Характеристики транзистора c2482 на русском языке

Технические характеристики C2482

Ниже приведены основные технические характеристики транзистора C2482:

Максимальное смещение коллектор-эмиттер: -40 В

Максимальное смещение база-эмиттер: -5 В

Максимальное постоянное ток коллектора: -1.5 А

Максимальная мощность потери: 1.2 Вт

Температурный диапазон: от -55°C до +150°C

Сопротивление базы-эмиттер: 150 Ом

Транзистор C2482 может использоваться в различных электронных схемах, включая усилители, источники питания и другие приложения, где требуется высокая производительность и надежность.

Обратите внимание, что указанные характеристики являются типовыми значениями, и могут незначительно варьироваться в зависимости от конкретной партии транзисторов

Основные характеристики транзистора С2482

Тип транзистора: биполярный
Максимальное значение коллекторного тока (Ic): 100 мА
Максимальное значение коллекторно-эмиттерного напряжения (Vce): 25 В
Максимальное значение базового тока (Ib): 5 мА
Мощность потери (Pd): 250 мВт
Коэффициент усиления по току (hfe): 60-240
Максимальная рабочая температура: +150°C
Температурный коэффициент мощности (ΔPd/ΔT): 500 мВт/°C

С2482 обладает высоким коэффициентом усиления по току (hfe), что позволяет эффективно усиливать слаботочные сигналы. Он обычно используется в каскадных схемах усиления, где требуется малый уровень шума и высокая линейность передачи сигнала.

Транзистор С2482 широко применяется в радиоэлектронике, аудиоусилителях, радиоприемниках, телевизионных устройствах и других электронных схемах, где требуется низкочастотное усиление сигнала.

Проектирование устойчивых к отклонениям синхронизаторов для нескольких диапазонов тактовой частоты и напряжения

Пожалуйста, используйте этот идентификатор для цитирования или ссылки на этот элемент:

Название:

Проектирование вариоустойчивых синхронизаторов для нескольких областей тактовой частоты и напряжения

Авторы: 9 90 00 , Мохаммед Салех Абдулла

Дата выпуска:

2014

Издатель:

Newcastle University

Аннотация:

Изменчивость параметров все больше влияет на характеристики электронных схем, поскольку
технология изготовления достигла уровня 32 нм и выше. Эти
параметры могут включать параметры транзисторного процесса (такие как пороговое значение
напряжение), напряжение питания и температура (PVT), все из которых могут иметь
существенное влияние на скорость и энергопотребление схемы, особенно
если отклонения превышают расчетные пределы. Поскольку системы разработаны с более
асинхронных протоколов, необходимы высоконадежные синхронизаторы и
арбитры. Эти компоненты часто используются в качестве интерфейсов между коммуникационными
ссылки различных временных доменов, а также устройства выборки для асинхронного
входные данные, поступающие от внешних компонентов. Эти приложения создали потребность
для новых надежных конструкций синхронизаторов и арбитров, которые могут выдерживать процесс,
перепады напряжения и температуры.
Цель этого исследования состояла в том, чтобы исследовать, как должны работать синхронизаторы и арбитры.
спроектированы таким образом, чтобы выдерживать параметрические изменения. Все исследования были сосредоточены в основном на
конструкции на уровне схемы и на уровне транзисторов, которые были смоделированы и смоделированы в
UMC90-нанометровый технологический процесс CMOS. Аналоговое моделирование использовалось для измерения
временные параметры и энергопотребление вместе со статистикой «Монте-Карло»
анализ для учета изменений процесса.
В первую очередь исследовались два основных компонента синхронизаторов и арбитров:
триггер и элемент взаимного исключения (MUTEX). Оба компонента могут нарушать
входные временные условия, установка и удержание времени окна, что может привести к
метастабильны внутри их бистабильных элементов и, возможно, заканчиваются отказами. средняя наработка на отказ — важная характеристика надежности любого синхронизатора
задержка через синхронизатор.
Исследование MUTEX было сосредоточено на классической схеме, в дополнение к ряду
толерантность, основанная на увеличении внутреннего усиления за счет добавления источников тока, уменьшения
емкостная нагрузка, повышающая крутизну защелки, компенсирующая
существующую емкость Миллера и добавление асимметрии для управления метастабильным
точка. Результаты показали, что в некоторых схемах улучшения были незначительными или почти отсутствовали.
в то время как пять методов показали значительные улучшения за счет снижения τ и
сохранение высокой толерантности.
Предлагаются три подхода к проектированию для обеспечения устойчивости к вариациям.
синхронизаторы. виляющий синхронизатор, предложенный в первую очередь, значительно
повысить надежность по сравнению с обычным синхронизатором с двумя триггерами.
надежность метода виляния может быть повышена за счет использования надежных τ-защелок или
добавление еще одного цикла синхронизации. Второй подход заключается в
Защелка автоматического обнаружения и исправления метастабильности (MADAC), которая быстро
обнаружение метастабильного события и его исправление путем принудительного применения ранее сохраненного
логическое значение. Этот метод значительно сокращает время разрешения с
неуверенный
Метод синхронизации предлагается для передачи сигналов между несколькими
Многотактовые домены напряжения (MVD/MCD), которые не требуют обычных
переключатели уровня между доменами или несколько источников питания в каждом
домен. Эта схема интерфейса использует протокол синхронного набора и сброса обратной связи.
который обеспечивает сдвиг уровня и синхронизацию всех сигналов между
домены, из широкого диапазона напряжений питания и тактовых частот.
В целом, схемы синхронизатора могут в большей степени выдерживать изменения за счет
используя технику виляния или защелку MADAC, в то время как допуск MUTEX
может быть достаточно с небольшими изменениями схемы. Связь между МВД/МКД
может быть достигнуто асинхронным рукопожатием
без необходимости добавления переключателей уровня.

Описание:

PhD Тезис

URI:

http://hdl.handle.net/10443/2482

Появляется в коллекциях:

School of Electrical и Electronic Engineering

Показать полную запись товара

Технические особенности

Максимальное постоянное обратное напряжение составляет 60 В, что позволяет использовать транзистор в различных схемах, где нужно работать с напряжением до 60 В.
Максимальный коллекторный ток транзистора составляет 500 мА, что обеспечивает возможность использования транзистора даже в схемах с относительно большим током.
Мощность потери в переходе составляет всего 250 мВт, что говорит о низком уровне тепловых потерь в транзисторе

Это особенно важно при высокочастотных схемах, где низкое тепловыделение является незаменимым свойством.
Транзистор имеет высокий коэффициент усиления в диапазоне от 70 до 700, что делает его отличным выбором для усилительных схем и других приложений, где требуется высокое усиление сигнала.
Рабочая температура транзистора составляет от -55 °C до +150 °C, что позволяет использовать его в широком диапазоне температурных условий.. В целом, транзистор C2482 является надежным, универсальным и широко используемым компонентом, который имеет ряд технических преимуществ и может быть использован в различных электронных схемах и приложениях

В целом, транзистор C2482 является надежным, универсальным и широко используемым компонентом, который имеет ряд технических преимуществ и может быть использован в различных электронных схемах и приложениях.

Применение транзистора C2482

Основные области применения транзистора C2482 включают:

1. Усилители звука: Транзистор C2482 обладает высоким коэффициентом усиления и низким уровнем шума, что делает его идеальным компонентом для усилителей звука. Он может использоваться в стационарных аудиоустройствах, в автомобильной аудиотехнике, а также в различных аудиосистемах.

2. Усилители мощности: Благодаря своей высокой нагрузочной способности, транзистор C2482 может использоваться в усилителях мощности. Он применяется в различных устройствах, где требуется великая мощность.

3. Радиоприемники: Транзистор C2482 может быть использован в радиоприемниках как усилитель сигнала. Он обеспечивает четкое и качественное воспроизведение радиостанций.

4. Микроконтроллеры и цифровая электроника: Транзистор C2482 может быть использован в различных схемах цифровой электроники, включая микроконтроллеры. Он обеспечивает быструю и надежную работу таких устройств.

5. Источники питания: Транзистор C2482 может быть использован в источниках питания, где требуется стабильная работа и высокая эффективность преобразования энергии.

В целом, транзистор C2482 является универсальным и широко применяемым компонентом, который играет важную роль в различных электронных и электротехнических устройствах и системах.

Схема NPN транзистора

Когда NPN транзистор связан с ресурсами напряжения, базовый ток будет проходить через транзистор. Даже небольшое количество базы контролирует циркуляцию большого количества тока через эмиттер к коллектору. Напряжение базы выше, чем напряжение на эмиттере.

Когда VB базовое напряжение не -ve по сравнению с VE напряжение эмиттера, ток не может проходить в цепи. Таким образом, необходимо обеспечить подачу напряжения обратного смещения> 0.72 Вольт.

Резисторы RL и RB включены в цепь. Это ограничивает ток, проходящий через максимально возможную высоту транзистора.

Напряжение эмиттера VEB как входная сторона. Здесь ток эмиттера (IE) течет со стороны входа и течет в двух направлениях; один яB а другое это яC.

IE= ЯB+ ЯC

Цифровые микросхемы транзисторы.

Поиск по сайту

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие t_{зд,р,ср.}= 13 нс. и среднее значение тока потребления I_пот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1_вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серия
Параметр
Нагрузка

Российские
Зарубежные
P_пот. мВт.
t_зд.р. нс
Э_пот.пДж.
C_н. пФ.
R_н. кОм.

К155 КМ155
74
10
9
90
15
0,4

К134
74L
1
33
33
50
4

К131
74H
22
6
132
25
0,28

К555
74LS
2
9,5
19

15
2
К531
74S
19
3
57
15
0,28

К1533
74ALS
1,2
4
4,8
15
2

К1531
74F
4
3
12
15
0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов.

Нагружаемыйвыход
Число входов-нагрузок из серий

К555 (74LS)
К155 (74)
К531 (74S)

К155, КM155, (74)
40
10
8

К155, КM155, (74), буферная

60
30
24
К555 (74LS)
20
5
4

К555 (74LS), буферная
60
15
12

К531 (74S)
50
12
10

К531 (74S), буферная
150
37
30

Выходы однокристальных, т.

o_вх.

Статические параметры микросхем ТТЛ

Параметр
Условия измерения
К155
К555
К531
К1531
Мин.

Тип.
Макс.
Мин.
Тип.
Макс.
Мин.
Тип.
Макс.
Мин.
Макс.

U1_вх, Всхема
U1_вх или U_вх Присутствуют на всех входах

U_вх, Всхема

0,8

U_вых, Всхема
U_и.п.= 4,5 В

0,4

0,35
0,5

0,5

I_вых= 16 мА

I_вых= 8 мА
I_вых= 20 мА
U1_вых, Всхема
U_{и. п.}= 4,5 В
2,4
3,5

2,7
3,4

2,7

I1_вых= -0,8 мА
I1_вых= -0,4 мА

I1_вых= -1 мА

I1_вых, мкА с ОКсхема
U1_и.п.= 4,5 В, U1_вых=5,5 В

250

100

250

I1_вых, мкА Состояние Zсхема
U1_и.п.= 5,5 В, U1_вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 U_вх= 2 В

I_вых, мкА Состояние Zсхема
U1_{и. п.}= 5,5 В, U_вых= 0,4 В, U_вх= 2 В

-40

-20

-50

I1_вх, мкАсхема
U1_и.п.= 5,5 В, U1_вх= 2,7 В

20
I1_{вх, max}, мА
U1_и.п.= 5,5 В, U1_вх= 10 В

0,1

I_вх, мАсхема
U1_и.п.= 5,5 В, U_вх= 0,4 В

-1,6

-0,4

-2,0

-0,6

I_к. з., мА
U1_и.п.= 5,5 В, U_вых= 0 В
-18

-55

-100

-100
-60
-150

Схема подключения транзистора С2482

Схема подключения транзистора С2482 представляет собой последовательное соединение его выводов с соответствующими элементами электрической схемы. В данном случае требуется корректно подключить три вывода транзистора: эмиттер (E), базу (B) и коллектор (C).

Эмиттер (E) обычно подключается к внешнему источнику электрического напряжения или заземлению. При этом, эмиттер должен быть подключен через резистор к сетке, что позволяет контролировать ток базы.

База (B) должна быть подключена через предварительное усиление сигнала к источнику сигнала или схеме управления. Компоненты, обеспечивающие усиление сигнала, могут включать резисторы, конденсаторы и другие элементы схемы.

Коллектор (C) подключается к нагрузке или другому устройству, которое необходимо управлять или контролировать с помощью переключения сигнала. Здесь также может использоваться резистор для стабилизации тока коллектора и обеспечения надежности работы устройства.

Правильное подключение транзистора С2482 в схеме обеспечивает работу устройства с заданными характеристиками и построение требуемого электрического сигнала. При необходимости следует обращаться к документации на конкретное устройство или консультироваться с экспертами для получения подробных указаний по схеме подключения.

Как выбрать аналог транзистора 2482s для замены

При выборе аналога транзистора 2482s для его замены необходимо учитывать несколько важных характеристик. Во-первых, структура и тип корпуса заменяемого транзистора должны быть одинаковыми с аналогом. Это обеспечит совместимость и правильное взаимодействие с другими элементами схемы.

Во-вторых, необходимо учесть максимальный ток и напряжение, которые может выдерживать аналогичный транзистор. Эти значения указываются в технических характеристиках и должны быть сравнимыми с исходным транзистором 2482s.

Также следует обратить внимание на коэффициент усиления и рабочую частоту транзистора. Если эти параметры важны для вашей схемы, то аналог должен быть способен обеспечить такие же значения или близкие к ним

Очень важно также обратиться к даташиту аналога и проанализировать все его параметры, чтобы убедиться в его полной совместимости с вашей схемой. Значения, указанные в даташите, помогут определить, можно ли использовать данный аналог вместо транзистора 2482s

В примечании также может содержаться информация о совместимых аналогах, которые производитель рекомендует использовать. Это может помочь сузить круг поиска и выбрать подходящий аналог для замены транзистора 2482s.

Что такое NPN транзистор?

Транзисторы вытеснили электролампы, позволили уменьшить количество реле, переключателей в устройствах. Это полупроводниковые триоды — радиоэлектронные компоненты из полупроводников, стандартно имеют 3 вывода.

Транзисторы, предназначенные для управления током, то есть основным силовым фактором электросхем, именно его удар (не напряжения) несет опасность для человека.

Элемент способен контролировать чрезвычайно высокие величины в выходных цепях при подаче слабого входного сигнала. Транзисторы повышают, генерируют, коммутируют, преобразовывают электросигналы, это основа микроэлектроники, электроустройств.

Разновидности по принципу действия:

биполярный транзистор из 2 типов проводников, в основе функционирования – взаимодействие на кристалле соседних p-n участков. Состоят из эмиттера/коллектора/базы (далее, эти термины будем сокращать): на последнюю идет слабый ток, вызывающий модификацию сопротивления (дальше по тексту «сопр.») в линии, состоящей из первых 2 элементов. Таким образом, протекающая величина меняется, сторона ее однонаправленности (n-p-n или p-n-p) определяется характеристиками переходов (участков) в соответствии с полярностью подключения (обратно, прямо). Управление осуществляется модулированием тока на сегменте база/эмит., вывод последнего всегда общий для сигналов управления и выхода;
полевой. Тип проводника один — узкий канал, подпадающий под электрополе обособленного затворного прохода. Контроль основывается на модуляции количества Вольт между ним и истоком. А между последним и стоком течет электроток (2 рабочие контакты). Величина имеет силу, зависящую от сигналов, формируемых между затвором (контакт контроля) и одной из указанных частей. Есть изделия с p-n участком управления (рабочие контакты подключаются к p- или n-полупроводнику) или с обособленными затворами.

У полевиков есть варианты полярности, для управления требуется низкий вольтаж, из-за экономичности их ставят в радиосхемы с маломощными БП. Биполярные варианты активируются токами. В аналоговых сборках превалируют вторые (БТ, BJT), в цифровых (процессоры, компьютеры) — первые. Есть также гибриды — IGBT, применяются в силовых схемах.

Транзистор С2482: характеристики, цоколевка, применение — все, что вам нужно знать

Основные характеристики транзистора С2482 включают низкое сопротивление открытого канала, высокую стабильность и низкое потребление энергии. Это делает его идеальным для применения в усилительных схемах, источниках питания, импульсных преобразователях и других приборах, где требуется высокая производительность и надежность.

Цоколевка транзистора С2482 состоит из трех выводов — исток (S), сток (D) и затвор (G). Правильное подключение транзистора к схеме играет важную роль в его работе, поэтому рекомендуется обратиться к сопутствующей документации или схеме для получения более подробной информации.

Применение транзистора С2482 включает, но не ограничивается:

Усилительные схемы: транзистор С2482 может быть использован в усилительных схемах различных приборов, таких как радиоприемники, усилители низкой частоты и другие.
Источники питания: благодаря низкому сопротивлению открытого канала, транзистор С2482 может быть использован для создания стабильного и эффективного источника питания.
Импульсные преобразователи: транзистор С2482 может быть использован в импульсных преобразователях для быстрого и эффективного преобразования сигнала.

Использование транзистора С2482 в электронных схемах может значительно улучшить их производительность и надежность. Однако перед использованием рекомендуется тщательно изучить документацию и ознакомиться с принципами подключения и использования транзистора.

Спецификации транзистора С2482

Тип: NPN
Максимальное значение напряжения эмиттер-база (Veb): 5 В
Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер (Vce): 25 В
Максимальное значение напряжения коллектор-база (Vcb): 30 В
Максимальный коллекторный ток (Ic): 100 мА
Максимальная мощность (P): 250 мВт
Коэффициент усиления по току (hfe): 100-400
Частота перехода (ft): 200 МГц

Транзистор С2482 обычно используется в усилителях, переключателях, генераторах и других устройствах, требующих управления малым потреблением энергии и имеющих высокую скорость работы. Благодаря своим характеристикам, он может быть применен в широком спектре электронных приложений.

Основные характеристики транзистора C2482

Основные параметры транзистора C2482:

Максимальное значение коллекторного тока (IC) — 1.5 А;
Максимальное значение коллекторно-эмиттерного напряжения (VCEO) — 30 В;
Максимальное значение эмиттерно-коллекторного напряжения (VEBO) — 5 В;
Максимальная мощность потери тепла (PD) — 0.8 Вт;
Ток базы (IB) — до 0.5 А;
Коэффициент усиления по току (hFE) — в диапазоне от 60 до 400;
Частота переключения (fT) — 80 МГц;
Температурный диапазон использования — от -55°C до +150°C.

Транзистор C2482 может использоваться в различных электронных схемах, таких как усилители, блоки питания, высокочастотные генераторы и другие устройства, требующие усиления или коммутации сигналов.

C2482 транзистор в Сызрани: 560-товаров: бесплатная доставка [перейти]

Партнерская программаПомощь

Сызрань

Каталог

Каталог Товаров

Одежда и обувь

Стройматериалы

Текстиль и кожа

Здоровье и красота

Детские товары

Электротехника

Продукты и напитки

Дом и сад

Промышленность

Вода, газ и тепло

Торговля и склад

Все категории

ВходИзбранное

C2482 транзистор

TOS Транзистор C2482 Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор 2SC2482, K21-25 Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор S8050 Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзисторы 2248 ТМ2Д Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

2SC2482 (300V 100mA 900mW npn) TO92NL Транзистор Тип: корпус

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор КТ818В (аналог sc6144) Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

TOS Транзистор биполярный 2SC2482 Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

2SC2482 транзистор Тип: транзистор, Производитель: Toshiba

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

2SC2482, Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.

транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор BF970 (аналог КТ3165А) Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор 2SC2482 Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

50 шт. 2SC2482 TO-92L C2482 300V 0.1A транзистор NPN новый и оригинальный Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор 2SC2482 TO-92MOD Тип: транзистор, Производитель: Без бренда

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

APL3510BXI-TRG