общий нагрев п/п структуры;
участок «S/b Limited» — ограничение тока исходя из недопущения вторичного пробоя п/п структуры;
вертикальный участок – предельное напряжение коллектор-эмиттер, не приводящее к лавинному пробою п/п структуры.

Характеристики ОБР по Рис. 5 подходят для анализа безопасной работы транзистора при резистивном или емкостном характере нагрузки, а также при любой нагрузке на интервале проводимости (t_on₎. См. диаграмму тока коллектора в импульсном режиме выше.

В схеме с индуктивной нагрузкой на коммутационном интервале (t_stg + t_f), при восстановлении непроводящего состояния, возникающие на транзисторе пиковые перенапряжения могут превышать критические значения и вызвать пробой п/п структуры. Для уменьшения перенапряжений вводятся ограничители напряжения: снабберные RC-цепи, активные ограничители и т. п. Для уменьшения потерь (уменьшения длительности коммутационного интервала) в цепь управления (базы) транзистора вводится отрицательное напряжение смещения.

Увеличение напряжений при вводе отрицательного смещения и ограничение коллекторного тока отражаются на конфигурации ОБР. Такая ОБР является неотъемлемой характеристикой работы транзистора в переключающем режиме с индуктивной нагрузкой.

Рис. 6. Область безопасной работы с обратным смещением. Характеристика снята при условии T_c ≤ 100°C.

Увеличение U_CEX_(sus) при значительном ограничении тока коллектора – результат ввода ограничителей коммутационных перенапряжений до уровня 450 В.

Условиями безопасной (корректной) работы транзистора в ключевом режиме является выполнение следующих условий:

непревышение температурных ограничений по структуре в целом;
токи и напряжения на интервале включения (t_on) не превышают ограничений ОБР;
токи и напряжения на интервале выключения (t_stg + t_f) не превышают ограничений ОБР с обратным смещением.

Встречное, параллельное, последовательное соединение стабилитронов

Для повышения напряжения стабилизации можно последовательно соединять два и более стабилитрона. Например на нагрузке нужно получить 17 В, тогда, в случае отсутствия нужного номинала, применяют опорные диоды на 5,1 В и на 12 В.

Параллельное соединение применяется с целью повышения тока и мощности.

Также стабилитроны находят применение для стабилизации переменного напряжения. В этом случае они соединяются последовательно и встречно.

В один полупериод переменного напряжения работает один стабилитрон, а второй работает как обычный диод. Во второй полупериод полупроводниковые элементы выполняют противоположные функции. Однако в таком случае форма выходного напряжения будет отличается от входного и выглядит как трапеция. За счет того, что опорный диод будет отсекать напряжение, превышающее уровень стабилизации, верхушки синусоиды будут срезаться.

Кроме диодов

На основе p-n-переходов создан миллиард модификаций диодов. Сюда относятся варикапы, стабилитроны и даже тиристоры. Каждому семейству присущи особенности, с диодами много сходства. Видим три глобальных вида:

устаревшая сегодня элементная база сравнительно большого размера, явно различимая маркировка, сформированная стандартными буквами, цифрами;
стеклянные корпусы, снабженные цветовой символикой;
SMD элементы.

Аналоги подбираются исходя из условий, указанных выше: мощность рассеяния, предельные напряжение, пропускаемый ток.

Любая электронная схема вне зависимости от назначения имеет в своем составе большое количество элементов, которые регулируют и контролируют течение электрического тока по проводам. Именно регулирование напряжения играет важную роль в работе большинства модулей, потому что от этого параметра зависит стабильная и долгая работа цепи.

Для стабилизации входного напряжения на схемы был разработан специальный модуль, который является буквально важнейшей частью многих приборов. Импортные и отечественные стабилитроны используются в схемах с разными параметрами, поэтому имеется различная маркировка диодов на корпусе, что помогает определить и подобрать нужный вариант.

Транзистор 2sc3356: особенности и применение

Транзистор 2sc3356 представляет собой полупроводниковое устройство, которое используется в электронных схемах для управления и усиления сигналов. Он относится к классу биполярных NPN транзисторов и обладает рядом характеристик, которые делают его привлекательным для использования в различных приложениях.

Основные особенности транзистора 2sc3356:

Малые габариты. Благодаря своей компактности, транзистор 2sc3356 может быть использован в схемах с ограниченным пространством.
Высокая мощность. Транзистор 2sc3356 способен выдерживать большие токи и обеспечивать высокий уровень усиления сигнала.
Широкий частотный диапазон. Благодаря своей конструкции, транзистор 2sc3356 может работать в широком диапазоне частот от низкочастотных до высокочастотных сигналов.
Низкий уровень шума. Транзистор 2sc3356 обладает низким уровнем шума, что позволяет использовать его в чувствительных электронных устройствах.
Хорошая линейность. Транзистор 2sc3356 обеспечивает линейную передачу сигнала без искажений.

Применение транзистора 2sc3356:

Усилители звука и видео. В силу своих характеристик, транзистор 2sc3356 широко используется в усилителях звука и видео для обработки и усиления сигналов.
Радиоприемники. Благодаря своей работе в широком частотном диапазоне, транзистор 2sc3356 может быть использован в радиоприемниках для приема и передачи радиосигналов.
Сенсорные устройства. Транзистор 2sc3356 обладает низким уровнем шума и хорошей линейностью, что позволяет его использовать в сенсорных устройствах для обработки сигналов.
Электронные системы безопасности. Благодаря своей компактности и высокой мощности, транзистор 2sc3356 может быть использован в электронных системах безопасности для управления сигналами и усиления сигналов без искажений.

Таким образом, транзистор 2sc3356 является эффективным и многофункциональным устройством, которое может быть использовано в различных электронных схемах. Благодаря своим особенностям и применению, он остается популярным компонентом и имеет широкое применение в различных областях электроники.

Маркировка SMD-компонентов

Мне иногда кажется, что маркировка современных электронных компонентов превратилась в целую науку, подобную истории или археологии, так как, чтобы разобраться какой компонент установлен на плату иногда приходитсяпровести целый анализ окружающих его элементов. В этом плане советские выводные компоненты, на которых текстом писался номинал и модель были просто мечтой для любителя, так как не надо было ворошить груды справочников, чтобы разобраться, что это за детали.

Причина кроется в автоматизации процесса сборки. SMD компоненты устанавливаются роботами, в которых установлены сециальные бабины (подобные некогда бабинам с магнитными лентами), в которых расположены чип-компоненты. Роботу все равно, что там в бабине и есть ли у деталей маркировка. Маркировка нужна человеку.

Корпуса чип-компонентов

Достаточно условно все компоненты поверхностного монтажа можно разбить на группы по количеству выводов и размеру корпуса:

выводы/размер	Очень-очень маленькие	Очень маленькие	Маленькие	Средние
2 вывода	SOD962 (DSN0603-2), WLCSP2*, SOD882 (DFN1106-2), SOD882D (DFN1106D-2), SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2)	SOD323, SOD328	SOD123F, SOD123W	SOD128
3 вывода	SOT883B (DFN1006B-3), SOT883, SOT663, SOT416	SOT323, SOT1061 (DFN2020-3)	SOT23	SOT89, DPAK (TO-252), D2PAK (TO-263), D3PAK (TO-268)
4-5 выводов	WLCSP4, SOT1194, WLCSP5, SOT665	SOT353	SOT143B, SOT753	SOT223, POWER-SO8
6-8 выводов	SOT1202, SOT891, SOT886, SOT666, WLCSP6*	SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6), SOT1118 (DFN2020-6)	SOT457, SOT505	SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96
> 8 выводов	WLCSP9*, SOT1157 (DFN17-12-8), SOT983 (DFN1714U-8)	WLCSP16, SOT1178 (DFN2110-9), WLCSP24	SOT1176 (DFN2510A-10), SOT1158 (DFN2512-12), SOT1156 (DFN2521-12)	SOT552, SOT617 (DFN5050-32), SOT510

Конечно, корпуса в таблице указаны далеко не все, так как реальная промышленность выпускает компоненты в новых корпусах быстрее, чем органы стандартизации поспевают за ними.

Корпуса SMD-компонентов могут быть как с выводами, так и без них. Если выводов нет, то на корпусе есть контактные площадки либо небольшие шарики припоя (BGA). Также в зависимости от фирмы-производителя детали могут могут различаться маркировкой и габаритами. Например, у конденсаторов может различаться высота.

Большинство корпусов SMD-компонентов предназначены для монтажа с помощью специального оборудования, которое радиолюбители не имеют и врядли когда-нибудь будет иметь. Связано это с технологией пайки таких компонентов. Конечно, при определённом упорстве и фанатизме можно и в домашних условиях паять BGA-микросхемы.

Типы корпусов SMD по названиям

Название	Расшифровка	кол-во выводов
SOT	small outline transistor	3
SOD	small outline diode	2
SOIC	small outline integrated circuit	>4, в две линии по бокам
TSOP	thin outline package (тонкий SOIC)	>4, в две линии по бокам
SSOP	усаженый SOIC	>4, в две линии по бокам
TSSOP	тонкий усаженный SOIC	>4, в две линии по бокам
QSOP	SOIC четвертного размера	>4, в две линии по бокам
VSOP	QSOP ещё меньшего размера	>4, в две линии по бокам
PLCC	ИС в пластиковом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J	>4, в четыре линии по бокам
CLCC	ИС в керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J	>4, в четыре линии по бокам
QFP	квадратный плоский корпус	>4, в четыре линии по бокам
LQFP	низкопрофильный QFP	>4, в четыре линии по бокам
PQFP	пластиковый QFP	>4, в четыре линии по бокам
CQFP	керамический QFP	>4, в четыре линии по бокам
TQFP	тоньше QFP	>4, в четыре линии по бокам
PQFN	силовой QFP без выводов с площадкой под радиатор	>4, в четыре линии по бокам
BGA	Ball grid array. Массив шариков вместо выводов	массив выводов
LFBGA	низкопрофильный FBGA	массив выводов
CGA	корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя	массив выводов
CCGA	СGA в керамическом корпусе	массив выводов
μBGA	микро BGA	массив выводов
FCBGA	Flip-chip ball grid array. Массив шариков на подложке, к которой припаян кристалл с теплоотводом	массив выводов
LLP	безвыводной корпус

Из всего этого зоопарка чип-компонентов для применения в любительских целях могут сгодиться: чип-резисторы, чип-конденсаторы , чип-индуктивности, чип-диоды и транзисторы, светодиоды, стабилитроны, некоторые микросхемы в SOIC корпусах. Конденсаторы обычно выглядят как простые параллелипипеды или маленькие бочонки. Бочонки — это электролитические, а параллелипипеды скорей всего будут танталовыми или керамическими конденсаторами.

Основные параметры для подбора аналога

При подборе аналога для транзистора 2sc3356 необходимо учесть несколько важных параметров, которые определяют его работу и функциональные возможности. Вот основные из них:

Тип корпуса: Транзисторы могут быть выпущены в различных типах корпусов, таких как TO-92, SOT-23, SOT-89 и других

При подборе аналога необходимо обратить внимание на тип корпуса и убедиться, что он совместим с требуемым применением

Тип транзистора: Транзисторы могут быть биполярными или полевыми. Биполярные транзисторы являются более стабильными и имеют низкое входное сопротивление, в то время как полевые транзисторы обладают более высокой мощностью и быстродействием. При подборе аналога необходимо учесть тип требуемого транзистора.

Ток коллектора: Ток коллектора определяет максимальный ток, который может протекать через коллектор материала. При подборе аналога необходимо убедиться, что его ток коллектора не будет превышен при конкретном применении.

Напряжение коллектор-эмиттер: Напряжение коллектор-эмиттер определяет максимальное напряжение, при котором транзистор может нормально функционировать. При подборе аналога необходимо убедиться, что его напряжение коллектор-эмиттер не будет превышено в данном применении.

Коэффициент усиления тока: Коэффициент усиления тока (hFE) определяет, во сколько раз транзистор может усилить входной сигнал. При подборе аналога необходимо учесть требуемый диапазон hFE и найти транзистор с близкими значениями этого параметра.

Мощность: Мощность транзистора определяет его способность выдерживать тепловые нагрузки при работе. При подборе аналога необходимо убедиться, что его мощность будет достаточной для требуемого применения.

Обратите внимание на эти основные параметры при подборе аналога для транзистора 2sc3356, чтобы обеспечить правильную и надежную работу вашего устройства

Транзистор 2sc3356: полезные советы и аналоги

Учитывая, что транзисторы имеют разные характеристики и особенности, поиск аналога может быть сложной задачей. Однако, существует несколько популярных аналогов 2sc3356, которые могут использоваться вместо него:

2N2369: Этот транзистор также является высокочастотным NPN транзистором и имеет схожие характеристики с 2sc3356. Он может использоваться для усиления радиочастотных сигналов и широко распространен в радиоэлектронике.
2N3904: Этот транзистор также очень популярен и может быть эффективной заменой для 2sc3356. Он также является высокочастотным NPN транзистором и широко используется в различных приложениях.
2N4401: Это еще один высокочастотный NPN транзистор, который может заменить 2sc3356. Он обладает схожими характеристиками и может использоваться для усиления радиочастотных сигналов.

Перед тем, как заменить транзистор, обязательно проверьте его характеристики и сравните их с характеристиками выбранного аналога. Учтите, что некоторые параметры могут отличаться, поэтому может потребоваться внесение соответствующих изменений в схему или настройку компонентов.

Надеемся, что эта информация будет полезной для вас в поиске подходящего аналога транзистора 2sc3356. Помните, что правильный выбор аналога позволит вам сохранить работоспособность вашего устройства.

Краткое описание транзистора 2sc3356

Транзистор 2sc3356 обладает следующими характеристиками:

Максимальная рабочая частота: от 10 ГГц
Максимальное значение коллекторного тока: 30 мА
Напряжение коллектор-эмиттер: 10 В
Максимальная мощность потерь: 100 мВт

Этот транзистор широко применяется в радиотехнике и радиолюбительских устройствах, а также в схемах усиления радиочастотных и микроволновых сигналов. Он обладает высокой стабильностью параметров и низким уровнем шума, что делает его незаменимым компонентом во многих приложениях.

Заменить 2sc3356 можно аналогами, такими как 2n3904, 2n2222, bc547 и другими транзисторами с похожими характеристиками

Важно выбирать аналог, учитывая требования конкретной схемы и задач, которые необходимо решить

Маркировка

Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.

Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.

Технология изготовления биполярных транзисторов.

Технология изготовления транзисторов ни чем не отличается от технологии изготовления диодов. Еще в начальный период развития транзисторной техники биполярные транзисторы делали только из германия методом вплавления примесей, и такие транзисторы называют сплавными.

Берется кристалл германия и в него вплавляются кусочки индия.Атомы индия диффузируют (проникают) в тело кристалла германия, образуя в нем две области p-типа – коллектор и эмиттер. Между этими областями остается очень тонкая (несколько микрон) прослойка полупроводника n-типа, которую именуют базой. А чтобы защитить кристалл от влияния света и механического воздействия его помещают в металлостеклянный, металлокерамический или пластмассовый корпус.

На картинке ниже показано схематическое устройство и конструкция сплавного транзистора, собранного на металлическом диске диаметром менее 10 мм. Сверху к этому диску приварен кристаллодержатель, являющийся внутренним выводом базы, а снизу диска – ее наружный проволочный вывод.

Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к проводникам, которые впаяны в стеклянные изоляторы и служат внешними выводами этих электродов. Металлический колпак защищает прибор от влияния света и механических повреждений. Так устроены наиболее распространенные маломощные низкочастотные германиевые транзисторы из серии МП37 — МП42.

В обозначении буква «М» говорит, что корпус транзистора холодносварной, буква «П» — это первая буква слова «плоскостной», а цифры означают порядковый заводской номер транзистора. Как правило, после заводского номера ставят буквы А, Б, В, Г и т.д., указывающие на разновидность транзистора в данной серии, например, МП42Б.

С появлением новых технологий научились обрабатывать кристаллы кремния, и уже на его основе были созданы кремниевые транзисторы, получившие наиболее широкое применение в радиотехнике и на сегодняшний день практически полностью вытеснившие германиевые приборы.

Кремниевые транзисторы могут работать при более высоких температурах (до 125ºС), имеют меньшие обратные токи коллектора и эмиттера, а также более высокие пробивные напряжения.

Основным методом изготовления современных транзисторов является планарная технология, а транзисторы, выполненные по этой технологии, называют планарными. У таких транзисторов p-n переходы эмиттер-база и коллектор-база находятся в одной плоскости. Суть метода заключается в диффузии (вплавлении) в пластину исходного кремния примеси, которая может находиться в газообразной, жидкой или твердой фазе.

Как правило, коллектором транзистора, изготовленного по такой технологии, служит пластина исходного кремния, на поверхность которой вплавляют близко друг от друга два шарика примесных элементов. В процессе нагрева до строго определенной температуры происходит диффузия примесных элементов в пластину кремния.

При этом один шарик образует в пластине тонкую базовую область, а другой эмиттерную. В результате в пластине исходного кремния образуются два p-n перехода, образующие транзистор структуры p-n-p. По такой технологии изготавливают наиболее распространенные кремниевые транзисторы.

Также для изготовления транзисторных структур широко используются комбинированные методы: сплавление и диффузия или сочетание различных вариантов диффузии (двусторонняя, двойная односторонняя). Возможный пример такого транзистора: базовая область может быть диффузионная, а коллектор и эмиттер – сплавные.

Использование той или иной технологии при создании полупроводниковых приборов диктуется различными соображениями, связанными с техническими и экономическими показателями, а также их надежностью.

Корпус и распиновка

Цоколевка bc337 выглядит следующим образом. Большинство производителей выпускают его в пластмассовой упаковке ТО-92 с гибкими выводами, или её аналогах: SOT54, TO-226. Маркировка цифробуквенная, наносится на лицевой части корпуса по европейской системе Pro Electron. Если смотреть на неё, то первая ножка слева это — коллектор, второй — база, третий — эмиттер.

Несмотря на это, некоторые китайские компании выпускают устройство в тех же корпусах, что указаны выше, но с другой распиновкой. Например, у Foshan Blue Rocket Electronics сначала идет эмиттер, потом база и последним коллектор.