FAQ
- What are the packaging options for the KSC1845 transistor?
- The KSC1845 transistor typically comes in a TO-92 package, which is a standard through-hole package frequently used in many electronic circuits.
- Can the KSC1845 be used in audio amplifier circuits?
- Yes, the KSC1845 is well-suited for audio amplifier applications, particularly in low-noise preamplifier stages where maintaining a high signal fidelity is important.
- What are the alternatives or equivalents to the KSC1845 transistor?
- Similar transistors that might serve as alternatives or equivalents include the 2SC1845 and other NPN low-noise transistors with comparable specifications.
2SC5250 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet
Перейти к содержимому
|
Корпус транзистора 2SC5250 и его обозначение на схеме |
Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В.
- Встроенный демпферный диод.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 800 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттера-база | — | — | — | 6 | В |
| Ic | Ток коллектора постоянный | — | — | — | 8,0 | А |
| Ip | Ток коллектора импульсный | — | — | — | 16 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 50 | Вт |
| V(br)ceo | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Ic = 10,0 мА, Rbe = ∞ | 800 | — | — | В |
| V(br)ebo | Напряжение пробоя эмиттер-база | Ie = 600 мА, Ic = 0 | 6 | — | — | В |
| Ices | Обратный ток коллектора | Vcb = 1500 В, Rbe = 0 В | — | — | 500 | мкА |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 5,0 А | 4 | — | 7 | — |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 5,0 А, Ib = 1,25 А | — | — | 5 | В |
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 5,0 А, Ib = 1,25 А | — | — | 1,5 | В |
| Vf | Падение напряжения на прямосмещенном диоде | IF = 8 А | — | — | 2 | В |
| Tf | Время спада импульса | Ic = 5,0 А, Ib = 1,0 А, F = 31,5 кГц | — | 0,2 | 0,4 | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter
KSC1845 Transistor Application
Common application scenarios for KSC1845 transistors include:
- Audio amplifiers: Used in audio amplifiers, especially in preamplifiers or headphone amplifiers that need to amplify low power signals.
- Signal processing: used in circuits that need to amplify weak signals without introducing significant distortion.
- Voltage Amplification: Used in voltage amplification stages in electronic devices.
- Sensor Interface: Integrated into sensor interface circuits that process low-level signals, such as temperature sensors, light sensors, etc.
- Switching Circuits: Although primarily used for amplification, they can also be used in low power switching applications where small signals control large currents.
- Oscillator Circuits: In some cases, can be used in oscillator circuits that generate low frequency signals.
What is KSC1845 Transistor
The KSC1845 belongs to the NPN transistor family, a type of bipolar junction transistor commonly packaged in TO-92 format and crafted from silicon semiconductor material. Within NPN transistors, the key components are the emitter-base and collector-base junctions. For proper conduction, the emitter-base junction must be forward biased, while the collector-base junction should remain reverse biased. Applying a negative voltage to the emitter and a positive voltage to the base can achieve this forward biasing of the emitter-base junction.
Comprised of three layers, the KSC1845 contains one p-doped layer and two n-doped layers. The p-doped layer serves as the base terminal, while the emitter and collector connections are represented by the two n-doped layers.
With three terminals—base, collector, and emitter—the KSC1845 functions as follows: electrons are emitted from the emitter to the base, and subsequently collected from the base by the collector. This process allows controlled current flow through the transistor.
How to use KSC1845?
The primary activation point for a transistor is its base. When a voltage is applied to the base terminal, biasing occurs, allowing current to flow from the collector to the emitter. The schematic for the KSC1845 is illustrated below.
Bipolar devices like the KSC1845 lack symmetry. Reversing the emitter and collector sides shifts their functionality from forward active mode to reverse active mode.
This asymmetry is established through different doping concentrations at these terminals, ensuring distinct functionalities based on their arrangement.
KSC1845 transistor characteristics
DC current gain characteristics of the KSC1845 transistor
The figure shows the DC current gain characteristics of the KSC1845 transistor, the graph is plotted with DC current gain vs collector current.
The gain value starts at a higher value and then it will drop at a point, but the current value will start to increase and become constant at the end.
static characteristics of the KSC1845 transistor
The figure shows the static characteristics of the KSC1845 transistor, the graph is plotted with collector current vs collector to emitter voltage.
At a particular base current the collector current becomes constant and the collector to emitter voltage increases towards a point and becomes infinity.
2SC1845 Datasheet (PDF)
..1. Size:188K nec 2sc1845.pdf
8.1. Size:122K nec 2sc1841.pdf
8.2. Size:223K nec 2sc1843.pdf
8.3. Size:213K nec 2sc1842.pdf
8.4. Size:225K nec 2sc1844.pdf
8.5. Size:93K panasonic 2sc1846.pdf
Power Transistors2SC1846Silicon NPN epitaxial planar typeFor medium output power amplificationUnit: mm8.0+0.50.13.20.2Complementary to 2SA0885 3.160.1 Features Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Output of 3 W can be obtained by a complementary pair with2SA0885 TO-126B package which requires no insulation plate for installa-tion t
8.6. Size:94K panasonic 2sc1847.pdf
Power Transistors2SC1847Silicon NPN epitaxial planar typeFor medium output power amplificationUnit: mm8.0+0.50.13.20.2Complementary to 2SA0886 3.160.1 Features Output of 4 W can be obtained by a complementary pair with2SA0886 TO-126B package which requires no insulation plate for installa-tion to the heat sink Absolute Maximum Ratings Ta = 25
8.7. Size:43K no 2sc1848.pdf
8.8. Size:40K no 2sc1849.pdf
8.9. Size:180K jmnic 2sc1846.pdf
JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1846 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SA885 Low collector saturation APPLICATIONS For medium output power amplification PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute Maximun Ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITV
8.10. Size:178K jmnic 2sc1847.pdf
JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1847 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SA886 Low collector saturation APPLICATIONS For medium output power amplification PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute Maximun Ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITV
8.11. Size:81K usha 2sc184.pdf
Transistors2SC184
8.12. Size:853K foshan 2sc1846 3da1846.pdf
2SC1846(3DA1846) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Medium power amplifier. :V , 2SA885(3CA885) 3W CE(sat)Features: Low V ,3W output in complementary pair with 2SA885(3CA885). CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 45 V
8.13. Size:189K inchange semiconductor 2sc1846.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1846DESCRIPTIONSilicon NPN epitaxial planar typeLow collector to emitter saturation voltageOutput of 3W can be obtained by a complementarywith 2SA0885100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSuited for medium output power amplifier
8.14. Size:192K inchange semiconductor 2sc1847.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1847DESCRIPTIONHigh Collector Current-I = 1.5ACLow Saturation Voltage: V = 1V(Max)@ I = 2.0A, I = 0.2ACE(sat) C BGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA0886Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSuited for the output stage of 3 watts audio amplifier,voltage regul
8.15. Size:163K inchange semiconductor 2sc1848.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1848DESCRIPTIONSilicon NPN epitaxial planarHigh voltageComplement to Type 2SA887Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for medium power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 70 VCB
Характеристики биполярного транзистора.
Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач. И первая на очереди — входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:
I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const
В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):
Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.
Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора — выходной. Выходная характеристика — это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы
I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const
Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:
Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения — изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .
Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:
Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.
Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано.
Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно — при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:
I_к = \beta I_б
Двигаемся дальше
На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина — эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.
В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу — навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.
Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора.
И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.
Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:
Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды. Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.
Таблица предельных значений
При превышении значений параметров, указанных в таблице, производитель не гарантирует не только работу транзистора С945 в номинальных режимах и функционирование, в соответствии с графиками, но и целостность самого элемента.
Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.
| Обозначение | Параметр | Величина | ед.изм. |
|---|---|---|---|
| VCBO | Напряжение коллектор-база | 60 | В |
| VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер | 50 | В |
| VEBO | Напряжение эмиттер-база | 5 | В |
| IC | Постоянный ток коллектора | 150 | мА |
| PC | Мощность рассеяния | 400 | мВт |
| TJ | Максимальная рабочая температура | 125 | °C |
| Tstg | Интервал рабочих температур | -55…125 | °C |
Маркировка и цоколёвка
Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.
Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:
- Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
- Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :
А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.
На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.
Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.
Простейший усилитель на биполярном транзисторе
Рассмотрим детальнее принцип усиления сигнала в электрической плоскости на примере схемы.
Заранее оговорюсь, что такая схема не совсем правильная. Никто не подключает источник постоянного
напряжения напрямую к источнику переменного. Но в данном случае, так будет проще и нагляднее для
понимания самого механизма усиления с помощью биполярного транзистора. Так же, сама техника расчетов
в приведенном ниже примере носит несколько упрощенный характер.
1.Описание основных элементов цепи
Итак, допустим в нашем распоряжении транзистор с коэффициентом усиления 200 (β = 200).
Со стороны коллектора подключим относительно мощный источник питания в 20V,
за счет энергии которого будет происходить усиление. Со стороны базы транзистора
подсоединим слабый источник питания в 2V. К нему последовательно подсоединим источник переменного
напряжения в форме синуса, с амплитудой колебаний в 0.1V. Это будет сигнал, который нужно усилить.
Резистор Rb возле базы необходим для того, чтобы ограничить ток, идущий от источника сигнала,
обычно обладающего слабой мощностью.
2. Расчет входного тока базы Ib
Теперь посчитаем ток базы Ib. Поскольку мы имеем дело с переменным напряжением,
нужно посчитать два значения тока – при максимальном напряжении (Vmax) и минимальном (Vmin).
Назовем эти значения тока соответственно — Ibmax и Ibmin.
Также, для того чтобы посчитать ток базы, необходимо знать напряжение база-эмиттер VBE. Между базой и эмиттером располагается
один PN-переход. Получается, что ток базы «встречает» на своем пути полупроводниковый диод. Напряжение,
при котором полупроводниковый диод начинает проводить — около 0.6V. Не будем вдаваться в подробности
вольт-амперных характеристик диода, и для простоты расчетов возьмем приближенную модель,
согласно которой напряжение на проводящем ток диоде всегда 0.6V. Значит, напряжение между
базой и эмиттером VBE = 0.6V. А поскольку эмиттер подключен к земле (VE = 0),
то напряжение от базы до земли тоже 0.6V (VB = 0.6V).
Посчитаем Ibmax и Ibmin с помощью закона Ома:
2. Расчет выходного тока коллектора IС
Теперь, зная коэффициент усиления (β = 200),
можно с легкостью посчитать максимальное и
минимальное значения тока коллектора ( Icmax и Icmin).
3. Расчет выходного напряжения Vout
Осталось посчитать напряжение на выходе нашего усилителя Vout.
В данной цепи — это напряжение на коллекторе VC.
Через резистор Rc течет ток коллектора, который мы уже посчитали. Осталось подставить значения:
4. Анализ результатов
Как видно из результатов, VCmax получился меньше чем VCmin. Это произошло из-за того,
что напряжение на резисторе VRc отнимается от напряжения питания VCC. Однако в большинстве
случаев это не имеет значения, поскольку нас интересует переменная составляющая сигнала – амплитуда,
которая увеличилась c 0.1V до 1V. Частота и синусоидальная форма сигнала не изменились. Конечно же,
соотношение Vout/Vin в десять раз — далеко на самый лучший показатель для усилителя,
однако для иллюстрации процесса усиления вполне подойдет.
Итак, подытожим принцип работы усилителя на биполярном транзисторе.
Через базу течет ток Ib, несущий в себе постоянную и переменную составляющие.
Постоянная составляющая нужна для того чтобы PN-переход между базой и эмиттером начал проводить – «открылся».
Переменная составляющая – это, собственно, сам сигнал (полезная информация).
Сила тока коллектор-эмиттер внутри транзистора – это результат умножения тока базы на коэффициент усиления β.
В свою очередь, напряжение на резисторе Rc над коллектором – результат умножения усиленного тока коллектора на значение резистора.
Таким образом, на вывод Vout поступает сигнал с увеличенной амплитудой колебаний,
но с сохранившейся формой и частотой
Важно подчеркнуть, что энергию для усиления транзистор
берет у источника питания VCC. Если напряжения питания будет недостаточно,
транзистор не сможет полноценно работать, и выходной сигнал может получится с искажениями.
KSC1845 Features
- Transistor Type: NPN bipolar junction transistor.
- Collector Emitter Voltage: Rated at 120V, making it suitable for moderate voltage applications.
- Max Collector Current: Capable of handling currents up to 50mA.
- DC Current Gain (hFE): Typically ranges between 200 to 300 at 1mA and 6V, ensuring signal amplification efficiency.
- Gain Bandwidth Product: 110MHz, allowing it to handle moderate-frequency signals.
- Package / Case: Available in TO-226-3, TO-92-3 packages, common for small-signal transistors.
- Operating Temperature: Can operate at temperatures up to 150°C TJ, suitable for various environmental conditions.
- Max Power Dissipation: Rated at 500mW, indicating its power-handling capabilities in low-power circuits.
KSC1845 Transistor Specifications
|
Specifications |
Details |
|
Factory Lead Time |
6 Weeks |
|
Contact Plating |
Tin |
|
Mount |
Through Hole |
|
Mounting Type |
Through Hole |
|
Package / Case |
TO-226-3, TO-92-3 (Formed Leads) |
|
Number of Pins |
3 |
|
Weight |
240mg |
|
Transistor Element Material |
Silicon |
|
Operating Temperature |
150°C TJ |
|
Packaging |
Tape & Box (TB) |
|
Published |
2002 |
|
JESD-609 Code |
e3 |
|
Pbfree Code |
Yes |
|
Part Status |
Active |
|
Moisture Sensitivity Level |
1 (Unlimited) |
|
Number of Terminations |
3 |
|
ECCN Code |
EAR99 |
|
Voltage — Rated DC |
120V |
|
Max Power Dissipation |
500mW |
|
Terminal Position |
Bottom |
|
Current Rating |
50mA |
|
Frequency |
110MHz |
|
Number of Elements |
1 |
|
Element Configuration |
Single |
|
Transistor Application |
Amplifier |
|
Gain Bandwidth Product |
110MHz |
|
Polarity/Channel Type |
NPN |
|
Transistor Type |
NPN |
|
Collector Emitter Voltage |
120V |
|
Max Collector Current |
50mA |
|
DC Current Gain (hFE) |
300 @ 1mA 6V |
|
Current — Collector Cutoff |
50nA ICBO |
|
Vce Saturation (Max) |
300mV @ 1mA, 10mA |
|
Collector Emitter Breakdown |
120V |
|
Transition Frequency |
110MHz |
|
Collector Emitter Saturation |
70mV |
|
Max Breakdown Voltage |
120V |
|
Collector Base Voltage |
120V |
|
Emitter Base Voltage |
5V |
|
hFE Min |
200 |
|
Height |
4.58mm |
|
Length |
4.58mm |
|
Width |
3.86mm |
|
REACH SVHC |
No SVHC |
|
Radiation Hardening |
No |
|
RoHS Status |
RoHS3 Compliant |
|
Lead Free |
Lead Free (English) |
Ток или поле, управление транзисторами
Большинству людей, так или иначе имеющими дело с электроникой, принципиальное устройство полевых и биполярных транзисторов должно быть известно. По крайней мере, из названия «полевой транзистор», очевидно, что управляется он полем, электрическим полем затвора, в то время как биполярный транзистор управляется током базы.
![Ksc1845 transistor: equivalent, datasheet and pinout [faqs] - avaq](https://pafosklub.ru/wp-content/uploads/3/5/0/3508dc3fce1291bc0475f06d22e758fb.jpeg)
Ток и поле, различие здесь кардинальное. У биполярных транзисторов управление током коллектора осуществляется путем изменения управляющего тока базы, в то время как для управления током стока полевого транзистора, достаточно изменить приложенное между затвором и истоком напряжение, и не нужен уже никакой управляющий ток как таковой.
Модификации транзистора
| Тип | Pc | Ucb | Uce | Ueb | Tj | Cc | Ic | hfe | ft | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C945 | 0.2 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 3 pf | 0.15 A | 130 | 150 MHz | SOT23 |
| 2SC945 | 0.25 W | 50 V | 40 V | 5 V | 125 °C | 0.1 A | 75 | 125 MHz | TO-92 | |
| STC945 | 0.5 W | 50 V | 40 V | 5 V | 150 °C | 2 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO-92 |
| 2PC945 | 0.5 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 4 pf | 0.1 A | 50 | 150 MHz | SOT54, TO-92, SC43 |
| 2SC945-GR | 0.4 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 0.15 A | 200 | 150 MHz | TO-92 | |
| 2SC945-Y | 0.4 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 0.15 A | 120 | 150 MHz | TO-92 | |
| 2SC945L | 0.25 W | 50 V | 40 V | 5 V | 125 °C | 0.1 A | 75 | 125 MHz | TO-92 | |
| 2SC945LT1 | 0.23 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 2.2 pf | 0.15 A | 200 | 150 MHz | SOT23 |
| 2SC945M | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 250 pf | 0.15 A | 90 | 3 MHz | SOT23 |
| 2SC945O | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 2.5 pf | 0.15 A | 70 | 300 MHz | TO-92 |
| 2SC945P | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 2.5 pf | 0.15 A | 200 | 300 MHz | TO-92 |
| 2SC945R | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 2.5 pf | 0.15 A | 40 | 300 MHz | TO-92 |
| 2SC945T | 0.25 W | 50 V | 40 V | 5 V | 125 °C | 0.1 A | 75 | 125 MHz | TO-92 | |
| 2SC945Y | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 2.5 pf | 0.15 A | 120 | 300 MHz | TO-92 |
| BTC945A3 | 0.625 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 9 pf | 0.2 A | 135 | 150 MHz | TO-92 |
| C945LT1 | 0.2 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 0.15 A | 40 | 150 MHz | SOT23 | |
| C945T | 0.4 W | 60 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 3 pf | 0.15 A | 70 | 200 MHz | TO-92 |
| CSC945 | 0.25 W | 60 V | 45 V | 5 V | 125 °C | 4 pf | 0.1 A | 50 | 150 MHz | TO-92 |
| CSC945K | 0.25 W | 60 V | 45 V | 5 V | 125 °C | 4 pf | 0.1 A | 50 | 150 MHz | TO-92 |
| CSC945P | 0.25 W | 60 V | 45 V | 5 V | 125 °C | 4 pf | 0.1 A | 50 | 150 MHz | TO-92 |
| CSC945Q | 0.25 W | 60 V | 45 V | 5 V | 125 °C | 4 pf | 0.1 A | 50 | 150 MHz | TO-92 |
| CSC945R | 0.25 W | 60 V | 45 V | 5 V | 125 °C | 4 pf | 0.1 A | 50 | 150 MHz | TO-92 |
| FPC945 | 0.25 W | 50 V | 40 V | 175 °C | 5 pf | 0.1 A | 200 | 250 MHz | TO-92 | |
| FTC945B | 0.4 W | 60 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 3 pf | 0.15 A | 70 | 200 MHz | TO-92 |
| HSC945 | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 4 pf | 0.1 A | 135 | 150 MHz | TO-92 |
| KSC945 | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 3.5 pf | 0.15 A | 40 | 300 MHz | TO-92 |
| KSC945G | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 3.5 pf | 0.15 A | 200 | 300 MHz | TO-92 |
| KSC945L | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 3.5 pf | 0.15 A | 350 | 300 MHz | TO-92 |
| KSC945O | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 3.5 pf | 0.15 A | 70 | 300 MHz | TO-92 |
| KSC945R | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 3.5 pf | 0.15 A | 40 | 300 MHz | TO-92 |
| KSC945Y | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 3.5 pf | 0.15 A | 120 | 300 MHz | TO-92 |
| KTC945 | 0.625 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 2 pf | 0.15 A | 90 | 300 MHz | TO-92 |
| KTC945B | 0.625 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 2 pf | 0.15 A | 70 | 300 MHz | TO-92 |
Где и как мы можем использовать ?
Максимальная нагрузка, которую может выдерживать этот транзистор, составляет около 150 мА, что достаточно для работы многих устройств в цепи, например реле, светодиодов и других элементов схемы. Напряжение насыщения Uкэ.нас. составляет всего 0.3 В, что также удовлетворяет почти все потребности. Как обсуждалось выше, C945 имеет хороший коэффициент усиления постоянного тока hFE и низкий уровень шума, благодаря чему он идеально подходит для использования в каскадах схем предусилителя, усилителя звука или для усиления других сигналов в электронных цепях. Напряжение насыщения большинства биполярных транзисторов составляет 0,6 В, но у нашего С945 Uкэ.нас. = 0,3 В, поэтому он может работать в цепях низкого напряжения.
Цветомузыкальная приставка на П213.
Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.
Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.
Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.
Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101, Рига 103, Урал Авто-2. Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204- стерео и т. д.
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC815
. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Производитель: NEC Сфера применения: Medium Power, High Voltage Популярность: 13955 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
